具有自发光组件和非自发光组件的显示装置的制作方法

专利名称：具有自发光组件和非自发光组件的显示装置的制作方法
技术领域：
本发明是有关于一种显示装置，特别有关于一种具有自发光组件和非自发 光组件的显示装置。
背景技术：
随着科技的进步，各式数字行动装置如手机、PDA以及笔记型计算机等已 经变成社会大众的必要配备。然而，因为数字行动装置的蓄电量通常不高，因 此数字行动装置上的显示装置必须具有低耗电的功能。而且，随着数字行动装 置的功能愈来愈强大，所搭载的显示装置也必须能够显示复杂的内容，如高分 辨率全彩照片或动态影像等。 一般而言，显示装置可分为自发光显示装置和非 自发光显示装置，而非自发光显示装置中常用的液晶显示装置又可分为穿透式、 反射式以及半反射半穿透式。
穿透式液晶显示装置具有较佳的影像品质，然而其背光源耗电量大，而且 在强光下亮度不足，可视性差。
反射式液晶显示装置可以利用环境光作为光源，使得在强光下可视性佳， 但在环境光不足时，需要有前光源来提供足够的亮度，然而前光源在大面积时 光的亮度很难均匀，造成影像品质下降'。
半反射半穿透式液晶显示装置同时具有穿透区及反射区，可以在外界环境 光源不足时使用穿透区显示，而强光下使用反射区显示。然而反射区与穿透区 的面积总和是固定的，所以反射品质佳时，穿透亮度必然不够；而穿透亮度够 时，反射区的面积就相对比较小。
有机EL (电子冷光)是一种具有高发光效率的省电显示装置。然而，有机 EL是一种自发光显示装置，在强光下与穿透式液晶显示装置一样，可视性差。
如果要将亮度大幅提升至强光下可见，则发光效率及使用寿命将急剧的下降。
为了综合上述各种类型的显示装置的优点而避开其缺点，相关领域人士提 出了包舍自发光组件和非自发光组件的显示装置，但此类型的技术却有着下列
缺点要在同一基板上形成控制两种显示组件(自发光和非自发光)的TFT数 组及其控制电极会使得制程相当困难。而且，利用同一组TFT控制两个不同的 显示组件也会使电路的设计较为困难，降低产品的良率。 因此，需要一种新颖的显示装置改正上述的缺点。

发明内容
本发明的一 目的为提供一种具有自发光组件和非自发光组件的显示装置， 其具有分别控制自发光组件和非自发光组件的两主动切换组件，使得电路的设 计更为容易。
本发明的另 一 目的为提供一种具有自发光组件和非自发光组件的显示装 置，其具有一主动切换组件以及一被动切换组件以分别控制自发光组件和非自 发光组件。而且，第一切换组件位于第一基板上，第二切换组件位于第二基板 上。
本发明的又一目的为提供一种可运用在本发明的显示装置的第一基板和第 二基板的配线方式。
因此，本发明提供一种包含自发光组件和非自发光组件的显示装置，包含
第一基板、第二基板以及像素数组。其中像素数组具有至少一像素，其中每一
像素包含 一第一切换组件、由第一切换组件控制的一非自发光组件、 一第二 切换组件、以及由第二切换组件控制的一自发光组件，其中第一切换组件与第 二切换组件皆为主动组件。而且，第一切换组件位于第一基板上，第二切换组 件位于第二基板上。
其中此第一切换组件以及第二切换组件可为薄膜晶体管。而自发光组件可 为EL组件，并包含第一电极层、第二电极层与介于第一电极层与该第二电极层
之间的EL层。而非自发光组件是从电泳组件、电致表面张力改变组件、电致色 变组件、电致相变组件、微机电反射组件以及液晶组件所组成的群组中至少择
若非自发光组件为液晶组件时，可更包含第三电极层、第四电极层、介于 第三电极层与第四电极层之间的液晶层、介于第三电极层与液晶层之间的第一 配向层与介于第四电极层与液晶层之间的第二配向层。
上述EL层介于第一电极层与第二电极层之间，液晶层介于第三电极层与第 四电极层之间，且第二电极层可与第三电极层两者相邻。或者第二电极层与第 三电极层之间有一可透光绝缘层。此绝缘层可为有机或无机材料或者形成凸面 或凹面的非平坦架构。或者，第二电极层与第三电极层之间更包含一散光层。
其中第二电极层与第三电极层也可合并为一第五电极层，使得EL层介于第 一电极层与第五电极层之间，而液晶层介于第五电极层与第四电极层之间。第 一电极层与第四电极层可为可透光材料，而第五电极层可为高反射率材料。
其中上述的第三电极层与液晶层之间可具有第一配向层，而第四电极层与 液晶层之间可具有第二配向层。而此第一配向层及第二配向层为具有碳或硅至 少其一的无机层。其中无机层可为类钻碳膜(Diamond Like Carbon film)或氧化 硅(SiOx)。
其中上述的第二和第三电极之间可更包含一绝缘层。而绝缘层包含一可透 光绝缘部份以及一散光部份。
上述的可透光材料可为ITO或IZO,而高反射率材料可为银或铝。 此态样的第一基板和第二基板其中之一可具有 一第一主动矩阵、 一第一 接线区、 一第二接线区以及一信号接收区，第一基板和第二基板中的另一基板 具有一第二主动矩阵，其中第一接线区连接第一主动矩阵中的数据线以及信号 接收区，第二接线区连接信号接收区，第一主动矩阵中的扫瞄线连接信号接收 区，且第二主动矩阵中的数据线突出第二主动矩阵，当第一基板和第二基板实 质上重合时，第二主动矩阵中的数据线的突出部与第二接线区连接，而第二主 动矩阵中的扫瞄线与信号接收区连接。
更详细来说，第一主动矩阵中所述的扫瞄线突出第一主动矩阵，第二主动 矩阵中的扫瞄线突出第二主动矩阵，当第一基板和第二基板实质上重合时，第 一主动矩阵中的扫瞄线的突出部与第二主动矩阵中的扫瞄线的突出部相连接并 一同连接至信号接收区。
或者，其中具有第一主动矩阵的基板更包含一第三接线区，第三接线区与 该信号接收区连接并独立于第一主动矩阵中的扫瞄线，而第二主动矩阵的扫描 线的至少一部份突出第二主动矩阵，当第一基板和第二基板实质上重合时，第 二主动矩阵中的扫瞄线的突出部与第三接线区相连接。
本发明的另 一态样为一种包含自发光组件和非自发光组件的显示装置，包
含第一基板、第二基板以及像素数组。其中像素数组具有至少一像素，其中 每一像素包含:一第一切换组件、由第一切换组件控制的一非自发光组件、 一第 二切换组件、以及由第二切换组件控制的一自发光组件，其中第一切换组件与 第二切换组件其中之一为被动组件，而另一为主动组件。而且，第一切换组件 位于第一基板上，第二切换组件位于第二基板上。
在此态样中，第一基板和第二基板的配线方式可如下所述。第一基板和第 二基板其中之一具有至少一扫瞄线、至少一数据线、至少一第一电极条、一 第一接线区、 一第二接线区以及一信号接收区，第一基板和第二基板中的另一 基板具有至少一第二电极条，其中至少一第一电极条覆盖于扫瞄线以及数据线 上，扫瞄线连接信号接收区，第一接线区连接数据线以及信号接收区，第二接 线区连接信号接收区，第一基板和第二基板实质上重合时，第二电极条与第二 接线区连接。
此态样的其它特征方面与上一态样相同，故在此不再赘述。 须注意的是，上述的实施例可根据不同的需求选择各电极的材料，也可在 基板的外侧加上偏光膜以让影像更为完善。


