一种印刷型发光显示器及其制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种印刷型发光显示器及其制作方法。
【背景技术】
[0002]在信息社会的当代，作为可视信息传输媒介的显示器件的重要性在进一步加强，为了在未来占据主导地位，显示器件正朝着更轻、更薄、更低能耗、更低成本以及更好图像质量的趋势发展。
[0003]有机电致发光二极管(0LED)其具有自发光、反应快、视角广、亮度高、轻薄等优点，量子点发光二极管(QLED)其光色纯度高、发光量子效率高、发光颜色易调、使用寿命长等优点，这两种发光器件是目前显示器件研究的两个主要方向。0LED的制备工艺主要有真空蒸镀和溶液加工，QLED的制备工艺则主要是溶液加工。其中0LED的真空蒸镀在小尺寸器件的应用方面已经较为成熟，目前已处于量产中，但生产成本依然居高不下。0LED和QLED的溶液加工主要有喷墨打印、喷嘴涂覆、旋涂、丝网印刷等工艺，其中的印刷工艺，尤其喷墨打印技术由于材料利用率高、可以实现大尺寸化以及易于实现彩色化，被认为是大尺寸0LED和QLED显示器件实现低成本量产的重要方式。
[0004]在目前印刷工艺制备的发光显示器中，像素电极周边需要制作一层像素bank，防止在制作发光元件时像素电极周边区域因像素电极的凸起发生短路，同时为了防止墨水溢出，造成相邻像素的相互串色，降低显示器显示效果。另外由于还需要对像素bank进行疏水处理，这些都增加了制作工艺的复杂性，使制作成本居高不下。
[0005]因此，现有技术还有待于改进和发展。
【发明内容】
[0006]鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种印刷型发光显示器及其制作方法，旨在解决现有的印刷型发光显示器其制作工艺复杂、成本高的问题。
[0007]本发明的技术方案如下:
一种印刷型发光显示器的制造方法，其中，包括步骤:
A、在TFT基板上覆盖一层钝化层，然后在钝化层上沉积一层平坦层，再在平坦层上沉积一层光阻层，所述平坦层采用疏水材料制成；
B、通过掩膜对光阻层进行曝光，其中待制作像素电极的区域进行半曝光，TFT-S/D电极上端待挖孔区域进行全曝光；
C、对曝光区域进行显影，其中全曝光区域的光阻层全部去除，半曝光区域残留部分光阻层，未曝光区域光阻层厚度无变化；
D、采用干刻工艺进行刻蚀挖孔，露出TFT-S/D电极，其中半曝光区域残留的部分光阻层被去除，并且该半曝光区域的平坦层被刻蚀掉，形成与像素电极对应的凹槽；
E、在所述TFT基板上沉积像素电极；
F、剥离TFT基板上残留的光阻层； G、在TFT基板上制作发光元件，然后进行封装。
[0008]所述的印刷型发光显示器的制造方法，其中，所述凹槽的深度为50?200nm。
[0009]所述的印刷型发光显示器的制造方法，其中，所述像素电极的厚度为50?200nm。
[0010]所述的印刷型发光显示器的制造方法，其中，所述发光元件为0LED或QLED。
[0011]所述的印刷型发光显示器的制造方法，其中，所述0LED或QLED包括以下功能层:空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和顶部电极。
[0012]所述的印刷型发光显示器的制造方法，其中，所述0LED或QLED中至少有一功能层采用印刷工艺制备。
[0013]所述的印刷型发光显示器的制造方法，其中，所述TFT基板为玻璃或柔性基板。
[0014]所述的印刷型发光显示器的制造方法，其中，所述TFT基板中的TFT阵列为非晶硅TFT、低温多晶硅TFT、高温多晶硅TFT或金属氧化物TFT。
[0015]所述的印刷型发光显示器的制造方法，其中，所述像素电极为透明导电金属氧化物或透明导电金属。
[0016]一种印刷型发光显示器，其中，采用如上所述的制作方法制成。
[0017]有益效果:本发明通过使用疏水材料制作平坦层，同时将像素电极嵌入平坦层中，省去了像素bank的制作，简化发光显示器的制作工艺，降低制作成本。此外采用印刷工艺制作发光元件时，疏水性的平坦层可以有效避免相邻像素间的墨水污染问题，从而有效提高印刷型显示器的良品率和显示效果。
【附图说明】
[0018]图1为本发明一种印刷型发光显示器的制造方法较佳实施例的流程图。
[0019]图2至图6为本发明一种印刷型发光显示器的制造方法在不同状态下的结构示意图。
【具体实施方式】
[0020]本发明提供一种印刷型发光显示器及其制作方法，为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
[0021]请参阅图1，图1为本发明一种印刷型发光显示器的制造方法较佳实施例的流程图，如图所示，其包括步骤:
51、在TFT基板上覆盖一层钝化层，然后在钝化层上沉积一层平坦层，再在平坦层上沉积一层光阻层，所述平坦层采用疏水材料制成；
52、通过掩膜对光阻层进行曝光，其中待制作像素电极的区域进行半曝光，TFT-S/D电极上端待挖孔区域进行全曝光；
53、对曝光区域进行显影，其中全曝光区域的光阻层全部去除，半曝光区域残留部分光阻层，未曝光区域光阻层厚度无变化；
54、采用干刻工艺进行刻蚀挖孔，露出TFT-S/D电极，其中半曝光区域残留的部分光阻层被去除，并且该半曝光区域的平坦层被刻蚀掉，形成与像素电极对应的凹槽；
55、在所述TFT基板上沉积像素电极； 56、剥离TFT基板上残留的光阻层；
57、在TFT基板上制作发光元件，然后进行封装。
[0022]通过采用疏水材料制作平坦层，然后采用半曝光工艺，在TFT-S/D电极上端挖