专利名称：去除设备、保护膜成形设备、基板处理系统和去除方法
技术领域：
本发明涉及一种用于去除保护膜的去除设备、保护膜成形设备、基板处理系统和去除方法，其中所形成的保护膜用以覆盖半导体基板、液晶显示器或光掩膜的玻璃基板、光盘基板等(下文简称为“基板”)的表面上的抗蚀膜；本发明特别涉及有效去除保护膜的改进。
背景技术：
普遍公知有一种通过在旋转基板的同时向基板涂敷涂布液来形成薄膜的技术。此外还公知一种去除在薄膜成形过程中粘附于基板外周边上的薄膜的多余部分的技术。
普遍还公知有一种关于浸式曝光的技术，其在利用液体填充投影光学系统和基板之间的间隙的同时执行曝光处理。
然而，当通过浸渍进行曝光处理时，在基板的表面上形成的抗蚀膜会与液体(例如水)接触，从而导致抗蚀剂成分在液体中被洗提的问题。作为用于解决这个问题的技术之一，例如可以形成抗蚀覆盖膜(以下简称为“覆盖膜”)，以覆盖抗蚀膜，以便在用液体填充投影光学系统和基板之间的间隙的同时执行曝光处理。
当覆盖膜的成分粘附至基板的周边时，供应用于去除覆盖膜的多余部分的去除剂(remover)，以防止形成颗粒。
然而，由于覆盖膜的成分、抗蚀膜的成分和去除剂之间的关系，基板可能处理得不好。换言之，如果去除剂不仅去除覆盖膜而且去除抗蚀膜，则所供应的去除剂会渗透入覆盖膜，并且在到达形成于覆盖膜下方的抗蚀膜时部分地溶解抗蚀膜。因此，无法正常地进行基板处理(例如曝光处理或显影处理)。
用于覆盖膜的去除剂通常由有机溶剂制备。因此，必须处理由去除处理产生的有机废物，这样不利地增加了整个基板处理所需的步骤数目。此问题不仅会在去除粘附于基板的周边上的覆盖膜成分时出现，而且还会在去除粘附于基板的背面或为防止散落(scattering)而设置的杯形部上的覆盖膜成分时出现。
发明内容
本发明旨在提供一种用于去除保护膜的去除设备，其中所形成的保护膜用以覆盖基板表面上的抗蚀膜。
根据本发明，该去除设备包括固定部，其固定基板；和第一供应部，其将碱水溶液作为去除剂供应至未曝光的基板的周边；同时保护膜能溶解于所述去除剂中；并且除了经过曝光处理的部分之外，所述抗蚀膜不能溶解于所述去除剂中。
可以在不影响形成于基板表面上的抗蚀膜的情况下，选择性地且容易地去除在基板的周边上形成的保护膜。
本发明还旨在提供另一种用于去除粘附于基板的背面部分上的保护膜成分的去除设备。
根据本发明，该去除设备包括固定部，其固定基板；和供应部，其将碱水溶液作为去除剂供应至未曝光的基板的背面部分；同时保护膜被形成为覆盖在所述基板的表面上形成的抗蚀膜，且能溶解于所述去除剂中；并且除了经过曝光处理的部分之外，抗蚀膜不能溶解于所述去除剂中。
可以利用碱水溶液的去除剂有效地去除粘附于基板的背面部分的保护膜成分。
本发明还旨在提供又一种去除设备。
根据本发明，该去除设备包括固定部，其在旋转基板的同时固定所述基板；杯形部，其包围由所述固定部固定的所述基板；和供应部，其将碱水溶液作为去除剂供应至粘附有保护膜成分的所述杯形部；同时保护膜被形成为覆盖位于所述基板的表面上形成的抗蚀膜，且能溶解于所述去除剂中；并且除了经过曝光处理的部分之外，所述抗蚀膜不能溶解于所述去除剂中。
可以利用碱水溶液的去除剂有效地去除粘附于杯形部的保护膜成分。
本发明还旨在提供一种保护膜成形设备，其通过将保护膜成分涂布至形成有抗蚀膜的基板上来形成保护膜。
根据本发明，该保护膜成形设备包括固定部，其固定基板；保护膜成分供应部，其将保护膜成分供应至由固定部固定的基板上；和第一去除供应部，其将碱水溶液作为去除剂供应至基板的周边；同时所述保护膜形成为覆盖在所述基板的表面上形成的抗蚀膜，且能溶解于所述去除剂中；并且除了经过曝光处理的部分之外，所述抗蚀膜不能溶解于所述去除剂中。
可以在不影响抗蚀膜的情况下选择性地且容易地仅去除保护膜。
