专利名称：阵列基底、制造该阵列基底的方法和使硅结晶的方法
技术领域：
本发明涉及一种阵列基底、制造该阵列基底的方法和使硅结晶的方法，更具体地说，本发明涉及一种能够提高开关元件的电流流动性和设计余量的阵列基底、制造该阵列基底的方法和使硅结晶的方法。
背景技术：
通常，液晶显示(“LCD”)装置包括具有阵列基底、滤色器基底和液晶层的显示面板。阵列基底包括以矩阵排列的多个像素，各像素包括薄膜晶体管(“TFT”)和像素电极。滤色器基底包括公共电极并且与阵列基底相对应。液晶层置于阵列基底和滤色器基底之间。液晶层内的液晶分子根据施加到公共电极和像素电极的信号来改变取向，从而改变显示面板上的图像。
LCD装置分为非晶硅(“a-Si”)LCD装置和多晶硅LCD装置。a-Si LCD包括a-Si TFT，多晶硅LCD装置包括多晶硅TFT。
在多晶硅LCD装置中，通过非晶硅的结晶来形成多晶硅TFT。
通过连续侧向结晶(“SLS”)法使非晶硅结晶。具体地，利用具有透射部分和阻挡部分的掩模来控制激光光束的照射。硅晶粒的尺寸在侧向上以预定的距离增长，从而使非晶硅结晶。
掩模的透射部分和阻挡部分在纵向或横向上延伸。因此，通过SLS法形成的多晶硅晶粒在横向或纵向上延伸。
在多晶硅晶粒的延伸方向上多晶硅晶粒的电流流动性增加。即，TFT的沟道方向与多晶硅晶粒的延伸方向基本相同。
因此，当固定多晶硅晶粒的延伸方向时，限制了TFT的位置，降低了TFT的设计余量。
发明内容
本发明提供了一种能够提高开关元件的电流流动性和设计余量的阵列基底。
本发明还提供了一种制造上述阵列基底的方法。
本发明还提供了一种使硅结晶的方法。
根据本发明的阵列基底的示例性实施例包括基底、开关元件和像素电极。开关元件在基底上。开关元件包括多晶硅图案，多晶硅图案具有至少一个块。形成在各块中的晶粒在多个方向上延伸。像素电极电连接到开关元件。
提供制造根据本发明的阵列基底的方法的示例性实施例如下。在基底上形成具有至少一个块的多晶硅图案。形成在各块中的晶粒在多个方向上延伸。在基底上形成栅绝缘层，覆盖多晶硅图案。在栅绝缘层上形成栅电极。栅电极与多晶硅图案叠置。形成覆盖栅绝缘层和栅电极的绝缘中间层。在绝缘中间层和栅绝缘层中形成第一接触孔和第二接触孔，通过第一接触孔露出多晶硅图案的第一端部，通过第二接触孔露出多晶硅图案的第二端部。形成源电极和漏电极。源电极和漏电极分别通过第一接触孔和第二接触孔与所述第一端部和所述第二端部接触。形成电连接到漏电极的像素电极。
提供根据本发明的使硅结晶的方法的示例性实施例如下。在基底上形成非晶硅层。将掩模排列在非晶硅层上。掩模包括透射部分和阻挡部分，透射部分基本为方形。激光光束照射在非晶硅层的相应于透射部分的第一熔化区上，以使第一熔化区熔化，使得多晶硅晶粒从第一熔化区和非熔化区之间的界面朝第一熔化区的内部生长，这里，非熔化区与所述阻挡部分相对应。将掩模移动所述透射部分的宽度那么多。激光光束照射在非晶硅层的相应于透射部分的第二熔化区上，以使第二熔化区熔化，使得多晶硅晶粒从第一熔化区和第二熔化区之间的界面朝第二熔化区的内部生长，从而形成多晶硅层。
多晶硅层的示例性实施例包括多个块，各块基本为方形，在各块中有四个晶粒区，各晶粒区基本为三角形，其中，第一和第三晶粒区包括在多晶硅层的横向上延伸的晶粒，第二和第四晶粒区包括在多晶硅层的纵向上延伸的晶粒，其中横向基本垂直于纵向。
根据本发明，多晶硅层包括横向延伸的晶粒和纵向延伸的晶粒，从而提高了开关元件的电流流动性和设计余量。
通过参照附图详细描述本发明的示例性实施例，本发明的上述和其它优点将变得更加清楚，其中
