有机发光显示装置及其驱动方法与流程

本申请要求于2016年12月21日提交的韩国专利申请第10-2016-0175481号的权益，该专利申请通过引用并入本文，如同在本文中完全阐述一样。

技术领域

本发明的实施方式涉及一种有机发光显示装置及其驱动方法。

背景技术：

随着信息化社会的进步，对显示图像的显示装置的各种要求正在增加。因此，存在液晶显示(LCD)装置、等离子体显示面板(PDP)装置、有机发光显示(OLED)装置等的各种显示装置。在这些显示装置中，OLED装置由于响应速度快以及根据自发光型而具有良好的低灰度级表达的优点已经被吸引为下一代显示装置。

OLED装置可以包括：显示面板，其具有数据线、扫描线以及在所述数据线和所述扫描线的每个交叉处设置的多个子像素；用于向扫描线提供扫描信号的扫描驱动器；以及用于向数据线提供数据电压的数据驱动器。每个子像素可以包括：有机发光二极管；用于根据栅电极的电压来控制提供至有机发光二极管的电流的量的驱动晶体管；以及用于响应于扫描线的扫描信号将数据线的数据电压提供至驱动晶体管的栅电极的扫描晶体管。

由于制造OLED装置的工艺的偏差以及由于长时间工作导致的驱动晶体管的劣化，每个像素的驱动晶体管的阈值电压可能被改变。也就是说，如果向像素施加相同的数据电压，则相同的电流被提供至有机发光二极管。然而，即使向像素施加相同的数据电压，由于每个像素的驱动晶体管中的阈值电压的差异，每个像素提供至有机发光二极管的电流也可能改变。而且，有机发光二极管可能由于长时间的工作而劣化。在此情况下，有机发光二极管的亮度可以由每个像素改变。因此，即使向像素施加相同的数据电压，有机发光二极管的发光引起的亮度也可以通过每个像素改变。为了克服这个问题，已经提出了用于补偿驱动晶体管的阈值电压和电子迁移率以及有机发光二极管的劣化的方法。

驱动晶体管的阈值电压和电子迁移率以及有机发光二极管的劣化可以通过外部补偿方法来补偿。在外部补偿方法的情况下，将预设数据电压提供至每个像素，根据预设的数据电压通过预定的感测线感测驱动晶体管的源极电压，感测到的电压通过使用模数转换器被转换成数字数据的感测数据，并且根据所述感测数据补偿要提供至像素的数字视频数据。

同时，驱动晶体管的源极电压的升高水平和升高速度可以通过显示面板的温度而改变。特别是，如果显示面板的温度高，则驱动晶体管的源极电压也升高。如果相同地保持感测时间点，则用于补偿有机发光二极管的劣化的驱动晶体管的源极电压可能不在模数转换器的感测电压范围内。在此情况下，难以适当地补偿有机发光二极管的劣化。

技术实现要素：

因此，本发明的实施方式涉及一种基本上消除了由于相关技术的限制和缺点而导致的一个或多个问题的有机发光显示装置及其驱动方法。

本发明的实施方式的一个方面涉及提供一种有机发光显示装置，其能够防止感测数据受到有机发光二极管的根据温度的特性的改变的影响。详细地，本发明的实施方式的一个方面涉及提供一种有机发光显示装置，其能够防止在超出用于在预定温度下的感测过程的模数转换器范围时排除感测数据的适当提供的问题。

本发明的实施方式的另外的优点和特征将在下面的描述中被部分地阐述，并且对于本领域的普通技术人员来说，在研究下面的内容时将部分地变得明显，或者可以从本发明的实施方式的实践中习得。本发明的实施方式的目的和其他优点可以通过在书面说明书及其权利要求以及附图中特别指出的结构来实现和获得。

为了实现这些和其他优点，并且根据本发明的实施方式的目的，如在此本文中实施和宽泛描述的，提供了一种有机发光显示装置，该有机发光显示装置可以包括：显示面板，显示面板具有包括有机发光二极管和驱动晶体管的像素，其中，像素与数据线、扫描线和参考电压线连接；模数转换器，模数转换器用于通过参考电压线感测像素的电压并将感测数据作为数字数据输出；以及参考电压发生器，参考电压发生器用于在每个像素发光的显示模式下向参考电压线提供参考电压，其中，模数转换器根据显示面板的温度来改变用于执行感测过程的感测时序。

在本发明的实施方式的另一方面中，提供了一种用于驱动有机发光显示装置的方法，有机发光显示装置包括显示面板，显示面板具有包括有机发光二极管和驱动晶体管的像素，其中，像素与数据线、扫描线和参考电压线连接，所述方法可以包括：在每个像素发光的显示模式下向参考电压线提供参考电压；通过参考电压线在模数转换器的感测电压范围内感测像素的电压，并将感测数据作为数字数据输出；以及根据显示面板的温度来改变用于执行感测过程的感测时序。

应该理解，本发明的上述一般性描述和下面对本发明实施方式的详细描述是示例性和说明性的，并且旨在提供对所要求保护的本发明的进一步说明。

附图说明

包括附图以提供对本发明的实施方式的进一步理解并且附图被并入本申请中并构成本申请的一部分，附图示出了本发明的实施方式并且与说明书一起用于解释本发明的实施方式的原理。在附图中：

图1是示出根据本发明的一个实施方式的OLED装置的框图；

图2示出了图1的显示面板中的下基板、源极驱动IC、时序控制器、外部补偿电路、柔性膜、源印刷电路板、柔性电缆和控制印刷电路板；

图3是示出图2的源极驱动IC的框图；

图4是示出图1的像素的详细电路图；

图5是示出关于显示模式的提供至像素的扫描信号和感测信号、提供至第一开关的第一开关控制信号和提供至第二开关的第二开关控制信号、以及驱动晶体管的栅极电压和源极电压的波形图；

图6A和图6B示出了在显示模式的第一时段和第二时段的像素的操作；

图7是示出关于第一感测模式的提供至像素的扫描信号和感测信号、提供至第一开关的第一开关控制信号和提供至第二开关的第二开关控制信号、以及驱动晶体管的栅极电压和源极电压的波形图；

图8A至8C示出了在第一感测模式的第一时段至第三时段的像素的操作；

图9是示出关于第一感测模式的模数转换器的感测电压范围的一个示例的曲线图；

图10是示出关于第二感测模式的提供至像素的扫描信号和感测信号、提供至第一开关的第一开关控制信号和提供至第二开关的第二开关控制信号、以及驱动晶体管的栅极电压和源极电压的波形图；

图11A和图11B示出了在第二感测模式的第一时段和第二时段中的像素的操作；

图12是示出关于第二感测模式的模数转换器的感测电压范围的一个示例的曲线图；

图13是示出关于第三感测模式的提供至像素的扫描信号和感测信号、提供至第一开关的第一开关控制信号和提供至第二开关的第二开关控制信号、以及驱动晶体管的栅极电压和源极电压的波形图。

图14A至图14D是示出在第三感测模式下的第一时段至第四时段的像素的操作；

图15是示出关于第三感测模式的模数转换器的感测电压范围的一个示例的曲线图；

图16是示出关于第三感测模式的模数转换器的感测电压范围的另一示例的曲线图；以及

图17是示出根据关于第三感测模式的温度的模数转换器的感测电压范围的另一示例的曲线图。

具体实施方式

现在将详细参考本发明的示例性实施方式，其示例在附图中示出。尽可能，在整个附图中将使用相同的附图标记来指代相同或相似的部分。通过参照附图描述的以下实施方式将清楚本发明的优点和特征及其实现方法。然而，本发明可以以不同的形式来实施，并且不应该被解释为限于在此阐述的实施方式。相反，提供这些实施方式使得本公开内容将是彻底和完全的，并且将本发明的范围充分地传达给本领域技术人员。此外，本发明仅由权利要求的范围限定。