图l(a)绘示了根据本发明的显示装置的第一较佳实施例的示意图； 图l(b)绘示了根据本发明的显示装置的第一较佳实施例的剖面图； 图l(c)绘示了根据本发明的显示装置的第一较佳实施例的电路图； 图1 (d)绘示了根据本发明的显示装置的第 一较佳实施例的电路图； 图l(e)绘示了根据本发明的显示装置的第 一较佳实施例的电路图； 图2(a)绘示了根据本发明的显示装置的第二较佳实施例的示意图； 图2(b)绘示了根据本发明的显示装置的第二较佳实施例的剖面图； 图2(c)绘示了根据本发明的显示装置的第二较佳实施例的剖面图； 图2(d)绘示了根据本发明的显示装置的第二较佳实施例的剖面图； 图3(a)绘示了根据本发明的显示装置的第三较佳实施例的示意图； 图3(b)绘示了根据本发明的显示装置的第三较佳实施例的剖面图； 图3(c)绘示了根据本发明的显示装置的第三较佳实施例的剖面图； 图4(a)绘示了根据本发明的显示装置的第四较佳实施例的示意图； 图4(b)绘示了根据本发明的显示装置的第四较佳实施例的剖面图； 图4(c)绘示了根据本发明的显示装置的第四较佳实施例的示意图； 图4(d)绘示了根据本发明的显示装置的第四较佳实施例的示意图； 图5(a)绘示了根据本发明的显示装置的第五较佳实施例的示意图； 图5(b)绘示了根据本发明的显示装置的第五较佳实施例的剖面图； 图5(c)绘示了根据本发明的显示装置的第五较佳实施例的电路图； 图5(d)绘示了根据本发明的显示装置的第五较佳实施例的示意图； 图5(e)绘示了根据本发明的显示装置的第五较佳实施例的剖面图； 图5(f)绘示了根据本发明的显示装置的第五较佳实施例的电路图； 图6(1)及图6(2)绘示了可运用于本发明的具有一主动矩阵和一被动矩阵的 显示装置的基板配线方式的示意图7(a)(l)及图7(a)(2)绘示了可运用于本发明的具有二主动矩阵的显示装置
的基板配线方式的示意图；以及
图7(b)(l)及图7(b)(2)绘示了图7(a)的变化形态。
具体实施例方式
底下将通过图示说明根据本发明的显示装置以及运用于此显示装置的基板 板配线方式的较佳实施例。
本发明是利用两主动切换组件或是一主动切换组件以及一被动组件而控制 自发光组件和非自发光组件。较佳的作法为，利用电极将自发光组件或非自发 光组件夹于其中，且自发光组件或非自发光组件可分别使用不同的电极或共享 至少一电极。底下将以各图详细说明本发明的较佳实施例，须注意的是，这些 较佳实施例仅用以说明而非限制本发明的范围，任何基于本发明的技术精神的 润饰和修改皆应在本发明的范围之内。
图l(a)至图l(e)分别绘示了根据本发明的显示装置的第一较佳实施例的示 意图、剖面图以及像素电路图。请交叉比对图l(a)至图l(e)，当可更加了解本 发明的技术精神。如图l(a)和l(b)所示，，显示装置可分为非自发光显示组件11 和自发光显示組件12。此显示装置具有两片基板101、 102,基板102上具有一 个TFT层104,其上方有一 EL(electroluminescent、冷发光)层113， EL层113 介于反射电极111与可透光电极112之间，形成俗称的底发光(Bo加m Emission) EL组件。在EL与电极之间通常具有电洞传输层、电子传输层、注入层…等等, 在此之后全部统称为EL层。EL层113可以为白光EL或是RGB三色的EL。 如果使用白光EL又想要得到彩色影像，在基板102上的TFT层104上方必须 要有滤光层106。如果使用RGB三色的EL则不需滤光层106。另外可以使用蓝 光EL，并搭配将滤光层106改以色转换层取代， 一样可以得到彩色的影像。
从基板102往基板101的方向观察，显示装置是一个EL显示装置，通过基 板102上的TFT层104控制送到EL组件的电信号，进而控制自发光121的强 度。
从基板101往基板102的方向观察，显示装置是一个反射式液晶显示装置。
环境光131沿箭头方向入射面板，经过液晶层114后遇到反射电极110使光线 反射。反射电极110通常是高反射率的金属如银或铝等。基板101具有一个TFT 层103作为控制可透光电极109的开关，而液晶层114的状态可经由可透光电 极109与反射电极110之间的电压差来改变，使得反射光132可以有亮度的变 化。此一显示装置可以独立操:作EL组件与液晶组件，以达到最佳的显示效果。 散光层115是一个凸面或凹面的光阻材料，也就是在一般现有的反射式液晶显 示装置中所称的反射板(Bump)，也可以在有机材料内散布微小粒子(SiOx、 Ti02、 MgO…等)来达到类似的效果。在基板101的TFT层103下可以有滤光 层105，使得反射式液晶显示时具有色彩。利用现有的液晶显示技术，滤光层 105可以开洞使反射式显示时的亮度提高，或甚至可省略滤光层105，使得反射 式液晶只能做黑白显示。配向层107、 108是用来控制液晶层114的液晶分子排 列。液晶的排列方式可以是水平(homogeneous)排列、垂直(homotropic )排 列、扭转(twist)排列或其它现有的任何液晶排列方式。由于配向层108的下 方为自发光(EL)组件，所以最好选用低温有机配向膜(烧成温度低于摄式150 度)或是无机配向材料(如SiOx或类钻石薄膜Diamond Like Carbon film),避 免伤害到EL层113。另外，为了保护EL组件，可在EL组件上涂布保护层。保 护层可以是单一层的有机或无机材料，如光阻、SiOx、 SiNx、 DLC等或是上述 材料组合而成的多层膜，并可视需求调整其位置。以图l(a)-例，保护层可以摆 在反射电极111与散光层115之间，也可省略保护层以节省成本。
另外一种可能的结构如图l(c)所示，可合并反射电极110、 111,使得非自 发光(反射式液晶)显示组件与自发光(EL)显示组件共享反射电极110 & 111, 并将散光层115移至反射电极110&111的上方，以达到较佳的显示效果。为节 省显示装置的制造成本，也可省略散光层115，只是此时非自发光显示组件的影 像品质可能无法达到最佳。
此显示装置的制造方法与现有的液晶显示装置制造方法类似
1. 将基板101上的各层依顺序逐一制作完成，包含TFT层103、滤光层105、 可透光电极109和配向层107。
2. 将基板102上的各层依顺序逐一制作完成，包舍TFT层104、滤光层106、 可透光电极112、 EL层113、反射电极lll、散光层115、反射电极110和配向 层108。
3. 依现有的液晶制造技术，可任意选择基板101或基板102于其上涂布框 胶、洒布间隙子(Spacer)，之后再将基板101、 102组合后中间注入液晶或是 先滴入液晶后再组合两基板(ODF—One Drop Fill process)。也可直接以有机材 料将间隙子制作于基板上(Integrated Spacer or Photo Spacer)以增进显示装置的 显示效果。
4. 最后在基板101及基板102的外侧贴上偏光膜119、 120,并完成外部信 号线的连接。