图1是示出根据本发明的阵列基底的开关元件的示例性实施例的平面图；图2A至图2E是示出使非晶硅结晶的示例性方法的剖视图；图3A是示出在图2C中示出的第一示例性多晶硅层的平面图；图3B是示出在图2E中示出的第二示例性多晶硅层的平面图；图4A至图4G是示出制造在图1中示出的示例性阵列基底的示例性方法的剖视图；图5是示出根据本发明的显示装置的示例性实施例的剖视图。
具体实施例方式
下面将参照附图更加全面地描述本发明，在附图中示出了本发明的实施例。然而，本发明可以以多种不同的方式实施，不应理解为限于这里提出的实施例。此外，提供这些实施例是为了使本公开是彻底的和完全的，并将本发明的范围全面地传达给本领域技术人员。在附图中，为了清晰起见，可夸大层和区的尺寸及相对尺寸。
应该理解，当元件或层被称为在另一元件或层“上”、“连接到”或“结合到”另一元件或层时，可直接在另一元件或层上、直接连接到或结合到另一元件或层，或者可能存在中间元件或层。相反，当元件或层被称为“直接”在另一元件或层“上”、“直接连接到”或“直接结合到”另一元件或层时，没有中间元件或层存在。整个附图中，相同的标号表示相同的元件。这里所使用的词语“和/或”包括列出的关联条目的一个或多个的任何组合和全部组合。
应该理解，虽然这里会使用第一、第二、第三等词语来描述各元件、部件、区、层和/或部分，但是这些元件、部件、区、层和/或部分不应被这些词语所限制。这些词语只用来区分一个元件、部件、区、层或部分和另一个元件、部件、区、层或部分。因此，不脱离本发明的教导，下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可被称为第二元件、部件、区、层或部分。
为了便于描述，这里会使用空间关系词，诸如“在...之下”、“在...下面”、“下面的”、“在...上面”、“上面的”等，来描述一个元件或特征相对于图中示出的其它元件或特征的关系。应该理解，所使用的空间关系词是为了包括使用中的装置的不同方向或除图中表示的方向之外的操作。例如，如果图中的装置被翻转，则被描述成“在”另一元件或特征“下面”或“在”另一元件或特征“之下”的元件将被定位为“在”另一元件或特征“上面”。因此，示例性词语“在...下面”可包括在上面和在下面两个方向。装置可另外定位(旋转90度或其它的方向)，相应地解释这里使用的空间关系描述符。
这里使用的术语只是为了描述特定的实施例，而不是为了限制本发明。如这里所使用的，单数形式的不定冠词(“a”、“an”)和定冠词(“the”)也包括复数形式，除非内容明确表示单数。还应理解，当在本说明书中使用术语“包含”时，说明所叙述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或部件存在，但是不排除存在或添加一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或它们的组合。
这里参照剖视图描述了本发明的实施例，剖视图示意性示出本发明的理想实施例(和中间结构)。这样，作为例如制造技术和/或公差的结果，示图的形状变化是可预料的。因此，本发明的实施例不应理解为限于这里示出的区域的具体形状，而应包括由例如制造导致的形状变形。例如，以矩形示出的注入区通常具有圆形或曲线特征和/或在边缘处具有注入浓度梯度而不是从注入区到非注入区二元改变。同样，通过注入形成的埋区会在埋区和注入发生的表面之间的区域中导致一些注入。因此，在图中示出的区域实际上是示意性的，它们的形状不是为了示出装置的区域的实际形状，并且不是为了限制本发明的范围。
除非另有定义，这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)的意思与本发明所属技术领域中普通技术人员通常理解的意思相同。还应理解，诸如在通常使用的词典中定义的术语的意思应被解释成与它们在相关领域的背景中的意思一致，而不应解释成理想的或过于形式上的意思，除非这里特别这样定义。
