有机显示面板像素驱动方法及电路的制作方法_2

文档序号:9867631阅读:来源:国知局
二 端,漏极连接有机发光二极管OLED的阳极。
[0055]第二存储电容C2的第一端连接第二晶体管T2的源极,第二端连接第三晶体管T3的 源极。
[0056]有机发光二极管OLED的阳极连接第六晶体管T6的漏极,阴极连接第二电压端VSS。 [0057]优选的,第一晶体管Tl至所述第六晶体管T6均为P型薄膜晶体管,以利用其低电平 导通高电平截止的特性,提高面板显示质量。
[0058] 一实施例中,扫描信号端SN、第一发光控制信号端EM、第二发光控制信号端EM2、数 据输入端DATA分别用于在第一时间段内对应地接收初始化信号、在第二时间段内对应地接 收存储信号、在第三时间段内对应地接收写入信号以及在第四时间段内对应地接收发光信 号。
[0059] -实施例中,第一电压端VDD及第二电压端VSS分别用于连接外部电源。例如,第一 电压端连接正电压激励源例如"+4V",第二电压端连接负电压激励源例如"-4V"。
[0060] -实施例中,第一复位电压端VINIT用于连接复位电压;或者,第一复位电压端 VINIT用于连接复位电路;又如,还包括所述复位电路。
[0061] 请参阅图4,其为本发明一实施例对有机显示面板像素驱动电路的电路输入的信 号时序示意图,同时结合图2和图3,对有机显示面板像素驱动电路进行进一步的详细说明。
[0062] 首先,在第一时间段tl内对有机显示面板像素驱动电路进行初始化操作,第一发 光控制信号端EM接收低电平的第一发光控制信号、第二发光控制信号端EM2接收低电平的 第二发光控制信号、扫描信号端SN接收低电平的扫描信号,数据输入端DATA(Vref)接收参 考电压Vref。此时,第一晶体管Tl至所述第六晶体管T6全部导通,进行节点Nl至N5的初始 化。其中,节点Nl的电压值为Vref,节点N2为高电平并接近第一电压端VDD的电平,节点N3的 电平为第一复位电压端VINIT的电平,节点N4与N2的电平一致,节点N5为低电平并接近第一 复位电压端VINIT的电平。此时,在tl期间通过初始化各节点来初始化第一、第二存储电容 以及作为驱动管的第六晶体管T6,使T6的工作状态回到初始状态,这就避免了因前一帧驱 动管工作状态不同导致阈值存储出现差异,即避免了前一帧数据对本帧发光的影响,提高 了画面显示质量,同时初始化节点N5,例如,设置N5电压小于VSS+Vth-oled,以确保OLED不 发光,其中Vth-oled为OLED的阈值电压,这样,通过重置OLED可以避免画面出现残影。
[0063]然后,在第二时间段t2内对有机显示面板像素驱动电路的预设电容进行阈值存储 操作,第一发光控制信号端EM接收高电平的第一发光控制信号、第二发光控制信号端EM2接 收低电平的第二发光控制信号、扫描信号端SN接收低电平的扫描信号,数据输入端DATA (Vref)接收参考电压Vref。此时,晶体管T5截止,其余晶体管导通,节点N3的电压为VINIT, N2的电压为VINIT+Vth。其中,Vth作为驱动管的第六晶体管T6的阈值电压的绝对值,因为第 六晶体管T6为P型薄膜晶体管,阈值电压为负值,取其绝对值更便于理解。此时,第二存储电 容C2中存储了电压Vth,用于驱动管的阈值补偿对数据电压DATA进行修正;另外,tl期间的 初始化也是为了确保存储Vth时不会出现差异。
[0064]其次,在第三时间段t3内对有机显示面板像素驱动电路的预设电容进行数据写入 操作,第一发光控制信号端EM接收高电平的第一发光控制信号、第二发光控制信号端EM2接 收高电平的第二发光控制信号、扫描信号端SN接收低电平的扫描信号,数据输入端DATA (Vref)接收数据电压DATA。此时,第一晶体管T1、第三晶体管T3、第四晶体管T4导通,其余晶 体管截止。此时,节点Nl电压变化为DATA,N3电压不变为VINIT,节点N2电压变为

C2中存储了数据电压和阈值电压,电压值为 ?列如,在第三时间段t 3内,设置节点N 2电压为
[0065]最后,在第四时间段t4内对有机显示面板像素驱动电路进行发光点亮操作,第一 发光控制信号端EM接收低电平的第一发光控制信号、第二发光控制信号端EM2接收高电平 的第二发光控制信号。此时,第二晶体管T2、第五晶体管T5、第六晶体管T6导通,其余晶体管 截止。例如,在OLED进入发光阶段,设置发光电流I 〇 I ed为:
[0067]这样,在t2、t3期间利用阈值电压Vth对数据电压DATA进行了修正使其在最终发光 时补偿了阈值电压的影响,同时,其中不含VDD,这样,避免了电阻压降IR Drop带来的显示 不均匀,从而提高了画面显示的质量。
[0068] 通过以上说明,可以理解本发明所提出的电路可以通过对数据电压DATA的修正补 偿阈值电压对发光的影响,同时可以通过初始化避免前一帧数据对发光的影响,从而提供 高质量的画面显示。