偏光膜119、 120可视需要的光学效果作适当的选择，可以选用线偏振偏光 膜(Linear Polarizer)或圓偏振偏光膜(Circular Polarizer)或内建视角补偿膜的 偏光膜，甚至可以不使用偏光膜来达到所需要的显示效果。
图1(d)为本发明在基板102的单一像素区中的电路图的一例。如图l(d)所示， 单一像素电路结构主要包含有2个薄膜晶体管141和142、电容143以及与薄膜 晶体管142连结的EL组件144。其中EL组件144连接到像素共同电压Pix—com (反射电极lll)，结构则为现有的2T1C操作电路。在基板102的单一像素区 中也可采用其它可控制EL组件的像素电路。
图l(e)为本发明在基板101的单一像素区中的电路图的一例。如图1(e)所 示，单一像素电路结构主要包含有一薄膜晶体管151、电容152和液晶组件153。 其中电容152连接至像素共同电压Pk_com;液晶组件153连接至液晶共同电压 LC—com (反射电极110)，结构则为现有的1T1C操作电路。在基板101的单 一像素区中也可采用其它可控制液晶組件的像素电路。
须注意的是，上述实施例中虽以EL和液晶作为自发光组件和非自发光组
件，但可以其它的自发光组件和非自发光组件代替。且实施例中虽以薄膜晶体
管控制EL和液晶，但可以其它切换组件如MOS、 BJT等取代。
图2(a)至图2(d)绘示了根据本发明的显示裝置的第二较佳实施例的示意图、 剖面图。请交叉比对图2(a)至图2(d),当可更加了解本发明的技术精神。如图 2(a)和2(b)所示，显示装置可分为非自发光显示组件21和自发光显示组件22。 此显示装置具有两片基板201、 202，基板202上具有一个TFT层204,其上方 有一EL层213, EL层213介于可透光电极211与反射电极212之间，形成俗 称的上发光(Top Emission) EL组件。EL层213可以为白光EL或是RGB三 色的EL。基板201具有一个TFT层203，其下方有一液晶层214,液晶层介于 可透光电极209与可透光电极210之间，再利用反射电极212作为反射面形成 一反射式液晶显示组件。
从基板201往基板202的方向观察，显示装置是一个反射式的液晶显示装 置以及一个EL显示装置。不考虑环境光时，通过基板202上的TFT层204控 制送到EL组件的电信号，进而控制自发光221的强度，为一个EL显示装置。 考虑环境光时，环境光231沿箭头方向入射面板，经过液晶层214后遇到反射 电极212使光线反射。反射电极212通常是高反射率的金属如银或铝。基板201 具有一个TFT层203作为控制可透光电极209的开关，而液晶层214的状态可 经由可透光电极209与可透光电极210之间的电压差来改变，使得反射光232 可以有亮度的变化。所以当EL层213不发光时，利用环境光来看显示装置相当 于是一个反射式液晶显示装置。此一显示装置可以独立操作EL组件与液晶组 件，以达到最佳的显示效果。散光层215是一个凸面或凹面的光阻材料，也就 是在一般现有的反射式液晶显示装置中所称的反射板(Bump),也可以在有机 材料内散布微小粒子(SiOx、 Ti02、 MgO...等)来达到类似的效果。在基板201 的TFT层203下可以有滤光层205，使得反射式液晶显示时具有色彩。利用现 有的液晶显示技术，滤光层205可以开洞使反射式显示或EL显示时的亮度提高， 或甚至可省略滤光层205,使得反射式液晶只能做黑白显示。在此实施例中，由
于反射光232与自发光221皆通过相同的滤光层205,此时EL层213可与滤光 层205做各种的搭配以达到显示装置的要求。举例来说，可选择白光EL搭配滤 光层205使得EL及反射式液晶皆为彩色显示；也可选用白光EL但省略滤光层 205，使得EL及反射式液晶皆为黑白显示；再可选用RGB三色EL但省略滤光 层205，使得EL为彩色显示而反射式液晶为黑白显示；也可选用RGB三色EL 但仍搭配滤光层205使得EL及反射式液晶皆为彩色显示，并得到色彩较纯的自 发光显示。配向层207、 208是用来控制液晶层214的液晶分子排列。液晶的排 列方式可以是水平(homogeneous)排列、垂直(homotropic)排歹'J 、扭转(twist) 排列或其它现有的任何液晶排列方式。由于配向层208的下方为自发光(EL) 显示組件，所以最好选用低温有机配向膜(烧成温度低于摄式150度)或是无 机配向材料(如SiOx或类钻石薄膜Diamond Like Carbon film ),避免伤害到EL 层2B。另外，为了保护EL组件，可在EL组件上涂布保护层。保护层可以是 单一层的有机或无机材料，如光阻、SiOx、 SiNx、 DLC等或是上述材料组合而 成的多层膜，并可#>需求调整其位置。以图2(a)为例，保护层可以摆在可透光电 极211与散光层215之间，也可省略保护层以节省成本。
另外两种可能的结构如图2(c)及2(d)所示，合并可透光电极210与可透光电 极211,使得非自发光(反射式液晶)显示组件与自发光(EL)显示组件共享 可透光电极210&211，并将散光层215移至可缘光电极210&211的上方或是反 射电极212的下方，以达到较佳的显示效果。为节省制造成本，也可省略散光 层215,只是此时非自发光显示组件的影像品质可能无法达到最佳。
此显示装置的制造方法与现有的液晶显示装置制造方法类似
1. 将基板201上的各层依顺序逐一制作完成，包含TFT层203、滤光层205、 可透光电极209和配向层207。
2. 将基板102上的各层依顺序逐一制作完成，包含TFT层204、反射电极 212、 EL层213、可透光电极211、散光层215、可透光电极210和配向层208。
3. 依现有的液晶制造技术，可任意选择基板201或基板202于其上涂布框
胶、洒布间隙子(Spacer),之后再将基板201、 202组合后中间注入液晶或是 先滴入液晶后再组合两基板(ODF—One Drop Fill process )。也可直接以有机材 料将间隙子制作于基板上(Integrated Spacer or Photo Spacer)以增进显示装置的 显示效果。
4.最后在基板201的外侧贴上偏光膜219,并完成外部信号线的连接。
偏光膜219可视需要的光学效果作适当的选择，可以选用线偏振偏光膜 (Linear Polarizer)或圓偏振偏光膜(Circular Polarizer)或内建视角补偿膜的偏 光膜，甚至可以不使用偏光膜来达到所需要的显示效果。
本发明在基板202与基板201的单一像素区中的电路图的例子与图l(d)及图 l(e)的电路结构相同，请参考实施例一的图l(d)及图l(e)。