下面，将参照附图详细描述本发明。
图1是示出根据本发明的阵列基底的开关元件的示例性实施例的平面图。
参照图1，阵列基底100包括基底110和在基底110上的多晶硅TFT 120。虽然在图1中只示出了一个多晶硅TFT 120，但是应该理解在基底110上可包括多个这样的多晶硅TFT。
多晶硅TFT 120包括多晶硅图案121、栅电极122、源电极123和漏电极124。多晶硅图案121包括至少一个块，所述块划分成第一晶粒区GA1、第二晶粒区GA2、第三晶粒区GA3和第四晶粒区GA4。多晶硅图案121的各块基本为方形，第一晶粒区GA1、第二晶粒区GA2、第三晶粒区GA3和第四晶粒区GA4的每个为三角形。例如，方形块可被交叉的两条对角线划分，从而形成四个三角形晶粒区。
在第一晶粒区GA1中形成在第一方向D1上延伸的多个第一晶粒。在第二晶粒区GA2中形成在第二方向D2上延伸的多个第二晶粒。第二方向D2基本垂直于第一方向D1。在第三晶粒区GA3中形成在第三方向D3上延伸的多个第三晶粒。第三方向D3与第一方向D1基本相反，且基本垂直于第二方向D2。在第四晶粒区GA4中形成在第四方向D4上延伸的多个第四晶粒。第四方向D4与第二方向D2基本相反，且基本垂直于第三方向D3。
即，在多晶硅图案121的第一晶粒区GA1中的第一晶粒和第三晶粒区GA3中的第三晶粒在阵列基底100的水平方向或横向上生长。在第二晶粒区GA2中的第二晶粒和在第四晶粒区GA4中的第四晶粒在阵列基底100的纵向上生长。例如，多晶硅图案121可在横向上比在纵向上多延伸。
当俯视时，栅电极122与多晶硅图案121叠置。栅绝缘层(如图5所示)形成在栅电极122和多晶硅图案121之间。
源电极123和漏电极124在多晶硅图案121上。源电极123与漏电极124在横向上隔开。栅电极122位于源电极123和漏电极124之间。源电极123和漏电极124与多晶硅图案121的两个相对的端接触。源电极123和漏电极124之间的距离是多晶硅TFT 120的沟道长度L1，多晶硅TFT 120也称为开关元件。
沟道长度L1大于多晶硅图案121的各个块的宽度W1。例如，各个块的宽度W1为大约3μm至大约4μm。
在图1中，示出在横向上延伸的多晶硅图案121。作为选择，多晶硅图案121可在纵向上延伸，源电极123可在纵向上与漏电极124隔开。
根据图1中的开关元件120，多晶硅图案121具有在第一晶粒区GA1中的第一晶粒和在第三晶粒区GA3中的第三晶粒以及在第二晶粒区GA2中的第二晶粒和在第四晶粒区GA4中的第四晶粒，第一晶粒和第三晶粒在横向上延伸，第二晶粒和第四晶粒在纵向上延伸，使得开关元件120的沟道可在纵向或横向上延伸。因而，提高了开关元件120的设计余量。
此外，开关元件120的沟道长度L1大于各个块的宽度W1，从而提高了开关元件120的电流流动性。
图2A至图2E是示出使非晶硅结晶的示例性方法的剖视图。图3A是示出在图2C中示出的第一示例性多晶硅层的平面图。图3B是示出在图2E中示出的第二示例性多晶硅层的平面图。
参照图2A，非晶硅(“a-Si”)层111形成在基底110上。基底110可以是绝缘基底，诸如透明玻璃、石英等，但不限于这些。
参照图2B，掩模112布置在a-Si层111上。掩模112包括多个透射部分TA和多个阻挡部分BA。光穿过透射部分TA，阻挡部分BA阻挡光穿过。透射部分TA和阻挡部分BA在第一方向D1上交替排列。透射部分TA和阻挡部分BA也在第二方向D2(在图1中示出)上交替排列，当俯视时，第二方向D2基本垂直于第一方向D1。换句话说，透射部分TA和阻挡部分BA可在掩模112内以像棋盘的(checkerboard-like)图案排列。
