LED镜基座及其制备方法与流程

文档序号:13453819阅读:159来源:国知局
本发明涉及镜框结构的
技术领域
,更具体地说,本发明涉及一种led镜基座及其制备方法。
背景技术
:镜子作为人类生活必需品,已经有数千年的历史。在生活中,普通的镜子主要由镜框和前玻璃板组成,为了增强反光效果,在镜框内还可以设置反光膜或反光板。而led光源具有发光效率高、使用寿命长、发热量低、无热辐射性以及光色柔和的优点,近年来随着led光源的普及,led光源也被用于镜子中而开发了led镜,为了增强渲染效果,通常在led镜的底座内设置有反光膜,这种带有led渲染的led镜目前多用于酒店,而且随着人们生活水平的提高,在家庭中的应用也越来越普及,但led镜用于浴室等潮湿环境中时,由于防水性较差,常用的铝制反射膜容易因氧化和腐蚀而导致反射效果变差,而且铝制反射膜,渲染效果也较为单一,难以满足人们越来越高的品质需求。技术实现要素:为了解决现有技术中的上述技术问题,本发明的目的在于提供一种led镜基座及其制备方法。一种led镜基座,包括长方形的外框和位于外框内的底座,所述外框和底座之间形成有边缘凹槽区,所述底座的下部与外框底边之间形成有底部凹槽区,所述底座的中部形成有中部凹槽区,所述中部凹槽区内设置有驱动电源,其特征在于:所述边缘凹槽区和底部凹槽区的底部设置有反光膜,而所述边缘凹槽区的发光膜上贴装有第一led灯带,所述底部凹槽区的反光膜上贴装有第二led灯带,所述第一led灯带和第二led灯带并联至所述驱动电源,所述驱动电源包括led控制器。其中,所述第二led灯带由多根灯带并联而成并形成可定制的花纹区。所谓可定制的花纹区是指可根据客户需要或设计开发的形状图案而拼贴而成的led灯带花纹区。其中,反光膜以铝为基体,所述基体的底表面上设置alcr合金层,所述基体的上表面上设置有淡蓝色alcrcn层。其中,所述淡蓝色alcrcn层的厚度为0.1~1.0μm。其中,所述淡蓝色alcrcn层以lab表色系表示l值为60~82,a值为-5~-15,b值为-12~-35。作为优选地,l值为69~81,a值为-6~-12,b值为-15~-32;进一步优选,l值为70~79,a值为-7~-10,b值为-15~-22。其中,所述alcrcn层中al的含量为57.8~65.2wt%,cr的含量为23.7~31.2wt%,n的含量为7.4~9.7wt%,c的含量为1.6~3.9wt%。本发明的第二方面还涉及一种led镜基座的制备方法。本发明的led镜基座的制备方法,包括以下步骤:(1)准备包括底座的长方形的外框,所述外框和底座之间形成有边缘凹槽区,所述底座的下部与外框底边之间形成有底部凹槽区,所述底座的中部形成有中部凹槽区;(2)在所述中部凹槽区内设置驱动电源,在所述边缘凹槽区和底部凹槽区的底部设置反光膜;(3)在所述边缘凹槽区的发光膜上贴装第一led灯带,在所述底部凹槽区的反光膜上贴装有第二led灯带,所述第一led灯带和第二led灯带并联至所述驱动电源,所述驱动电源包括led控制器。其中,所述反光膜的制备方法包括以下步骤:准备厚度为0.05mm以上的铝基体;在所述铝箔基体的底表面和上表面上沉积铬cr,沉积的铬cr的厚度为0.01~0.50μm;在390~520℃的温度条件下进行热处理以使得铝箔基体中的铝与沉积的铬扩散形成铝铬合金层;对其中的一个铝铬合金层表面在热处理炉中进行碳氮共渗,通过控制共渗炉中的气体气氛,可以得到淡蓝色的alcrcn层。其中,采用等离子渗工艺,并且热处理炉中n2的通入量为22~50sccm,ch4的通入量为4~12sccm,施加的直流电压为400v,碳氮共渗的时间为50~60min。