掩膜版、掩膜版的版图设计方法和缺陷修复方法

专利名称：掩膜版、掩膜版的版图设计方法和缺陷修复方法
技术领域：
本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种掩膜版、掩膜版的版图 _没计方法和缺陷4f复方法。
背景技术：
在半导体制造过程中，光刻工艺处于中心的地位，是集成电路生产中最 重要的工艺步骤。半导体芯片的制作通常分为多层，且每一层的制作都需要 进行图形限定，以形成特定结构，如，形成接触孔或金属连线等。这些特定 结构的图形限定通常是由光刻工艺实现，而光刻是一个利用光刻掩膜版将设 计的结构图形转移到晶片上的工艺过程。
在芯片制造前，先根据芯片上每一层的器件、金属线、连接等的布局， 设计制作一个或多个光刻掩膜版，然后，再利用光刻工艺将该光刻掩膜版上
的图形转移到晶片上。其中，如何将设计的图案准确地反映于光刻掩膜版上， 再转移至半导体晶片上，是半导体制作中关注的重点问题之一。
光刻掩膜版(mask)，也称为掩模版或者光罩，是一种对于曝光光线具 有透光性的平板，其上具有对于曝光光线具有遮光性的至少一个几何图形， 可实现有选择地遮挡照射到晶片表面光刻胶上的光，并最终在晶片表面的光 刻胶上形成相应的图案。掩膜版的质量会直接影响所形成的光刻胶图案的质 量，其上的缺陷或污染物可能引起在整个晶片上形成的每一个半导体器件内 重复的缺陷。如，当掩膜版上存在某种缺陷，使得本应透光的区域因存在一 污染点而不透光时，晶片上对应位置本应曝光的区域就无法曝光，结果会导 致光刻后得到的晶片上的光刻胶图案与预先设计的不相符，可能在后续处理 中所形成的半导体器件中引起开路或短路，导致产品的性能和成品率下降， 因此，对掩膜版的质量往往会提出很高的要求，理想情况下，希望得到无缺 陷的掩膜版。
掩膜版的生产和集成电路的生产类似，主要也是通过光刻工艺进行。为 确保掩膜版的质量，通常在掩膜版制成后要利用检测工具对其进行检测。图 形检测有两个关键步骤， 一是图像获取，要求获得图形本身的图像。第二步 是缺陷检测，即在获得图形图像后，将检查是否有任何异常。具体检测方法
为利用掩膜版上相同图案按一定周期排列的规律，应用影像设备和相关软 件对具有相同图形的两个周期进行比较，若比较结果为二者图案不相同，则 表明至少有一个周期内的图案存在缺陷，需要对其进行修复。通常的修复是 通过将正常的图案叠对到有缺陷处，对其进行比较，去除缺陷处的多余部分、 添补缺陷处的缺口部分的方法来实现。图1A和1B为现有掩膜版的缺陷比较示 意图，图1A所示为正常的图形周期100,其上有各种几何图形，方形的101、 矩形的102a和102b;图1B为出现异常的图形周期100-1，在对二者进行比较后， 判断得出在100-1周期内的图形101-1出现了异常，正常情况下该图形应位于 IOI图形所在的位置处，距两边图形的距离分别为103a和103b，但在制版过程 中图形101-l在X轴上向左偏移了 一定距离，其距左边图形102a的距离变为了 103a-l，距右边图形102b的距离变为了103b-l，需在对其进行缺陷修复。此步 修复可通过将图1A中的正常周期100内对应的图形101复制至图1B的异常周期 IOO-I的对应位置处，将缺陷图形101-1叠对，再将图形101-1中多余的部分去 除，将缺少的部分补足，达到修复缺陷的目的。但在进行该步叠对修复前， 重要的是要能够确定正常图形101复制到周期100-1中的位置所在，一般可以利 用该缺陷图形周围可见的图形边缘为其参考位置，对缺陷进行定位修复，如 图lB中的102a和102b。