参照图2C，如箭头所示的穿过掩模112的透射部分TA的激光光束照射到与透射部分TA相应的那部分a-Si层111上，使得相应于透射部分TA的那部分a-Si层111部分地熔化。相应于阻挡部分BA的那部分a-Si层111被阻挡部分BA阻挡。
因而，如图3A所示，a-Si层111包括相应于透射部分TA的第一熔化区FA1和相应于阻挡部分BA的非熔化区NFA。多晶硅晶粒从各第一熔化区FA1和各非熔化区NFA之间的界面朝各第一熔化区FA1的内部生长。即，多晶硅晶粒在各第一熔化区FA1内以通常垂直于各第一熔化区FA1和非熔化区NFA的任一边界之间的界面的方向生长。
各第一熔化区FA1和非熔化区NFA为方形。第一熔化区FA1划分成第一晶粒区GA1、第二晶粒区GA2、第三晶粒区GA3和第四晶粒区GA4，第一晶粒区GA1、第二晶粒区GA2、第三晶粒区GA3和第四晶粒区GA4的尺寸基本相同且为三角形。
在各第一熔化区FA1中，第一晶粒区GA1包括多个在第一方向D1上从第一界面B1延伸的第一晶粒，这里，第一界面B1可与在第一熔化区FA1的第一侧的非熔化区NFA相邻。第二晶粒区GA2包括多个在第二方向D2上从第二界面B2延伸的第二晶粒，这里，第二界面B2可与在第一熔化区FA1的第二侧的另一非熔化区NFA相邻。第三晶粒区GA3包括多个在第三方向D3上从第三界面B3延伸的第三晶粒，这里，第三界面B3可与在第一熔化区FA1的第三侧的又一非熔化区NFA相邻。第四晶粒区GA4包括多个在第四方向D4上从第四界面B4延伸的第四晶粒，这里，第四界面B4可与在第一熔化区FA1的第四侧的再一非熔化区NFA相邻。
第一晶界GB1形成在第一晶粒区GA1和第二晶粒区GA2之间。第二晶界GB2形成在第二晶粒区GA2和第三晶粒区GA3之间。第三晶界GB3形成在第三晶粒区GA3和第四晶粒区GA4之间。第四晶界GB4形成在第四晶粒区GA4和第一晶粒区GA1之间。第一至第四晶界通常限定各区的晶粒与相邻区的晶粒邻接。
因此，a-Si层111被转变成部分结晶了的第一多晶硅层113，第一多晶硅层113形成在基底110上。
参照图2D，将掩模112在第一方向D1上移动一个透射部分TA的第一宽度W1那么多，使得掩模112的透射部分TA与第一多晶硅层113的非熔化区NFA对应，阻挡部分BA与第一多晶硅层113的第一熔化区FA1对应。
参照图2E和图3B，如箭头所示的穿过掩模112的透射部分TA的激光光束照射到相应于非熔化区NFA的第一多晶硅层113上，以使非熔化区NFA熔化，然后熔化了的非熔化区NFA限定第二熔化区FA2。多晶硅晶粒从第一熔化区FA1和第二熔化区FA2之间的界面朝第二熔化区FA2的内部生长。因此，在第二熔化区FA2中形成的多晶硅晶粒的形状和排列与第一熔化区FA1中形成的多晶硅晶粒的形状和排列基本相同。
因而，第一多晶硅层113被转变成形成在基底110上的第二多晶硅层114。
参照图3B，在多晶硅图案的各块中的第二多晶硅层114包括在横向上延伸的第一晶粒和第三晶粒以及在纵向上延伸的第二晶粒和第四晶粒。因此，开关元件120(在图1中示出)的沟道可在纵向或横向上延伸，从而提高开关元件120的设计余量。
下面，参照图4A至图4G描述制造阵列基底100的示例性方法。
图4A至图4G是示出制造图1中示出的示例性阵列基底的示例性方法的剖视图。
参照图4A，通过光刻工艺将诸如通过使用结合图2A至图2E描述和示出的方法形成在基底110上的第二多晶硅层114图案化。光刻法是用来将图案从光掩模转移到沉积在表面上的抗蚀剂层的工艺。光掩模在选择的区域阻挡抗蚀剂暴露于UV辐射，并可包括由可透过UV辐射的板支撑的铬不透明区域。因而，在基底110上形成多晶硅图案121。
