显示面板、边缘破损检测方法、制备方法、及显示装置与流程

本申请涉及显示面板技术领域，具体而言，本申请涉及一种显示面板、边缘破损检测方法、制备方法、及显示装置。

背景技术：

随着aahole(表示aa区打孔，aa区是指ativearea，有效显示区域12，是显示图形的区域)全面屏手机的快速发展，高屏占比已经成为当前各大手机厂商的一个重要发展方向。在aa区打孔可以提高屏占比，但对于aahole的边缘破损crack暂时没有有效的检测方法。

因此，有必要设计一种带有aahole的显示面板的开孔的边缘破损crack的检测方案，可有效检出aahole的开孔的边缘是否破损crack。

技术实现要素：

本申请针对现有方式的缺点，提出一种显示面板、边缘破损检测方法、制备方法、及显示装置，用以解决现有技术存在不能有效检出aahole的开孔的边缘是否破损的技术问题。

第一个方面，本申请实施例提供了一种显示面板，包括：显示区域、位于显示区域内的开孔、位于开孔周边的开关器件、环绕开孔设置的栅极信号线、以及发光信号线；开关器件的第一端与发光信号线电连接；开关器件的第二端与栅极信号线的信号输入端电连接；开关器件的控制端与栅极信号线的信号输出端电连接。

在一个可能的实施例中，开关器件为薄膜晶体管；薄膜晶体管的控制端为薄膜晶体管的栅极；若薄膜晶体管的第一端为薄膜晶体管的漏极，则薄膜晶体管的第二端为薄膜晶体管的源极；