但是，由于在缺陷检测过程中，通常只能在20nm的范 围内进行缺陷比较和定位，如果缺陷所在图形沿X轴、Y轴的20ixm范围内没有 其他图形存在，则无法对缺陷进行定位修复。如图1B中所示，在将正常图形 101复制到异常周期100-1内时，需要确定其正确的复制位置，本图中图形101-1 的偏离仅在X轴上，则此时该缺陷是否能修复，关键就在于图1A中所示的图 形位于正确位置时其距离相邻图形的距离103a和103b是否大于20pm。假设 103a或103b小于20nm,则可以利用旁边的图形102a或102b的边缘对图形101-l 的修复进行X轴方向的定位，但如果103a和103b都超过20nm，则该图形的偏 离缺陷就会因在检测范围内没有其他参考图形，无法确定其修复位置而不能 坤皮修复，该掩膜版只能按报废处理。此外，如果需要修复的图形的周围虽然 存在图形，但该图形为多个周期性重复的图形，则也会因无法确定是以重复 图形中的哪一个为参照而无法进行定位修复。
申请号为200510117519.9的中国专利申请公开了一种修正掩膜中缺陷的 方法，详细介绍了在确定原始掩膜版上的缺陷后，先在各缺陷周围进行遮挡，
使得曝光期间该缺陷周围的区域不会被印刷，再利用修复掩膜对缺陷所在区 域进行修复的过程。该方法可以避免将掩膜版中的缺陷复制(转移)到晶片 中，但该方法没有涉及如何对掩膜上的缺陷进行定位，以进行掩膜修复的问 题，因此也不能解决上面提出的在掩膜版修复时，因具有缺陷的图形为孤立 图形，即周围没有其他可用于参考定位的图形(包括没有其他图形和只有周 期性重复图形两种情况)，而导致的掩膜版无法修复，只能报废的问题。

发明内容
本发明提供一种掩膜版，该掩膜版采用了新的版图设计方法，在掩膜版 孤立图形的检测范围内设置了附加图形，以解决现有的掩膜版在孤立图形处 出现缺陷时，会因无法定位该缺陷而不能进行修复的问题。
本发明提供的一种掩膜版，包括对于曝光光线具有透光性的平板，所述 平板上形成了对于曝光光线具有遮光性的可印刷的几何图形，所述几何图形
中包括至少一个^ 瓜立图形，所述孤立图形在沿X轴和/或Y轴方向上，在缺陷 检测范围内，没有其他几何图形或者只有周期性重复排列的几何图形，其特 征在于在所述孤立图形的缺陷检测范围内具有不会被印刷的附加图形。
其中，所述不会被印刷的附加图形是衍射条或辅助孔，且所述附加图形 分别沿X轴和Y轴方向延伸。
其中，所述周期性重复排列包括在X轴和/或Y轴方向上的周期性重复排列。
其中，所述缺陷检测范围为20pm。
本发明具有相同或相应技术特征的另一种掩膜版的版图设计方法，包括 步骤
掩膜版的版图设计方法，包括步骤
将几何图形设置于掩膜版的版图上，且所述几何图形中包括至少 一个孤 立图形，所述孤立图形在沿X轴和/或Y轴方向上，在缺陷检测范围内，没有 其他几何图形或者只有周期性重复排列的几何图形；
在所述孤立图形的缺陷检测范围内设置不会被印刷的附加图形。
其中，所述不会被印刷的附加图形是衍射条或辅助孔，且所述附加图形 分别沿X轴和Y轴方向延伸。
其中，所述周期性重复排列包括在X轴和/或Y轴方向上的周期性重复排列。
其中，所述缺陷检测范围为20nm。 应用本发明的掩膜版的缺陷修复方法，包括步骤 检测掩膜版上的缺陷；
当所述缺陷位于所述孤立图形处时，由在所述孤立图形的缺陷检测范围 内设置的不会被印刷的附加图形确定所述缺陷的修复位置。 其中，所述检测掩膜版上的缺陷，包括步骤 获取掩膜版上至少两个以上的周期图形； 比较得到所述两个以上的周期图形间的差异； 根据所述差异确定所述掩膜版上的缺陷。 与现有技术相比，本发明具有以下优点