本发明的led镜基座具有以下有益效果:本发明的led镜基座不仅可实现光与影的艺术结合,可方便地根据客户需求对led灯带进行个性化定性设计;而且采用的反光膜呈淡蓝色,反光效果更好而且耐久性好,能用于浴室等潮湿的环境中。附图说明图1为本发明的led镜基座的结构示意图。图2为本发明采用的反射膜的层状结构示意图。具体实施方式以下将结合具体实施例对本发明所述的led镜基座做进一步的阐述,以帮助本领域的技术人员对本发明的发明构思、技术方案有更完整、准确和深入的理解。如图1所示,本发明的led镜基座,包括长方形的外框10和位于外框内的底座12,所述外框10和底座12之间形成有边缘凹槽区(图中未标识),底座12的下部与外框10的底边之间形成有底部凹槽区11,所述底座12的中部形成有中部凹槽区13,所述中部凹槽区13内设置有驱动电源30。所述边缘凹槽区和底部凹槽区11的底部平整地贴装反光膜,而边缘凹槽区的发光膜上贴装有第一led灯带21,底部凹槽区11的反光膜上贴装有第二led灯带22,所述第一led灯带21由位于边缘四周的四根灯带并联而成,例如可采用3528滴胶软灯带按照外框10的边缘凹槽区四周长度剪好尺寸,并将四根灯带并联接好并使用硅胶线焊接,然后将灯带整齐地贴在边缘凹槽底部的反射膜上,位置居中,灯带焊接处用热熔胶固定,防止翘起。所述第二led灯带由多根灯带并联而成并形成可定制的花纹区。所谓可定制的花纹区是指可根据客户需要或设计开发的形状图案而拼贴而成的led灯带花纹区。作为示例性地,如图1所示,所述led灯带花纹区由7根长度相同的灯带间隔地平行贴装,并且并联焊接。第一led灯带21和第二led灯带22通过引出线连接至驱动电源30,驱动电源30包括led控制器,通过led控制器来控制第一led灯带21和led灯带22来检查灯带是否能够正常工作,所述led控制器可选择触摸控、无线控制等类型,例如可以通过触摸或手机app来控制led灯带的开闭、亮度和颜色等。如图2所示,本发明中的反光膜以铝为基体50,并且基体50的底表面上设置alcr合金层51,所述基体50的上表面上设置有淡蓝色alcrcn层52,可使用的铝基体的厚度并无限制,为了保持柔韧并且从经济性考虑,优选为0.050mm以上2.0mm以下,优选为0.050mm至0.50mm,更优选为0.050~0.20mm。所述alcr合金层的厚度为0.1~10.0μm,优选为0.5~5.0μm,更优选为0.5~3.0μm。同样地,所述淡蓝色alcrcn层的厚度为0.10~1.0μm,优选为0.10~0.50μm。所述反光膜对可见光的反射率为78%以上,更优选为85%以上。所述淡蓝色alcrcn层以lab表色系表示l值为60~82,a值为-5~-15,b值为-12~-35;优选地,l值为69~81,a值为-6~-12,b值为-15~-32;进一步优选,l值为70~79,a值为-7~-10,b值为-15~-22。作为优选地,所述alcrcn层中al的含量为57.8~65.2wt%,cr的含量为23.7~31.2wt%,n的含量为7.4~9.7wt%,c的含量为1.6~3.9wt%。在铝基体的底表面上设置alcr合金层能够赋予所述反光膜良好的耐候性、耐水性,而设置的淡蓝色alcrcn层不仅提升了反射膜的美感和质感,而且提高了所述反光膜的耐水性、耐候性、耐磨性和耐变色性。本发明的反光膜的制备方法如下:首先,准备铝基材,铝基材优选为柔韧的铝箔基体,所述铝箔基体的厚度例如为0.050mm以上2.0mm以下,优选为0.050mm至0.50mm,更优选为0.050~0.20mm,并且所述铝箔进行了镜面加工以使其对可见光具有良好的反射率,在使用之前优选对所述铝箔进行前处理,所述前处理例如可以包括碱洗和水洗,以去除表面的油污杂质等,从而提高铝基体与设置的涂层之间的粘结性。