核壳纳米线阵列及其制备方法

文档序号:9599443阅读:473来源:国知局
核壳纳米线阵列及其制备方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种TiN/T1jS壳纳米线阵列及其制备方法,可应用于能量存储和能量转换领域。
【背景技术】
[0002]纳米结构1102在能量存储和能量转换等领域具有潜在的应用前景,但其作为锂离子电池负极材料时,Ti02的低电导率(例如锐钛矿Ti02的电导率只有5.6X10 8 S/cm左右,Xiaodong Yan, et al, Energy Technology, 2015, 3, 801-814)影响了裡离子电池的电化学性能。为此,有必要研究制备高性能的打02锂离子电池负极材料。

【发明内容】

[0003]本发明的目的是提供一种具有良好电化学性能的TiN/Ti02核壳纳米线阵列及其制备方法。
[0004]本发明的TiN/Ti02核壳纳米线阵列,以TiN纳米线为骨架,在TiN纳米线表面生长有Ti02颗粒,形成核壳结构的纳米线阵列。
[0005]TiN/Ti02核壳纳米线阵列的制备方法,其步骤如下:
1)将清洗干净的钛片置于浓度为1.25 Μ的NaOH溶液中,在水热环境下于220 °C反应20小时,得到钛酸钠纳米线阵列;
2)将上述钛酸钠纳米线阵列在pH值为1的盐酸溶液中浸泡40min以上,进行质子交换反应,得到钛酸纳米线阵列;
3)将上述钛酸纳米线阵列在流量为200mL/min的順3气氛中于800 °C热处理1小时,得到TiN纳米线;
4)将上述TiN纳米线置于浓度为0.04Μ的TiF4S液中于60 °C反应40~180 min,或置于浓度为0.04 M~0.4 Μ的11(:14溶液中于60 °C反应30 min,得到TiN/T1 2核壳纳米线阵列。
[0006]本发的有益效果在于:
TiN具有高熔点、高硬度、稳定性好、电导率高(其电导率为4X104 S/cm左右,PengChen, et al, Journal of Materials Chemistry C, 2015, 3, 7272)等优点。本发明以导电性较好的TiN纳米线作为导电骨架,在TiN纳米线阵列表面生长覆盖Ti02颗粒,可提高Ti02电极整体的电导率和电化学活性,核壳结构的纳米线阵列作为锂离子电池负极时,还可大幅减小Ti02脱嵌锂时电子和锂离子所需的传输距离,进而提高其电化学性能。
【附图说明】
[0007]图1为实施例1制备的TiN纳米线阵列的扫描电子显微镜照片;
图2为实施例1制备的TiN/Ti02核壳纳米线阵列的X射线衍射图谱;
图3为实施例1制备的TiN/Ti02核壳纳米线阵列的扫描电子显微镜照片; 图4为实施例1制备的TiN/Ti02核壳纳米线阵列的能谱面分布照片,其中,a图为扫描透射电镜照片,b图为Ti元素的能谱面分布图,c图为N元素的能谱面分布图,d图为0元素的能谱面分布图;
图5为实施例1制备的TiN/Ti02核壳纳米线阵列的外壳层的Ti02的高分辨透射电子显微镜照片;
图6为实施例2制备的TiN/Ti02核壳纳米线阵列的扫描电子显微镜照片;
图7为实施例3制备的TiN/Ti02核壳纳米线阵列的扫描电子显微镜照片;
图8为实施例4制备的TiN/Ti02核壳纳米线阵列的扫描电子显微镜照片;
图9为实施例5制备的TiN/Ti02核壳纳米线阵列的扫描电子显微镜照片;
图10为实施例1制备的TiN/T1jS壳纳米线阵列薄膜在0.11 mA/cm2的面电流密度下的锂电池循环性能曲线;
图11为实施例1制备的TiN/T1jS壳纳米线阵列薄膜在1 mA/cm2的面电流密度下的锂电池循环性能曲线。