用于描述本发明的实施方式的附图中公开的形状、尺寸、比率、角度和数量仅是示例，因此，本发明不限于所示出的细节。相同的附图标记始终指代相同的元件。在以下描述中，当相关的已知功能或配置的详细描述被确定为不必要地模糊了本发明的要点时，将省略详细描述。

在使用本说明书中描述的“包括”、“具有”和“包括”的情况下，除非使用“仅”，否则可以添加另一部分。单数形式的术语可以包括复数形式，除非相反提到。

在解释元件时，元件被解释为包括误差范围，尽管没有明确的描述。

在描述位置关系时，例如，当位置顺序被描述为“在……上”、“在……之上”、“在……下”和“紧邻……”时，可以包括不接触的情况，除非使用“正好”或“直接”。

在描述时间关系时，例如，当时间顺序被描述为“在……之后”、“随后”、“之后”和“在……之前”时，可以包括不连续的情况，除非使用“正好”或“直接”。

应该理解，尽管这里可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于区分一个元件和另一个元件。例如，在不偏离本公开内容的范围的情况下，第一元件可以被称为第二元件，并且类似地，第二元件可以被称为第一元件。

另外，“X轴方向”、“Y轴方向”和“Z轴方向”不限于垂直几何构造。即，“X轴方向”、“Y轴方向”和“Z轴方向”可以包括适用的宽范围的功能配置。

另外，应该理解，术语“至少一个”包括与任何一个项目有关的所有组合。例如，“第一元件，第二元件和第三元件中的至少一个”可以包括从第一元件、第二元件和第三元件中选择的两个或更多个元件的所有组合以及第一元件、第二元件和第三元件中的每个。另外，如果提到第一元件位于第二元件“上”或“上方”，应该理解，第一元件和第二元件可以彼此接触，或者可以在第一元件和第二个元件之间插入有第三元件。

本发明的各种实施方式的特征可以部分地或整体地彼此耦合或结合，并且可以如本领域技术人员可以充分理解的那样彼此不同地相互操作并且在技术上被驱动。本发明的实施方式可以彼此独立地执行，或者可以以相互依赖的关系一起执行。

在下文中，将参照附图详细描述根据本发明实施方式的OLED装置及其驱动方法。

图1是示出根据本发明的一个实施方式的OLED装置的框图。图2示出了图1的显示面板中的下基板、源极驱动IC、时序控制器、外部补偿电路、柔性膜、源印刷电路板、柔性电缆和控制印刷电路板。图3是示出图2的源极驱动IC的详细框图。

参照图1至图3，根据本发明的一个实施方式的OLED装置可以包括显示面板10、数据驱动器20、柔性膜22、扫描驱动器40、源印刷电路板50、时序控制器60、外部补偿电路70、参考电压发生器80、柔性电缆91和控制印刷电路板90。

显示面板10可以包括显示区(AA)和在显示区(AA)的外围准备的非显示区(NDA)。显示区(AA)对应于具有用于显示图像的像素(P)的区域。显示面板10被设置有数据线(D1至Dm，“m”是2或大于2的整数)、参考电压线(R1至Rp，“p”是2或大于2的整数)、扫描线(S1至Sn，“n”是2或大于2的整数)和感测信号线(SE1至SEn)。数据线(D1至Dm)和参考电压线(R1至Rp)可以与扫描线(S1至Sn)和感测信号线(SE1至SEn)交叉。数据线(D1至Dm)可以平行于参考电压线(R1至Rp)。扫描线(S1至Sn)可以平行于感测信号线(SE1至SEn)。

每个像素(P)可以与数据线(D1至Dm)中的任何一个、参考电压线(R1至Rp)中的任何一个、扫描线(S1至Sn)中的任何一个以及感测信号线(SE1至SEn)中的任何一个连接。如每个像素(P)可以包括有机发光二极管(OLED)以及用于向有机发光二极管(OLED)提供电流的多个晶体管，如图4所示。将参照图4详细描述显示区(AA)中的每个像素(P)。

数据驱动器20可以包括多个源极驱动IC 21，如图2所示。每个源极驱动IC 21可以安装在每个柔性膜22上。每个柔性膜22可以是载带封装或膜上芯片，并且每个柔性膜22可以弯折或弯曲。每个柔性膜22可以被附接至下基板11和源印刷电路板50。每个柔性膜22可以通过使用各向异性导电膜的带式自动接合(TAB)方法附接至下基板11，由此源极驱动IC 21可以与数据线(D1至Dm)连接。源印刷电路板50可以通过使用柔性电缆91与控制印刷电路板90连接。

如图3所示，每个源极驱动IC 21可以包括数据电压发生器120、模数转换器140和开关(SW)。为了便于解释，图3示出了与“w”个数据线(D1至Dw，这里“w”是满足1≤w≤m的整数)和“z”个参考电压线(R1至Rz，这里“z”是满足1≤z≤p的整数)连接的一个源极驱动IC 21。

数据电压发生器120与数据线(D1至Dw)连接，其中数据电压发生器120向数据线(D1至Dw)提供数据电压。数据电压发生器120接收补偿视频数据(CDATA)，第一视频数据至第三视频数据(PDATA1、PDATA2、PDATA3)中的任一个以及数据时序控制信号。

对于显示模式，数据电压发生器120根据数据时序控制信号将补偿视频数据(CDATA)转换成发光数据电压，并将发光数据电压提供至数据线(D1至Dw)。显示模式对应于通过像素(P)的发光来显示图像的模式。发光数据电压对应于用于使像素(P)的有机发光二极管(OLED)被驱动以预定亮度发光的电压。

对于第一感测模式，数据电压发生器120根据数据时序控制信号将第一感测视频数据(PDATA1)转换成第一感测数据电压，并将第一感测数据电压提供至数据线(D1至Dw)。第一感测模式对应于用于感测驱动晶体管的源极电压以便补偿每个像素(P)中的驱动晶体管的阈值电压的阈值电压补偿模式。

对于第二感测模式，数据电压发生器120根据数据时序控制信号将第二感测视频数据(PDATA2)转换成第二感测数据电压，并将第二感测数据电压提供至数据线(D1至Dw)。第二感测模式对应于用于感测驱动晶体管的源极电压以便补偿每个像素(P)中的驱动晶体管的电子迁移率的电子迁移率补偿模式。

对于第三感测模式，数据电压发生器120根据数据时序控制信号将第三感测视频数据(PDATA3)转换成第三感测数据电压，且将第三感测数据电压提供至数据线(D1至Dw)。第三感测模式对应于用于感测驱动晶体管的源极电压以便补偿每个像素(P)中的有机发光二极管的劣化的劣化补偿模式。

模数转换器140将在关于第一感测模式至第三感测模式的在参考电压线(R1至Rz)中感测到的电压转换成与数字数据对应的感测数据(SD)，并向外部补偿电路70输出感测数据(SD)。

预先确定能够由模数转换器140感测的电压范围。然而，驱动晶体管的源极电压的感测范围可以根据显示面板10的温度而改变。特别地，如果温度升高，则驱动晶体管的源极电压也升高。因此，如果驱动晶体管的源极电压升高，则其可能会超出模数转换器140能够感测的电压范围。在此情况下，可以调整感测时序以便执行在能够由模数转换器140感测的电压范围内的感测过程。

更详细地，模数转换器140使用于感测过程的感测时序提前，由此可以在驱动晶体管的源极电压超出模数转换器140能够感测到的电压范围的时间点之前执行感测过程。感测时序由时序控制器60预先设定。时序控制器60感测显示面板10的温度，并基于显示面板10的温度来调整感测时序。如果显示面板10的温度升高，则模数转换器140使用于感测过程的感测时序提前。

