有机发光显示器和补偿其迁移率的方法
【专利说明】
[0001] 本申请要求2013年11月6日在韩国提交的专利申请No. 10-2013-0134256的权 益，该专利申请出于所有目的以引用方式并入本文，好像完全在本文中阐述一样。
技术领域
[0002] 本发明的实施方式涉及有源矩阵有机发光显示器，更特别地，涉及有机发光显示 器和补偿有机发光显示器的迁移率的方法。
【背景技术】
[0003] 有源矩阵有机发光显示器包括能够自身发光的有机发光二极管（下文中，缩写为 "0LED"）并且具有快速响应时间、高发光效率、高亮度、广视角等优点。
[0004] 用作自发光元件的OLED包括阳极、阴极、形成在阳极和阴极之间的有机化合物 层。有机化合物层包括空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、发光层EML、电子传输层ETL、电子 注入层EIL。当向阳极和阴极施加驱动电压时，穿过空穴传输层HTL的空穴和穿过电子传输 层ETL的电子移动到发光层EML并且形成激子。结果，发光层EML产生可见光。
[0005] 有机发光显示器将均包括OLED的像素布置成矩阵形式并且根据视频数据的灰阶 调节像素的亮度。各像素包括用于控制流入OLED的驱动电流的驱动薄膜晶体管（TFT)。优 选地，在所有像素中，相同地设计驱动TFT的电特性（包括阈值电压、迁移率等）。然而，实 际上，由于各种原因，导致像素的驱动TFT的电特性不均匀。驱动TFT的电特性之间的偏差 导致像素之间的亮度偏差。
[0006] 已知补偿驱动TFT的电特性之间的偏差的各种补偿方法。补偿方法被分类为内部 补偿方法和外部补偿方法。内部补偿方法自动地补偿像素的电路内部的驱动TFT的阈值电 压之间的偏差。必须在不顾及驱动TFT的阈值电压的情况下确定流入OLED的驱动电流，以 执行内部补偿方法。因此，像素电路的构造非常复杂。此外，内部补偿方法不适于补偿驱动 TFT的迁移率之间的偏差。
[0007] 外部补偿方法测量与驱动TFT的阈值电压（或迁移率）对应的感测电压并且基于 感测电压通过外部电路调制视频数据，从而补偿阈值电压（或迁移率）之间的偏差。在外 部补偿方法中，一般来说，在补偿了阈值电压之间的偏差之后，补偿迁移率之间的偏差。然 而，近来，随着显示面板的分辨率逐渐增大，提高处理能力和批量产率等正变成问题。出于 这些原因，期望的是更简单构造的像素电路。因此，应用外部补偿方法的像素电路的构造需 要更简单。
【发明内容】
[0008] 本发明的实施方式提供了一种有机发光显示器和补偿该有机发光显示器的迁移 率的方法，其能够使用利用具有更简单结构的像素电路的外部补偿方法来补偿驱动薄膜晶 体管（TFT)的电特性之间的偏差。
[0009] 本发明的实施方式还提供了一种能够提高补偿能力的有机发光显示器和补偿该 有机发光显不器的迁移率的方法。
[0010] 在一个方面，存在一种有机发光显示器，该有机发光显示器包括：显示面板，其包 括多个像素，每个像素使用源跟随方式，在所述源跟随方式中，驱动薄膜晶体管（TFT)的源 电压根据在驱动TFT的漏极和源极之间流动的电流而改变；选通驱动电路，其被构造成产 生以所述源跟随方式操作像素的迁移率感测选通脉冲；数据驱动电路，其被构造成响应于 所述迁移率感测选通脉冲在像素中检测与所述驱动TFT的迁移率对应的感测电压；定时控 制器，其被构造成在所述驱动TFT的栅-源电压大于所述驱动TFT的阈值电压的时段中，设 置用于检测所述感测电压的迁移率感测时段，其中，所述迁移率感测时段被包括在产生处 于导通电平的所述迁移率感测选通脉冲的时段中，其中，在范围从所述迁移率感测选通脉 冲的导通电平的起始时间点至与一帧时段的一部分对应的时间点的预定时段中，检测感测 电压。
【附图说明】