本发明的掩膜版，在孤立图形的检测范围内加入了附加图形，确保掩膜 版上的各个位置的缺陷都可以由附近本身具有的图形或所加入的附加图形而 确定位置，解决了现有技术中因无法对孤立图形处出现的缺陷进行定位修复， 而导致的整个掩膜版^t艮废的问题。本发明的掩膜版中加入的附加图形为不可 印刷的衍射条或辅助孔，也就是说在使用本发明的掩膜版的过程中，该附加 图形不会被转移到晶片上，对器件的制作没有影响。
本发明掩膜版的版图设计方法，增加了在版图上的孤立图形附近加入附 加图形的步骤，该步骤可以利用版图设计软件方便地实现，操作简单，对设 计周期影响不大。
本发明的掩膜版在进行缺陷修复时，可以对该掩膜版上的各个位置的缺 陷，包括孤立图形处的缺陷，进行准确的定位修复，确保了掩膜版的修复质 量，降低了掩膜版报废的风险。


图1A和1B为现有掩膜版的缺陷比较示意图； 图2A和2B为本发明掩膜版的第 一 实施例的缺陷比较示意图； 图3A和3B为本发明掩膜版的第二实施例的缺陷比较示意图； 图4A和4B为本发明掩膜版的第三实施例的缺陷比较示意图； 图5A和5B为本发明掩膜版的第四实施例的缺陷比较示意图； 图6A和6B为本发明掩膜版的第五实施例的缺陷比较示意图。
具体实施例方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图 对本发明的具体实施方式
做详细的说明。
本发明的处理方法可被广泛地应用到许多应用中，并且可利用许多适当 的材料制作，下面是通过较佳的实施例来加以说明，当然本发明并不局限于 该具体实施例，本领域内的普通技术人员所熟知的一般的替换无疑地涵盖在 本发明的保护范围内。
为了使掩膜版上的每一个缺陷都可以被修复，就要实现在掩膜版上的任 何位置出现的缺陷都可以被准确定位。现有的掩膜版中具有在半导体制作过 程中需要转移到晶片表面的几何图形，该几何图形是由每一层的器件、金属
线、连接等的布局确定的，其中经常会出现孤立的图形，即在X轴或Y轴方 向上超过一个检测范围内没有其他图形或者只有周期性重复图形的图形。然 而，在对制成的掩膜版进行缺陷检测时，如果在这些孤立图形处出现了缺陷， 虽然重新复制该图形的正常形貌很容易，但因检测软件的界面通常只有20pm 的范围，在将该图形的正常形貌复制到缺陷所在处时，会因在检测范围内没 有可用的参考定位图形而无法确定其放置位置，也就无法对该处缺陷进行修 复，结果导致掩膜版报废，只能重新制作，延长了掩膜版的生产周期，增加 了掩膜版的制作成本。
尤其是随着集成电路芯片的特征线宽(CD)越来越小，目前光刻已经进入 了亚波长时代(即特征线宽小于曝光波长)，为了在现有的光刻设备上达到如 此低的特征线宽，制作掩膜版时可能会釆用大量的分辨率增强技术(RET)，如 离轴照明技术(OAI)、光学临近效应修正技术(OPC)、相移掩模技术(PSM)和空 间滤波技术等，这些都会进一步增加掩膜版的成本，使得掩膜版的成本在整 个生产成本中的比重进一步增大。因此，降低掩膜版的报废风险的要求更为 强烈，希望所有的掩膜版上的缺陷都可以被修复，不要因报废而导致生产成 本进一步上升。
本发明的掩膜版，为了防止因版上缺陷无法修复而导致的报废问题，对 掩膜版进行了新的版图设计，形成了新的掩膜版。本发明的掩膜版，仍是由 对于曝光光线具有透光性的平板组成，且该平板上形成了对于曝光光线具有 遮光性的可印刷的几何图形，在半导体制作时，该几何图形可以利用光刻工
艺转移到晶片上。该几何图形中包括至少一个孤立图形，所述孤立图形在沿x
轴和/或Y轴方向上，在缺陷检测范围内，没有其他几何图形或者只有周期性 重复的几何图形，本发明的掩膜版在这些孤立图形的缺陷检测范围内设置了 不会被印刷的附加图形，以确保在对掩膜版进行检测时，在X轴和Y轴方向 上的检测范围内，掩膜版上任一孤立图形周围都具有其他几何图形或专门加 入的附加图形，以便实现任何位置的缺陷可定位修复。