驱动晶体管的源极电压的感测范围可以通过第一感测模式至第三感测模式中的每一个而改变。因此，可以在第一感测模式至第三感测模式中的每一个中不同地设定能够由模数转换器140感测的电压范围，同时针对第一感测模式至第三感测模式中的每一个优化能够由模数转换器140感测的电压范围。

第一开关(SW1)可以连接在参考电压线(R1至Rz)与参考电压发生器80之间，从而开关参考电压线(R1至Rz)与参考电压发生器80之间的连接。第一开关(SW1)可以由从时序控制器60提供的第一开关控制信号(SCS1)接通/关断。如果第一开关(SW1)通过第一开关控制信号(SCS1)接通，则参考电压线(R1至Rz)可以与参考电压发生器80连接，使得参考电压发生器80的参考电压可以被提供至参考电压线(R1至Rz)。

第二开关(SW2)可以连接在参考电压线(R1至Rz)与模数转换器140之间，从而开关参考电压线(R1至Rz)与模数转换器140之间的连接。第二开关(SW2)可以由从时序控制器60提供的第二开关控制信号(SCS2)接通/关断。如果第二开关(SW2)通过第二开关控制信号(SCS2)接通，则参考电压线(R1至Rz)可以与模数转换器140连接，使得每个像素(P)中的驱动晶体管的源极电压可以通过参考电压线(R1至Rz)感测。

扫描驱动器40包括扫描信号输出单元41和感测信号输出单元42。

扫描信号输出单元41与扫描线(S1至Sn)连接，从而提供扫描信号。扫描信号输出单元41根据由时序控制器60提供的扫描时序控制信号(SCS)将扫描信号提供至扫描线(S1至Sn)。

感测信号输出单元42与感测信号线(SE1至SEn)连接，从而提供感测信号。感测信号输出单元42根据由时序控制器60提供的感测时序控制信号(SENCS)将感测信号提供至感测信号线(SE1至SEn)。

包括多个晶体管的扫描信号输出单元41和感测信号输出单元42可以通过板内栅极驱动器(GIP)方法直接形成在显示面板10的非显示区(NDA)中。扫描信号输出单元41和感测信号输出单元42可以制造在驱动芯片中，并且可以安装在与显示面板10连接的柔性膜(未示出)上。

时序控制器60从外部补偿电路70接收补偿视频数据(CDATA)或者感测视频数据(PDATA)以及定时信号。定时信号可以包括垂直同步信号、水平同步信号、数据使能信号和点时钟。

时序控制器60产生用于控制数据驱动器20、扫描信号输出单元41和感测信号输出单元42的操作定时的时序控制信号。时序控制信号可以包括用于控制数据驱动器20的操作定时的数据时序控制信号，用于控制扫描信号输出单元41的操作定时的扫描时序控制信号(SCS)，以及用于控制感测信号输出单元42的操作定时的感测时序控制信号(SENCS)。

时序控制器60向数据驱动器20输出补偿视频数据(CDATA)或感测视频数据(PDATA)和数据时序控制信号。时序控制器60向扫描信号输出单元41输出扫描时序控制信号(SCS)，并且向感测信号输出单元42输出感测时序控制信号(SENCS)。另外，时序控制器60可以输出用于控制数据驱动器20的开关(SW)的开关控制信号(SCS)。

在时序控制器60的控制下，可以以显示模式以及第一感测模式至第三感测模式中的任何一个模式驱动OLED装置。对于显示模式，根据补偿视频数据(CDATA)向像素(P)提供有发光数据电压，由此像素(P)发光。

对于第一感测模式，根据第一感测视频数据(PDATA1)向像素(P)提供第一感测数据电压，并且通过参考电压线(R1至Rp)感测像素(P)的电压。第一感测模式用于感测驱动晶体管的源极电压以便补偿每个像素(P)中的驱动晶体管的阈值电压。感测到的关于第一感测模式的驱动晶体管的源极电压可以由模数转换器140转换成第一感测数据(SD1)，然后可以将第一感测数据(SD1)存储在外部补偿电路70的存储器中。可以在OLED装置断电之前执行第一感测模式，但不限于这种类型。

对于第二感测模式，根据第二感测视频数据(PDATA2)向像素(P)提供第二感测数据电压，并且通过参考电压线(R1至Rp)感测像素(P)的电压。第二感测模式用于感测驱动晶体管的源极电压以便补偿每个像素(P)中的驱动晶体管的电子迁移率。感测到的关于第二感测模式的驱动晶体管的源极电压可以由模数转换器140转换成第二感测数据(SD2)，然后可以将第二感测数据(SD2)存储在外部补偿电路70的存储器中。可以在OLED装置通电之后立即执行第二感测模式，或者可以在OLED装置通电的状态下循环执行第二感测模式。

对于第三感测模式，根据第三感测视频数据(PDATA3)向像素(P)提供第三感测数据电压，并且通过参考电压线(R1至Rp)感测像素(P)的电压。第三感测模式用于感测每个像素(P)中的驱动晶体管的源极电压以便补偿每个像素(P)中的有机发光二极管的劣化。感测到的关于第三感测模式的驱动晶体管的源极电压可以由模数转换器140转换成第三感测数据(SD3)，然后可以将第三感测数据(SD3)存储在外部补偿电路70的存储器中。可以在OLED装置通电的状态下循环执行第三感测模式。

第一感测视频数据至第三感测视频数据(PDATA1、PDATA2、PDATA3)可以彼此相同或不同。

外部补偿电路70通过使用第一感测数据至第三感测数据(SD1、SD2、SD3)产生校正数据以校正数字视频数据(DATA)。外部补偿电路70通过将校正数据施加至数字视频数据(DATA)来产生补偿视频数据(CDATA)。外部补偿电路70将补偿视频数据(CDATA)输出至时序控制器60。

外部补偿电路70可以包括用于存储第一感测数据至第三感测数据(SD1、SD2、SD3)的存储器。外部补偿电路70的存储器可以是诸如电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)之类的非易失性存储器。外部补偿电路70可以设置在时序控制器60中。

参考电压发生器80生成参考电压，并且将生成的参考电压提供至源极驱动IC 21。参考电压发生器80选择第一高电压至第三高电压中的任何一个，以及第一低电压至第三低电压中的任何一个以便设置感测电压范围，并将选择的电压输出至模数转换器140。参考电压发生器80除了产生参考电压之外，还产生用于驱动OLED装置所需的驱动电压，并且可以将所生成的驱动电压提供至相应的元件。

时序控制器60、外部补偿电路70和参考电压发生器80可以安装在控制印刷电路板90上。控制印刷电路板90可以通过使用柔性电缆91与源印刷电路板50连接。

如上所述，根据本发明的一个实施方式的OLED装置可以通过使用感测到的关于感测模式的第一感测数据至第三感测数据(SD1、SD2、SD3)将数字视频数据(DATA)转换成补偿视频数据(CDATA)。结果，可以补偿每个像素(P)中的驱动晶体管的阈值电压、每个像素(P)中的驱动晶体管的电子迁移率以及有机发光二极管的劣化。将参照图5以及图6A和图6B描述关于显示模式的像素(P)的操作。将参照图7、图8A至图8C以及图9描述关于第一感测模式的像素(P)的操作。将参照图10、图11A和图11B以及图12描述关于第二感测模式的像素(P)的操作。将参照图13、图14A至图14D以及图15至图17描述关于第三感测模式的像素(P)的操作。

