管性能降低引起的阈值电压的升高以及由于有机电致发光器件的内阻变化引起的驱动电压变化，是由于有机发光显示器的使用引起的亮度降低的原因。
[0128]本发明的基本概念是有机发光器件的亮度与流过有机发光显示器的每个像素电路的电流量有关，并且由于有机电致发光器件的内阻变化引起的电压的变化被一次全部补偿，使得流过有机发光显示器的每个像素电路的电流量被控制为适用于保持合适的亮度的值，从而能够补偿由于有机发光显示器的长期使用引起的亮度降低。
[0129]另外，在有机发光显示器中，根据各种变量，例如，多个像素电路的每个的发光频率的差异、有机发光层的材料等，每个像素电路的亮度的降低量可能互不相同。因此，需要针对多个像素电路的每个单独执行补偿亮度偏差。
[0130]另外，为了控制流过有机发光显示器的每个像素电路的电流量，在显示器由于显示器的使用而引起性能降低之前，例如，在有机发光显示器用作显示器之前，测量当在每个像素电路上施加预定值的测试电压时的驱动晶体管的栅极-源极电压和有机电致发光器件的驱动电压，在显示器性能降低之前以及在显示器由于使用该显示器预定时间而性能降低之后，在相同的条件下分别测量每个像素电路中的驱动晶体管的栅极-源极电压和有机电致发光器件的驱动电压，并且基于测量的结果补偿驱动晶体管的阈值电压变化值和有机电致发光器件的驱动电压变化值。
[0131]接下来将描述本发明的操作。图7是根据本发明的实施例2的亮度偏差补偿方法的顺序的流程图。
[0132]如图7所示，首先，测量在有机发光显示器性能降低之前显示单元200的多个像素电路的每个中的驱动晶体管212的栅极-源极电压Vcs21和有机电致发光器件214的驱动电压Voledi，并且测量的结果存储在与多个像素电路的每个对应的存储器244中(步骤S21)。
[0133]在此，在有机发光显示器性能降低之前的测量可以在有机发光显示器用作显示器之前的初始状态下执行，可以在有机发光显示器的操作通过使用该有机发光显示器预定时间而稳定的时机执行，并且可以在其他时机执行。
[0134]以下，将详细描述测量步骤S21中在显示器性能降低之前的每个像素电路的驱动晶体管的栅极-源极电压和有机电致发光器件的驱动电压的方法。图8是图示了用于测量在根据本发明的实施例2的显示器性能降低之前的每个像素电路的驱动晶体管的栅极-源极电压和有机电致发光器件的驱动电压的方法的顺序的流程图。
[0135]首先，选择开关215切换到电流吸收器260侧(步骤S31)以开启从测量结果选择的像素电路P( i，j)的开关晶体管211和驱动晶体管212，并且关闭读取晶体管216(步骤S32)。
[0136]接下来，在选择的像素电路P(i，j)上施加预定值的测试电压Vdata(步骤S33)。将在以下假设下描述实施例2:采用5V作为测试电压Vdata。
[0137]在此，栅极驱动器在选择的像素电路P(i，j)的栅极端子上施加行选择信号以开启开关晶体管211。由于开关晶体管211开启，所以驱动晶体管212也开启，以通过数据线Ldj在驱动晶体管212的栅极电极和电容器213的一个端子上施加预定值的测试电压Vdata(在实施例2中为5V)。
[0138]接下来，当从第一电压源VDD施加阳极电压时，具有与测试电压Vdata对应的值的电流工队皿通过驱动晶体管212、有机电致发光器件214和选择开关215从第一电压源VDD流到电流吸收器260。此后，电流测量单元242测量此电流，即流过选择的像素电路P(i，j)的电流1led1，并且通过模数转换器243将测量的电流值转换成数字值，然后存储在存储器244中(步骤S34)。