【具体实施方式】
[0008]以下结合实施例进一步阐述本发明,但本发明不仅仅局限于下述实施例。
[0009]实施例1
将面积为2.5X2.5 cm2的清洗干净的钛片置于35 mL浓度为1.25 Μ的NaOH溶液中,在水热环境下220 °C反应20小时,得到钛酸钠纳米线阵列;将上述钛酸钠纳米线阵列在pH值为1的盐酸中浸泡40 min,将浸泡过程重复三次(每次在新更换的pH值为1的盐酸中浸泡40 min),得到钛酸纳米线阵列;将上述钛酸纳米线阵列在流量为200 mL/min的见13中于800 °C热处理1小时,得到TiN纳米线;将上述TiN纳米线置于15 mL浓度为0.04 Μ的TiF4溶液中,于60 °C反应180 min,得到TiN/T1 2核壳纳米线阵列。
[0010]图1为得到TiN纳米线的场发射扫描电子显微镜照片,可以看出其具有纳米线阵列结构。图2为本例制得产物的X射线衍射图谱,经与标准卡片对照可知,所得产物的物相为TiN、Ti02&及来自基底的Ti。图3为所获得的TiN/T1j^扫描电子显微镜照片,可以看到产物具有纳米线阵列结构。图4为本例所制备的TiN/Ti02核壳纳米线阵列的T1、N、0元素的能谱面分布照片,可以看出,N元素集中分布在纳米线的中心部分,即中心部分为TiN,TiN外层的包覆了一层Ti02 (壳层),所以所制备的11~1102具有核壳纳米线结构。图5为所制备的TiN/Ti02核壳纳米线阵列的外壳层的高分辨透射电子显微镜照片,可以看到其晶面间距为0.35 nm,对应于1102锐钛矿的(101)晶面,进一步说明该核壳纳米线的外层(壳层)为Ti02。
[0011]实施例2
将面积为2.5X2.5 cm2的清洗干净的钛片置于浓度为1.25 Μ的NaOH溶液中,在水热环境下220 °C反应20小时,得到钛酸钠纳米线阵列;将上述钛酸钠纳米线阵列在pH值为1的盐酸中浸泡40 min,将浸泡过程重复三次,得到钛酸纳米线阵列;将上述钛酸纳米线阵列在流量为200 mL/min的順3中于800 °C热处理1小时,得到TiN纳米线;取面积为1 X 1cm2的上述TiN纳米线置于5 mL浓度为0.04 Μ的TiF 4溶液中,于60 °C反应40 min,得到TiN/Ti02核壳纳米线阵列。本例所获得的TiN/T1 2的扫描电子显微镜照片如图6所示。
[0012]实施例3
将面积为2.5X2.5 cm2的清洗干净的钛片置于浓度为1.25 Μ的NaOH溶液中,在水热环境下220 °C反应20小时,得到钛酸钠纳米线阵列;将上述钛酸钠纳米线阵列在pH值为1的盐酸中浸泡40 min,将浸泡过程重复三次,得到钛酸纳米线阵列;将上述钛酸纳米线阵列在流量为200 mL/min的順3中于800 °C热处理1小时,得到TiN纳米线;取面积为1 X 1cm2的上述TiN纳米线置于5 mL浓度为0.04 Μ的TiF 4溶液中,于60 °C反应120 min,得到TiN/Ti02核壳纳米线阵列。本例所获得的TiN/T1 2的扫描电子显微镜照片如图7所示。
[0013]实施例4
将面积为2.5X2.5 cm2的清洗干净的钛片置于浓度为1.25 Μ的NaOH溶液中,在水热环境下220 °C反应20小时,得到钛酸钠纳米线阵列;将上述钛酸钠纳米线阵列在pH值为1的盐酸中浸泡40 min,将浸泡过程重复三次,得到钛酸纳米线阵列;将上述钛酸纳米线阵列在流量为200 mL/min的順3中于800 °C热处理1小时,得到TiN纳米线;取面积为1 X 1cm2的上述TiN纳米线置于5 mL浓度为0.04 Μ的TiCl 4溶液中,于60 °C反应30 min,得到TiN/Ti02核壳纳米线阵列。本例所获得的TiN/T1 2的扫描电子显微镜照片如图8所示。