图2A和2B为本发明掩膜版的第一实施例的缺陷比较示意图，如图2A 所示，本发明的掩膜版200在其上的孤立图形101的检测范围内增加了一附 加图形，该附加图形可分为两部分--201a和201b，它们分别沿X轴方向和 Y轴方向延伸，在进行孤立图形的缺陷修复时，可分别用于Y轴和X轴方向 上的定位。图2B为当本发明掩膜版上的孤立图形出现缺陷时的示意图，如图 2B所示，在该异常周期200-l内，原正常的孤立图形101在X轴上向左偏移 了一定距离，如果没有在掩膜版上加入附加图形201a和201b,就会因正常孤 立图形101的左、右边缘到最近的图形102a和102b的距离均大于20pm，已 超出了检测时的可视范围，而无法对其进行定位修复。而本发明的掩膜版， 在该孤立图形101的检测范围内加入了附加图形，其边缘到孤立图形边缘的 距离小于20iam，此时，在对出现异常的周期200-1进行修复时，就可以根据 正常图形与附加图形--201a和201b间的位置关系，定义出该正常的孤立图 形在200-1中的位置，也就可以实现对异常周期200-1的修复。由于附加图形 分别指向了 X和Y两个方向，因此，其不仅仅在孤立图形发生X轴方向偏离 时可以》爹复，在发生Y轴方向偏离或两轴方向同时偏离时也可以实现定位并 修复。
此外，为了防止该附加图形影响器件制造的正常进行，本发明的掩膜版 加入的附加图形采用了衍射条或辅助孔等图形，这些散射条或辅助孔的宽度 比光刻机的分辨率还小，其图形不会被转移到晶片上，也就不会影响到正常 的器件制作。
注意因不同工艺条件下所用的光刻机的分辨率不同，在制作掩膜版时所 加入的附加图形的尺寸也要有相应的变化。如在0.13pm工艺中对多晶硅层进 行图形限定时所用的掩膜版，其上加入的附加图形的宽度要小于180nm;而 对于O.llpm工艺中对DRAM的金属层进行图形限定时所用的掩膜版，其上
加入的附加图形的宽度要小于150nm。
本发明掩膜版的第 一 实施例是对掩膜版上由 一个图形组成的孤立图形进 行定位修复，此外，还可以对由多个图形组成的孤立图形进行定位修复，本 发明的第二实施例对此进行了介绍。
图3A和3B为本发明掩膜版的第二实施例的缺陷比较示意图，如图3A 所示，本发明的掩膜版的周期300上存在由两个图形组成的孤立图形301和 302，这两个图形虽然间距较近，但由这两个图形组成的这一孤立图形的检测 范围内再没有其他图形，因而本实施例中，在该组孤立图形的检测范围内也 增加了一附加图形，该附加图形同样分为两部分--201a和201b，它们分别 沿X轴和Y轴方向延伸。图3B为当本发明掩膜版上的这类孤立图形出现缺 陷时的示意图，如图3B所示，该异常周期300-1中的正常的l^立图形301和 302偏移了一定距离，如果没有在掩膜版上加入附加图形201a和201b,则会 因正常孤立图形周围没有距离小于20pm的图形而无法对该异常图形301和 302进行修复。而本发明的掩膜版，在该孤立图形的检测范围内加入了附加图 形，其边缘到孤立图形边缘的距离小于检测范围20nm,此时，可以对出现异 常的周期300-1进行修复，就可以根据正常图形与附加图形--201a和201b 间的位置关系，定义出该正常的孤立图形在300-1中的位置，也就可以实现对 异常周期300-1中的异常孤立图形301-1和302-1的修复。由于附加图形分别 指向了X和Y两个方向，因此，其不仅仅在孤立图形发生X轴方向偏离时可 以修复，在发生Y轴方向偏离或两轴方向同时偏离时也可以实现定位并修复。
此外，本发明的掩膜版除了能对因位置偏离而引起的缺陷进行修复外， 对于图中302-1中所示的图形形状出现缺陷的问题也可以借助加入的附加图 形而实现定位修复。