因此，本发明的目的在于提供一种去除设备、保护膜成形设备、基板处理系统和去除方法，其中该去除设备能够在保护膜成分粘附于基板的周边、基板的背面和/或杯形部时，在不影响抗蚀膜的情况下去除形成为覆盖抗蚀膜的保护膜的保护膜成分。
从下述结合附图对本发明的详细描述，本发明的上述和其它目的、特征和优点将变得更加明显。
图1示出了根据本发明实施例的基板处理系统的示例性结构；图2是用于示出将处理液供应至显影处理区(block)和覆盖膜处理区的方法的示意图；图3示出了加热部的示例性硬件结构；图4示出了覆盖膜成形部的示例性结构；及图5是用于示出清洗杯形部的方法的示意图。
具体实施例方式
下面参考附图详细描述本发明的实施例。
1.基板处理系统的结构图1示出了根据本实施例的基板处理系统100的示例性结构。基板处理系统100在基板上依次形成抗反射膜涂层、光致抗蚀膜和覆盖膜，并对完成了曝光处理的基板进行显影处理。
如图1所示，根据本实施例的基板处理系统100大致由彼此平行布置的分度器区(indexer block)1和接口区(interface block)6形成，其中该分度器区1用作在基板上进行预定化学溶液处理的处理区(更具体地，抗反射涂层处理区2、抗蚀膜处理区3、显影处理区4和覆盖膜处理区5)。独立于基板处理系统100的外部曝光设备(步进器(stepper)，未示出)与接口区6平行设置。
尽管为了描述设备结构在图1中有示例，但是在各区2至6中，涂布处理部2a、3a和5a、显影处理部4a和热处理部2b至5b的各自单元、以及基板接收部PASS1至PASS12可独立地堆叠布置。涂布处理部2a、3a和5a、显影处理部4a和热处理部2b至5b的单元从更接近传送机构TR1至TR5的侧面向上堆叠布置。在下文的描述中，术语“处理溶液”被用作包括去离子水和化学溶液的概念。
分度器区1接收从基板处理系统100外供应来的未处理的基板，并将在基板处理系统100中完成了预定处理后的基板送出。
抗反射涂层处理区2进行形成用于减少驻波和/或由曝光所致的光晕的抗反射涂层的处理。如图1所示，抗反射涂层处理区2主要包括(1)涂布处理部2a，其具有多个涂布处理单元BARC；(2)热处理部2b，其具有多个热处理单元(热板HP和冷却板CP和WCP)；和(3)传送机构TR1，其设置在涂布处理部2a和热处理部2b之间的位置，用于在涂布处理部2a和热处理部2b所包括的各自的单元之间、以及基板接收部PASS1至PASS4的各部之间传送和接收基板。
通过在旋转/固定基板的同时向基板供应化学溶液，使得涂布处理单元BARC能在基板的表面上形成抗反射涂层。因此，涂布处理单元BARC能减少驻波和/或由曝光所致的光晕，以允许进行优质的曝光处理。
热板HP是将基板加热至预定温度并使基板保持在此温度下的单元。冷却板WCP用于初步冷却基板，而冷却板CP则用于在精确地控制基板的温度的同时冷却基板。
抗蚀膜处理区3在形成有抗反射涂层的基板上进行形成抗蚀膜(在此实施例中为化学增强抗蚀剂(chemically amplified resist))的处理。如图1所示，抗蚀膜处理区3主要包括(1)涂布处理部3a，其具有多个涂布处理单元SC；(2)热处理部3b，其具有多个热处理单元(冷却板CP和热板HP)；和(3)传送机构TR2，其设置在涂布处理部3a和热处理部3b之间的位置，用于在涂布处理部3a和热处理部3b所包括的各自的单元之间、以及基板接收部PASS3至PASS6的各部之间传送和接收基板。
通过在旋转/固定基板的同时向基板供应化学溶液(抗蚀剂)，使涂布处理单元SC能在抗反射涂层上形成抗蚀膜。形成抗蚀膜的涂布处理单元SC还进行边缘冲洗和背部冲洗，用于去除部分粘附于基板的周边和背面的抗蚀剂。
