本实用新型涉及LED显示屏显示领域，特别涉及一种基于三色条形LED芯片的虚拟LED显示模组。
背景技术：
LED显示屏作为数字图像显示媒体，能够实时显示视频图像源的图像信息。影响LED显示屏显示效果的关键因素有两点：一是LED显示屏的分辨率；二是显示屏的显示颜色和灰度等级。室内LED显示屏一般采用物理分辨率高的小间距LED显示屏，其LED点间距在P2.5以下，主要包括P2.5、P2.0、P1.8、P1.5等规格。目前LED显示屏的显示颜色和灰度等级的标准已经能够满足要求，而室内LED显示屏对于分辨率一直有更高的要求，希望能实现更高的显示分辨率。
显示分辨率的提高可采用两种途径：一是提高物理分辨率，二是通过亚像素共享进行虚拟显示来实现一个高的虚拟分辨率。目前国内LED管高密度电子组装技术的不成熟、LED管及电子元器件封装物理尺寸及电路复杂、成本高等方面的限制阻碍了显示屏物理分辨率的提高。而关于亚像素虚拟显示，虽已有相关研究表明通过虚拟显示可以使像素点增加4倍，甚至更高的倍频效果，但随着倍频次数的增多，如当倍频次数达到10次以上时，又会带来显示图像模糊或者拖尾的现象。因此要想进一步提高室内小间距显示屏的分辨率，单纯依靠虚拟显示还不能实现理想的效果。
因此寻找一种结构简单、成本低的显示单元，并且使其能更有效地提高显示分辨率的技术，一直是目前业内的研究热点。
技术实现要素：
因此，为解决现有技术存在的技术缺陷和不足，本实用新型提出一种基于三色条形LED芯片的虚拟LED显示模组。
具体地，本实用新型一个实施例提出的一种基于三色条形LED芯片的虚拟LED显示模组，包括：由三色条形LED芯片组成的三色LED芯片组；每个三色条形LED芯片包括3个LED发光单元；三色条形LED芯片规则排列，使多个LED发光单元组成M×N矩阵；任意相邻两个LED发光单元之间的间距相等；位于M×N矩阵的第一斜线方向上的LED发光单元为相同基色的LED发光单元；位于M×N矩阵的第二斜线方向上的LED发光单元为三种基色的LED发光单元按特定顺序轮流排列。
在本实用新型的一个实施例中，虚拟LED显示模组还包括虚拟显示控制电路，用于控制虚拟LED显示模组进行虚拟显示。
在本实用新型的一个实施例中，虚拟显示控制电路为3倍频扫描电路。
在本实用新型的一个实施例中，三色条形LED芯片是基于GaN材料制备的RGB三色一体的LED芯片。
在本实用新型的一个实施例中，三色条形LED芯片由3个LED发光单元等距直线排列，且包括1个红光LED发光单元、1个绿光LED发光单元和1个蓝光LED发光单元。
在本实用新型的一个实施例中，三色条形LED芯片还包括：1个第一公共电极，设置于三色条形LED芯片的第一端；3个第二电极，分别设置于三个LED发光单元的第二端。
在本实用新型的一个实施例中，三色LED芯片包括第一三色条形LED芯片，第二三色条形LED芯片和第三三色条形LED芯片；第一三色条形LED芯片的3个LED发光单元为RGB顺序排列；第二三色条形LED芯片的3个LED发光单元为GBR顺序排列；第三三色条形LED芯片的3个LED发光单元为BRG顺序排列。
本实用新型实施例提供的基于三色条形LED芯片的虚拟LED显示模组，采用了基于GaN材料共三种颜色的发光材料制备的RGB三色一体的条形LED芯片，通过合理设置各区域隔离层的厚度，使多个该三色条形LED芯片规则排列、拼接组装成三色LED芯片组，形成所有基色发光单元等间距均匀排列的小间距三色发光单元矩阵阵列，提高了物理分辨率，使图像显示的清晰度得到了显著提高，有效提升了显示效果。
通过以下参考附图的详细说明，本实用新型的其它方面和特征变得明显。但是应当知道，该附图仅仅为解释的目的设计，而不是作为本实用新型的范围的限定，这是因为其应当参考附加的权利要求。还应当知道，除非另外指出，不必要依比例绘制附图，它们仅仅力图概念地说明此处描述的结构和流程。