图4是示出图1的像素的详细电路图。

为了便于说明，图4示出了仅第j个数据线(Dj，这里，“j”是满足1≤j≤m的整数)，第u个参考电压线(Ru，这里，“u”是满足1≤u≤p的整数)，第k个扫描线(Sk，这里，“k”是满足1≤k≤n的整数)，与第k个感测信号线(SEk)连接的子像素，参考电压发生器80，数据电压发生器120，模数转换器140，以及连接在第u个参考电压线(Ru)与参考电压发生器80之间的开关(SW)。

参照图4，显示面板10的像素(P)包括有机发光二极管(OLED)、驱动晶体管(DT)、第一开关晶体管和第二开关晶体管(ST1、ST2)以及存储电容器(Cst)。

有机发光二极管(OLED)根据通过驱动晶体管(DT)提供的电流发光。有机发光二极管(OLED)可以包括阳极电极、空穴传输层、有机发光层、电子传输层和阴极电极。当向有机发光二极管(OLED)的阳极电极和阴极电极施加电压时，空穴和电子通过空穴传输层和电子传输层被转移到有机发光层，从而有机发光二极管(OLED)通过有机发光层中的空穴和电子的结合而发光。有机发光二极管(OLED)的阳极电极与驱动晶体管(DT)的源电极连接，有机发光二极管(OLED)的阴极电极与提供有低于第一电力的第二电力的第二电源线(ESL)连接。

驱动晶体管(DT)根据驱动晶体管的栅电极和源电极之间的电压差调节从第一电源线(EVL)流向有机发光二极管(OLED)的电流。驱动晶体管(DT)的栅电极与第一开关晶体管(ST1)的第一电极连接，驱动晶体管(DT)的源电极与有机发光二极管(OLED)的阳极电极连接，驱动晶体管(DT)的漏电极与第一电源线(EVL)连接。

第一开关晶体管(ST1)通过第k个扫描线(Sk)的第k个扫描信号接通，从而第j个数据线(Dj)与驱动晶体管(DT)的栅电极连接。第一开关晶体管(ST1)的栅电极与第k个扫描线(Sk)连接，第一开关晶体管(ST1)的第一电极与第一驱动晶体管(DT1)的栅电极连接，第一开关晶体管(ST1)的第二电极与第j个数据线(Dj)连接。

第二开关晶体管(ST2)通过第k个感测信号线(SEk)的第k个感测信号接通，从而第u个参考电压线(Ru)与驱动晶体管(DT)的源电极连接。第二开关晶体管(ST2)的栅电极与第k个感测信号线(SEk)连接，第二开关晶体管(ST2)的第一电极与第u个参考电压线(Ru)连接，第二开关晶体管(ST2)的第二电极与驱动晶体管(DT)的源电极连接。

第一开关晶体管和第二开关晶体管(ST1、ST2)中的每一个中的第一电极对应于源电极，并且第一开关晶体管和第二开关晶体管(ST1、ST2)中的每一个中的第二电极对应于漏电极，但不限于这种结构。也就是说，第一开关晶体管和第二开关晶体管(ST1、ST2)中的每一个中的第一电极可以是漏电极，并且第一开关晶体管和第二开关晶体管(ST1、ST2)中的每一个中的第二电极可以是源电极。

存储电容器(Cst)形成在驱动晶体管(DT)的栅电极与源电极之间。存储电容器(Cst)存储驱动晶体管(DT)的栅电压与源电压之间的差值电压。

驱动晶体管(DT)以及第一开关晶体管和第二开关晶体管(ST1、ST2)可以由薄膜晶体管形成。在图4中，驱动晶体管(DT)以及第一开关晶体管和第二开关晶体管(ST1、ST2)由N型金属氧化物半导体场效应晶体管(N型MOSFET)形成，但不限于这种类型。例如，驱动晶体管(DT)以及第一开关晶体管和第二开关晶体管(ST1、ST2)可以由P型金属氧化物半导体场效应晶体管(N型MOSFET)形成。在此情况下，图5、图7、图10和图13可以根据P型MOSFET的特性适当改变。

图5是示出关于显示模式的提供至像素的扫描信号和感测信号、提供至开关的开关控制信号以及驱动晶体管的栅极电压和源极电压的波形图。

对于显示模式，参照图5，一个帧周期(1个帧周期)可以包括第一时段(t1)和第二时段(t2)。对于第一时段(t1)，向驱动晶体管(DT)的栅电极提供发光数据电压(EVdata)，并且用参考电压(VREF)对源电极进行初始化。对于第二时段(t2)，有机发光二极管(OLED)根据驱动晶体管(DT)的电流(Ids)发光。第一时段(t1)可以是一个水平时段(1个水平时段)，其中一个水平时段表示用于将数据电压提供至一个水平线的像素(P)的时段。

第k个扫描线(Sk)的第k个扫描信号(SCANk)和第k个感测信号线(SEk)的第k个感测信号(SENSk)在第一时段(t1)以栅极接通电压(Von)提供并且在第二时段(t2)以栅极关断电压(Voff)提供。像素(P)的第一开关晶体管和第二开关晶体管(ST1、ST2)可以由栅极接通电压(Von)接通，并且可以由栅极关断电压(Voff)关断。

第一开关控制信号(SCS1)可以在第一时段和第二时段(t1、t2)以第一逻辑电平电压(V1)提供。第二开关控制信号(SCS2)可以在第一时段和第二时段(t1、t2)以第二逻辑电平电压(V2)提供。第一开关和第二开关(SW1、SW2)可以由第一逻辑电平电压接通，并且可以由第二逻辑电平电压关断。

图6A和6B示出了关于显示模式的第一时段和第二时段的像素(P)的操作。在下文中，将参照图5以及图6A和图6B详细描述显示模式下的像素(P)的操作。

在显示模式的第一时段和第二时段(t1，t2)中，第一开关(SW1)通过第一逻辑电平电压(V1)的第一开关控制信号(SCS1)接通，并且第二开关(SW2)通过第二逻辑电平电压(V2)的第二开关控制信号(SCS2)关断。在显示模式下，参考电压(VREF)从参考电压发生器80提供至第u个参考电压线(Ru)。

首先，如图6A所示，在第一时段(t1)中通过提供至第k个扫描线(Sk)的栅极接通电压(Von)的第k个扫描信号(SCANk)使第一开关晶体管(ST1)接通，并且在第一时段(t1)中通过提供至第k个感测信号线(SEk)的栅极接通电压(Von)的第k个感测信号(SENSk)使第二开关晶体管(ST2)接通。在第一时段(t1)中，第一开关晶体管(ST1)接通，使得第j个数据线(Dj)的发光数据电压(EVdata)提供至驱动晶体管(DT)的栅电极。在第一时段(t1)中，第二开关晶体管(ST2)接通，使得第u个参考电压线(Ru)的参考电压(VREF)提供至驱动晶体管(DT)的源电极。

其次，如图6B所示，在第二时段(t2)中通过提供至第k个扫描线(Sk)的栅极关断电压(Voff)的第k个扫描信号(SCANk)使第一开关晶体管(ST1)关断，并且在第二时段(t2)中通过提供至第k个感测信号线(SEk)的栅极关断电压(Voff)的第k个感测信号(SENSk)使第二开关晶体管(ST2)关断。

在第二时段(t2)中，根据驱动晶体管(DT)的栅极电压(Vg)与源极电压(Vs)之间的电压差的电流(Ids)流过有机发光二极管(OLED)。在下文中，为了便于说明，将根据驱动晶体管(DT)的栅极电压(Vg)与源极电压(Vs)之间的电压差流过驱动晶体管(DT)的电流(Ids)定义为驱动晶体管的电流(Ids)。