[0139]在实施例2中，当在驱动晶体管212的栅极电极和电容器213的一个端子上施加5V电压作为预定值的测试电压Vdata时，假设流过像素电路P(i，j)的有机电致发光器件214的电流Iqledi，即电流测量单元242测量的电流IQLED1SlyA。在以下描述中，电流值ΙμΑ被称为“参考电流”。
[0140]在此，流过选择的像素电路P(i，j)的有机电致发光器件214的电流IQLED1SUiA的含意是，为方便描述，显示单元200的η行Xm列的多个像素电路中的特定的一个像素电路P(i，j)的电流值被描述作为一个例子，并且从除该特定的像素电路P(i，j)之外的其他像素电路测量的电流值可以等于或不同于该特定的像素电路P(i，j)的电流值，这可以同样地应用在驱动晶体管212的栅极电压VC、源极电压Vs和栅极-源极电压Vcs以及有机电致发光器件214的驱动电压Vqled上，以下将进行描述。
[0141]在此，施加在驱动晶体管212的栅极电极和电容器213的一个端子上的预定值的测试电压Vdata(在实施例2中为5V)不同于从第一电压源VDD施加的阳极电压。
[0142]接下来，关闭开关晶体管211和驱动晶体管212，并且打开读取晶体管216(步骤S35)以在有机电致发光器件214上施加测试电压Vdata(步骤S36)。
[0143]在这种情况下，施加在有机电致发光器件214上的测试电压Vdata是使具有与在步骤S34中测量的流过选择的像素电路P(i，j)的电流同的值的电流(在实施例2中为1μA)流到对应的像素电路P (i，j)的电压，并且在步骤S36中测量该电压值。在实施例2中，假设在步骤S36中测量的电压为2V。
[0144]接下来，流程进行到步骤S37以基于结果计算选择的像素电路P(i，j)的驱动晶体管212的栅极-源极电压Vcs21和像素电路P(i，j)的对应的有机电致发光器件214的驱动电压Voledi。在实施例2中，由于在像素电路P (i，j)的操作电流I qledi为ΙμΑ时驱动晶体管212的栅极电压Vg是5V并且源极电压Vs为2V，栅极-源极电压Vgs21变成3V并且有机电致发光器件214的驱动电压Vqledi变成2V。这些值存储在与相应的像素电路对应的存储器244中。
[0145]例如，当显示单元200具有η行Xm列的多个像素电路时，应当针对多个像素电路的每个全部执行流过像素电路的电流的测量。因此，在步骤S38中，确定是否剩余待测量的像素电路。
[0146]在步骤S38中，如果确定剩余待测量流过像素电路的电流值的像素电路(步骤S38中的是)，那么流程返回到步骤S32，并且因此针对下一个像素电路重复步骤S32至S38，而在步骤S38中，如果确定不再剩余待测量流过像素电路的电流值的像素电路(步骤S38中的否)，那么流程结束。
[0147]作为用于测量在η行Xm列的每个像素电路中的驱动晶体管212的栅极-源极电压Vcs21和有机电致发光器件214的驱动电压Vqledi的方法，可以存在通过行单元顺序测量η行Xm列的多个像素电路的方法，以及通过列单元顺序测量η行X m列的多个像素电路的方法。
[0148]例如，在图5中，当通过行单元顺序测量电流值时，可以按照像素电路P(I，I)、像素电路(I，2)...和像素电路P(1，m)的顺序测量第一行的像素电路，然后可以顺序地测量第二行、第三行...和第η行的像素电路。
[0149]作为另一种方法，例如，在图5中，当通过列单元顺序测量电流值时，可以按照像素电路P(l，I)、像素电路(2，I)...和像素电路Ρ(η，I)的顺序测量第一列的像素电路，然后可以顺序地测量第二列、第三列...和第η列的像素电路。