同样，本发明的掩膜版上加入的附加图形采用的是衍射条或辅助孔等图 形，因其尺寸比光刻机的分辨率还小，其图形不会被转移到晶片上，也就不 会影响到正常的器件制作。不过，对于在某些本身就不会影响到器件结构的 位置加入的附加图形，如切割线上加入的附加图形，也可以不受这一尺寸限 制，加入较大的图形，但因其使用位置受到了限制，通用性差。
除上述实施例中所述的形状外，附加图形还可以是"一| "、 "l一，，等其 他组合形状，或者是"■"形状的辅助孔，只要其可以同时作为X轴和Y轴
方向的参考图形即可。
本发明的上述实施例中加入的附加图形可以在X轴和Y轴两个方向作为 参考，在本发明的其他实施例中，如果存在的孤立图形只是在X轴或Y轴中 的一个方向上没有参照物，也可以加入只在X轴或Y轴一个方向上有指示的 附加图形。本发明的第三实施例就是加入只在一个方向上作为参照物的附加 图形的情况。图4A和4B为本发明掩膜版的第三实施例的缺陷比较示意图， 如图4A所示，该掩膜版正常周期400上的图形401在X轴方向上左右各有 两个距离小于20pm的图形402a和402b,因此当其在X轴方向上发生偏离时， 可以直接以该402a和402b图形边缘为X轴方向的参照物，实现缺陷的定位 修复，但是当其在Y轴方向上出现缺陷时，则因其Y轴上没有参照物而无法 实现定位修复。如图4B所示，图形401-1在出现X轴偏离的同时，其在Y 轴方向上也出现了缺陷--缺角情况，此时，虽然在X轴方向上的偏离可以 由402a和402b作为参照物而定位，但是其在Y轴上的定位则出现了困难， 在Y轴的检测范围内没有其他图形可以作为参照物。因此，本发明在该孤立 图形401的检测范围加入了一可以作为Y轴方向参照物的附加图形410，这 样，在发生图4B中所示的X轴方向的缺陷时，可以利用其附近的图形402a 和402b对其进行定位修复，当发生图4B中所示的Y轴方向的缺陷时，就可 以利用该附加图形对其进行定位修复。
以上三个实施例中列举的孤立图形是周围没有其他图形的情况，本发明 的第四实施例介绍的孤立图形是周围只有周期性重复图形的情况，图5A和 5B为本发明掩膜版的第四实施例的缺陷比较示意图，如图5A所示，虽然该 掩膜版正常周期500上的图形501在X轴和Y轴方向上左右各有多个距离小 于20pm的4企测范围的重复图形502a-h和502A-H,但是，由于图形501周围 的多个图形均为周期性排列的重复图形，在501图形出现缺陷需进行修复时， 还是会因无法分辨哪一个图形应是距其最近的参考图形，而无法对其进行定 位修复。如图5B所示，500-1为对应的异常周期，其中的孤立图形501-1偏 离了正常位置，应当对其进行定位修复，但是其周围的所有图形502a-f和 502A-F均为周期性排列的重复图形，在修复时，无法辨认应将正常的图形叠 对于502a-h或502A-F中的哪些图形的中间，因此，也无法实现对异常图形 501-1进行定位修复。为此采用了本发明的方法，在该类孤立图形501的附近
加入了附加图形201a和201b，这样，就可以在该类孤立图形产生缺陷时，以 其附近的附加图形201a和201b作为X轴和Y轴方向上的定位参考，实现定 位修复，避免了掩膜版因此类缺陷而报废。
同样地，为了防止该附加图形影响器件制造的正常进行，本发明的掩膜 版加入的附加图形采用了衍射条或辅助孔等图形。
本实施例中的孤立图形是以位于周期性重复图形中的单个图形为例进行 说明，在本发明的其他实施例中，该孤立图形还可以是由位于周期性重复图 形中的多个图形组成的图形，同样在其附近加入用作定位参考的附加图形即 可。此外，本实施例中的周期性重复图形是在X轴和Y轴两个方向上排列的， 在本发明的其他实施例中，该周期性重复图形也可以是只在X轴或只在Y轴 方向上重复排列的图形，此时可以只加入在X轴或Y轴一个方向上有指示的 附加图形，本发明的第五实施例对此类情况进行了介绍。