如上所述，根据本发明的一个实施方式，在显示模式下将发光数据电压(EVdata)提供至像素(P)。发光数据电压(EVdata)是根据补偿视频数据(CDATA)而生成的数据电压，补偿视频数据(CDATA)是通过在对于感测模式感测驱动晶体管(DT)的源极电压之后补偿数字视频数据(DATA)而获得的。因此，像素(P)的有机发光二极管(OLED)可以根据驱动晶体管(DT)的电流(Ids)发光而不依赖于驱动晶体管(DT)的阈值电压，由此改善像素(P)中的亮度均匀性。

图7是示出关于第一感测模式的提供至像素的扫描信号和感测信号、提供至第一开关的第一开关控制信号和提供至第二开关的第二开关控制信号、以及驱动晶体管的栅极电压和源极电压的波形图。

对于第一感测模式，参照图7，一个帧周期(1帧周期)可以包括第一时段至第三时段(t1'至t3')。在第一时段(t1')中，驱动晶体管(DT)的源电极利用参考电压(VREF)被初始化。在第二时段(t2')中，第一感测数据电压(SVdata1)被提供至驱动晶体管(DT)的栅电极。在第三时段(t3')中，驱动晶体管(DT)的源极电压被感测。

第k个扫描线(Sk)的第k个扫描信号(SCANk)在第二时段和第三时段(t2'，t3')中以栅极接通电压(Von)提供。在图7中，第k个扫描线(Sk)的第k个扫描信号(SCANk)在第一时段(t1')中以栅极关断电压(Voff)提供。然而，第k个扫描线(Sk)的第k个扫描信号(SCANk)在第一时段(t1')中可以以栅极接通电压(Von)提供。第k个感测信号线(SEk)的第k个感测信号(SENSk)在第一时段至第三时段(t1'至t3')中以栅极接通电压(Von)提供。像素(P)的第一开关晶体管和第二开关晶体管(ST1，ST2)可以通过栅极接通电压(Von)接通，并且可以通过栅极关断电压(Voff)关断。

第一开关控制信号(SCS1)在第一时段(t1')中可以以第一逻辑电平电压(V1)提供，并且在第二时段和第三时段(t2'，t3')中可以以第二逻辑电平电压(V2)提供。第二开关控制信号(SCS2)在第一时段和第二时段(t1'，t2')中可以以第二逻辑电平电压(V2)提供，并且在第三时段(t3')中可以以第一逻辑电平电压(V1)提供。第一开关和第二开关(SW1，SW2)可以通过第一逻辑电平电压接通，并且可以通过第二逻辑电平电压关断。

对于感测过程，同时执行测量显示面板10的温度的过程和控制与所测得的温度对应的感测时序的过程。对于感测过程，用于控制感测时序的原则可以应用于上述用于感测阈值电压的过程，但不限于此。用于控制感测过程的感测时序的原则可以应用于用于感测电子迁移率并感测OLED劣化的过程。因此，可以防止在施加至OLED装置的所有感测过程中发生由显示面板10的温度上升引起的感测误差。

图8A至8C示出了关于第一感测模式的第一时段至第三时段的像素(P)的操作。在下文中，将参照图7和图8A至8C详细描述第一感测模式下的像素(P)的操作。

首先，如图8A所示，在第一时段(t1')中通过提供至第k个扫描线(Sk)的栅极关断电压(Voff)的第k个扫描信号(SCANk)使第一开关晶体管(ST1)关断，并且在第一时段(t1')中通过提供至第k个感测信号线(SEk)的栅极接通电压(Von)的第k个感测信号(SENSk)使第二开关晶体管(ST2)接通。在第一时段(t1')中，通过第一逻辑电平电压(V1)的第一开关控制信号(SCS1)使第一开关(SW1)接通，并且通过第二逻辑电平电压(V2)的第二开关控制信号(SCS2)使第二开关(SW2)关断。

在第一时段(t1')中，根据第一开关(SW1)接通，参考电压(VREF)从参考电压发生器80提供至第u个参考电压线(Ru)。在第一时段(t1')中，根据第二开关晶体管(ST2)接通，第u个参考电压线(Ru)的参考电压(VREF)提供至驱动晶体管(DT)的源电极。即，利用参考电压(VREF)对驱动晶体管(DT)的源电极进行初始化。

其次，如图8B所示，在第二时段(t2')中通过提供至第k个扫描线(Sk)的栅极接通电压(Von)的第k个扫描信号(SCANk)使第一开关晶体管(ST1)接通，并且在第二时段(t2')中通过提供至第k个感测信号线(SEk)的栅极接通电压(Von)的第k个感测信号(SENSk)使第二开关晶体管(ST2)接通。在第二时段(t2')中，通过第二逻辑电平电压(V2)的第二开关控制信号(SCS2)使第一开关(SW1)关断，并且通过第二逻辑电平电压(V2)的第二开关控制信号(SCS2)使第二开关(SW2)关断。

在第二时段(t2')中，根据第一开关(SW1)关断，参考电压(VREF)未提供至第u个参考电压线(Ru)。在第二时段(t2')中，根据第一开关晶体管(ST1)接通，第一感测数据电压(SVdata1)提供至驱动晶体管(DT)的栅电极。

在第二时段(t2')中，驱动晶体管(DT)的栅电极与源电极之间的差值电压(Vgs＝SVdata1-VREF)大于驱动晶体管(DT)的阈值电压(Vth)，由此电流流过驱动晶体管(DT)，直到驱动晶体管(DT)的栅电极与源电极之间的差值电压(Vgs)接近阈值电压(Vth)。因此，驱动晶体管(DT)的源极电压上升至“SVdata1-Vth”。即，在第二时段(t2')中在驱动晶体管(DT)的源电极中感测驱动晶体管(DT)的阈值电压。

第三，如图8C所示，在第三时段(t3')中通过提供至第k个扫描线(Sk)的栅极接通电压(Von)的第k个扫描信号(SCANk)使第一开关晶体管(ST1)接通，并且在第三时段(t3')中通过提供至第k个感测信号线(SEk)的栅极接通电压(Von)的第k个感测信号(SENSk)使第二开关晶体管(ST2)接通。在第三时段(t3')中，通过第二逻辑电平电压(V2)的第二开关控制信号(SCS2)使第一开关(SW1)关断，并且通过第一逻辑电平电压(V1)的第二开关控制信号(SCS2)使第二开关(SW2)关断。

在第三时段(t3')中，根据第二开关(SW2)接通，第u个参考电压线(Ru)与模数转换器140连接。在第三时段(t3')中，根据第二开关晶体管(ST2)接通，驱动晶体管(DT)的源电极通过第u个参考电压线(Ru)与模数转换器140连接。因此，可以通过使用模数转换器140来感测驱动晶体管(DT)的源极电压，即“SVdata1-Vth”。

如上所述，根据本发明的一个实施方式，在感测模式下可以感测驱动晶体管(DT)的源极电压，即其中反应驱动晶体管(DT)的阈值电压的“SVdata1-Vth”。

同时，在第一感测模式下，在第一感测数据电压(SVdata1)被施加至驱动晶体管(DT)的栅电极的条件下，电流流动直到驱动晶体管(DT)的栅电极与源电极之间的差值电压(Vgs)接近阈值电压(Vth)，使得可以感测上升至“SVdata1-Vth”的驱动晶体管(DT)的源极电压，如图7所示。因此，如图9所示，在第一感测模式下被感测到的驱动晶体管(DT)的源极电压(Vs)几乎上升至第一感测数据电压(SVdata1)的电压电平。因此，在第一感测模式下，模数转换器140的感测电压范围可以设置在高于参考电压(VREF)的第一低电压(VL1)与第一高电压(VH1)之间。模数转换器140可以从参考电压发生器80接收第一低电压(VL1)和第一高电压(VH1)，以设置第一感测模式的感测电压范围。在图9中，第一低电压(VL1)为3V，第一高电压(VH1)为6V，但不限于这些电压值。