显影处理区4通过向完成了曝光处理的基板供应显影剂来进行显影处理。如图1所示，显影处理区4主要包括(1)显影处理部4a，其具有多个显影处理单元SD；(2)热处理部4b，其具有多个热处理单元(热板HP和冷却板CP和WCP)；和(3)传送机构TR3，其设置在显影处理部4a和热处理部4b之间的位置，用于在显影处理部4a和热处理部4b所包括的各自的单元之间、以及基板接收部PASS5至PASS8的各部之间传送和接收基板。
通过在固定基板的同时旋转基板，使得显影处理单元SD利用显影剂进行显影处理，用去离子水进行冲洗处理以及将粘附于基板上的去离子水排出的干燥处理。
根据该实施例，显影剂由诸如四甲基铵氢氧化物(TMAH)水溶液或2一羟乙基甲基氢氧化铵(胆碱)水溶液等有机碱水溶液制备。抗蚀膜由正抗蚀剂制备，正抗蚀剂能通过曝光部分的光化学反应转变成可溶解于碱溶液中的化学结构。此外，使用能溶解于碱水溶液的化学溶液，诸如显影处理中使用的显影剂等，作为覆盖膜的成分。
换言之，未曝光的抗蚀膜不能溶于显影剂中，而曝光部分则能溶于显影剂中。另一方面，覆盖膜能溶于显影剂中。
所述用语“不能溶于显影剂中”应被理解为还包括下述情况依赖于抗蚀剂的类型，显影剂会致使未曝光部分存在轻微的膜损失，其与曝光部分的溶解性是明显不同的。
因此，供应至形成有抗蚀膜和覆盖膜的基板上的显影剂去除了抗蚀膜和覆盖膜的曝光部分。换言之，不需要单独进行去除覆盖膜的额外步骤，从而能够减少整个基板处理系统100的处理步骤的数量，以提高处理的产量。
覆盖膜处理区5在形成有抗反射涂层和抗蚀膜的基板上进行形成覆盖膜的处理，以及在预定时刻对完成了曝光的基板进行热处理的曝光后烘干处理。如图1所示，覆盖膜处理区5主要包括(1)涂布处理部5a，其具有多个涂布处理单元CF；(2)热处理部5b，其具有多个热处理单元(热板HP、冷却板CP和加热部PHP)；和(3)传送机构TR4，其设置在涂布处理部5a和热处理部5b之间的位置，用于在热处理部5b的热板HP和冷却板CP与涂布处理部5a的涂布处理单元CF之间、以及基板接收部PASS7至PASS10的各部之间传送和接收基板。
作为基板处理系统100的外部装置的曝光设备(未示出)根据浸式曝光技术进行曝光处理。换言之，随后用诸如水等液体填充曝光设备的投影光学系统和基板之间的间隙。因此，抗蚀膜的成分可以在此溶液中被洗提，从而其不利地导致了在抗蚀膜上形成的图案线宽不均匀的问题。根据此实施例，基板处理系统100在抗蚀膜上进行形成用于保护抗蚀膜的保护膜(覆盖膜)的处理，以解决此问题。
通过在旋转/固定基板的同时向基板供应化学溶液，使得涂布处理单元CF能在抗反射涂层和抗蚀膜上形成覆盖膜。换言之，涂布处理单元CF能用作为形成覆盖膜的设备。
涂布处理单元CF还执行边缘冲洗、背部冲洗和杯形件冲洗的处理，以将粘附于基板的周边和背面部分以及防散落杯形件13(参见在后文描述的图4和图5)上的部分覆盖膜成分去除。下面将详细描述涂布处理单元CF。
图2是用于示出将处理液供应至显影处理区4和覆盖膜处理区5的方法的示意图。去离子水供应源52通过管道57a与显影处理区4的显影处理单元SD连通，而覆盖膜成分供应源71通过另一管道72a与覆盖膜处理区5的各涂布处理单元CF连通。
如图2所示，显影剂供应源51分别通过共用管道54和分支管道56a与显影处理区4连通，并通过共用管道54和另一分支管道55与覆盖膜处理区5连通。显影剂供应源51供应有机碱水溶液的显影剂，如上所述，该显影剂不仅能去除抗蚀膜的曝光部分，而且能去除在基板上形成的覆盖膜。
因此，显影剂供应源51还能用作覆盖膜成分去除剂供应源。从而，可以在不单独提供去除剂供应源和去除剂供应管线的情况下去除覆盖膜成分。因此，能减少基板处理系统100的占位面积(footprint)。