[0150]另外，在上述描述中，描述了从第一行第一列的像素电路P(l，I)开始并且在η行Xm列的像素电路P(n，m)结束的电流值的顺序测量，但是不限于此，并且电流值的顺序测量可以从η行Xm列的多个像素电路的任一个开始。重要的事情是，要全部测量η行Xm列的多个像素电路的每个中的驱动晶体管212的栅极-源极电压Vcs21和有机电致发光器件214的驱动电压Vqledi，并且存储与每个像素电路对应的测量的电压。
[0151]再次参见图7，测量在有机发光显示器性能降低之后显示单元200的多个像素电路的每个中的驱动晶体管212的栅极-源极电压Vcs22和有机电致发光器件214的驱动电压V0led2，并且测量的结果存储在与多个像素电路的每个对应的存储器244中(步骤S22)。
[0152]在此，在有机发光显示器性能降低之后的测量在有机发光显示器用作显示器预定时间之后执行，并且测量的时间安排可以在考虑当有机发光显示器的特性由于有机发光显示器的长期使用而性能降低时的情况下适当地确定。另外，在有机发光显示器的寿命期间，测量频率可以是仅一次，或两次，或更多次。换句话讲，在有机发光显示器的寿命期间，补偿由于有机发光显示器性能降低引起的亮度偏差可以执行仅一次，或两次或更多次。可以根据需要适当地确定在性能降低之后的测量的时间安排和频率。
[0153]以下，将参照图9详细描述测量在步骤S22中在显示器性能降低之后的每个像素电路的驱动晶体管的栅极-源极电压和有机电致发光器件的驱动电压的方法。图9是图示了测量在根据本发明的实施例2的显示器性能降低之后的每个像素电路的驱动晶体管的栅极-源极电压和有机电致发光器件的驱动电压的方法的顺序的流程图。
[0154]首先，选择开关215切换到电流吸收器260侧(步骤S41)，然后开启选择的像素电路P(i，j)的开关晶体管211和驱动晶体管212，并且关闭读取晶体管216(步骤S42)。在此，在性能降低之前的测量中，按照与步骤S31和S32相同的方法执行步骤S41和S42。
[0155]接下来，在驱动晶体管212上施加测试电压Vdata，测试电压Vdata使具有与在步骤S43中的性能降低之前进行测量时在步骤S34中测量的参考电流(在实施例2中为ΙμΑ)相同的值的电流1led2流到选择的像素电路P(i，j)，并且测量该电压。将在以下假设下描述实施例2:选择的特定像素电路P (i，j)的测试电压Vdata为5.2V。
[0156]接下来，关闭选择的像素电路P(i，j)中的开关晶体管211和驱动晶体管212，并且开启读取晶体管216(步骤S44)，然后在步骤S45中，测量使具有与在性能降低之前在步骤S34中测量的参考电流(在实施例2中为ΙμΑ)相同的值的电流1_流到像素电路P(i，j)的测试电压Vdata，并且测量该值。在实施例2中，假设测量的测试电压Vdata为2V。
[0157]接下来，流程进行到步骤S46以基于上述结果计算选择的像素电路P(i，j)的驱动晶体管212的栅极-源极电压Vcs22和对应的像素电路P(i，j)的有机电致发光器件214的驱动电SV_2。在实施例2中，由于驱动晶体管212的栅极电压Vc在像素电路P(i，j)的操作电流1led2为ΙμΑ时是5.2V并且源极电压Vs为2V，栅极-源极电压Vgs22变成3.2V并且有机电致发光器件214的驱动电压Vqled2变成2V。这些值存储在与相应的像素电路对应的存储器244中。
[0158]例如，当显示单元200具有η行Xm列的多个像素电路时，针对多个像素电路分别执行流过像素电路的电流的测量。因此，在步骤S47中，确定是否剩余待测量的像素电路。
[0159]在步骤S47中，如果确定剩余需要测量流过像素电路的电流值的像素电路(步骤S47中的是)，那么流程返回到步骤S42，并且因此针对下一个像素电路重