同时，如图9所示，如果显示面板10的温度变化很大，则驱动晶体管(DT)的源极电压(Vs)上升至超出模数转换器140的感测电压范围，这可能导致误差电压(Verr)。如果显示面板10的温度太低，则驱动晶体管(DT)的源极电压(Vs)可能仅上升至低于第一低电压(VL1)的电压电平。同时，如果显示面板10的温度过高，则驱动晶体管(DT)的源极电压(Vs)可能上升至高于第一高电压(VH1)的电压电平。

图10是示出关于第二感测模式的提供至像素的扫描信号和感测信号、提供至第一开关的第一开关控制信号和提供至第二开关的第二开关控制信号、以及驱动晶体管的栅极和源极电压的波形图。

对于第二感测模式，参照图10，一个帧周期(1帧周期)可以包括第一时段和第二时段(t1″，t2″)。在第一时段(t1″)中，驱动晶体管(DT)的源电极利用参考电压(VREF)被初始化。在第二时段(t2″)中，第二感测数据电压(SVdata2)被提供至驱动晶体管(DT)的栅电极，并且驱动晶体管(DT)的源极电压被感测。

第k个扫描线(Sk)的第k个扫描信号(SCANk)在第二时段(t2″)中以栅极接通电压(Von)提供。在图10中，第k个扫描线(Sk)的第k个扫描信号(SCANk)在第一时段(t1″)中以栅极关断电压(Voff)提供。然而，第k个扫描线(Sk)的第k个扫描信号(SCANk)在第一时段(t1″)中可以以栅极接通电压(Von)提供。第k个感测信号线(SEk)的第k个感测信号(SENSk)在第一时段和第二时段(t1″，t2″)中以栅极接通电压(Von)提供。像素(P)的第一开关晶体管和第二开关晶体管(ST1，ST2)可以通过栅极接通电压(Von)接通，并且可以通过栅极关断电压(Voff)关断。

第一开关控制信号(SCS1)在第一时段(t1″)中可以以第一逻辑电平电压(V1)提供，并且在第二时段(T2″)中可以以第二逻辑电平电压(V2)提供。第二开关控制信号(SCS2)在第一时段(t1″)中可以以第二逻辑电平电压(V2)提供，并且在第二时段(t2″)中可以以第一逻辑电平电压(V1)提供。第一开关和第二开关(SW1，SW2)可以通过第一逻辑电平电压接通，并且可以通过第二逻辑电平电压关断。

图11A和图11B示出了第二感测模式的第一时段和第二时段中的像素(P)的操作。在下文中，将参照图10、图11A和11B详细描述第二感测模式下的像素(P)的操作。

首先，如图11A所示，在第一时段(t1″)中通过提供至第k个扫描线(Sk)的栅极关断电压(Voff)的第k个扫描信号(SCANk)使第一开关晶体管(ST1)关断，并且在第一时段(t1″)中通过提供至第k个感测信号线(SEk)的栅极接通电压(Von)的第k个感测信号(SENSk)使第二开关晶体管(ST2)接通。在第一时段(t1″)中，通过第一逻辑电平电压(V1)的第一开关控制信号(SCS1)使第一开关(SW1)接通，并且通过第二逻辑电平电压(V2)的第二开关控制信号(SCS2)使第二开关(SW2)关断。

在第一时段(t1″)中，根据第一开关(SW1)接通，参考电压(VREF)从参考电压发生器80提供至第u个参考电压线(Ru)。在第一时段(t1″)中，根据第二开关晶体管(ST2)接通，第u个参考电压线(Ru)的参考电压(VREF)提供至驱动晶体管(DT)的源电极。即，利用参考电压(VREF)对驱动晶体管(DT)的源电极进行初始化。

其次，如图11B所示，在第二时段(t2″)中通过提供至第k个扫描线(Sk)的栅极接通电压(Von)的第k个扫描信号(SCANk)使第一开关晶体管(ST1)接通，并且在第二时段(t2″)中通过提供至第k个感测信号线(SEk)的栅极接通电压(Von)的第k个感测信号(SENSk)使第二开关晶体管(ST2)接通。在第二时段(t2″)中，通过第二逻辑电平电压(V2)的第一开关控制信号(SCS1)使第一开关(SW1)关断，并且通过第一逻辑电平电压(V1)的第二开关控制信号(SCS2)使第二开关(SW2)接通。

在第二时段(t2″)中，根据第一开关(SW1)关断，参考电压(VREF)未提供至第u个参考电压线(Ru)。在第二时段(t2″)中，根据第二开关(SW2)接通，参考电压线(Ru)与模数转换器140连接。在第二时段(t2″)中，根据第一开关晶体管(ST1)接通，第二感测数据电压(SVdata2)提供至驱动晶体管(DT)的栅电极。在第二时段(t2″)中，根据第二开关晶体管(ST2)接通，驱动晶体管(DT)的源电极通过第u个参考电压线(Ru)与模数转换器140连接。

在第二时段(t2″)中，驱动晶体管(DT)的栅电极与源电极之间的差值电压(Vgs＝SVdata2-VREF)大于驱动晶体管(DT)的阈值电压(Vth)，由此电流流过驱动晶体管(DT)。图10的第二时段(t2″)比图7的第二时段(t2″)短。

在此情况下，驱动晶体管(DT)的电流可以以下面的等式1定义。

在上面的等式1中，“Ids”是驱动晶体管(DT)的电流，“K”是电子迁移率，“Cox”是绝缘膜的电容，“W”是驱动晶体管(DT)的沟道宽度，“L”是驱动晶体管(DT)的沟道长度。

如上面的等式1所示，驱动晶体管(DT)的电流与驱动晶体管(DT)的电子迁移率(K)成比例，由此，第二时段(t2″)中的驱动晶体管(DT)的源极电压(Vs)的上升电平与驱动晶体管(DT)的电子迁移率(K)成比例。即，驱动晶体管(DT)的电子迁移率越大，第二时段(t2″)中的驱动晶体管(DT)的源极电压(Vs)的上升电平越高。

最后，驱动晶体管(DT)的源极电压(Vs)的上升电平根据第二时段(t2″)中的驱动晶体管(DT)的电子迁移率(K)改变。在图10中，根据电子迁移率(K)的源极电压(Vs)的上升电平被定义为“α”。如图10所示，根据电子迁移率(K)，驱动晶体管(DT)的源极电压上升至“VREF+α”。因此，可以在第二时段(t2″)中在驱动晶体管(DT)的源电极中感测反应驱动晶体管(DT)的电子迁移率(K)的电压。

如上所述，根据本发明的一个实施方式，在第二感测模式下可以感测驱动晶体管的源极电压，即反应驱动晶体管(DT)的电子迁移率(K)的“VREF+α”。

同时，关于第二感测模式，在第二感测数据电压(SVdata2)被施加至驱动晶体管(DT)的栅电极的条件下，在预定的短时段中，驱动晶体管(DT)中的源极电压(Vs)的上升电平被感测。因此，如图12所示，对于第二感测模式感测到的驱动晶体管(DT)的源极电压(Vs)高于参考电压(VREF)。然而，第二感测模式下的驱动晶体管(DT)中的源极电压(Vs)的上升电平相对小于第一感测模式下的驱动晶体管(DT)中的源极电压(Vs)的上升电平。因此，在第二感测模式下，模数转换器140的感测电压范围可以被设置在高于参考电压(VREF)并且低于第一低电压(VL1)的第二低电压(VL2)与低于第一高电压(VH1)的第二高电压(VH2)之间的范围内。模数转换器140可以从参考电压发生器80接收第二低电压(VL2)和第二高电压(VH2)，以设置关于第二感测模式的感测电压范围。在图12中，第二低电压(VL2)为0.5V，第二高电压(VH2)为3.5V，但不限于这些电压值。