图3(a)至图3(c)绘示了根据本发明的显示装置的第三较佳实施例的示意图、 剖面图。请交叉比对图3(a)至图3(c),当可更加了解本发明的技术精神。如图 3(a)和3(b)所示，显示装置可分为非自发光显示组件31和自发光显示组件32。 此显示装置具有两片基板301、 302，基板302上具有一个TFT层304,其上方 有一EL层313, EL层313介于可透光电极311与可透光电极312之间，形成 俗称的双面发光(Dual-sided Emission ) EL组件。此时下自发光321直接射出 基板302达到观察者的眼睛，而上自发光322向基板301的方向射出经过反射 电极309反射后成为反射自发光323，再向基板302射出显示装置达到观察者的 眼睛。EL层313可以为白光EL或是RGB三色的EL。基板301具有一个TFT 层303，其下方有一液晶层314，液晶层介于反射电极309与可透光电极310之 间，形成一反射式液晶显示組件。
从基板302往基板301的方向观察-，显示装置是一个反射式液晶显示装置 以及一个EL显示装置。不考虑环境光时，通过基板302上的TFT层304控制 送到EL组件的电信号，进而控制下自发光321及上自发光322的强度，为一个 EL显示装置。考虑环境光时，环境光331沿箭头方向入射面板，经过液晶层314 后遇到反射电极309使光线反射。反射电极309通常是高反射率的金属如银或
铝。基板301具有一个TFT层303作为控制反射电极309的开关，而液晶层314 的状态可经由反射电极309与可透光电极310之间的电压差来改变，使得反射 光332可以有亮度的变化。所以当EL层313不发光时，利用环境光来看显示装 置相当于是一个反射式液晶显示装置。此一显示装置可以独立操作EL组件或液 晶组件，以达到最佳的显示效果。散光层315是一个凸面或凹面的光阻材料， 也就是在一^:现有的反射式液晶显示装置中所称的反射板(Bump),也可以在 有机材料内散布微小粒子(SiOx、 Ti02、， MgO…等)来达到类似的效果。可透 光绝缘层316可以是常用的有机或无机材料，如光阻、SiOx、 SiNx等。也可如图 3(c)所示移除可透光绝缘层316,合并可透光电极310与可透光电极311，使得 非自发光(反射式液晶)显示组件与自发光(EL)显示组件共享可透光电极310 &311,以达到节省成本的目的。为节省制造成本，也可省略散光层315，只是 此时非自发光显示組件的影像品质可能无法达到最佳。在基板302的TFT上可 以有滤光层306,使得反射式液晶显示时具有色彩。利用现有的液晶显示技术， 滤光层306可以开洞使反射式显示或EL显示时的亮度提高，或甚至可省略滤光 层306，使得反射式液晶只能做黑白显示。在此实施例中，由于反射光332、下 自发光321与反射自发光323皆通过相同的滤光层306，此时EL层313可与滤 光层306做各种的搭配以达到显示装置的要求。举例来说，可选择白光EL搭配 滤光层306使得EL及反射式液晶皆为彩色显示；也可选用白光EL但省略滤光 层306，使得EL及反射式液晶皆为黑白显示；再可选用RGB三色EL但省略滤 光层306，使得EL为彩色显示而反射式液晶为黑白显示；也可选用RGB三色 EL但仍搭配滤光层306使得EL及反射式液晶皆为彩色显示，并得到色彩较纯 的自发光显示。配向层307、 308是用来控制液晶层314的液晶分子排列。液晶 的排列方式可以是水平(homogeneous)排列、垂直(homo—c)排列、扭转 (twist)排列或其它现有的任何液晶排列方式。由于配向层308的下方为自发 光(EL)显示组件，所以最好选用低温有机配向膜(烧成温度低于摄式150度) 或是无机配向材料(如SiOx或类钻石薄膜Diamond Like Carbon film )，避免伤
害到EL层313。另外，为了保护EL组件，可在EL组件上涂布保护层。保护层 可以是单一层的有机或无才几材料，如光阻、SiOx、 SiNx、 DLC等或是上述材料 组合而成的多层膜，并可视需求调整其位置。以图3(a)为例，保护层可以摆在可 透光电极311与可透光绝缘层316之间，也可省略保护层以节省成本。 此显示装置的制造方法与现有的液晶显示装置制造方法类似
1. 将基板301上的各层依顺序逐一制作完成，包含TFT层303、散光层315、 反射电极309和配向层307。
2. 将基板302上的各层依顺序逐一制作完成，包含TFT层304、滤光层306、 可透光电极312、 EL层313、可透光电极311、可透光绝缘层316、可透光电极 310和配向层308。
3. 依现有的液晶制造技术，可任意选择基板301或基板302于其上涂布框 胶、洒布间隙子(Spacer),之后再将基板301、 302组合后中间注入液晶或是 先滴入液晶后再组合两基板(ODF—One Drop Fill process)。也可直接以有机材 料将间隙子制作于基板上(Integrated Spacer or Photo Spacer)以增进显示装置的 显示效果。
4. 最后在基板302的外侧贴上偏光膜320，并完成外部信号线的连接。 偏光膜320可视需要的光学效果作适当的选择，可以选用线偏振偏光膜
(Linear Polarizer)或圆偏振偏光膜(Circular Polarizer)或内建视角补偿膜的偏 光膜，甚至可以不使用偏光膜来达到所需要的显示效果。
本发明在基板302与基板3 01的单 一像素区中的电路图的例子与图1 (d)及图 l(e)的电路结构相同，请参考实施例一的图l(d)及图l(e)。
图4(a)至图4(d)绘示了根据本发明的显示装置的第四较佳实施例的示意图、 剖面图。请交叉比对图4(a)至图4(d),当可更加了解本发明的技术精神。如图 4(a)和4(b)所示，显示装置可分为非自发光显示组件41和自发光显示组件42。 此显示装置具有两片基板401、 402,基板402上具有一个TFT层404,其上方 有一EL层413, EL层413介于反射电极411与可透光电极412之间，形成俗
称的底发光(Bottom Emission) EL组件。EL层413可以为白光EL或是RGB 三色的EL。选用三色EL时，EL层413可以配合反射电极411与可透光电极412 做图案化镀膜；选用白光EL时可整面镀膜以节省制造成本。基板401具有一个 TFT层403，其下方有一液晶层414，液晶层介于反射电极409与可透光电极410 之间，形成一反射式液晶显示组件。