附图说明
下面将结合附图，对本实用新型的具体实施方式进行详细的说明。
图1为本实用新型实施例提供的基于三色条形LED芯片的虚拟LED显示模组的结构示意图；
图2为本实用新型实施例提供的三色条形LED芯片的结构示意图；
图3为本实用新型另一实施例提供的三色条形LED芯片的结构示意图；
图4为本实用新型实施例提供的三色条形LED芯片的制备方法的流程图。
具体实施方式
为使本实用新型的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本实用新型的具体实施方式做详细的说明。
实施例一
参见图1，图1为本实用新型实施例提供的一种基于三色条形LED芯片的虚拟LED显示模组的结构示意图。
该虚拟LED显示模组10包括三色LED芯片组11，由若干个三色条形LED芯片组成；每个三色条形LED芯片包括3个LED发光单元R,G,B；该若干个三色条形LED芯片具有三种类型，包括第一三色条形LED芯片12、第二三色条形LED芯片13和第三三色条形LED芯片14。其中，第一三色条形LED芯片12的3个所述LED发光单元为RGB顺序排列；第二三色条形LED芯片的3个所述LED发光单元为GBR顺序排列；第三三色条形LED芯片的3个所述LED发光单元为BRG顺序排列。该若干个三色条形LED芯片规则排列，横向间距为D2，纵向间距为D1。多个LED发光单元组成M×N矩阵，任意相邻两个LED发光单元之间的间距相等；位于M×N矩阵的第一斜线方向上的LED发光单元为相同基色的LED发光单元；位于M×N矩阵的第二斜线方向上的LED发光单元为三种基色的LED发光单元按特定顺序轮流排列。
在本实用新型的一个实施例中，该虚拟LED显示模组10的三色LED芯片组11的第一行由多个第一三色条形LED芯片12组成，第二行由多个第二三色条形LED芯片13组成，第三行由多个第三三色条形LED芯片14组成，按此顺序，以每三行为一个周期，排列组成M×N矩阵。位于M×N矩阵的左斜线方向上的LED发光单元为相同基色的LED发光单元；位于M×N矩阵的右斜线方向上的LED发光单元为三种基色的LED发光单元按特定顺序轮流排列。
在本实用新型的另一个实施例中，该虚拟LED显示模组10的三色LED芯片组11的第一行由多个第一三色条形LED芯片12组成，第二行由多个第三三色条形LED芯片14组成，第三行由多个第二三色条形LED芯片13组成，按此顺序，以每三行为一个周期，排列组成M×N矩阵。位于M×N矩阵的右斜线方向上的LED发光单元为相同基色的LED发光单元；位于M×N矩阵的左斜线方向上的LED发光单元为三种基色的LED发光单元按特定顺序轮流排列。
在本实用新型的又一个实施例中，M×N矩阵中横向上LED发光单元和/或纵向上LED发光单元的数量不为3的整数倍时，该虚拟LED显示模组10还包括单色LED芯片，根据虚拟LED显示模组10中各发光单元的排列规律，在显示模组的边缘位置，可配合使用单色LED芯片，其包含1个红光LED单元或1个绿光LED单元或1个蓝光LED单元。
该虚拟LED显示模组10还包括虚拟显示控制电路15，用于控制LED显示模组进行虚拟显示。该虚拟显示控制电路15具有存储芯片和驱动芯片，存储芯片用于存储接收到的显示数据，驱动芯片接收到显示数据后生成相应的驱动电流，驱动虚拟LED显示模组进行图像或视频数据的显示。本实用新型实施例中，该虚拟LED显示模组10的所有LED发光单元组成的规则阵列中，每一个LED发光单元作为该虚拟LED显示模组10的一个子像素。每一个LED发光单元与它周围邻近的2个LED发光单元可以组成1个虚拟显示像素，每一个虚拟显示像素包含有3个LED发光单元，并且分别为3种基色，3个LED发光单元组成三角形。