图3示出了各加热部PHP的示例性硬件结构。各加热部PHP包括临时基板室81，其布置在箱体80的上部；加热室85，其布置在具有热板HP的箱体80的下部；和局部传送机构88。分隔构件84将箱体80的内部空间分隔成临时基板室81和加热室85。因此，临时基板室81能临时储存基板，使基板不受加热室85的热影响。
在临时基板室81中，固定的支撑销82支撑从下文描述的(包括在接口区6中的)传送机构TR5传送至加热部PHP的曝光基板。
局部传送机构88的固定板88a能借助螺纹进给/驱动机构88b垂直移动。局部传送机构88可以水平地来回移动。因此，固定板88a能垂直移动并能分别通过开口80b和80c进入临时基板室81和加热室85内。因此，固定板88a能在临时基板室81和加热室85之间传送基板。固定板88a还可以额外地具有在传送基板的同时冷却基板的冷却功能。
在加热室85的各热板HP的表面上可伸缩地设有多个能移动的支撑销86。在热板HP上方设有能垂直移动的顶盖87，用于覆盖正在热处理的基板。
因此，各加热部PHP能在基板临时储存在临时基板室81内时在预定时刻进行热处理的曝光后烘干处理。因此，当采用需要精确控制曝光处理结束和热处理开始之间的时间的化学增强抗蚀剂时，可以精确地控制在抗蚀膜等上形成的图案线宽的尺寸精度。
接口区6将基板传送至用作基板处理系统100的外部装置的曝光设备，并接收来自曝光设备的基板。接口区6主要包括(1)接口IFB，其将基板传送至曝光设备，并从曝光设备接收基板；(2)多个缓冲器Bf，其临时储存未曝光的基板和完成了曝光的基板；和(3)传送机构TR5，其在基板接收部PASS9至PASS12和覆盖膜处理区5的相应加热部PHP之间传送和接收基板。
接口IFB将完成了形成抗反射涂层、抗蚀膜和覆盖膜且位于基板接收部PASS11上的基板引导入曝光设备。接口IFB进一步将完成了曝光的基板置于基板接收部PASS12上。当曝光设备不能接收基板时，接口IFB将未曝光的基板传送至缓冲器Bf中。
由于硬件结构的原因，接口IFB的接口传送机构(未示出)进行将未曝光的基板传送至缓冲器Bf的处理，而传送机构TR5进行将在加热部PHP内完成了热处理的曝光的基板传送至缓冲器Bf的处理。
2.涂布处理单元CF的结构图4示出了各涂布处理单元CF的示例性硬件结构。图5是用于示出清洗杯形部的方法的示意图。下面参考图4和图5描述涂布处理单元CF的硬件结构，并描述通过该单元CF进行的边缘冲洗、背部冲洗和杯形件冲洗。
涂布处理部5a中包括的多个涂布处理单元CF中的各处理单元在硬件结构上彼此类似。因此，下面将仅对多个涂布处理单元CF中的一个处理单元进行描述。
涂布处理单元CF是形成覆盖膜的单元，用以覆盖在基板上形成的抗反射涂层和抗蚀膜。如图4所示，涂布处理单元CF主要包括旋转卡盘(spinchuck)11，其在固定各圆形基板W的同时旋转各圆形基板W；处理液供应喷嘴12，其向基板W供应覆盖膜成分；防散落杯形件13，其接收从基板W上散落的覆盖膜成分；边缘清洗喷嘴41，其向基板W的周边供应去除剂(显影剂)；背面清洗喷嘴31，其向基板W的背面供应去除剂；和杯形件清洗构件21，其向防散落杯形件13供应去除剂。
如图4所示，处理液供应喷嘴12布置在旋转卡盘11的上方，且通过管道72a和阀72b与覆盖膜成分供应源71连通。因此，涂布处理单元CF能通过在预定时刻开关控制该阀72b向基板W的上表面供应覆盖膜成分。
旋转卡盘11是吸附固定基板W的固定部。旋转卡盘11通过转轴16与驱动马达15连接。当在旋转卡盘11旋转/固定基板W的同时处理液供应喷嘴12向基板W的表面的基本中心位置供应覆盖膜成分的化学溶液时，供应的化学溶液靠离心力散布在基板W的表面上，从而能形成均匀的覆盖膜。靠离心力到达基板W周边的部分化学溶液向基板W的背面延伸。防散落杯形件13接收从基板W散落的另一部分化学溶液。