[0014]实施例5
将面积为2.5X2.5 cm2的清洗干净的钛片置于浓度为1.25 Μ的NaOH溶液中,在水热环境下220 °C反应20小时,得到钛酸钠纳米线阵列;将上述钛酸钠纳米线阵列在pH值为1的盐酸中浸泡40 min,将浸泡过程重复三次,得到钛酸纳米线阵列;将上述钛酸纳米线阵列在流量为200 mL/min的順3中于800 °C热处理1小时,得到TiN纳米线;取面积为1 X 1cm2的上述TiN纳米线置于5 mL浓度为0.4 Μ的TiCl 4溶液中,于60 °C反应30 min,得到TiN/Ti02核壳纳米线阵列。本例所获得的TiN/T1 2的扫描电子显微镜照片如图9所示。
[0015]本发明所述TiN/Ti02核壳纳米线阵列作为锂离子电池负极效果实验例
为了进一步说明本发明所述的TiN/Ti02核壳纳米线阵列的应用优势,将实施例1所制备的TiN/T1jS壳纳米线阵列薄膜作为负极,在氩气气氛手套箱内与金属锂片、电解液和隔膜组成纽扣式电池。其中,隔膜为聚丙烯(PP)膜(Celgard 2300),电解液为1 mol/L的LiPF6S解于质量比为50:50的碳酸乙烯酯(EC)和碳酸二乙酯(DEC)的混合物中。将所得电池在LAND2001A电池测试仪上进行循环充放电测试。0.11 mA/cm2的面电流密度下的循环性能如图10所示,1 mA/cm2的面电流密度下的测试结果如图11所示。由图10和图11可以看出,TiN/Ti02核壳纳米线阵列具有优异的循环稳定性和倍率性能。
【主权项】
1.一种TiN/T1 2核壳纳米线阵列,其特征是:以TiN纳米线为骨架,在TiN纳米线表面生长有T12颗粒,形成核壳结构的纳米线阵列。2.制备权利要求1所述的TiN/T12核壳纳米线阵列的方法,其步骤如下: 1)将清洗干净的钛片置于浓度为1.25 M的NaOH溶液中,在水热环境下于220 °C反应20小时,得到钛酸钠纳米线阵列; 2)将上述钛酸钠纳米线阵列在pH值为I的盐酸溶液中浸泡40min以上,进行质子交换反应,得到钛酸纳米线阵列; 3)将上述钛酸纳米线阵列在流量为200mL/min的順3气氛中于800 °C热处理I小时,得到TiN纳米线; 4)将上述TiN纳米线置于浓度为0.04 M的TiF4S液中于60 °C反应40~180 min,或置于浓度为0.04 M~0.4 M的TiCl4S液中于60 °C反应30 min,得到TiN/T1 2核壳纳米线阵列。
【专利摘要】本发明公开了一种TiN/TiO2核壳纳米线阵列及其制备方法。该材料是以TiN纳米线为骨架,在TiN纳米线表面生长TiO2颗粒,形成核壳结构的纳米线阵列。制备过程为:将钛片先依次在NaOH溶液中进行水热反应、酸交换、NH3气氛中高温热处理,得到TiN纳米线阵列;然后将上述TiN纳米线阵列在TiF4或TiCl4水溶液中反应,最终得到TiN/TiO2核壳纳米线阵列。所得到的TiN/TiO2核壳纳米线阵列可提高TiO2电极整体的电导率和电化学活性,核壳结构的纳米线阵列作为锂离子电池负极时,还可大幅减小TiO2脱嵌锂时电子和锂离子所需的传输距离,进而提高其电化学性能。可用于锂离子电池和光催化等领域。
【IPC分类】H01M4/36, H01M10/0525, B82Y30/00, B82Y40/00
【公开号】CN105355883
【申请号】CN201510796858
【发明人】文伟, 白俊强, 吴进明
【申请人】海南大学
【公开日】2016年2月24日
【申请日】2015年11月18日
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