参照图4B，在具有多晶硅图案121的基底110上形成栅绝缘层131。栅绝缘层131可覆盖基底110和多晶硅图案121。
参照图4C，在栅绝缘层131上沉积第一金属层，将第一金属层图案化以形成栅电极122。当俯视时，栅电极122与多晶硅图案121叠置。
参照图4D，在栅电极122和栅绝缘层131上形成绝缘中间层132。然后将绝缘中间层132和栅绝缘层131图案化，以形成第一接触孔132a和第二接触孔132b，第一接触孔132a和第二接触孔132b都位于多晶硅图案121的上方。通过第一接触孔132a和第二接触孔132b露出多晶硅图案121的第一端部和第二端部。
参照图4E，然后形成源电极123和漏电极124，源电极123通过第一接触孔132a与多晶硅图案121的第一端部接触，漏电极124通过第二接触孔132b与多晶硅图案121的第二端部接触。这样，完成了作为开关元件的多晶硅TFT 120，其包括多晶硅层121、栅电极122、源电极123和漏电极124。
参照图4F，在源电极123、漏电极124和绝缘层132上形成保护层133。然后将保护层133图案化，以形成第三接触孔133a，通过第三接触孔133a部分地露出漏电极124。
参照图4G，在保护层133上形成像素电极140。像素电极140通过第三接触孔133a电连接到漏电极124。像素电极140包括可被图案化以形成像素电极140的透明导电材料。可用于像素电极140的透明导电材料的示例包括但不限于氧化铟锡(“ITO”)和氧化铟锌(“IZO”)。从而，完成了阵列基底100，尽管这里没有具体描述，但其它层可额外地包括在阵列基底100中。只作为示例，根据液晶层300的排列方向，可在阵列基底100上设置偏振膜，以调整从外部提供到阵列基底100中的光的传播方向，这将在下面结合图5进一步描述。
图5是示出根据本发明的显示装置的示例性实施例的剖视图。图5中示出的阵列基底与图1至图2E中示出的阵列基底基本相同。因此，相同的标号将用来表示与图1至图2E中描述的部件相同或相似的部件，并且将省略关于上述元件的任何进一步解释。
参照图5，显示装置400包括显示面板。显示面板包括阵列基底100；背面基底(counter substrate)200，与阵列基底100相对应；液晶层300，置于阵列基底100和背面基底200之间。背面基底200也可称为公共电极面板或滤色器面板。
背面基底200包括基底210、滤色器层220和公共电极230。滤色器层220形成在基底210上，公共电极230形成在滤色器层220上。在另一实施例中，滤色器层220可形成在阵列基底100内的像素电极140的上面或下面。滤色器层220包括红色像素、绿色像素和蓝色像素，但是在可选实施例中可使用其它颜色的像素。公共电极230包括透明导电材料。可用于公共电极230的透明导电材料的示例包括氧化铟锡(“ITO”)和氧化铟锌(“IZO”)。公共电极230可基本覆盖背面基底200的整个表面。
参照图5，背面基底200以预定距离与阵列基底100相对应。液晶层300置于背面基底200和阵列基底100之间形成的空间中。显示装置400的显示面板可包括分隔件，以维持背面基底200和阵列基底100之间的预定距离，和/或可包括在背面基底200和阵列基底100的外围之间的密封部分，以维持阵列基底100和背面基底200之间的液晶层300。
根据本发明，多晶硅层包括横向延伸的晶粒和纵向延伸的晶粒。横向延伸的晶粒和纵向延伸的晶粒可设置在晶粒区域的块内，晶粒区域的块在交叉的多晶硅层的第一方向和第二方向交替排列。