在此情况下，驱动晶体管(DT)的源极电压(Vs)的上升电平根据显示面板10的温度而改变。特别地，如果显示面板10的温度高于显示面板10被正常驱动的额定温度，则驱动晶体管(DT)的源极电压(Vs)被大大提高，使得驱动晶体管(DT)的源极电压(Vs)超出了模数转换器140的感测电压范围，这可能导致误差电压。

如果显示面板10的温度变高，则感测时序被设置为比第二时段(t2″)早，以防止驱动晶体管(DT)的源极电压(Vs)超出模数转换器140的感测电压范围。如上所述，可以通过改变时序控制器60内的设置来控制感测时序。感测时序可以被设置为早于在第一时段(t1″)开始之后的第二时段(t2″)的开始。

在根据本发明另一实施方式的OLED装置中温度上升的情况下，驱动晶体管(DT)的源极电压(Vs)降低，从而可以防止驱动晶体管(DT)的源极电压(Vs)超出模数转换器140的感测电压范围。驱动晶体管(DT)的源极电压(Vs)可以通过降低驱动晶体管(DT)的栅极电压(Vg)来降低。随着驱动晶体管(DT)的栅极电压(Vg)降低，驱动晶体管(DT)的源极电压(Vs)也降低。因此，即使在温度上升的情况下，驱动晶体管(DT)的源极电压(Vs)也在模数转换器140的感测电压范围内。

图13是示出关于第三感测模式的提供至像素的扫描信号和感测信号、提供至开关的开关控制信号、以及驱动晶体管的栅极电压和源极电压的波形图。

关于第三感测模式，参照图13，一个帧周期(1帧周期)可以包括第一时段至第四时段(t1+、t2+、t3+、t4+)。在第一时段(t1+)中，第三感测数据电压(SVdata3)提供至驱动晶体管(DT)的栅电极，并且驱动晶体管(DT)的源电极利用参考电压(VREF)被初始化。在第二时段(t2+)中，驱动晶体管(DT)的栅源电压根据对应于劣化识别时段的有机发光二极管(OLED)的劣化水平存储在存储电容器(Cst)中。在第三时段(t3+)中，驱动晶体管(DT)的源电极利用参考电压(VREF)被初始化。在第四时段(t4+)中，可以根据驱动晶体管(DT)的栅源电压来感测驱动晶体管(DT)的源极电压(Vs)。

第k个扫描线(Sk)的第k个扫描信号(SCANk)在第二时段(t2+)中以栅极接通电压(Von)提供，并且在第三时段和第四时段(t3+，t4+)中以栅极关断电压(Voff)提供。在图13中，第k个扫描线(Sk)的第k个扫描信号(SCANk)在第一时段(t1+)中以栅极接通电压(Von)提供。然而，第k个扫描线(Sk)的第k个扫描信号(SCANk)在第一时段(t1+)可以以栅极关断电压(Voff)提供。第k个感测信号线(SEk)的第k个感测信号(SENSk)在第一时段、第三时段和第四时段(t1+、t3+、t4+)中以栅极接通电压(Von)提供，并且在第二时段(t2+)中以栅极关断电压(Voff)提供。像素(P)的第一开关晶体管和第二开关晶体管(ST1，ST2)可以通过栅极接通电压(Von)接通，并且可以通过栅极关断电压(Voff)关断。

第一开关控制信号(SCS1)在第一时段和第三时段(t1+，t3+)中可以以第一逻辑电平电压(V1)提供，并且在第四时段(t4+)中可以以第二逻辑电平电压(V2)提供。在图13中，第一开关控制信号(SCS1)在第二时段(t2+)中以第一逻辑电平电压(V1)提供，但不必需。第一开关控制信号(SCS1)在第二时段(t2+)中可以以第二逻辑电平电压(V2)提供。第二开关控制信号(SCS2)在第一时段至第三时段(t1+、t2+、t3+)中可以以第二逻辑电平电压(V2)提供，并且在第四时段(t4+)中可以以第一逻辑电平(V1)电压提供。第一开关和第二开关(SW1，SW2)可以通过第一逻辑电平电压接通，并且可以通过第二逻辑电平电压关断。

图14A至图14D示出了在第三感测模式的第一时段至第四时段中的像素(P)的操作。

首先，如图14A所示，在第一时段(t1+)中通过提供至第k个扫描线(Sk)的栅极接通电压(Von)的第k个扫描信号(SCANk)使第一开关晶体管(ST1)接通，并且在第一时段(t1+)中通过提供至第k个感测信号线(SEk)的栅极接通电压(Von)的第k个感测信号(SENSk)使第二开关晶体管(ST2)接通。在第一时段(t1+)中，通过第一逻辑电平电压(V1)的第一开关控制信号(SCS1)使第一开关(SW1)接通，并且通过第二逻辑电平电压(V2)的第二开关控制信号(SCS2)使第二开关(SW2)关断。

在第一时段(t1+)中，根据第一开关晶体管(ST1)接通，第三感测数据电压(SVdata3)提供至驱动晶体管(DT)的栅电极。另外，在第一时段(t1+)中，根据开关(SW1)接通，参考电压(VREF)从参考电压发生器80提供至第u个参考电压线(Ru)。在第一时段(t1+)中，根据第二开关晶体管(ST2)接通，第u个参考电压线(Ru)的参考电压(VREF)提供至驱动晶体管(DT)的源电极。即，利用参考电压(VREF)对驱动晶体管(DT)的源电极进行初始化。

其次，如图14B所示，在第二时段(t2+)中通过提供至第k个扫描线(Sk)的栅极接通电压(Von)的第k个扫描信号(SCANk)使第一开关晶体管(ST1)接通，并且在第二时段(t2+)中通过提供至第k个感测信号线(SEk)的栅极关断电压(Voff)的第k个感测信号(SENSk)使第二开关晶体管(ST2)关断。

在第二时段(t2+)中，第一开关晶体管(ST1)接通，由此第三感测数据电压(SVdata3)提供至驱动晶体管(DT)的栅电极。另外，在第二时段(t2+)中，根据第二开关(SW2)关断，参考电压(VREF)未提供至驱动晶体管(DT)的源电极。

在第二时段(t2+)中，驱动晶体管(DT)的栅电极与源电极之间的差值电压(Vgs＝SVdata3-VREF)大于驱动晶体管(DT)的阈值电压(Vth)，由此电流流过驱动晶体管(DT)。

同时，如果有机发光二极管(OLED)被长时间驱动，则有机发光二极管(OLED)可能会劣化，由此有机发光二极管(OLED)的发光亮度可能劣化。如果有机发光二极管(OLED)劣化，则有机发光二极管(OLED)的驱动电压上升。这样，如图13所示，即使相同的数据电压施加至驱动晶体管(DT)的栅电极，有机发光二极管(OLED)劣化时的驱动晶体管(DT)的源极电压亦高于有机发光二极管(OLED)没有劣化时的驱动晶体管(DT)的源极电压。因此，有机发光二极管(OLED)劣化时的驱动晶体管(DT)的栅源电压(Vgs2)低于驱动晶体管(DT)没有劣化时的驱动晶体管(DT)的栅源电压(Vgs1)。在图13中，实线表示当有机发光二极管(OLED)没有劣化时驱动晶体管(DT)的栅极电压(Vg)与源极电压(Vs)，并且虚线表示有机发光二极管(OLED)劣化时的驱动晶体管(DT)的栅极电压(Vg)和源极电压(Vs)。