若薄膜晶体管的第一端为薄膜晶体管的源极，则薄膜晶体管的第二端为薄膜晶体管的漏极。

在一个可能的实施例中，显示面板还包括：衬底、层叠设置在衬底上的有源层和栅极层、以及填充在有源层和栅极层之间的栅极绝缘层；

栅极层包括第一栅极区、第二栅极区和第三栅极区，第二栅极区和第三栅极区相连；

第一栅极区作为发光信号线，第三栅极区作为栅极信号线；

第一栅极区和有源层通过第一信号线电连接；

第三栅极区和有源层通过第二信号线电连接。

在一个可能的实施例中，显示面板还包括层叠设置在栅极绝缘层上的夹层介电层；

第一信号线的两侧均依次穿过夹层介电层和栅极绝缘层，且分别与第一栅极区和有源层电连接；

第二信号线的两侧均依次穿过夹层介电层和栅极绝缘层，且分别与有源层和第三栅极区电连接；

第一信号线的中间段和第二信号线的中间段均位于夹层介电层上。

在一个可能的实施例中，衬底为聚酰亚胺膜层、阻挡膜层和缓冲膜层中的至少一项。

第二方面，本申请实施例还提供了一种显示面板的开孔的边缘破损检测方法，应用于第一方面的显示面板，包括如下步骤：

若开孔的边缘没有破损，则开关器件关闭，栅极信号线不输出第一电平信号；

若开孔的边缘破损，则开关器件导通，栅极信号线输出第一电平信号至发光信号线上。

第三方面，本申请实施例还提供了一种显示面板的制备方法，应用于第一方面的显示面板，包括如下步骤：

在衬底上设置有源层；

在有源层远离衬底的一侧设置第一栅极绝缘层；

在第一栅极绝缘层远离衬底的一侧设置栅极层，栅极层包括第一栅极区、第二栅极区和第三栅极区，第二栅极区和第三栅极区相连；

在栅极层远离衬底的一侧，制备绝缘层；

在绝缘层对应第一栅极区、第三栅极区、以及有源层处分别开设过孔；

在各过孔和绝缘层远离衬底的一侧制备信号线，使得第一栅极区和有源层通过信号线中的第一信号线电连接，第三栅极区和有源层通过信号线中的第二信号线电连接。

在一个可能的实施例中，在栅极层远离衬底的一侧，制备绝缘层，包括：

在栅极层远离衬底的一侧，制备第二栅极绝缘层；

在第二栅极绝缘层远离衬底的一侧，制备夹层介电层。

在一个可能的实施例中，在绝缘层对应第一栅极区、第三栅极区、以及有源层处分别开设过孔，包括：

在夹层介电层和第二栅极绝缘层，对应第一栅极区和第三栅极区处分别开设过孔；

在夹层介电层、第二栅极绝缘层、以及第一栅极绝缘层，对应有源层处分别开设过孔；以及，

在各过孔和绝缘层远离衬底的一侧制备信号线，使得第一栅极区和有源层通过信号线中的第一信号线电连接，第三栅极区和有源层通过信号线中的第二信号线电连接，包括：

在各过孔内填充金属材料，并通过位于绝缘层远离衬底的一侧的金属材料将相应两个过孔内的金属材料对应连接，从而形成第一信号线和第二信号线。

第四方面，本申请实施例还提供了一种显示装置，包括：第一方面的显示面板。

本申请实施例提供的技术方案带来的有益技术效果是：

本申请实施例的显示面板在aahole的开孔周边设置一个开关器件，开关器件的第一端与发光信号线电连接，开关器件的第二端与栅极信号线的信号输入端电连接，栅极信号线环绕开孔设置，开关器件的控制端与栅极信号线的信号输出端电连接。基于本申请实施例的显示面板，若开孔的边缘没有破损，则开关器件关闭，栅极信号线不输出第一电平信号；若开孔的边缘破损，则开关器件导通，栅极信号线输出第一电平信号至发光信号线上，从而对发光信号线的发光信号产生干扰，使得显示面板的黑画面出现横亮线或短横亮线，从而可以有效地判断aahole的开孔的边缘是否破损，解决了现有技术存在不能有效检出aahole的开孔的边缘是否破损的技术问题。

本申请附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，这些将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。

附图说明

本申请上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：

图1为本申请实施例显示面板结构示意图；

图2为本申请实施例开孔、开关器件、栅极信号线、以及发光信号线的结构关系的示意图；

图3为本申请实施例发光信号线的发光信号的时序图；

图4为本申请实施例显示面板的制备方法的流程图；

图5至图7为本申请实施例的显示面板的制备过程中的结构示意图；

图8为本申请实施例的显示面板的制备方法得到的显示面板的结构示意图。

附图标记：

1-开孔、2-开关器件、3-栅极信号线、4-发光信号线、5-衬底、6-有源层；

7-栅极层、7a-第一栅极区、7b-第二栅极区、7c-第三栅极区；

8-第一栅极绝缘层、9-第二栅极绝缘层、10-夹层介电层；

11a-第一信号线、11b-第二信号线；

12-显示区域。

具体实施方式

下面详细描述本申请，本申请的实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的部件或具有相同或类似功能的部件。此外，如果已知技术的详细描述对于示出的本申请的特征是不必要的，则将其省略。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本申请，而不能解释为对本申请的限制。

本技术领域技术人员可以理解，除非另外定义，这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)，具有与本申请所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是，诸如通用字典中定义的那些术语，应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义，并且除非像这里一样被特定定义，否则不会用理想化或过于正式的含义来解释。

本技术领域技术人员可以理解，除非特意声明，这里使用的单数形式“一”、“一个”、“所述”和“该”也可包括复数形式。应该进一步理解的是，本申请的说明书中使用的措辞“包括”是指存在所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或组件，但是并不排除存在或添加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。应该理解，当我们称元件被“连接”或“耦接”到另一元件时，它可以直接连接或耦接到其他元件，或者也可以存在中间元件。此外，这里使用的“连接”或“耦接”可以包括无线连接或无线耦接。这里使用的措辞“和/或”包括一个或更多个相关联的列出项的全部或任一单元和全部组合。

本申请的发明人进行研究发现，显示面板的ic(integratedcircuit，集成电路)/cof(chiponfpc，包含ic的柔性电路板)侧存在eoa输出测试线，eoa输出测试线与cof其他帧之间发生短路时，黑画面时拉高发光信号的电位，就会造成短横亮线。基于上述原理，本申请的发明人考虑到，如果在开孔的边缘没有破损时，输出第一电平信号至发光信号线上，对发光信号线的发光信号产生干扰，使得显示面板的黑画面出现横亮线或短横亮线，那么就可以判断出开孔的边缘发生破损。

下面以具体地实施例对本申请的技术方案以及本申请的技术方案如何解决上述技术问题进行详细说明。

参见图1和图2所示，本申请实施例提供了一种显示面板，该显示面板包括：显示区域12、位于显示区域12内的开孔1、位于开孔1周边的开关器件2、环绕开孔1设置的栅极信号线3、以及发光信号线4；开关器件2的第一端与发光信号线4电连接；开关器件2的第二端与栅极信号线3的信号输入端电连接；开关器件2的控制端与栅极信号线3的信号输出端电连接。

参见图1所示，图中显示区域12表示图中aa区，开孔1表示aahole，et(emittingtest，屏幕点亮测试)走线一端用于与绑定区连接，一端用于与屏幕外部点亮设备相连，用于屏幕点亮测试；绑定区用于绑定驱动ic芯片(integratedcircuit，集成电路)。

本申请实施例在开孔1周边设置一个开关器件2，本申请实施例的显示面板，若开孔1的边缘没有破损，则开关器件2关闭，栅极信号线3不输出第一电平信号；若开孔1的边缘破损，则开关器件2导通，栅极信号线输出第一电平信号至发光信号线4上，从而对发光信号线4的发光信号产生干扰，使得显示面板的显示区域12的黑画面出现横亮线或短横亮线，从而可以有效的判断开孔1的边缘破损。