本实用新型的一个实施例中，如图1中所示的LED发光单元B，与其周围邻近的共6个LED发光单元组成3个虚拟显示像素P11、P12、P13，即LED发光单元B进行了3次共享，相应地，虚拟显示控制电路15采用3倍频扫描电路，对LED显示模组进行3倍频扫描，在虚拟LED显示模组的实际子像素周围产生出以阵列方式规则排列的3倍数量的虚拟像素，使得显示分辨率显著提高，图像显示更加清晰。因为本实用新型实施例的虚拟LED显示模组，相同基色的LED发光单元排列成一条直线，所以在进行3倍频扫描时，虽然虚拟显示控制电路15增加了扫描次数，但是布线却比传统显示模组要简化很多。
此外，值得一提的是，本实用新型实施例的虚拟LED显示模组10，若干个三色条形LED芯片除了采用图1所示方式水平放置，以每三行为一个周期进行规则排列之外，也可以将三色条形LED芯片竖直放置，以每三列为一个周期进行排列，进而也可以实现3倍频的高分辨率虚拟显示。
参见图2，图2(a)～图2(c)为本实用新型实施例提供的三种三色条形LED芯片的结构示意图。如图2(a)是第一三色条形LED芯片的结构示意图，第一三色条形LED芯片12是基于GaN材料共采用三种颜色的发光材料制备的RGB三色一体的LED芯片。如图2中所示，该第一三色条形LED芯片12包括3个不同基色的发光单元：红光LED发光单元21、绿光LED发光单元22和蓝光LED发光单元23，3个所述LED发光单元为RGB顺序排列。
在每个LED发光单元四周填充有隔离物质，在相邻两个LED发光单元之间形成隔离层，包括红光LED隔离层24、绿光LED隔离层25和蓝光LED隔离层26。结合图1和图2(a)进行说明，本实用新型实施例的第一三色条形LED芯片12在制备时，考虑了隔离层的厚度，其厚度需要满足当多个三色条形LED芯片规则排列组成虚拟LED显示模组10的三色LED芯片组11时，要保证三色LED芯片组11的阵列中，任意相邻两个LED发光单元之间的间距相等。因此，在确定隔离层的厚度时，为补偿多个三色条形LED芯片在拼接组装时在相邻两个三色条形LED芯片之间存在的间隙D1和D2，该厚度不能太小。具体地如，每个第一三色条形LED芯片12的上、下、左、右四个边缘的隔离层的厚度分别为d1、d2、d3、d4、同一个第一三色条形LED芯片12内部，左右相邻的两个LED发光单元之间的隔离层的厚度为d5和d6。一般地，应满足(D1+d1+d2)＝d5＝d6，(D2+d3+d4)＝d5＝d6，同时，在满足芯片组组装工艺水平允许的条件下，尽量使相邻芯片之间的间距D1和D2的值做到最小，并且，d1、d2、d3、d4、d5和d6的值也尽量取一个较小的值，以使相邻两个LED发光单元之间的间距达到最小，进而使虚拟LED显示模组的物理分辨率达到最大。
具体地，在本实用新型的一个实施例中，每个第一三色条形LED芯片12的上、下、左、右四个边缘的隔离层的厚度相等，即d1＝d2＝d3＝d4。多个三色条形LED芯片组装成三色LED芯片组11时，相邻两个三色条形LED芯片之间的间距为D1＝D2。
该第一三色条形LED芯片12还包括N型电极和P型电极。在本实用新型的一个实施例中，每个LED发光单元上各自设置有一对N型电极和P型电极，N型电极设置于每个LED发光单元的N型端，P型电极设置于每个LED发光单元的P型端。具体地如，红光LED发光单元21设置有N型电极211和P型电极212，绿光LED发光单元22设置有N型电极221和P型电极222，蓝光LED发光单元23设置有N型电极231和P型电极232。