图6A和6B为本发明掩膜版的第五实施例的缺陷比较示意图，如图6A 所示，正常周期600中的孤立图形601在X轴方向上左右分别周期性地排列 了多个重复图形602a-f和602A-F,图6B为异常周期600-1 ，其中的3瓜立图形 601-1发生了偏离，为对其进行修复，在X轴方向上可以利用602a-f和602A-F 的图形边缘进行定位，但在Y轴方向上，因为无法分辨应用哪一个作为参考 图形，而无法对其进行定位修复，为此，本实施例中，在该孤立图形附近加 入了一附加图形610，作为其在Y轴方向上的定位参考图形，以确保在X轴 和Y轴两个方向上同时实现对孤立图形的定位修复参考。
本发明的上述实施例针对检测掩膜版时的范围为20|xm的情况，在孤立图 形的20nm范围内加入了附加图形；在本发明的其他实施例中，如果检测范围 更小或更大，如检测范围为10nm、 25lim等，则只要针对该更小或更大的检 测范围内的孤立图形加入附加图形即可。
本发明掩膜版采用了新的版图设计方法，在设计时，先将制作晶片时需 要转移到晶片上的至少一个几何图形设置于掩膜版的版图上，然后，再在版 图几何图形中的孤立图形的检测范围内设置不会被印刷的附加图形，通常是 衍射条或辅助孔，其可以作为孤立图形在X轴或Y轴上的参照物，在对孤立 图形上的缺陷进行修复时用于定位正常的孤立图形。通常该附加图形具有X 轴和Y轴两个方向的指向，虽然在只需要将其作为一个方向上的参照物使用
时，其也可以只有一个方向上的指向。但为了方便设计制作，通常仍将其统
一制作为具有X和Y两个方向指向的图形，其形状可以如上述第一、第二、 第三实施例中所示，也可以是"一|"、 "|—"等形状，或者是"■"形状的辅 助孔，只要其可以同时作为X轴和Y轴方向的参考即可。版图设计时，只要 在孤立图形，即在沿X轴和/或Y轴方向上的检测范围内没有其他图形或者只 有周期性重复图形的图形，的附近(检测范围内)设置该附加图形即可。
同时，为了防止该附加图形影响器件制造的正常进行，加入的附加图形 最好采用宽度要比光刻机的分辨率小的衍射条或辅助孔等图形，该类图形不 会被转移到晶片上，也就不会影响到正常的器件制作。衍射条或辅助孔图形 用光学衍射修正软件很容易实现，并且因其不会影响到器件的生产，在设计 时只需用光学衍射修正软件对原版图设计进行修正即可，操作起来方便，具 有简单易行的特点。
在设置附加图形时，还需注意随着不同工艺条件下所用的光刻机的分辨 率不同，制作掩膜版时所加入的附加图形的尺寸也要有相应的变化。如在 0.13pm工艺中对多晶硅层进行图形限定时所用的掩膜版，其上加入的附加图 形的宽度要小于180nm;而对于O.llpm工艺中对DRAM的金属层进行图形 限定时所用的掩膜版，其上加入的附加图形的宽度要小于150nm。
对本发明的掩膜版进行缺陷修复的方法，首先需检测是否存在缺陷，检 测缺陷时，先要利用影像仪器获取掩膜版上至少两个以上的周期图形；再利 用检测软件比较得到所述两个以上的周期和图形间的差异；并可以由该差异 确定该掩膜版上某一周期图形内可能存在的缺陷。当该缺陷未在孤立图形处 时，可直接以其检测范围的图形为参照物对缺陷进行定位修复，但当所述缺 陷位于孤立图形处时，由于本发明的掩膜版已在各孤立图形的检测范围加入 了附加图形，故而可根据该孤立图形在检测范围内设置的不会被印刷的附加 图形确定缺陷的修复位置，并最终实现对掩膜版上任何位置的缺陷的定位修 复。具体的修复方法可以是化学辅助激光去除、激光诱导沖击波去除或粒子 束辅助修理等方法，这是本领域的普通技术人员所熟知的技术，在此不再赘 述。