防散落杯形件13被设置成在形成覆盖膜的过程中包围由旋转卡盘11固定的基板W(参见图4)，以接收从基板W上散落的覆盖膜成分。如图4所示，防散落杯形件13主要以双圆筒的方式由外杯13a和调整构件13b构成，其中调整构件13b设置在外杯13a的底部上并朝向基板W的背面且由底板17同定。
底板17自身安装在由垂直的一对气缸18和19支撑的可垂直移动的板20上。因此，防散落杯形件13可通过气缸18和19的伸缩结合以三段式垂直移动。
在防散落杯形件13的下方设有用于回收和排出处理液的过量部分的废料回收排出管14a和用于将防散落杯形件13排空的排气口14b。所回收的废料被传送至半导体工厂的中和室(未示出)进行处理。另一方面，从排气口14b排出的废气被排至废气管道(未示出)。
当传送机构TR4接收任一在覆盖膜成分的化学溶液粘附到基板W的表面的周边和/或其背面部分的状态下的基板W时，覆盖膜成分会粘附于传送机构TR4上产生颗粒。因此，在进行形成覆盖膜的处理的同时，涂布处理单元CF还能进行边缘清洗以将粘附于基板W周边的覆盖膜成分去除，并能进行背部清洗以将延伸和粘附于基板W的背面部分的覆盖膜成分去除。
边缘清洗喷嘴41是设置在基板W周边上方的喷嘴，用于将去除剂供应至基板的周边。如图2和图4所示，边缘清洗喷嘴41通过边侧(edge-side)管道62a、阀61a、分支管道55和共用管道54与去除剂(显影剂)供应源51连通。因此，在旋转/固定基板W的同时，通过开关控制该阀61a，使得边缘清洗喷嘴41能将粘附于基板W周边的覆盖膜成分去除。换言之，旋转卡盘11和供应用作覆盖膜去除剂的显影剂的边缘清洗喷嘴41被作为覆盖膜成分的去除设备。
如图4所示，多个背面清洗喷嘴31设置在底板17的上表面上，用于向基板W的背面部分喷射和供应去除剂。如图2和图4所示，各背面清洗喷嘴31通过边侧管道62c、阀61c、分支管道55和共用管道54与去除剂(显影剂)供应源51连通。
设置在底板17上方的杯形件清洗构件21设有与各背面清洗喷嘴31对应的通孔30。因此，当气缸18和19伸长(expand)使防散落杯形件13向上移动至与旋转卡盘11基本平齐的垂直位置时，各背面清洗喷嘴31插入相应的通孔30中(参见图4)。
因此，当在旋转卡盘11旋转/固定基板W的同时通过开关控制该阀61c使背面清洗喷嘴31将去除剂供应至基板W的背面时，去除剂靠离心力到达基板W背面的周边。因此，能去除从基板W的表面延伸且粘附于背面的覆盖膜成分。换言之，旋转卡盘11和供应用作覆盖膜去除剂的显影剂的背面清洗喷嘴31被用作粘附到基板W的背面的覆盖膜成分的去除设备。
因此，涂布处理单元CF通过供应作为去除剂的碱水溶液的显影剂，在未曝光的基板W上进行边缘冲洗和背部冲洗。
因此，涂布处理单元CF能在不影响由正抗蚀剂制备的抗蚀膜的情况下，仅去除粘附于基板W的周边和背面部分的覆盖膜成分。换言之，涂布处理单元CF能在不去除抗蚀膜的情况下选择性地仅去除覆盖膜。
现在描述去除粘附于防散落杯形件13的覆盖膜成分的杯形件冲洗过程。如上所述，从基板W上散落的部分覆盖膜成分被防散落杯形件13接收并粘附于其上。
如果其余的覆盖膜成分处于粘附在防散落杯形件13上的状态，则覆盖膜成分会产生颗粒，从而导致基板处理得不好。因此，涂布处理单元CF被形成为能在不进行形成覆盖膜的处理时进行杯形件冲洗。
杯形件清洗构件21是将去除剂(显影剂)供应至防散落杯形件13的构件。如图4和图5所示，基本呈盘状且直径大于旋转卡盘11的杯形件清洗构件21布置在旋转卡盘11和底板17之间，且与转轴16装配。
如图5所示，在杯形件冲洗过程中，气缸18和19收缩以使防散落杯形件13向下移动至与杯形件清洗构件21基本平齐的垂直位置。因此，在杯形件清洗构件21的下表面的中央侧(central side)上形成的销27与旋转传动部件26的接合孔28接合，以通过转轴16与驱动马达15联锁/连接。因此，当在杯形件冲洗过程中驱动马达15被驱动时，杯形件清洗构件21与转轴16一体旋转。