因此，提高了开关元件的电流流动性和设计余量。
此外，虽然沟道在横向或纵向上排列允许更大的设计余量，但是开关元件的沟道长度比多晶硅层的各块的宽度长也增加了开关元件的电流流动性。
已经参照示例性实施例描述了本发明，然而，明显的是，多种可替代的修改和变形对本领域技术人员来说是显然的。因此，本发明包括所有这些可替代的修改和变形，只要它们落入权利要求的精神和范围。
权利要求
1.一种阵列基底，包括基底；开关元件，在所述基底上，所述开关元件包括多晶硅图案，所述多晶硅图案具有至少一个块，形成在各块中的晶粒在多个方向上延伸；像素电极，电连接到所述开关元件。
2.如权利要求1所述的阵列基底，其中，各块基本为方形。
3.如权利要求2所述的阵列基底，其中，各块被划分成第一晶粒区、第二晶粒区、第三晶粒区和第四晶粒区，所述第一晶粒区、所述第二晶粒区、所述第三晶粒区和所述第四晶粒区的每个基本为三角形。
4.如权利要求3所述的阵列基底，其中，在所述第一晶粒区和所述第三晶粒区中形成的晶粒在所述阵列基底的横向上延伸，在所述第二晶粒区和所述第四晶粒区中形成的晶粒在所述阵列基底的纵向上延伸，所述第二晶粒区和所述第四晶粒区与所述第一晶粒区邻近。
5.如权利要求4所述的阵列基底，其中，所述横向基本垂直于所述纵向。
6.如权利要求1所述的阵列基底，其中，所述至少一个块包括多个块，各块具有在第一方向上延伸的第一组晶粒和在第二方向上延伸的第二组晶粒，所述第二方向与所述第一方向不同。
7.如权利要求1所述的阵列基底，其中，所述开关元件包括栅电极，与所述多晶硅图案叠置；源电极，与所述多晶硅图案的第一端部接触；漏电极，与所述多晶硅图案的第二端部接触。
8.如权利要求7所述的阵列基底，其中，所述至少一个块的每个的宽度不大于所述源电极和所述漏电极之间的距离。
9.如权利要求8所述的阵列基底，其中，所述至少一个块的每个的所述宽度为大约3μm至大约4μm。
10.如权利要求7所述的阵列基底，还包括栅绝缘层，在所述基底上，覆盖所述多晶硅图案，并且在所述多晶硅图案和所述栅电极之间延伸；绝缘中间层，覆盖所述栅绝缘层和所述栅电极。
11.如权利要求10所述的阵列基底，其中，在所述栅绝缘层和所述绝缘中间层中形成第一接触孔和第二接触孔，通过所述第一接触孔露出所述多晶硅图案的所述第一端部，通过所述第二接触孔露出所述多晶硅图案的所述第二端部，其中，所述源电极和所述漏电极通过所述第一接触孔和所述第二接触孔分别与所述多晶硅图案的所述第一端部和所述第二端部接触。
12.如权利要求1所述的阵列基底，还包括保护层，在所述基底上，覆盖所述开关元件，通过接触孔部分地露出所述开关元件的漏电极；像素电极，在所述保护层上，所述像素电极通过所述接触孔电连接到所述漏电极。
13.如权利要求1所述的阵列基底，还包括多个在所述基底上的开关元件，各开关元件包括所述多晶硅图案。
14.一种制造阵列基底的方法，包括在基底上形成具有至少一个块的多晶硅图案，形成在各块中的晶粒在多个方向上延伸；在所述基底上形成栅绝缘层，所述栅绝缘层覆盖所述多晶硅图案；在所述栅绝缘层上形成栅电极，所述栅电极与所述多晶硅图案叠置；形成覆盖所述栅绝缘层和所述栅电极的绝缘中间层；在所述绝缘中间层和所述栅绝缘层中形成第一接触孔和第二接触孔，通过所述第一接触孔露出所述多晶硅图案的第一端部，通过所述第二接触孔露出所述多晶硅图案的第二端部；形成源电极和漏电极，所述源电极和所述漏电极分别通过所述第一接触孔和所述第二接触孔与所述第一端部和所述第二端部接触；形成电连接到所述漏电极的像素电极。