从基板402往基板401的方向观察，显示装置是一个反射式液晶显示装置 以及一个EL显示装置。不考虑环境光时，通过基板402上的TFT层404控制 送到EL组件的电信号，进而控制自发光421的强度，为一个EL显示装置。考 虑环境光时，环境光431沿箭头方向入射面板，经过液晶层414后遇到反射电 极409使光线反射。反射电极409通常是高反射率的金属如银或铝。基板401 具有一个TFT层403作为控制反射电极409的开关，而液晶层414的状态可经 由反射电极409与可透光电极410之间的电压差来改变，使得反射光432可以 有亮度的变化。所以当EL层413不发光时，利用环境光来看显示装置相当于是 一个反射式液晶显示装置。此一显示装置可以独立操作EL组件或液晶组件，但 在此实施例中EL组件与液晶组件各占了一部份的像素区，可以视显示装置的应 用调整两者占像素区的比例以达到最佳的显示效果。散光层415是一个凸面或 凹面的光阻材料，也就是在一般现有的反射式液晶显示装置中所称的反射板 (Bump),也可以在有机材料内散布微小粒子(SiOx、 Ti02、 MgO...等)来达 到类似的效果。可透光绝缘层416可以是常用的有机或无机材料，如光阻、SiOx、 SiNx等。也可移除可透光绝缘层416,合并可透光电极410、 417与反射电极411 ， 使得非自发光(反射式液晶)显示组件与自发光(EL)显示组件共享此电极， 以达到节省成本的目的。为节省制造成本，也可省略散光层415，只是此时非自 发光显示组件的影像品质可能无法达到最佳。在基板402的TFT上可以有滤光 层406，使得反射式液晶显示时具有色彩。利用现有的液晶显示技术，滤光层 406可以开洞使反射式显示与EL显示时的亮度提高，或甚至可省略滤光层406, 使得反射式液晶只能做黑白显示。在此实施例中，由于反射光432与自发光421 皆通过相同的滤光层406，此时EL层4:13可与滤光层406做各种的搭配以达到 显示装置的要求。举例来说，可选择白光EL搭配滤光层406使得EL及反射式 液晶皆为彩色显示；也可选用白光EL但省略滤光层406,使得EL及反射式液 晶皆为黑白显示；再可选用三色EL但省略滤光层406,使得EL为彩色显示而 反射式液晶为黑白显示；最后，可选用三色EL但仍搭配滤光层406使得EL及 反射式液晶皆为彩色显示，并得到色彩较纯的自发光显示。配向层407、 408是 用来控制液晶层414的液晶分子排列。液晶的排列方式可以是水平 (homogeneous )排列、垂直(homotropic )排歹'J 、扭转(twist)排列或其它现 有的任何液晶排列方式。由于配向层408的下方为自发光(EL)显示组件，所 以最好选用低温有机配向膜(烧成温度低于摄式150度)或是无机配向材料(如 SiOx或类钻石薄膜Diamond Like Carbon film)，避免伤害到EL层413 。
另外几种可能的变化结构如图4(c)及4(d)所示，将反射电极409和散光层 415图案化，并增加可透光电极418。如此一来，当观察者从基板401往基板402 的方向观察时，显示装置是一个反射式液晶显示装置，环境光433沿箭头方向 入射面板，经过液晶层414后遇到反射电极411使光线反射。反射电极411通 常是高反射率的金属如银或铝。基板401具有一个TFT层403作为控制电极418 及409的开关，而液晶层414的状态可经由电极418、 409与可透光电极410之 间的电压差来改变，使得反射光432、 434可以有亮度的变化。而观察者从基板 402往基板401的方向观察时，显示装置则是一个反射式液晶显示装置以及一个 EL显示装置。为了提升从基板401往基板402的方向观察时的反射式液晶显示 装置的显示效果，可以在图案化的反射电极411的上方增加散光层425,如图 4(c)所示。也可如图4(d)所示，省略散光层425与可透光绝缘层416，合并可透 光电极410、 417与反射电极411以节省制造成本。偏光膜419及420可视需要 的光学效果作适当的选择，可以选用线偏振偏光膜(Linear Polarizer)或圆偏振 偏光膜(Circular Polarizer)或内建视角补偿膜的偏光膜，甚至可以不使用偏光 膜来达到所需要的显示效果。
此显示装置的制造方法与前几个实施例类似，请参考之前的实施例。
本发明在基板402与基板401的单一像素区中的电路图的实施例与图l(d) 及图l(e)的电路结构相同，请参考实施例一的图l(d)及图l(e)。
实施例一至实施例四共同的特点是其第一基板(101、 201、 301、 401)与 第二基板(102、 202、 302、 402)皆有TFT层，在第一、第二基板都有主动式 TFT数组(Active Matrix TFT Array)。第五实施例的概念是将上述各实施例中 的任意一组主动式TFT数组(Active Matrix TFT Array)换成以被动式矩阵 (Passive Matrix)取代，以节省显示装置的制造成本。
图5(a)至图5(c)绘示了省略第一较佳实施例的TFT层103的第五较佳实施 例的示意图、剖面图以及像素电路图。请交叉比对图5(a)至图5(c)，当可更加了 解本实施例的技术精神。若将第一实施例的基板101下的TFT层103移除改以 被动式矩阵取代，则其示意图如图5(a)所示。此时，非自发光(液晶)显示组件 51为被动驱动，而自发光(EL)显示组件52则为主动驱动。图5(b)与图l(b) 不同之处除了图5(b)在基板501下没有TFT层之外，原来在图l(b)上的可透光 电极109是图案化成像素区的大小，而图5(b)上的可透光电极509则是图案化成 直条状电极；而原来在图l(b)上的反射电极110在像素区并没有图案化，而图 5(b)上的反射电极510则是图案化成横条状电极。
本发明在基板502的单一像素区中的电路图的实施例与图l(d)的电路结构 相同，请参考实施例一的图l(d)。
图5(c)为本发明的非自发光显示组件的单一像素区中的电路图的实施例。如 图5(c)所示，单一像素电路结构主要包含有直条状电极509、横条状电极510 和液晶组件553，结构则为现有的passive matrix液晶操作电路，此时液晶层514 可以选用超扭转向列液晶(Super Twist Nematic LC )以符合被动驱动的特性。
图5(d)至图5(f)绘示了省略第一较佳实施例的TFT层104的第五较佳实施 例的示意图、剖面图以及像素电路图。请交叉比对图5(d)至图5(f),当可更加了 解本实施例的技术精神。若将第一实施例的基板102上的TFT层104移除改以
被动式矩阵取代，则其示意图如图5(d)所示。此时，非自发光(液晶)显示组件
51为主动驱动，而自发光(EL)显示组件52则为被动驱动。图5(e)与图l(b) 不同之处除了图5(e)在基板502上没有TFT层之外，原来在图l(b)上的可透光 电极112是图案化成像素区的大小，而图5(e)上的可透光电极512则是图案化成 直条状电极；而原来在图l(b)上的反射电极111在像素区并没有图案化，而图 5(e)上的反射电极511则是图案化成横条状电极。
本发明在基板501的单一像素区中的电路图的实施例与图l(e)的电路结构 相同，请参考实施例一的图l(e)。
图5(f)为本发明的自发光显示組件的单一像素区中的电路图的实施例。如图 5(f)所示，单一像素电路结构主要包含有直条状电极512、横条状电极511和 EL组件544,结构则为现有的passive matrix EL操作电路。
本发明也可如第一较佳实施例所述，合并反射电极510、 511，使得非自发 光(反射式液晶)显示组件与自发光(EL)显示组件共享反射电极510&511。 只是原本在第一较佳实施中，反射电极110与反射电极111在像素区皆没有图 案化，故合并之后的电极在像素区也没有图案化；然而，在本实施例中反射电 极510与反射电极511其中之一已图案化为条状电极，为了顾及被动组件的驱 动特性，合并之后的电极也必须图案化成条状电极。