可选地，开关器件2为薄膜晶体管(thin-filmtransistor，tft)；薄膜晶体管的控制端为薄膜晶体管的栅极；若薄膜晶体管的第一端为薄膜晶体管的漏极，则薄膜晶体管的第二端为薄膜晶体管的源极；若薄膜晶体管的第一端为薄膜晶体管的源极，则薄膜晶体管的第二端为薄膜晶体管的漏极。

可选地，参见图8所示，显示面板还包括：衬底5、层叠设置在衬底5上的有源层6和栅极层7、以及填充在有源层6和栅极层7之间的栅极绝缘层；栅极层7包括第一栅极区7a、第二栅极区7b和第三栅极区7c，第二栅极区7b和第三栅极区7c相连。第一栅极区7a作为发光信号线4，第三栅极区7c作为栅极信号线3；第一栅极区7a和有源层6通过第一信号线11a电连接；第三栅极区7c和有源层6通过第二信号线11b电连接。具体的，在本实施例中，栅极绝缘层包括第一栅极绝缘层8和第二栅极绝缘层9。

可选地，参见图8所示，显示面板还包括层叠设置在栅极绝缘层上的夹层介电层10。第一信号线11a的两侧均依次穿过夹层介电层10和栅极绝缘层，且分别与第一栅极区7a和有源层6电连接。第二信号线11b的两侧均依次穿过夹层介电层10和栅极绝缘层，且分别与有源层6和第三栅极区7c电连接。第一信号线11a的中间段和第二信号线11b的中间段均位于夹层介电层10上。

可选地，衬底5为聚酰亚胺膜层、阻挡膜层和缓冲膜层中的至少一项。

作为一种示例，参见图8所示，pi/barrier/buffer层表示聚酰亚胺膜、阻挡膜和缓冲膜层中的至少一项，pi表示polyimide，聚酰亚胺；barrier表示阻挡膜层，buffer表示缓冲膜层；p-si为多晶硅层，对应有源层6；gi1，gi(gateinsulator，栅极绝缘层)，对应第一栅极绝缘层8；gi2，对应第二栅极绝缘层9；em(emit，发光信号线)，表示发光信号线4，对应第一栅极区7a；gate，表示栅极，对应第二栅极区7b；vgh(voltagehigh，tft薄膜晶体管的栅极高电位)，本申请实施例中对应栅极信号线3，对应第三栅极区7c，ild(interlayerdielectric夹层介电层)，对应夹层介电层10；sd(signalline，信号线)，左边的sd对应第一信号线11a，右边的sd对应第二信号线11b。

基于同一发明构思，本申请实施例还提供了一种显示面板的开孔1的边缘破损检测方法，应用于第一方面的显示面板，包括如下步骤：

若开孔1的边缘没有破损，则开关器件2关闭，栅极信号线3不输出第一电平信号；

若开孔1的边缘破损，则开关器件2导通，栅极信号线3输出第一电平信号至发光信号线4上。

参见图2和图3所示，本申请实施例的开关器件2以p型tft为例，对本申请实施例的边缘破损检测方法进行详细的说明。当发光信号线4，即em处于高电位7v时，栅极信号线3，即vgh输出7v(或其他合适电位)，若aahole的边缘无破损crack产生，此时vgs＝vg-vs＝7v-7v＝0v，开关器件2关闭，发光信号线4的em信号不受干扰。当em处于低电位-7v时，vgh输出7v(或其他合适电位)，此时vgs＝vg-vs＝7v-7v＝0v，开关器件2关闭，em信号不受干扰。当em处于低电位-7v时，vgh输出7v(或其他合适电位)，若aahole边缘有破损crack产生，则开孔1边缘的断裂，开关器件2的栅极vg＝0v，vgs＝0v-7v＝-7v，开关器件2打开，栅极信号线3的vgh信号写入，对发光信号线4的em信号形成干扰，黑画面出现横亮线或短横亮线，可判定为aahole边缘破损crack产生。

可选地，开关器件3均为薄膜晶体管也是n型tft或各晶体管的第一端和第二端分别为tft的不同的极时，可适应地调整本申请实施例提供的像素驱动电路中各元件的电连接方式，适应地调整后的电连接方式仍然属于本申请实施例的保护范围。

基于同一发明构思，本申请实施例还提供了一种显示面板的制备方法，应用于第一方面的显示面板，参见图4所示，显示面板的制备方法包括如下步骤：

s401、在衬底5上设置有源层6。

可选地，采用步骤s401得到图5所示的结构图，pi/barrier/buffer层表示聚酰亚胺膜、阻挡膜和缓冲膜层中的至少一项，pi表示polyimide，聚酰亚胺；barrier表示阻挡膜层，buffer表示缓冲膜层；p-si为多晶硅层，对应有源层6；有源层6覆盖衬底5的部分。