在此情况下，驱动晶体管(DT)的栅极电压(Vg)和源极电压(Vs)可以通过显示面板10的温度而改变。更具体地，如果显示面板10的温度上升，则驱动晶体管(DT)的栅极电压(Vg)和源极电压(Vs)也上升。为了减轻这种现象，如果显示面板10的温度上升，则根据本发明的一个实施方式的OLED装置使栅极电压(Vg)和源极电压(Vs)降低。

如果使栅极电压(Vg)和源极电压(Vs)降低，则即使显示面板10的温度等于或高于临界温度，驱动晶体管(DT)的源极电压(Vs)亦不超出模数转换器140的电压感测范围。

第三，如图14C所示，在第三时段(t3+)中通过提供至第k个扫描线(Sk)的栅极关断电压(Voff)的第k个扫描信号(SCANk)使第一开关晶体管(ST1)关断，并且在第三时段(t3+)中通过提供至第k个感测信号线(SEk)的栅极接通电压(Von)的第k个感测信号(SENSk)使第二开关晶体管(ST2)接通。在第三时段(t3+)中，通过第一逻辑电平电压(V1)的第一开关控制信号(SCS1)使第一开关(SW1)接通，并且通过第二逻辑电平电压(V2)的第二开关控制信号(SCS2)使第二开关(SW2)关断。

在第三时段(t3+)中，根据第一开关(SW1)接通，参考电压(VREF)从参考电压发生器80提供至第u个参考电压线(Ru)。在第三时段(t3+)中，根据第二开关晶体管(ST2)接通，第u个参考电压线(Ru)的参考电压(VREF)提供至驱动晶体管(DT)的源电极。即，利用参考电压(VREF)对驱动晶体管(DT)的源电极进行初始化。此外，通过存储电容器(Cst)保持驱动晶体管(DT)的栅源电压(Vgs)，由此可以使驱动晶体管(DT)的栅极电压(Vg)降低驱动晶体管(DT)的源极电压(Vs)的改变量，如图13所示。

第四，如图14D所示，在第四时段(t4+)中通过提供至第k个扫描线(Sk)的栅极关断电压(Voff)的第k个扫描信号(SCANk)使第一开关晶体管(ST1)关断，并且在第四时段(t4+)中通过提供至第k个感测信号线(SEk)的栅极接通电压(Von)的第k个感测信号(SENSk)使第二开关晶体管(ST2)接通。在第四时段(t4+)中，通过第二逻辑电平电压(V2)的第一开关控制信号(SCS1)使第一开关(SW1)关断，并且通过第一逻辑电平电压(V1)的第二开关控制信号(SCS2)使第二开关(SW2)接通。

在第四时段(t4+)中，电流根据栅源电压(Vgs)流过驱动晶体管(DT)，由此驱动晶体管(DT)的源极电压上升。然而，如果有机发光二极管(OLED)劣化，则有机发光二极管(OLED)劣化时的驱动晶体管(DT)的栅源电压(Vgs2)低于有机发光二极管(OLED)没有劣化时的驱动晶体管(DT)的栅源电压(Vgs1)。因此，在第四时段(t4+)中，有机发光二极管(OLED)劣化时的驱动晶体管(DT)的源极电压(Vs)的上升电平相对地小于有机发光二极管(OLED)没有劣化时的驱动晶体管(DT)的源极电压(Vs)的上升电平。例如，如图13所示，当有机发光二极管(OLED)没有劣化时，驱动晶体管(DT)的源极电压(Vs)在第四时段(t4+)中上升至“VREF+β”。同时，当有机发光二极管(OLED)劣化时，驱动晶体管(DT)的源极电压(Vs)在第四时段(t4+)中可以上升至“VREF+γ(β>γ)”。

在第四时段(t4+)中，根据第二开关(SW2)接通，第u个参考电压线(Ru)与模数转换器140连接。在第四时段(t4+)中，第二开关晶体管(ST2)接通，使得驱动晶体管(DT)的源电极通过第u个参考电压线(Ru)与模数转换器140连接。因此，模数转换器140可以感测驱动晶体管(DT)的源极电压(Vs)，即“VREF+β”或“VREF+γ”。

图15和16是示出可以在第三感测模式下使用的模数转换器的感测电压范围的示例的曲线图。例如，如图15所示，模数转换器140的感测电压范围可以设置在可以等于参考电压(VREF)并且可以是0V的第三低电压(VL3)与可以例如比参考电压(VREF)高3V的第三高电压(VH3)之间的范围内。如图16所示，模数转换器140的感测电压范围可以设置成使得第三低电压(VL3)等于参考电压(VREF)并且可以设置在约0.5V，并且第三高电压(VH3)可以比参考电压(VREF)高约3V并且可以设置在约3.5V。

图17是示出了根据关于第三感测模式的温度的模数转换器的感测电压范围的另一示例的曲线图。

在第一时间点(t1')开始提供感测电压之后，根据本发明的一个实施方式的模数转换器140开始提取感测电压信息。在正常驱动的情况下，根据本发明的一个实施方式的模数转换器140将第二时间点(t2')设置为感测时序，并且参考第二时间点(t2')的电压电平来执行感测过程。对于执行感测模式的过程，重要的是防止在高温下感测电压超出模数转换器140的感测电压范围。例如，模数转换器140的感测电压范围设置在0.5V至3.5V的范围内，并且显示面板10的正常温度为约25℃。在此情况下，最终的感测电压是3.5V或小于3.5V。因此，即使感测时序被设置为第二时间点(t2')，也可以执行正常感测过程。

然而，在温度为35℃的显示面板10的情况下，最终的感测电压高于3.5V，并且第二时间点(t2')的感测电压为3.5V。如果显示面板10的温度高，则感测电压快速上升。在显示面板10处于高于35℃的高温的状态的情况下，第二时间点(t2')处的感测电压为3.5V。因此，在显示面板10处于高于35℃的高温状态的情况下，如果感测时序被设置为第二时间点(t2')，则难以执行正常的感测过程。

在根据本发明的一个实施方式的显示面板10中，感测时序点被设置为在第一时间点(t1')与第二时间点(t2')之间的第三时间点(t3')。根据本发明的一个实施方式，使感测时序提前，并且参考第三时间点(t3')的感测电压电平来执行感测过程。第三时间点(t3')可以在时序控制器60的控制下根据显示面板10的温度来设置。第三时间点(t3')的感测电压电平被设置在模数转换器140的感测电压范围内。因此，可以感测在模数转换器140的感测电压范围内的值。

根据本发明的一个实施方式，以使得对于感测模式感测到的驱动晶体管的源极电压被包括在感测电压范围内的方式来控制感测时序。因此，可以防止驱动晶体管的源极电压超出模数转换器140的感测电压范围。

在根据本发明的一个实施方式的OLED装置中，对应于劣化之前的感测数据的初始数据被存储在有机发光二极管的每个温度范围内。在本文中，初始数据可以被定义为参考数据，并且初始数据可以在有机发光二极管劣化之前被测量，并被存储在内部存储器中。在根据本发明的一个实施方式的OLED装置中，可以从内部存储器中提取感测条件和对应温度范围的初始数据，从而根据所提取的温度范围的感测条件来执行感测工作。最终，感测时序被控制为使得基于感测条件感测到的驱动晶体管的源极电压被包括在感测电压范围中，或者通过降低提供至驱动晶体管的电压来控制感测时序。

在根据本发明一个实施方式的OLED装置中，即使有机发光二极管的特性可以基于温度而改变，亦可以防止对感测数据的影响。特别地，即使感测工作甚至在其他温度范围内执行，也可以应用适合于对应的温度范围的感测数据，使得其不超过模数转换器范围。

对于本领域的技术人员明显的是，在不脱离本发明的精神或范围的情况下，可以对本发明进行各种修改和变化。因此，本发明旨在涵盖本发明的修改和变化，只要其落入所附权利要求及其等同内容的范围内即可。