本发明其它关于各层的材料选用、滤光层的搭配以及显示装置的制造方 法...等，皆与第一较佳实施例类似，请参考第一较佳实施例的说明。
其它的实施例也可依循实施例5将显示装置中的任意一组主动式TFT数组 (Active Matrix TFT Array)换成以被动式矩阵(Passive Matrix)取代，故在此 不再赘述。请参考各实施例的说明搭配上述说明。
本发明也提出一种经过特殊设计的基板配线方式，以运用在一主动式驱动 以及一被动式驱动的显示装置中。
图6(1)及图6(2)即绘示了此种配线方式。其中第一基板601具有至少一扫 瞄线、至少一数据线(皆未绘示)、至少一第一电极条602、 一第一接线区603、
一第二接线区604、 一信号接收区605以及框胶区609。第二基板606具有至少 一第二电极条607、突出部608以及框胶区609。其中第一电极条602覆盖于扫 瞄线以及数据线上，第一接线区603连接数据线以及信号接收区605,第二接线 区604连接信号接收区605。可以在任意一个基板上的框胶区609上涂布异方性 (anisotropic)导电胶，用以接合第一基板601和第二基板606并导通两基板上对 应的电极。第一基板601和第二基板606实质上重合时，突出部608与第二接 线区604连接使得第二电极条607和第二接线区604产生连接关系。须注意的 是，本实施例虽以突出部608使第二电极条607与第二接线区604连接，但熟 知此项技艺者当可经过简单的修改而得到相同的功能，其皆应在本发明的范围 之内。须注意的是，在图6中第一接线区603和第二接线区604的导线是分别 且独立的连接于信号接收区605的各pin脚上。
本发明也揭示了可运用于上述的具有双TFT层的各项实施例的基板配线方 式。底下将通过图标说明此装置的构成及运作原理。
如图7(a)(l)(2)和7(b)(l)(2)所示，此装置具有一第一基板701以及一第二基 板702。第一基板701上具有一信号接收区703、' 一第一主动矩阵704、 一第一 接线区705、 一第二接线区706以及框胶区709。其中第一主动矩阵704的扫瞄 线连接信号接收区703，第一接线区705连接第一主动矩阵中704的数据线(横 向)以及信号接收区703,而第二接线区706连接信号接收区703。第二基板702 具有框胶区709以及一第二主动矩阵707，其数据线突出第二主动矩阵707。可 以在任意一个基板上的框胶区709上涂布异方性导电胶，用以接合第一基板701 和第二基板702并导通两基板上对应的电极。当第一基板701和第二基板702 实质上重合时，第二主动矩阵707中的数据线(横向)的突出部与第二接线区706 连接，而第二主动矩阵707中的扫瞄线(纵向)与信号接收区703连接。
第二主动矩阵707中的扫瞄线与信号接收区703连接的方式可为如图7(a) 所示般，第一主动矩阵704的扫瞄线和第二主动矩阵707中的扫瞄线共享连接 线或者如图7(b)所示般，分别使用不同的连接线。
在图7(a)所示的第七较佳实施例中，第一主动矩阵704中的扫瞄线突出第一 主动矩阵704,第二主动矩阵707中的扫瞄线突出第二主动矩阵707，当第一基 板701和第二基板702实质上重合时，第一主动矩阵704中的扫瞄线的突出部 与第二主动矩阵707中的扫瞄线的该突出部相连接并一同连接至信号接收区 703。
图7(b)则绘示了根据本发明的第七较佳实施例的变化型态。在此型态中，第 一基板701的扫描线并未突出第一主动矩阵701的上半部，且第一基板701更 包含一第三接线区708,第三接线区708与信号接收区703连接并独立于第一主 动矩阵701中的扫瞄线。而第二主动矩阵707的扫描线并未突出第二主动矩阵 707的上半部，但至少一部份突出第二主动矩阵707的下半部。当第一基板701 和第二基板702实质上重合时，第二主动矩阵707中的扫瞄线的突出部与第三 接线区708相连接。由图7(b)可看出，在此实施例中，第一主动矩阵704和第二 主动矩阵707的扫瞄线是使用不同的连接线而连接到信号接收区703。须注意的 是，虽然在本实施例中，第二主动矩阵707的突出部呈现某种形态，但并不表 示本发明的范围受此种形态的限制，熟知此项技艺者当可经过简单的修改而得 到相同的功能。须注意的是，在图7(a)和7(b)中第一接线区705和第二接线区 706的导线是分别且独立的连接于信号接收区703的各pin脚上。
虽然本发明已就一些较佳实施例来说明，但熟悉此技艺者借着前述的说明 与附图，当可对其进行修改、增加、及等效的变更。因此任何未脱离本发明的 精神与范围，而对其进行修改、增加、及等效的变更，均应包含于本发明之中。
权利要求
1.一种包含自发光组件和非自发光组件的显示装置，包含第一基板；第二基板；以及像素数组，具有至少一像素，其中该每一像素包含一第一切换组件；一非自发光组件，由该第一切换组件控制；一第二切换组件；以及一自发光组件，由该第二切换组件控制；其中所述的第一切换组件与所述的第二切换组件皆为主动组件且该第一切换组件位于所述的第一基板，该第二切换组件位于所述的第二基板。
2. 如权利要求1所述的包含自发光组件和非自发光组件的显示装置，其中 所述的第一切换组件以及所述的第二切换组件是薄膜晶体管。
3. 如权利要求1所述的包含自发光组件和非自发光组件的显示装置，其中 该自发光组件为EL组件，包含第一电极层、第二电极层与介于该第一电极层与 该第二电极层之间的EL层。
4. 如权利要求3所述的包含自发光组件和非自发光组件的显示装置，其中 该非自发光组件是从电泳组件、电致表面张力改变组件、电致色变组件、电致 相变组件、微机电反射组件以及液晶组件所组成的群组中至少择一 。
5. 如权利要求4所述的包含自发光组件和非自发光组件的显示装置，其中 若该非自发光组件为液晶组件时，更包舍第三电极层、第四电极层介于该第三 电极层与该第四电极层之间的液晶层、介于该第三电极层与该液晶层之间的第 一配向层与介于该第四电极层与该液晶层之间的第二配向层。
6. 如权利要求5所述的包含自发光组件和非自发光组件的显示装置，其中 所述的EL层介于所述的第一电极层与所述的第二电极层之间，所述的液晶层介 于所述的第三电极层与所述的第四电极层之间，而该第二电极层与该第三电极 层两者相邻。
7. 如权利要求6所述的包含自发光组件和非自发光组件的显示装置，其中 所述的第二电极层与所述的第三电极层之间有一可透光绝缘层。
8. 如权利要求7所述的包含自发光组件和非自发光组件的显示装置，其中 所述的绝缘层形成凸面或凹面的非平坦结构。
9. 如权利要求5所述的包含自发光组件和非自发光组件的显示装置，其中 所述的第一电极层与所述的第四电极层为可透光材料，而所述的第二电极层与 所述的第三电极层为高反射率材料。