如图2和图4所示，去除剂供应喷嘴25通过背侧(back-side)管道62b、阀61b、分支管道55和共用管道54与去除剂(显影剂)供应源51连通。因此，去除剂供应喷嘴25能将去除剂供应至在杯形件清洗构件21内形成的去除剂导向部件22的凹部23内。
因此，当在杯形件冲洗过程中旋转杯形件清洗构件21的同时去除剂供应喷嘴25供应去除剂时，去除剂到达去除剂导向部件22的凹部23并靠离心力从去除剂出口24喷出。因此，杯形件清洗构件21能将去除剂供应至防散落杯形件13，以进行去除粘附于防散落杯形件13内部的覆盖膜成分的杯形件冲洗处理。换言之，旋转卡盘11、供应用作覆盖膜去除剂的显影剂的去除剂供应喷嘴25和杯形件清洗构件21被用作粘附到基板W的背面的覆盖膜成分的去除设备。
如上所述，基板处理系统100不是采用有机溶剂而是采用有机碱水溶液作为边缘冲洗、背部冲洗和杯形件冲洗的去除剂。因此，在半导体工厂中设置的作为共有设备的中和室能处理废料，以减少处理废料的费用。
此外，基板处理系统100能在不使用有机溶剂的情况下去除覆盖膜成分，从而能减少所使用的有机溶剂的量和有机废料的量。
3.基板处理系统的工作过程下面描述基板处理系统100内所包括的分度器区1、抗反射涂层处理区2、抗蚀膜处理区3、显影处理区4、覆盖膜处理区5和接口区6中的基板处理工作过程。
分度器区1从基板处理系统100的外部接收储存有多个未处理基板的匣盒(未示出)。分度器区1将从匣盒中取出的未处理的基板置于基板接收部PASS1上。
当在各区2-6内经过了预定处理的基板被置于基板接收部PASS2上时，分度器区1将处理后的基板储存在相应的匣盒中。
抗反射涂层处理区2利用涂布处理单元BARC、热板HP和冷却板CP和WCP，执行在基板表面上形成抗反射涂层的处理以及对置于基板接收部PASS1上的未处理基板进行必要的热处理。抗反射涂层处理区2将完成了处理的基板置于基板接收部PASS3上。
当在区3-6内完成了预定处理的基板被置于基板接收部PASS4上时，抗反射涂层处理区2的传送机构TR1将置于基板接收部PASS4上的基板传送并置于基板接收部PASS2上。
抗蚀膜处理区3执行在基板表面上形成抗蚀膜的处理以及对形成有抗反射涂层且置于基板接收部PASS3上的基板进行必要的热处理。抗蚀膜处理区3将完成了处理的基板置于基板接收部PASS5上。
当在区4-6内完成了预定处理的基板被置于基板接收部PASS6上时，抗蚀膜处理区3的传送机构TR2将置于基板接收部PASS6上的基板传送并置于基板接收部PASS4上。
利用显影处理单元SD、热板HP和冷却板CP和WCP，显影处理区4对在区5和6内完成了预定处理且置于基板接收部PASS8上的基板进行显影处理和必要的热处理。显影处理区4将完成了处理的基板置于基板接收部PASS6上。
当形成有抗反射涂层和抗蚀膜的基板被置于基板接收部PASS5上时，显影处理区4的传送机构TR3将置于基板接收部PASS5上的基板传送并置于基板接收部PASS7上。
覆盖膜处理区5进行形成覆盖膜的处理。覆盖膜处理区5还进行与接口区6的传送机构TR5相关联的曝光后烘干处理。覆盖膜处理区5和接口区6进行必要的传送处理。
更具体地，涂布处理单元CF、热板HP和冷却板CP在形成有抗反射涂层和抗蚀膜且置于基板接收部PASS7上的基板上进行形成覆盖膜的处理和必要的热处理。形成有覆盖膜的基板被置于基板接收部PASS9上。然后，接口区6的传送机构TR5将置于基板接收部PASS9上的基板传送和置于基板接收部PASS11上。接口区6的接口传送机构(未示出)在预定时刻将置于基板接收部PASS1上的基板传送至曝光设备(未示出)。