然后,在所述铝箔基体的底表面和上表面上沉积铬cr,所述沉积的铬cr的厚度为0.01~0.50μm,优选为0.05~0.50μm,更优选为0.05~0.30μm。沉积所述铬的方法可采用蒸镀、溅射、离子镀等pvd镀膜方法,还可以采用化学气相沉积、等离子增强化学气相沉积等cvd镀膜方法,对于铝箔,为了提高镀膜效率可以采用卷到卷的镀膜方式。在本发明中优选通过溅射镀膜或离子镀膜方法。接着,进行热处理以使得铝箔基体中的铝与沉积的铬扩散形成铝铬合金层,热处理的温度优选为390~520℃,更优选为420~480℃。最后在其中的一个铝铬合金层表面在热处理炉中进行碳氮共渗,通过控制共渗炉中的气体气氛,可以得到淡蓝色的alcrcn层,渗碳气体例如可以采用常用的甲烷、乙烷、丙烷等,优选采用ch4,而渗氮气体例如可以采用氮气,作为优选地,采用等离子渗工艺,并且热处理炉中n2的通入量为22~50sccm,ch4的通入量为4~12sccm,施加的直流电压为400v,碳氮共渗的时间为50~60min。为了方便控制碳氮共渗气体的气氛还可以添加氩气ar等惰性气体。在本发明中,为了提高效率,优选采用卷对卷的连续加工工艺,即连续进行cr沉积、热处理和碳氮共渗的工艺步骤,上述工艺步骤均在真空设备中进行。实施例1本实施例制备铝基反光膜。首先选择厚度为50μm的铝箔作为基体,采用碱性脱脂液进行碱洗除油,然后进行水洗并干燥。接着在预处理腔中进行清洁,首先对预处理腔进行抽真空并预热,使得预处理腔内的真空度为5×10-3pa以下,然后通入氩气进行清洁处理以去除铝箔表面的氧化膜层。然后在设置有铬靶的真空镀膜腔室中在铝箔表面沉积铬,真空镀膜腔室抽真空后在其中导入10sccm的ar,并施加400v的直流电压以产生ar等离子体,设置铬靶的电离电压为50v,电离电流为30a,在铝箔的底表面和上表面上均形成厚度为0.03μm的铬层。随后,在真空热处理炉中在390℃热处理50分钟形成alcr合金层;最后在热处理炉中对其中一面的alcr合金层进行碳氮共渗,碳氮共渗炉中n2的通入量为22sccm,ch4的通入量为10sccm,施加的直流电压为400v,碳氮共渗的时间为50分钟,然后冷却至室温即可得到如图2所示层结构的反光膜。实施例2本实施例制备铝基反光膜。首先选择厚度为50μm的铝箔作为基体,采用碱性脱脂液进行碱洗除油,然后进行水洗并干燥。接着在预处理腔中进行清洁,首先对预处理腔进行抽真空并预热,使得预处理腔内的真空度为5×10-3pa以下,然后通入氩气进行清洁处理以去除铝箔表面的氧化膜层。接着在设置有铬靶的真空镀膜腔室中在铝箔表面沉积铬,真空镀膜腔室抽真空后在其中导入10sccm的ar,并施加400v的直流电压以产生ar等离子体,设置铬靶的电离电压为50v,电离电流为30a,在铝箔的底表面和上表面上均形成厚度为0.05μm的铬层。随后,在真空热处理炉中在420℃热处理60分钟形成alcr合金层;最后在热处理炉中对其中一面的alcr合金层进行碳氮共渗,碳氮共渗炉中n2的通入量为22sccm,ch4的通入量为10sccm,施加的直流电压为400v,碳氮共渗的时间为60分钟,然后冷却至室温即可得到如图2所示层结构的反光膜。实施例3本实施例制备铝基反光膜。首先选择厚度为50μm的铝箔作为基体,采用碱性脱脂液进行碱洗除油,然后进行水洗并干燥。接着在预处理腔中进行清洁,首先对预处理腔进行抽真空并预热,使得预处理腔内的真空度为5×10-3pa以下,然后通入氩气进行清洁处理以去除铝箔表面的氧化膜层。