10. 如权利要求5述的包含自发光组件和非自发光组件的显示装置，其中所 述的第一电极层为高反射率材料，而所述的第二电极层、所述的第三电极层与 所述的第四电极层为可透光材料。
11. 如权利要求5所述的包含自发光组件和非自发光组件的显示装置，其中 所述的第一电极层、所述的第二电极层、所述的第三电极层为可透光材料，而 所述的第四电极层为高反射率材料。
12. 如权利要求5所述的包含自发光组件和非自发光组件的显示装置，其中 所述的第 一电极层与所述的第三电极层为可透光材料，所述的第四电极层为高 反射率材料，而所述的第二电极层的一部分为可透光材料而另一部分为高反射 率材料。
13. 如权利要求5所述的包含自发光组件和非自发光组件的显示装置，其中 所述的第一电极层与所述的第三电极层为可透光材料；而所述的第二电极层与 所述的第四电极层的一部分为可透光材料而另一部分为高反射率材料。
14. 如权利要求13所述的包含自发.光组件和非自发光组件的显示装置，其 中所述的第二和所述的第三电极层之间更包含一绝缘层。
15. 如权利要求14所述的包含自发光组件和非自发光组件的显示装置，其 中所述的第二和所述的第三电极层之间的所述的绝缘层包含一可透光绝缘部份 以及一散光部份。
16. 如权利要求6所述的包含自发光组件和非自发光组件的显示装置，其中所述的第二电极层与所述的第三电极层合并为一第五电极层，使得所述的EL层 介于所述的第一电极层与所述的第五电极层之间，而所述的液晶层介于该第五 电极层与所述的第四电极层之间。
17. 如权利要求16所述的包含自发光组件和非自发光组件的显示装置，其 中所述的第一电极层与所述的第四电极层为可透光材料；而所述的第五电极层 为高反射率材料。
18. 如权利要求16所述的包含自发光组件和非自发光组件的显示装置，其 中所述的第一电极层为高反射率材料；而所述的第五电极层与所述的第四电极 层为可透光材料。
19. 如权利要求16所述的包含自发光组件和非自发光组件的显示装置，其 中所述的第一电极层与所述的第五电极层为可透光材料；而所述的第四电极层 为高反射率材料。
20. 如权利要求16所述的包含自发光组件和非自发光组件的显示装置，其 中所述的第一电极层为可透光材料，所述的第四电极层为高反射率材料，而所 述的第五电极层的一部分为可透光材料另外的部分为高反射率材料。
21. 如权利要求16所述的包含自发光组件和非自发光组件的显示装置，其 中所述的第一电极层为可透光材料，而所述的第五电极层与所述的第四电极层 的一部分为可透光材料另外的部分为高反射率材料。
22. 如权利要求1所述的包含自发光组件和非自发光组件的显示装置，其中 该非自发光组件是从电泳组件、电致表面张力改变组件、电致色变组件、电致 相变组件、微机电反射组件以及液晶组件所组成的群组中至少择一。
23. 如权利要求22所述的包含自发光組件和非自发光组件的显示装置，其 中若该非自发光组件为液晶组件时，更包含第三电极层、第四电极层、介于该 第三电极层与该第四电极层之间的液晶层、介于该第三电极层与该液晶层之间 的第一配向层与介于该第四电极层与该液晶层之间的第二配向层。
24. 如权利要求7所述的包含自发光组件和非自发光组件的显示装置，其中 所述的第二电极层与所述的第三电极层之间更包含一散光层。
25. 如权利要求1所述的包含自发光组件和非自发光组件的显示装置，其中 所述的第一基板和所述的第二基板其中之一具有 一第一主动矩阵、 一第一接 线区、 一第二接线区以及一信号接收区，该第一基板和该第二基板中的另一基 板具有一第二主动矩阵，其中该第一接线区连接该第一主动矩阵中的数据线以 及该信号接收区，该第二接线区连接该信号接收区，该第一主动矩阵中的扫瞄 线连接该信号接收区，且该第二主动矩阵中的数据线突出该第二主动矩阵，该 第一基板和该第二基板实质上重合时，该第二主动矩阵中所述的数据线的所述 的突出部与该第二接线区连接，而该第二主动矩阵中的扫瞄线与该信号接收区 连接。
26. 如权利要求25所述的包含自发光组件和非自发光组件的显示装置，其 中所述的第一主动矩阵中所述的扫瞄线突出该第一主动矩阵，所述的第二主动 矩阵中所述的扫瞄线突出该第二主动矩阵，当第一基板和第二基板实质上重合 时，该第一主动矩阵中所述的扫瞄线的所述的突出部与该第二主动矩阵中所述 的扫瞄线的所述的突出部相连接并一同连接至所述的信号接收区。
27. 如权利要求25所述的包含自发.光组件和非自发光组件的显示装置，其 中具有所述的第一主动矩阵的所述的基板更包含一第三接线区，该第三接线区 与所述的信号接收区连接并独立于所述的第一主动矩阵中所述的扫瞄线，而所 述的第二主动矩阵所述的扫描线的至少一部份突出该第二主动矩阵，当第一基 板和第二基板实质上重合时，该第二主动矩阵中所述的扫瞄线的所述的突出部 与该第三接线区相连接。
28. 如权利要求25所述的包含自发光组件和非自发光组件的显示装置，其 中所述的第一和第二基板更包含使用异方性导电胶的框胶区。
29. —种包含自发光组件和非自发光组件的显示装置，包含 第一基板；第二基板；以及像素数组，包含至少一像素，其中该每一像素包含 一第一切换组件；一自非发光组件，由该第一切换组件控制；一第二切换组件；以及一自发光组件，由该第二切换组件控制；其中所述的第一切换组件与所述的第二切换组件其中之一为被动组件，而 另 一为主动组件且该第 一切换组件位于所述的第 一基板上，该第二切换组件位 于所述的第二基板上。
30. 如权利要求29所述的包含自发光组件和非自发光组件的显示装置，其 中所述的主动组件是薄膜晶体管。
31. 如权利要求29所述的包含自发光组件和非自发光组件的显示装置，其 中该自发光组件为EL组件，包含第一电极层、第二电极层与介于该第一电极层 与该第二电极层之间的EL层。
32，如权利要求31所述的包含自发光组件和非自发光组件的显示装置，其 中该非自发光组件是从电泳组件、电致表面张力改变组件、电致色变组件、电 致相变组件、微机电反射组件以及液晶组件所组成的群组中至少择一。
33. 如权利要求32所述的包含自发光组件和非自发光组件的显示装置，其 中若所述的非自发光组件为液晶组件时，更包含第三电极层、第四电极层介于 该第三电极层与该第四电极层之间的液晶层、介于该第三电极层与该液晶层之 间的第一配向层与介于该第四电极层与该液晶层之间的第二配向层。
34. 如权利要求33所述的包含自发光组件和非自发光组件的显示装置，其 中所述的EL层介于所述的第一电极层与所述的第二电极层之间，所述的液晶层 介于所述的第三电极层与所述的第四电极层之间，而该第二电极层与该第三电 极层两者相邻。
35. 如权利要求34所述的包含自发光组件和非自发光组件的显示装置，其 中所述的第二电极层与所述的第三电极.层之间有一可透光绝缘层。
36. 如权利要求35所述的包含自发光组件和非自发光组件的显示装置，其中所述的绝缘层形成凸面或凹面的非平坦结构。
37. 如权利要求33所述的包含自发光组件和非自发光组件的显示装置，其 中所述的第一电极层与所述的第四电极层为可透光材料，而所述的第二电极层 与所述的第三电极层为高反射率材料。