如图2(b)和图2(c)分别是第二三色条形LED芯片和第三三色条形LED芯片的结构示意图，第二三色条形LED芯片和第三三色条形LED芯片与第一三色条形LED芯片的结构不同仅在于三种基色的LED发光单元的排列顺序不同，第二三色条形LED芯片的3个所述LED发光单元为GBR顺序排列，第三三色条形LED芯片的3个所述LED发光单元为BRG顺序排列。
参见图3，图3为本实用新型另一实施例提供的三色条形LED芯片的结构示意图。为使该三色条形LED芯片30的结构更加简单，将所有LED发光单元的多个N型电极设置为一个公共N型电极，设置在该三色条形LED芯片30的N型端，多个P型电极分别独立设置于每个LED发光单元的P型端，或者将所有LED发光单元的多个P型电极设置为一个公共P型电极，设置在该三色条形LED芯片30的P型端，多个N型电极分别独立设置于每个LED发光单元的N型端。
具体地，在本实用新型的一个实施例中，三色条形LED芯片30的红光LED发光单元31设置有N型电极311，绿光LED发光单元32设置有N型电极321，蓝光LED发光单元33设置有N型电极331，在该三色条形LED芯片30的P型端设置有公共P型电极34。
实施例二
本实用新型实施例的三色条形LED芯片是基于GaN材料共采用三种颜色的发光材料制备的RGB三色一体的LED芯片。该三色条形LED芯片从结构上包括三种基色的发光单元，为红光LED发光单元、绿光LED发光单元、蓝光LED发光单元，还包括N型电极和P型电极。三种基色发光单元的周围均填充有隔离物质，在相邻两个LED发光单元之间形成隔离层。
参见图4，图4为本实用新型实施例提供的三色条形LED芯片的制备方法的流程图。具体地，该三色条形LED芯片的制备方法如下步骤：
401，选择衬底。
在本实用新型一个实施例中，选用蓝宝石材料或SiC材料作为衬底。
402，在衬底上制备蓝色LED发光结构，得到单色发光结构。
蓝光LED发光结构的材料包括GaN材料。具体地，在衬底上依次制备第一GaN缓冲层、第一GaN稳定层、第一n型GaN层、第一InGaN/GaN多量子阱有源层、第一p型AlGaN阻挡层、第一p型GaN层。其中，第一InGaN/GaN多量子阱有源层包括多个GaN势垒层和多个InGaN量子阱层，GaN势垒层和InGaN量子阱层交替排布。
403，在单色发光结构上刻蚀形成红光灯芯槽，在红光灯芯槽中制备红光LED发光结构，得到双色发光结构。
在本实用新型一个实施例中，采用PECVD工艺在第一p型GaN层上淀积第一SiO2层，采用湿法刻蚀工艺在第一SiO2层上特定位置处刻蚀第一矩形窗口，再采用干法刻蚀工艺在窗口范围持续刻蚀形成第一凹槽后去除第一SiO2层，在第一p型GaN层上表面、衬底的上表面及第一凹槽的侧壁沉淀第二SiO2层，采用干法刻蚀工艺刻蚀第一p型GaN层上表面及衬底的上表面的第二SiO2层以在第一凹槽的侧壁形成第一SiO2隔离层，用于隔离蓝光发光结构与红光发光结构，至此形成红光灯芯槽。
在红光灯芯槽中依次制备第二GaN缓冲层、第二n型GaAs缓冲层、第二n型GaAs稳定层、第二GalnP/A1GaInP多量子阱有源层、第二p型A1GaInP阻挡层、第二p型GaAs接触层。其中，第二GalnP/A1GaInP多量子阱有源层包括多个GalnP势垒层和多个A1GaInP势垒层，GalnP势垒层和A1GaInP势垒层交替排布。
在本实用新型一个实施例中，采用湿法刻蚀工艺刻蚀1个第一矩形窗口，形成1个第一凹槽，形成1个红光灯芯槽，最终制备出1个红光LED发光结构。
404，在双色发光结构上刻蚀形成绿光灯芯槽，在绿光灯芯槽中制备绿光LED发光结构，得到第一三色发光结构。