接着在设置有铬靶的真空镀膜腔室中在铝箔表面沉积铬,真空镀膜腔室抽真空后在其中导入10sccm的ar,并施加400v的直流电压以产生ar等离子体,设置铬靶的电离电压为50v,电离电流为30a,在铝箔的底表面和上表面上均形成厚度为0.05μm的铬层。随后,在真空热处理炉中在420℃热处理60分钟形成alcr合金层;最后在热处理炉中对其中一面的alcr合金层进行碳氮共渗,碳氮共渗炉中n2的通入量为30sccm,ch4的通入量为12sccm,施加的直流电压为400v,碳氮共渗的时间为60分钟,然后冷却至室温即可得到如图2所示层结构的反光膜。实施例4本实施例制备铝基反光膜。首先选择厚度为50μm的铝箔作为基体,采用碱性脱脂液进行碱洗除油,然后进行水洗并干燥。接着在预处理腔中进行清洁,首先对预处理腔进行抽真空并预热,使得预处理腔内的真空度为5×10-3pa以下,然后通入氩气进行清洁处理以去除铝箔表面的氧化膜层。接着在设置有铬靶的真空镀膜腔室中在铝箔表面沉积铬,真空镀膜腔室抽真空后在其中导入10sccm的ar,并施加400v的直流电压以产生ar等离子体,设置铬靶的电离电压为50v,电离电流为30a,在铝箔的底表面和上表面上均形成厚度为0.10μm的铬层。随后,在真空热处理炉中在450℃热处理60分钟形成alcr合金层;最后在热处理炉中对其中一面的alcr合金层进行碳氮共渗,碳氮共渗炉中n2的通入量为30sccm,ch4的通入量为12sccm,施加的直流电压为400v,碳氮共渗的时间为60分钟,然后冷却至室温即可得到如图2所示层结构的反光膜。实施例5本实施例制备铝基反光膜。首先选择厚度为50μm的铝箔作为基体,采用碱性脱脂液进行碱洗除油,然后进行水洗并干燥。接着在预处理腔中进行清洁,首先对预处理腔进行抽真空并预热,使得预处理腔内的真空度为5×10-3pa以下,然后通入氩气进行清洁处理以去除铝箔表面的氧化膜层。接着在设置有铬靶的真空镀膜腔室中在铝箔表面沉积铬,真空镀膜腔室抽真空后在其中导入10sccm的ar,并施加400v的直流电压以产生ar等离子体,设置铬靶的电离电压为50v,电离电流为30a,在铝箔的底表面和上表面上均形成厚度为0.10μm的铬层。随后,在真空热处理炉中在450℃热处理50分钟形成alcr合金层;最后在热处理炉中对其中一面的alcr合金层进行碳氮共渗,碳氮共渗炉中n2的通入量为35sccm,ch4的通入量为5sccm,ar的流量为20sccm,施加的直流电压为400v,碳氮共渗的时间为50分钟,然后冷却至室温即可得到如图2所示层结构的反光膜。实施例6本实施例制备铝基反光膜。首先选择厚度为50μm的铝箔作为基体,采用碱性脱脂液进行碱洗除油,然后进行水洗并干燥。接着在预处理腔中进行清洁,首先对预处理腔进行抽真空并预热,使得预处理腔内的真空度为5×10-3pa以下,然后通入氩气进行清洁处理以去除铝箔表面的氧化膜层。接着在设置有铬靶的真空镀膜腔室中在铝箔表面沉积铬,真空镀膜腔室抽真空后在其中导入10sccm的ar,并施加400v的直流电压以产生ar等离子体,设置铬靶的电离电压为50v,电离电流为30a,在铝箔的底表面和上表面上均形成厚度为0.20μm的铬层。随后,在真空热处理炉中在480℃热处理60分钟形成alcr合金层;最后在热处理炉中对其中一面的alcr合金层进行碳氮共渗,碳氮共渗炉中n2的通入量为50sccm,ch4的通入量为4sccm,施加的直流电压为400v,碳氮共渗的时间为60分钟,然后冷却至室温即可得到如图2所示层结构的反光膜。实施例7本实施例制备铝基反光膜。首先选择厚度为50μm的铝箔作为基体,采用碱性脱脂液进行碱洗除油,然后进行水洗并干燥。