[0011] 附图被包括以提供对本发明的进一步理解，并入且构成本说明书的部分，附图示 出本发明的实施方式并且与描述一起用于说明本发明的原理。在附图中：
[0012] 图1是根据本发明的示例性实施方式的有机发光显示器的框图；
[0013] 图2示出根据本发明的实施方式的显示面板的像素阵列；
[0014] 图3示出根据本发明的实施方式的定时控制器、数据驱动电路和像素的连接结构 连同外部补偿像素的详细构造；
[0015] 图4示出根据本发明的实施方式的当感测驱动薄膜晶体管（TFT)的电特性时TFT 的栅电压和源电压的电势变化；
[0016] 图5示出根据本发明的实施方式的迁移率感测选通脉冲、迁移率感测时段、阈值 电压感测选通脉冲和阈值电压感测时段之间的比较；
[0017] 图6示出根据本发明的实施方式的图像显示时段和在图像显示时段之前和之后 的非显示时段；
[0018] 图7和图8示出根据本发明的实施方式的提供另外改善补偿能力及其结果的方 法；以及
[0019] 图9示出根据本发明的实施方式的用于图像显示驱动的图像显示选通脉冲、数据 电压等的定时图。
【具体实施方式】
[0020] 现在，将详细参照本发明的实施方式，在附图中示出实施方式的示例。在任何可能 的地方，在附图中将始终使用相同的参考标号表示相同或类似的部件。应该注意，如果确定 已知技术会误导本发明的实施方式，则将省略对已知技术的详细描述。
[0021] 将参照图1至图9描述本发明的示例性实施方式。
[0022] 图1是根据本发明的示例性实施方式的有机发光显示器的框图。图2示出显示面 板的像素阵列。
[0023] 如图1和图2中所示，根据本发明的实施方式的有机发光显示器包括显示面板10、 数据驱动电路12、选通驱动电路13和定时控制器11。
[0024] 显示面板10包括：多条数据线14和感测线15 ;多条选通线16,其与数据线14和 感测线15交叉；多个像素 P，以矩阵形式分别布置在数据线14、感测线15和选通线16的交 叉处。
[0025] 各像素 P连接到数据线141至14m中的一条、感测线151至15m中的一条和选通 线161至16η中的一条。各像素 P通过数据线接收数据电压，通过选通线接收选通脉冲，通 过感测线输出感测电压。即，在图2中示出的像素阵列中，像素 P响应于选通脉冲基于水平 行U1至L#n中的每条顺序进行操作，选通脉冲是以行顺序方式从选通线 161至16η接收 的。启动操作的同一水平行上的像素 P从数据线141至14m接收数据电压并且将感测电压 输出到感测线151至15m。
[0026] 各像素从发电机（未示出）接收高电势驱动电压EVDD和低电势驱动电压EVSS。 各像素 P包括有机发光二极管（OLED)、驱动薄膜晶体管（TFT)、第一开关TFT和第二开关 TFT、用于进行外部补偿的存储电容器。各像素 P的特征在于，第一开关TFT和第二开关TFT 响应于相同的选通脉冲同时导通，从而减少信号线的数量。构成像素 P的TFT可被实现为 P型或η型。另外，构成像素 P的TFT的半导体层可包含非晶硅、多晶硅、或氧化物。
[0027] 在用于感测驱动TFT的电特性（包括阈值电压、迁移率等）的感测驱动过程中，数 据驱动电路12将通过感测线15从显示面板10接收的感测电压转换成数字值并且将数字 感测电压供应到定时控制器11。在用于进行图像显示的图像显示驱动过程中，数据驱动电 路12基于数据控制信号DDC将从定时控制器11接收的数字补偿数据MDATA转换成模拟数 据电压并且将模拟数据电压供应到数据线14。
[0028] 选通驱动电路13基于选通控制信号⑶C产生选通脉冲。选通脉冲包括均具有不 同宽度的阈值电压感测选通脉冲、迁移率感测选通脉冲和图像显示选通脉冲。迁移率感测 选通脉冲的宽度可比阈值电压感测选通脉冲的宽度小得多。在阈值电压的感测驱动过程 中，选通驱动电路13可