注意，其中所述孤立图形是指在X轴和/或Y轴方向上的检测范围内没有 其他图形或者只有周期性重复图形的图形。此外，在孤立图形的检测范围内 加入的不会#>印刷的附加图形是具有X轴和Y轴两个方向的衍射条或辅助 孔，其宽度均比光刻机的分辨率小，光刻时不会被转移到晶片上。
本发明虽然以较佳实施例公开如上，但其并不是用来限定本发明，任何本 领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，都可以做出可能的变动和修 改，因此本发明的保护范围应当以本发明权利要求所界定的范围为准。
权利要求
1、一种掩膜版，包括对于曝光光线具有透光性的平板，所述平板上形成了对于曝光光线具有遮光性的可印刷的几何图形，所述几何图形中包括至少一个孤立图形，所述孤立图形在沿X轴和/或Y轴方向上，在缺陷检测范围内，没有其他几何图形或者只有周期性重复排列的几何图形，其特征在于在所述孤立图形的缺陷检测范围内具有不会被印刷的附加图形。
2、 如权利要求1所述的掩膜版，其特征在于所述不会被印刷的附加图 形是衍射条或辅助孔。
3、 如权利要求1所述的掩膜版，其特征在于所述附加图形分别沿X轴 和Y轴方向延伸。
4、 如权利要求1所述的掩膜版，其特征在于所述周期性重复排列包括 在X轴和/或Y轴方向上的周期性重复排列。
5、 如权利要求1所述的掩膜版，其特征在于所述缺陷检测范围为20nm。
6、 一种掩膜版的版图设计方法，包括步骤将几何图形设置于掩膜版的版图上，且所述几何图形中包括至少 一个孤 立图形，所述孤立图形在沿X轴和/或Y轴方向上，在缺陷检测范围内，没有 其他几何图形或者只有周期性重复排列的几何图形；在所述孤立图形的缺陷检测范围内设置不会被印刷的附加图形。
7、 如权利要求6所述的版图设计方法，其特征在于所述不会被印刷的 附加图形是衍射条或辅助孔。
8、 如权利要求6所述的版图设计方法，其特征在于所述附加图形分别 沿X轴和Y轴方向延伸。
9、 如权利要求6所述的掩膜版，其特征在于所述周期性重复排列包括 在X轴和/或Y轴方向上的周期性重复排列。
10、 如权利要求6所述的掩膜版，其特征在于所述缺陷检测范围为20pm。
11、 如权利要求1所述的掩膜版的缺陷修复方法，包括步骤 检测掩膜版上的缺陷；当所述缺陷位于所述孤立图形处时，由在所述孤立图形的缺陷检测范围 内设置的不会被印刷的附加图形确定所述缺陷的修复位置。
12、 如权利要求11所述的缺陷修复方法，其特征在于，所述检测掩膜版 上的缺陷，包括步骤 获取掩膜版上至少两个以上的周期图形；比较得到所述两个以上的周期图形间的差异; 根据所述差异确定所述掩膜版上的缺陷。
全文摘要
本发明公开了一种掩膜版，包括对于曝光光线具有透光性的平板，所述平板上形成了对于曝光光线具有遮光性的可印刷的几何图形，所述几何图形中包括至少一个孤立图形，所述孤立图形在沿X轴和/或Y轴方向上，在缺陷检测范围内，没有其他几何图形或者只有周期性重复的几何图形，本发明的掩膜版采用了新的版图设计方法，在所述几何图形中的孤立图形的检测范围内设置了不会被印刷的附加图形，以确保在对该掩膜版进行缺陷修复时，其上各个位置的缺陷均能被定位并修复。采用本发明的掩膜版，可以降低制作掩膜版时的掩膜版报废及延迟交货风险。
文档编号G03F7/14GK101192007SQ20061011881
公开日2008年6月4日 申请日期2006年11月28日 优先权日2006年11月28日
发明者卢子轩 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司