在本实用新型一个实施例中，采用PECVD工艺在第一p型GaN层上淀积第三SiO2层；采用湿法刻蚀工艺在第三SiO2层上特定位置处刻蚀第二矩形窗口；再采用干法刻蚀工艺在窗口范围持续刻蚀形成第二凹槽后去除第三SiO2层；在第一p型GaN层上表面、衬底的上表面及第二凹槽的侧壁沉淀第四SiO2层；采用干法刻蚀工艺刻蚀第一p型GaN层上表面及衬底的上表面的第四SiO2层以在第二凹槽的侧壁形成第二SiO2隔离层，用于隔离红光发光结构、蓝光发光结构和绿光发光结构，至此形成绿光灯芯槽。
在绿光灯芯槽中依次制备第三GaN缓冲层、第三GaN稳定层、第三n型GaN层、第三InGaN/GaN多量子阱有源层、第三p型AlGaN阻挡层、第三p型GaN层。其中，第三p型AlGaN阻挡层包括多个GaN势垒层和多个InGaN量子阱层，GaN势垒层和InGaN量子阱层交替排布。
在本实用新型一个实施例中，采用湿法刻蚀工艺刻蚀1个第二矩形窗口，形成1个第二凹槽，形成1个绿光灯芯槽，最终制备出1个绿光LED发光结构。
在本实用新型一个实施例中，通过步骤401～404，制备得到的第一三色发光结构，包含1个红光发光结构、1个绿光发光结构、1个蓝光发光结构，排布顺序为R、G、B。步骤403、步骤404的顺序可任意调换。
405，在第一三色发光结构上表面制备遮光材料，形成指定布局和大小的发光窗口，得到第二三色发光结构；
在本实用新型一个实施例中，制备得到的第二三色发光结构，1个红光发光结构、1个绿光发光结构和1个蓝光发光结构的发光窗口大小相等，等间距排布。
406，在第二三色发光结构的N型端制备N型电极，在P型端制备P型电极，得到三色条形LED芯片。
在本实用新型一个实施例中，在每一个发光单元的N型端和P型端分别制备一个N型电极和P型电极。
在本实用新型另一个实施例中，在第二三色发光结构的N型端制备一个公共N型电极，在每一个发光单元的P型端各制备一个P型电极。
在本实用新型又一个实施例中，在第二三色发光结构的P型端制备一个公共P型电极，在每一个发光单元的N型端各制备一个N型电极。
本实用新型实施例的制备方法，在各个发光结构上刻蚀灯芯槽时，开槽的位置决定了最后制备的三色条形LED芯片中各基色发光单元的分布方式，开槽的大小决定了各基色发光单元的大小，相邻槽之间的间距决定了各基色发光单元的点间距。因此，通过设置不同的参数数值，可以制备出各种不同规格的三色条形LED芯片，如第一RGB三色条形LED芯片、第二GBR三色条形LED芯片、第三BRG三色条形LED芯片。
综上所述，按照本实用新型实施例的制备方法，可制备出三色一体的LED芯片，该芯片以单芯片的形式能够产生多种颜色的光，大大减少了荧光粉的用量；另外，该芯片一体化，集成度高，大大降低了制作成本；并且该芯片还具有灵活调节色温的优点。
本实用新型实施例提供的基于三色条形LED芯片的虚拟LED显示模组，采用了基于GaN材料共三种颜色的发光材料制备的RGB三色一体的条形LED芯片，通过合理设置各区域隔离层的厚度，使多个该三色条形LED芯片规则排列、拼接组装成三色LED芯片组，形成所有基色发光单元等间距均匀排列的小间距三色发光单元矩阵阵列，提高了物理分辨率，使图像显示的清晰度得到了显著提高，有效提升了显示效果。
以上实施例中所描述的LED显示模组可以是LED灯条、LED灯板、LED箱体、LED显示屏等任一种。
综上所述，本文中应用了具体个例对本实用新型基于三色条形LED芯片的虚拟LED显示模组进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本实用新型的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本实用新型的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本实用新型的限制，本实用新型的保护范围应以所附的权利要求为准。