38. 如权利要求33所述的包含自发光组件和非自发光组件的显示装置，其 中所述的第一电极层为高反射率材料，而所述的第二电极层、所述的第三电极 层与所述的第四电极层为可透光材料。
39. 如权利要求33所述的包含自发光组件和非自发光组件的显示装置，其 中所述的第一电极层、所述的第二电极层、所述的第三电极层为可透光材料， 而所述的第四电极层为高反射率材料。
40. 如权利要求33所述的包含自发光组件和非自发光组件的显示装置，其 中所述的第一电极层与所述的第三电极层为可透光材料，所述的第四电极层为 高反射率材料，而所述的第二电极层的一部分为可透光材料而另一部分为高反 射率材料。
41. 如权利要求33所述的包含自发光组件和非自发光组件的显示装置，其 中所述的第一电极层与所述的第三电极层为可透光材料；而所述的第二电极层 与所述的第四电极层的一部分为可透光材料而另一部分为高反射率材料。
42. 如权利要求41所述的包含自发光组件和非自发光组件的显示装置，其 中所述的第二和所述的第三电极层之间更包含一绝缘层。
43. 如权利要求42所述的包含自发光组件和非自发光组件的显示装置，其 中所述的第二和所述的第三电极层之间的所述的绝缘层包含一可透光绝缘部份 以及一散光部份。
44. 如权利要求34所述的包含自发光组件和非自发光组件的显示装置，其 中所述的第二电极层与所述的第三电极层合并为一第五电极层，使得所述的EL层介于所述的第一电极层与该第五电极层之间，而所述的液晶层介于该第五电 极层与所述的第四电极层之间。
45. 如权利要求44所述的包含自发光组件和非自发光组件的显示装置，其 中所述的第一电极层与所述的第四电极层为可透光材料；而所述的第五电极层 为高反射率材料。
46. 如权利要求44所述的包含自发光组件和非自发光组件的显示装置，其 中所述的第一电极层为高反射率材料；而所述的第五电极层与所述的第四电极 层为可透光材料。
47. 如权利要求44所述的包含自发光组件和非自发光组件的显示装置，其 中所述的第一电极层与所述的第五电极层为可透光材料；而所述的第四电极层 为高反射率材料。
48. 如权利要求44所述的包含自发光组件和非自发光组件的显示装置，其 中所述的第一电极层为可透光材料，所述的第四电极层为高反射率材料，而所 述的第五电极层的一部分为可透光材料另外的部分为高反射率材料。
49. 如权利要求44所述的包含自发光组件和非自发光组件的显示装置，其 中所述的第一电极层为可透光材料，而所述的第五电极层与所述的第四电极层 的一部分为可透光材料另外的部分为高反射率材料。
50. 如权利要求29所述的包含自发光组件和非自发光組件的显示装置，其 中该非自发光组件是从电泳组件、电致表面张力改变组件、电致色变组件、电 致相变组件、微机电反射组件以及液晶组件所组成的群组中至少择一 。
51. 如权利要求50所述的包含自发光组件和非自发光组件的显示装置，其 中若该非自发光组件为液晶组件时，更包含第三电极层、第四电极层、介于该 第三电极层与该第四电极层之间的液晶层、介于该第三电极层与该液晶层之间 的第一配向层与介于该第四电极层与该液晶层之间的第二配向层。
52. 如权利要求35所述的包含自发光组件和非自发光组件的显示装置，其 中所述的第二电极层与所述的第三电极层之间更包含一散光层。
53. 如权利要求29的任一项所述的包含自发光组件和非自发光组件的显示装置，其中所述的第一基板和所述的第二基板其中之一具有一主动矩阵、至少 一第一电极条、 一第一接线区、 一第二接线区以及一信号接收区，该主动矩阵 包含至少一扫瞄线、至少一数据线，该第一基板和该第二基板中的另一基板具 有至少一第二电极条，其中所述的至少一第一电极条覆盖于所述的扫瞄线以及 数据线上，所述的第一接线区连接所述的数据线以及信号接收区，所述的第二 接线区连接该信号接收区，所述的第一基板和第二基板实质上重合时，所述的 第二电极条与第二接线区连接。
54. 如权利要求53所述的包含自发光组件和非自发光组件的显示装置，其 中所述的第一和第二基板更包含使用异方性导电胶的框胶区。
55. —种可同时控制上下两基板的主动矩阵动作的装置，包含 一第一基板，具有一信号接收区；一第一主动矩阵，其扫瞄线连接该信号接收区；一第一接线区，连接所述的第一主动矩阵中的数据线以及所述的信号接收区；一第二接线区，连接所述的信号接收区； 一第二基板，具有一第二主动矩阵，其数据线突出所述的第二主动矩阵；其中所述的第一基板和所述的第二基板实质上重合时，所述的第二主动矩 阵中所述的数据线的所述的突出部与所述的第二接线区连接，而所述的第二主 动矩阵中的扫瞄线与所述的信号接收区连接。
56. 如权利要求55所述的可同时控制上下两基板的主动矩阵动作的装置， 其中所述的第一主动矩阵中所述的扫瞄线突出该第一主动矩阵，所述的第二主 动矩阵中所述的扫瞄线突出该第二主动矩阵，当所述的第一基板和第二基板实 质上重合时，该第一主动矩阵中所述的扫瞄线的突出部与该第二主动矩阵中所 述的扫瞄线的突出部相连接并一同连接至所述的信号接收区。
57. 如权利要求55所述的可同时控制上下两基板的主动矩阵动作的装置， 其中所述的第一基板更包含一第三接线区，该第三接线区与所述的信号接收区 连接并独立于所述的第一主动矩阵中所述的扫瞄线，而所述的第二主动矩阵所 述的扫描线的至少一部份突出该第二主动矩阵，当该第一基板和该第二基板实 质上重合时，该第二主动矩阵中所述的扫瞄线的突出部与所述的第三接线区相 连接。
58. 如权利要求55所述的可同时控制上下两基板的主动矩阵动作的装置， 其中所述的第 一和第二基板更包含使用异方性导电胶的框胶区。
59. —种可同时控制一主动矩阵以及一被动矩阵的装置，包含 一第一基板，具有所述的主动矩阵至少一扫瞄线；至少一数据线；至少一第一电极条，覆盖于所述的扫瞄线以及所述的数据线上； 一第一接线区，连接所述的数据线； 一第二接线区；以及一信号接收区，连接所述的第一接线区、所述的第二接线区、所述的第一 电极条以及所述的扫瞄线；一第二基板，具有至少一第二电极条；其中所述的第一基板和该第二基板 实质上重合时，所述的第二电极条与所述的第二接线区连接。
60. 如权利要求59所述的可同时控制一主动矩阵以及一被动矩阵的装置， 其中所述的第一和第二基板更包含使用异方性导电胶的框胶区。
全文摘要
一种包含自发光组件和非自发光组件的显示装置，包含第一基板、第二基板以及像素数组。像素数组具有至少一像素，其中每一像素包含一第一切换组件、由第一切换组件控制的一非自发光组件、一第二切换组件、以及由第二切换组件控制的一自发光组件。其中第一切换组件与第二切换组件可为主动组件。或者，第一和第二切换组件其中之一可为被动组件，而另一可为主动组件。而且，第一切换组件位于第一基板上，第二切换组件位于第二基板上。
文档编号G09F9/30GK101169910SQ20061013748
公开日2008年4月30日 申请日期2006年10月27日 优先权日2006年10月27日
发明者徐瑞禧 申请人:徐瑞禧