接着在预处理腔中进行清洁,首先对预处理腔进行抽真空并预热,使得预处理腔内的真空度为5×10-3pa以下,然后通入氩气进行清洁处理以去除铝箔表面的氧化膜层。接着在设置有铬靶的真空镀膜腔室中在铝箔表面沉积铬,真空镀膜腔室抽真空后在其中导入10sccm的ar,并施加400v的直流电压以产生ar等离子体,设置铬靶的电离电压为50v,电离电流为30a,在铝箔的底表面和上表面上均形成厚度为0.20μm的铬层。随后,在真空热处理炉中在480℃热处理60分钟形成alcr合金层;最后在热处理炉中对其中一面的alcr合金层进行碳氮共渗,碳氮共渗炉中n2的通入量为40sccm,ch4的通入量为5sccm,ar的通入量为20sccm,施加的直流电压为400v,碳氮共渗的时间为60分钟,然后冷却至室温即可得到如图2所示层结构的反光膜。对比例1本对比例制备铝基反光膜。首先选择厚度为50μm的铝箔作为基体,采用碱性脱脂液进行碱洗除油,然后进行水洗并干燥。接着在预处理腔中进行清洁,首先对预处理腔进行抽真空并预热,使得预处理腔内的真空度为5×10-3pa以下,然后通入氩气进行清洁处理以去除铝箔表面的氧化膜层。接着在设置有铬靶的真空镀膜腔室中在铝箔表面沉积铬,真空镀膜腔室抽真空后在其中导入10sccm的ar,并施加400v的直流电压以产生ar等离子体,设置铬靶的电离电压为50v,电离电流为30a,在铝箔的底表面和上表面上均形成厚度为0.20μm的铬层。然后在热处理炉中对其中一面的cr合金层进行碳氮共渗,碳氮共渗炉中n2的通入量为50sccm,ch4的通入量为8sccm,施加的直流电压为400v,碳氮共渗的时间为60分钟,得到的crcn层的颜色为黄色。对比例2本对比例制备铝基反光膜。首先选择厚度为50μm的铝箔作为基体,采用碱性脱脂液进行碱洗除油,然后进行水洗并干燥。接着在预处理腔中进行清洁,首先对预处理腔进行抽真空并预热,使得预处理腔内的真空度为5×10-3pa以下,然后通入氩气进行清洁处理以去除铝箔表面的氧化膜层。接着在设置有铬靶的真空镀膜腔室中在铝箔表面沉积铬,真空镀膜腔室抽真空后在其中导入10sccm的ar,并施加400v的直流电压以产生ar等离子体,设置铬靶的电离电压为50v,电离电流为30a,在铝箔的底表面和上表面上均形成厚度为0.20μm的铬层。随后,在真空热处理炉中在480℃热处理60分钟形成alcr合金层;最后在热处理炉中对其中一面的alcr合金层进行渗氮处理,n2的通入量为50sccm,施加的直流电压为400v,渗氮的时间为60分钟,得到的alcrn层的颜色为黄色。对比例3本对比例制备铝基反光膜。首先选择厚度为50μm的铝箔作为基体,采用碱性脱脂液进行碱洗除油,然后进行水洗并干燥。接着在预处理腔中进行清洁,首先对预处理腔进行抽真空并预热,使得预处理腔内的真空度为5×10-3pa以下,然后通入氩气进行清洁处理以去除铝箔表面的氧化膜层。接着在设置有铬靶的真空镀膜腔室中在铝箔表面沉积铬,真空镀膜腔室抽真空后在其中导入10sccm的ar,并施加400v的直流电压以产生ar等离子体,设置铬靶的电离电压为50v,电离电流为30a,在铝箔的底表面和上表面上均形成厚度为0.20μm的铬层。随后,在真空热处理炉中在480℃热处理60分钟形成alcr合金层;最后在热处理炉中对其中一面的alcr合金层进行碳氮共渗,碳氮共渗炉中n2的通入量为50sccm,ch4的通入量为20sccm,施加的直流电压为400v,碳氮共渗的时间为60分钟,得到的alcrcn层的颜色为灰白色。对比例4本对比例制备铝基反光膜。首先选择厚度为50μm的铝箔作为基体,采用碱性脱脂液进行碱洗除油,然后进行水洗并干燥。