当接口传送机构(未示出)将在曝光设备(未示出)中完成了曝光的基板置于基板接收部PASS12上时，传送机构TR5将置于基板接收部PASS12上的基板传送至加热部PHP。加热部PHP进行曝光后烘干处理，以在预定时刻进行热处理。传送机构TR5将完成了曝光后烘干处理的基板置于基板接收部PASS10上。
如上所述，根据本实施例的基板处理系统100连续地将待处理的基板传送通过基板接收部PASS1、PASS3、PASS5、PASS7、PASS9、PASS11、PASS12、PASS10、PASS8、PASS6、PASS4和PASS2。因此，基板形成有抗反射涂层、抗蚀膜和覆盖膜，并依次经过了曝光后烘干处理和显影处理。
4.根据本实施例的基板处理系统的优点如上所述，根据本实施例的涂布处理单元CF能将用于显影处理的碱水溶液的显影剂作为去除剂供应至基板的周边。因此，在边缘冲洗过程中，基板处理系统100能在不影响用于覆盖膜成形的预处理而形成的正抗蚀膜的情况下，选择性地且容易地去除在基板的周边上形成的覆盖膜。
当选择能溶于去除剂中的物质作为抗反射涂层的成分时，可以在不影响抗蚀膜和抗反射涂层的情况下进行边缘冲洗。
根据本实施例的涂布处理单元CF不使用有机溶剂而是使用碱水溶液作为去除剂。因此，可以减少所使用的有机溶剂的量以及在边缘冲洗、背部冲洗和杯形件冲洗过程中的有机废料的量。
此外，在本实施例中，作为共有设备在半导体工厂中设置的中和室能处理覆盖膜去除处理过程中所产生的废料。因此，可以减少处理废料所需的费用。
另外，根据本实施例的基板处理系统100能使用显影剂作为覆盖膜去除剂。因此，基板处理系统100可以不用单独设置用于供应去除剂的供应管线。
当在显影处理单元SD中进行显影处理的过程中将显影剂供应至基板时，基板处理系统100不仅能去除抗蚀膜的曝光部分，而且还能去除覆盖膜。因此，在曝光处理后可以不单独设置去除覆盖膜的步骤就能提高基板处理的产量。
5.改型尽管已经描述了本发明的实施例，但是本发明并不限于上述实例。
(1)尽管在本实施例中基板处理系统100使用有机碱水溶液作为去除剂，但本发明并不限于此。例如，去除剂可以选择由诸如氢氧化钾(KOH)、氢氧化钠(NaOH)或碳酸钠(Na2CO3)的无机碱水溶液进行制备。
(2)尽管根据本实施例的基板处理系统100对圆形基板进行边缘冲洗和背部冲洗，但所处理的基板并不限于圆形，而是例如可以选择性地处理诸如液晶显示器的基板等有角的基板。
尽管已经详细地显示并描述了本发明，但是上述描述都是示意性而不是限制性的。因此，应当理解的是，在不脱离本发明范围的情况下可以设计出多种改型和变化。
权利要求
1.一种用于去除保护膜的去除设备，其中所形成的保护膜用以覆盖基板表面上的抗蚀膜，该去除设备包括固定部，其固定所述基板；及第一供应部，其将碱水溶液作为去除剂供应至未曝光的所述基板的周边，其中所述保护膜能溶解于所述去除剂中，且除了经过曝光处理的部分之外，所述抗蚀膜不能溶解于所述去除剂中。
2.根据权利要求1所述的去除设备，其中该去除设备还包括第二供应部，其将所述碱水溶液作为所述去除剂供应至粘附于所述基板的背面部分的保护膜成分。
3.根据权利要求2所述的去除设备，其中该去除设备还包括杯形部，其包围由所述固定部固定的所述基板；及第三供应部，其将所述碱水溶液作为所述去除剂供应至粘附于所述杯形部的保护膜成分。
4.一种用于去除保护膜成分的去除设备，其中所述保护膜成分粘附于基板的背面部分，该去除设备包括固定部，其固定所述基板；及供应部，其将碱水溶液作为去除剂供应至未曝光的所述基板的所述背面部分，其中所述保护膜被形成为覆盖在所述基板的表面上形成的抗蚀膜，并能溶解于所述去除剂中，且除了经过曝光处理的部分之外，所述抗蚀膜不能溶解于所述去除剂中。