15.如权利要求14所述的方法，其中，形成多晶硅图案的步骤包括在所述基底上形成非晶硅层；将掩模布置在所述非晶硅层上，所述掩模包括透射部分和阻挡部分；将激光光束照射在所述非晶硅层的相应于所述透射部分的第一熔化区上，以使所述第一熔化区熔化；将所述掩模移动所述透射部分的宽度那么多；将所述激光光束照射在所述非晶硅层的相应于所述透射部分的第二熔化区上，以使所述第二熔化区熔化，从而形成多晶硅层。
16.如权利要求15所述的方法，其中，形成所述多晶硅图案的步骤还包括通过光刻工艺使所述多晶硅层图案化。
17.如权利要求14所述的方法，其中，所述至少一个块的每个基本为方形。
18.如权利要求17所述的方法，其中，所述至少一个块的每个被划分成第一晶粒区、第二晶粒区、第三晶粒区和第四晶粒区，所述第一晶粒区、所述第二晶粒区、所述第三晶粒区和所述第四晶粒区的每个基本为三角形。
19.如权利要求18所述的方法，其中，在所述第一晶粒区和所述第三晶粒区中形成的晶粒在所述阵列基底的横向上延伸，在所述第二晶粒区和所述第四晶粒区中形成的晶粒在所述阵列基底的纵向上延伸，所述第二晶粒区和所述第四晶粒区与所述第一晶粒区邻近。
20.如权利要求14所述的方法，其中，所述至少一个块的每个的宽度不大于所述源电极和所述漏电极之间的距离。
21.如权利要求14所述的方法，在形成所述像素电极之前，还包括在所述绝缘中间层上形成保护层；在所述保护层中形成第三接触孔，通过所述第三接触孔部分地露出所述漏电极，其中，形成电连接到所述漏电极的所述像素电极的步骤包括通过所述第三接触孔将所述像素电极连接到所述漏电极。
22.一种使硅结晶的方法，包括在基底上形成非晶硅层；将掩模布置在所述非晶硅层上，所述掩模包括透射部分和阻挡部分，所述透射部分基本为方形；将激光光束照射在所述非晶硅层的相应于所述透射部分的第一熔化区上，以使所述第一熔化区熔化，使得多晶硅晶粒从所述第一熔化区和非熔化区之间的界面朝所述第一熔化区的内部生长，所述非熔化区与所述阻挡部分相对应；将所述掩模移动所述透射部分的宽度那么多；将激光光束照射在所述非晶硅层的相应于所述透射部分的第二熔化区上，以使所述第二熔化区熔化，使得多晶硅晶粒从所述第一熔化区和所述第二熔化区之间的界面朝所述第二熔化区的内部生长，从而形成多晶硅层。
23.如权利要求22所述的方法，其中，各熔化区被划分成第一晶粒区、第二晶粒区、第三晶粒区和第四晶粒区，所述第一晶粒区、所述第二晶粒区、所述第三晶粒区和所述第四晶粒区的每个基本为三角形。
24.如权利要求23所述的方法，其中，在第一方向上延伸的第一晶粒形成在所述第一晶粒区中，在第二方向上延伸的第二晶粒形成在所述第二晶粒区中，所述第二方向基本垂直于所述第一方向，在第三方向上延伸的第三晶粒形成在所述第三晶粒区中，所述第三方向与所述第一方向基本相反，在第四方向上延伸的第四晶粒形成在所述第四晶粒区中，所述第四方向与所述第二方向基本相反。
25.如权利要求22所述的方法，其中，所述透射部分的形状和尺寸与所述阻挡部分的形状和尺寸基本相同。
26.一种多晶硅层，包括多个块，各块基本为方形；在各块中的四个晶粒区，各晶粒区基本为三角形；其中，第一和第三晶粒区包括在多晶硅层的横向上延伸的晶粒，第二和第四晶粒区包括在多晶硅层的纵向上延伸的晶粒，这里所述横向基本垂直于所述纵向。
全文摘要
本发明公开了一种阵列基底，所述阵列基底包括基底、开关元件和像素电极。开关元件在基底上。开关元件包括多晶硅图案，多晶硅图案具有至少一个块。在多个方向上延伸的晶粒形成在所述至少一个块的各个中。像素电极电连接到开关元件。因此，提高了开关元件的电流流动性和设计余量。
文档编号G02F1/136GK1905198SQ200610058138
公开日2007年1月31日 申请日期2006年3月6日 优先权日2005年7月29日
发明者朱胜镛, 姜明求 申请人:三星电子株式会社