接着在预处理腔中进行清洁,首先对预处理腔进行抽真空并预热,使得预处理腔内的真空度为5×10-3pa以下,然后通入氩气进行清洁处理以去除铝箔表面的氧化膜层。接着在设置有铬靶的真空镀膜腔室中在铝箔表面沉积铬,真空镀膜腔室抽真空后在其中导入10sccm的ar,并施加400v的直流电压以产生ar等离子体,设置铬靶的电离电压为50v,电离电流为30a,在铝箔的底表面和上表面上均形成厚度为0.20μm的铬层。随后,在真空热处理炉中在480℃热处理60分钟形成alcr合金层;最后在热处理炉中对其中一面的alcr合金层进行碳氮共渗,碳氮共渗炉中n2的通入量为20sccm,ch4的通入量为30sccm,施加的直流电压为400v,碳氮共渗的时间为60分钟,得到的alcrcn层的颜色为灰白色。对比例5本对比例制备铝基反光膜。首先选择厚度为50μm的铝箔作为基体,采用碱性脱脂液进行碱洗除油,然后进行水洗并干燥。接着在预处理腔中进行清洁,首先对预处理腔进行抽真空并预热,使得预处理腔内的真空度为5×10-3pa以下,然后通入氩气进行清洁处理以去除铝箔表面的氧化膜层。接着在设置有铬靶的真空镀膜腔室中在铝箔表面沉积铬,真空镀膜腔室抽真空后在其中导入10sccm的ar,并施加400v的直流电压以产生ar等离子体,设置铬靶的电离电压为50v,电离电流为30a,在铝箔的底表面和上表面上均形成厚度为0.20μm的铬层。随后,在真空热处理炉中在480℃热处理60分钟形成alcr合金层;最后在热处理炉中对其中一面的alcr合金层进行渗碳处理,渗碳炉中ch4的通入量为30sccm,施加的直流电压为400v,渗碳的时间为60分钟,得到的alcrc层的颜色为灰白色。实施例1~7以及对比例1~5制备的反光膜中的alcrcn层(或crcn层、alcrn层、alcrc层)的厚度以及平均元素组成如表1所示,另外采用色度计(d65光源)测量的alcrcn层(或crcn层、alcrn层、alcrc层)的色度(l值、a值、b值)也一同显示在表1中。表1耐久性测试1.将实施例以及对比例制备的反光膜设置在温度为25℃、相对湿度为75%rh的恒温恒湿箱中放置100d,然后使用色度计(d65光源)计算放置前后反射面的色差△e,当色差△e小于3时可评价为耐候性优,当色差△e为3~6时可评价耐候性为良,当色差大于6时可评价耐候性为差。2.将实施例以及对比例制备的反光膜设置在温度为120℃的恒温箱中放置24小时,然后使用色度计(d65光源)计算放置前后反射面的色差△e,当色差△e小于3时可评价为抗氧化变色性优,当色差△e为3~6时可评价抗氧化变色性为良,当色差大于6时可评价抗氧化变色性为差。3.将实施例以及对比例制备的反光膜设置在浓度为5wt%的nacl的盐雾实验箱中放置24小时,然后使用色度计(d65光源)计算放置前后反射面的色差△e,当色差△e小于3时可评价为抗腐蚀变色性优,当色差△e为3~6时可评价抗腐蚀变色性为良,当色差大于6时可评价抗腐蚀变色性为差。耐久性测试结果如表2所示。表2耐候性抗氧化变色性抗腐蚀变色性实施例1优优优实施例2优优优实施例3优优优实施例4优优优实施例5优优优实施例6优优优实施例7优优优对比例1良良优对比例2良良优对比例3差差优对比例4差差优对比例5差差优对于本领域的普通技术人员而言,具体实施例只是对本发明进行了示例性描述,显然本发明具体实现并不受上述方式的限制,只要采用了本发明的方法构思和技术方案进行的各种非实质性的改进,或未经改进将本发明的构思和技术方案直接应用于其它场合的,均在本发明的保护范围之内。当前第1页12
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