[0069]以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合,为使描述简洁,未对上述实 施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述,然而,只要这些技术特征的组合不存 在矛盾,都应当认为是本说明书记载的范围。
[0070]以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并 不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来 说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本发明的保护 范围。因此,本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
【主权项】
1. 一种有机显示面板像素驱动方法,应用于有机显示面板像素驱动电路,其特征在于, 包括如下步骤: 初始化步骤:接收初始化信号,导通全部晶体管; 存储步骤:接收存储信号,存储阈值电压; 写入步骤:接收写入信号,写入数据电压; 发光步骤:接收发光信号,导通有机发光二极管。2. 根据权利要求1所述的有机显示面板像素驱动方法,其特征在于,所述初始化信号包 括低电平的第一发光控制信号、第二发光控制信号、扫描信号以及参考电压信号。3. 根据权利要求2所述的有机显示面板像素驱动方法,其特征在于,所述存储信号包 括:高电平的第一发光控制信号、低电平的第二发光控制信号及扫描信号、以及参考电压信 号。4. 根据权利要求3所述的有机显示面板像素驱动方法,其特征在于,所述写入信号包 括:高电平的第一发光控制信号及第二发光控制信号、低电平的扫描信号、以及数据电压信 号。5. 根据权利要求4所述的有机显示面板像素驱动方法,其特征在于,其特征在于,所述 发光信号包括:低电平的第一发光控制信号及第二发光控制信号、高电平的扫描信号、以及 参考电压信号。6. -种有机显示面板像素驱动电路,应用于如上述权利要求1至5任一所述的有机显示 面板像素驱动方法,其特征在于,包括: 第一晶体管至第六晶体管、第一存储电容、第二存储电容、有机发光二极管、第一电压 端、第二电压端、第一复位电压端、扫描信号端、第一发光控制信号端、第二发光控制信号 端、数据输入端; 所述第一晶体管的源极连接所述数据输入端,栅极连接扫描信号端,漏极连接第一存 储电容的第一端; 所述第二晶体管的源极连接所述第一存储电容的第二端,栅极连接所述第二发光控制 信号端,漏极连接所述第五晶体管的漏极; 所述第三晶体管的源极连接所述第六晶体管的栅极,栅极连接所述扫描信号端,漏极 连接所述第一复位电压端; 所述第四晶体管的源极连接所述第六晶体管的漏极,栅极连接所述扫描信号端,漏极 连接所述第一复位电压端; 所述第五晶体管的源极连接所述第一电压端,栅极连接所述第一发光控制信号,漏极 连接所述第六晶体管的源极; 所述第六晶体管的源极连接所述第二晶体管的漏极,栅极连接所述第二存储电容第二 端,漏极连接所述有机发光二极管的阳极; 所述第二存储电容的第一端连接所述第二晶体管的源极,第二端连接所述第三晶体管 的源极; 所述有机发光二极管的阳极连接所述第六晶体管的漏极,阴极连接所述第二电压端。7. 根据权利要求6所述的有机显示面板像素驱动电路,其特征在于,所述第一晶体管至 所述第六晶体管均为P型薄膜晶体管。8. 根据权利要求6所述的有机显示面板像素驱动电路,其特征在于,所述扫描信号端、 所述第一发光控制信号端、第二发光控制信号端、所述数据输入端分别用于在第一时间段 内对应地接收初始化信号、在第二时间段内对应地接收存储信号、在第三时间段内对应地 接收写入信号以及在第四时间段内对应地接收发光信号。9. 根据权利要求6所述的有机显示面板像素驱动电路,其特征在于,所述第一电压端及 所述第二电压端分别用于连接外部电源。10. 根据权利要求6所述的有机显示面板像素驱动电路,其特征在于,所述第一复位电 压端用于连接复位电压。
【专利摘要】本发明涉及显示驱动技术领域,特别是涉及有机显示面板像素驱动方法及电路,其驱动方法包括初始化步骤:接收初始化信号,导通全部晶体管;存储步骤:接收存储信号,存储阈值电压;写入步骤:接收写入信号,写入数据电压;发光步骤:接收发光信号,导通有机发光二极管。驱动电路包括第一晶体管至第六晶体管、第一存储电容、第二存储电容、有机发光二极管、第一电压端、第二电压端、第一复位电压端、扫描信号端、第一发光控制信号端、第二发光控制信号端、数据输入端。上述有机显示面板像素驱动方法及电路,通过初始化操作避免前一帧数据对本帧数据写入的影响,同时通过对数据电压的修正补偿了阈值电压对发光电流的影响,从而提供高质量的画面显示。
【IPC分类】G09G3/3258
【公开号】CN105632409
【申请号】CN201610172721
【发明人】田超, 吴锦坤, 田栋协, 胡君文, 谢志生, 苏君海, 李建华
【申请人】信利(惠州)智能显示有限公司
【公开日】2016年6月1日
【申请日】2016年3月23日
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