可选地，在设置有源层6之后，可以沉积出aahole的空白区，并进行开关器件2的阈值电压的掺杂，即tft的阈值电压的掺杂。

s402、在有源层6远离衬底5的一侧设置第一栅极绝缘层8。

可选地，采用步骤s402得到图6所示的结构图，gi1，gi(gateinsulator，栅极绝缘层)，对应第一栅极绝缘层8；第一栅极绝缘层8覆盖住整个有源层6，起到绝缘的作用。

可选地，第一栅极绝缘层8设置之后，制备tft，若tft为p型tft，则进行p型掺杂。

s403、在第一栅极绝缘层8远离衬底5的一侧设置栅极层7，栅极层7包括第一栅极区7a、第二栅极区7b和第三栅极区7c，第二栅极区7b和第三栅极区7c相连。

s404、在栅极层7远离衬底5的一侧，制备绝缘层。

可选地，采用步骤s403和步骤s404后得到图7所示的结构图，gi2，对应第二栅极绝缘层9；em(emit，发光信号线)，表示发光信号线4，对应第一栅极区7a；gate，表示栅极，对应第二栅极区7b；vgh，表示开启tft的阈值电压，对应栅极信号线3，对应第三栅极区7c，ild(interlayerdielectric夹层介电层)，对应夹层介电层10。绝缘层包括夹层介电层10和第二栅极绝缘层9，第二栅极绝缘层9覆盖住全部的栅极层7起到绝缘的作用。

可选地，步骤s404具体包括：在栅极层7远离衬底5的一侧，制备第二栅极绝缘层9；在第二栅极绝缘层9远离衬底5的一侧，制备夹层介电层10。

s405、在绝缘层对应第一栅极区7a、第三栅极区7c、以及有源层6处分别开设过孔。

可选地，步骤s405具体包括：在夹层介电层10和第二栅极绝缘层9，对应第一栅极区7a和第三栅极区7c处分别开设过孔；在夹层介电层10、第二栅极绝缘层9、以及第一栅极绝缘层8，对应有源层6处分别开设过孔。

s406、在各过孔和绝缘层远离衬底5的一侧制备信号线，使得第一栅极区7a和有源层6通过信号线中的第一信号线11a电连接，第三栅极区7c和有源层6通过信号线中的第二信号线11b电连接。

可选地，采用步骤s405和步骤s406后得到图8所示的结构图，sd(signalline，信号线)，左边的sd对应第一信号线11a，右边的sd对应第二信号线11b。

可选地，骤s406具体包括：在各过孔内填充金属材料，并通过位于绝缘层远离衬底5的一侧的金属材料将相应两个过孔内的金属材料对应连接，从而形成第一信号线11a和第二信号线11b。金属材料形成信号线sd，可以采用ti/al/ti(钛/铝/钛)，ti/al/ti层是依次层叠的ti层、al层和ti层。

可选地，在实际应用中，沉积绝缘层之后，修改cntmask(contactmask，连接层的掩膜版)进行打孔，磁控溅射sputter沉积如图8所示的sd信号线，将栅极层7与有源层6通过sd信号线过孔连接。

本申请实施例在aahole的边缘空白区增加一个独立tft，tft一端接横向的发光信号线4，也就是第一栅极区7a，经sd打孔通过第一信号线11a与有源层6连接，tft另一端通过sd打孔连接单独引出的栅极信号线3，也就是第三栅极区7c，第三栅极区7c绕aahole一周，同时与tft栅极相连。

基于同一发明构思，本申请实施例还提供了一种显示装置，包括：第一方面的显示面板。

本技术领域技术人员可以理解，本申请中已经讨论过的各种操作、方法、流程中的步骤、措施、方案可以被交替、更改、组合或删除。进一步地，具有本申请中已经讨论过的各种操作、方法、流程中的其他步骤、措施、方案也可以被交替、更改、重排、分解、组合或删除。进一步地，现有技术中的具有与本申请中公开的各种操作、方法、流程中的步骤、措施、方案也可以被交替、更改、重排、分解、组合或删除。

在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。

术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。

在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。

在本说明书的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。

应该理解的是，虽然附图的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示，但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明，这些步骤的执行并没有严格的顺序限制，其可以以其他的顺序执行。而且，附图的流程图中的至少一部分步骤可以包括多个子步骤或者多个阶段，这些子步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，其执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其他步骤或者其他步骤的子步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。

以上所述仅是本申请的部分实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本申请的保护范围。