5.一种去除设备，包括固定部，其在旋转基板的同时固定所述基板；杯形部，其包围由所述同定部同定的所述基板；及供应部，其将碱水溶液作为去除剂供应至粘附有保护膜成分的所述杯形部，其中保护膜被形成为覆盖位于所述基板的表面上的抗蚀膜，并能溶解于所述去除剂中，且除了经过曝光处理的部分之外，所述抗蚀膜不能溶解于所述去除剂中。
6.根据权利要求1所述的去除设备，其中所述去除剂是四甲基铵氢氧化物。
7.根据权利要求4所述的去除设备，其中所述去除剂是四甲基铵氢氧化物。
8.根据权利要求5所述的去除设备，其中所述去除剂是四甲基铵氢氧化物。
9.一种保护膜成形设备，其用于通过将保护膜成分涂布至形成有抗蚀膜的基板上来形成保护膜，该设备包括固定部，其固定所述基板；保护膜成分供应部，其将所述保护膜成分供应至由所述固定部固定的所述基板；及第一去除供应部，其将碱水溶液作为去除剂供应至所述基板的周边，其中所述保护膜被形成为覆盖在所述基板的表面上形成的所述抗蚀膜，并能溶解于所述去除剂中，且除了经过曝光处理的部分之外，所述抗蚀膜不能溶解于所述去除剂中。
10.根据权利要求9所述的保护膜成形设备，其中该设备还包括第二供应部，其将所述碱水溶液作为所述去除剂供应至所述基板的背面部分。
11.根据权利要求10所述的保护膜成形设备，其中该设备还包括杯形部，其包围由所述同定部固定的所述基板；及第三供应部，其将所述碱水溶液作为所述去除剂供应至粘附有所述保护膜成分的所述杯形部，其中所述固定部能在固定所述基板的同时旋转。
12.根据权利要求9所述的保护膜成形设备，其中所述去除剂是四甲基铵氢氧化物。
13.一种基板处理系统，包括根据权利要求9所述的保护膜成形设备；抗蚀剂涂布器，其将抗蚀剂涂布至所述基板的表面上；热处理器，其对所述基板进行热处理；及传送器，其将所述基板传送至各装置。
14.根据权利要求13所述的基板处理系统，其中该系统还包括显影设备，该显影设备具有显影剂供应部，其将显影剂供应至完成了曝光的所述基板上；及固定部，其同定所述基板，其中所述保护膜成形设备使用从所述显影剂供应部以分支的方式供应来的所述显影剂作为所述去除剂。
15.一种用于去除保护膜的去除方法，其中所形成的保护膜用以覆盖基板表面上的抗蚀膜，该方法包括下述步骤(a)将所述基板固定在固定部上；及(b)将碱水溶液作为去除剂供应至未曝光的所述基板的周边，其中所述保护膜能溶解于所述去除剂中，且除了经过曝光处理的部分之外，所述抗蚀膜不能溶解于所述去除剂中。
16.一种用于去除保护膜成分的去除方法，其中所述保护膜成分粘附于基板的背面部分，该方法包括下述步骤(a)将所述基板固定在固定部上；及(b)将碱水溶液作为去除剂供应至未曝光的所述基板的所述背面部分，其中所述保护膜被形成为覆盖在所述基板的表面上形成的抗蚀膜，并能溶解于所述去除剂中，且除了经过曝光处理的部分之外，所述抗蚀膜不能溶解于所述去除剂中。
17.一种去除方法，其包括下述步骤(a)在基板上进行化学溶液处理；及(b)将碱水溶液作为去除剂供应至杯形部，所述杯形部通过所述步骤(a)而粘附有保护膜成分，其中所述杯形部包围由所述固定部固定的所述基板，所述保护膜被形成为覆盖在所述基板的表面上形成的抗蚀膜，并能溶解于所述去除剂中，且除了经过曝光处理的部分之外，所述抗蚀膜不能溶解于所述去除剂中。
全文摘要
本发明提供一种去除设备、保护膜成形设备、基板处理系统和去除方法，其中，涂布处理单元在形成有抗蚀膜的基板的表面上形成具有能溶解于碱水溶液中的成分的覆盖膜。该涂布处理单元能供应在显影处理单元中使用的显影剂，作为用于去除粘附于基板的周边的覆盖膜成分的去除剂。因此，可以在不影响抗蚀膜的情况下选择性地从基板的周边去除覆盖膜。
文档编号G03F7/00GK1755525SQ200510106478
公开日2006年4月5日 申请日期2005年9月26日 优先权日2004年9月29日
发明者金山幸司, 茂森和士 申请人:大日本网目版制造株式会社