纳米压印光刻中精密表面改性方法和设备的制作方法

专利名称：纳米压印光刻中精密表面改性方法和设备的制作方法
技术领域：
本发明涉及基板领域，例如，盘，微制造，并且更具体的是涉及基板图案化，例如， 用于硬盘驱动器的硬盘的磁性层。
背景技术：
基板的微制造是一种熟悉的技术，该技术应用于半导体制造、平板显示器、发光二 极管(LED)用于硬盘驱动器盘(HDD)的硬盘等等。众所周知，半导体、发光二极管以及平板 显示器的制造涉及各种使基板图案化的步骤。另一方面，通常被称为纵向记录技术的传统 硬盘制造并不涉及图案化。同理，用于垂直记录技术的盘的制造也不涉及图案化。多个均 勻层沉积并且存储单元通过由记录头产生的感应磁通量的交变来限定，每一个记录比特在 非图案化磁层内获得多个晶格(grain)。现已证实非图案化盘将无法满足市场的需求(例如比特密度及成本)，因而与其 他形式的存储设备相比无法保持其竞争力。因此，建议下一代盘应当被图案化。预计图案 化处理将应用光刻学原理，虽然目前还不确定哪一种光刻技术可以被商业化，而且也没有 一种用于商业制造图案化媒介的商业系统。光刻技术的竞争技术主要包括干涉光刻、近场 干涉和纳米压印光刻(NIL)。无论使用哪一种光刻技术，一旦光刻胶暴露并显影，盘必须按 照所需图案进行蚀刻和制造。然而，迄今为止，许多工作都集中在图案化步骤上，却没有提 出一种在商业化可行环境中制造图案化盘的技术。可以确定的是，人们已经熟悉蚀刻、溅射以及其他一些制造技术，并且这些技术已 深入半导体制造、平板显示器、发光二极管(LED型)，等等，然而，还没有提出一种可综合这 些技术以制造用于HDD的盘的系统。此外，与HDD盘不同，其他所有的应用产品只需蚀刻基 板的一面一这就允许在制造的过程中卡盘从背面卡住基板。另一方面，HDD盘需要双面制 造，不允许使用卡盘。实际上，在HDD盘的制造过程中，生产系统的任何部分都不接触盘表 面。同样，当HDD制造商希望制造系统的生产量达到1000张每小时的数量级时，半导体制 造系统的生产量仅为每小时几十张基板。综上所述，需要提出一种制造硬盘的方法和系统以便为HDD提供图案化媒介。

发明内容
本发明包括下列发明简介，以提供对本发明某些方面及某些特征的一种基本理 解。本发明简介并不是本发明的一个综述，并且本发明本身没有旨在具体限定本发明的关键元件或重要元件，也不划定发明范围。本发明的唯一目是以简要介绍本发明的一些概念 为开端，做以下详细说明。根据本发明的一个方面，提供纳米压印光刻涂底设备，所述设备包括双反应物化 学气相沉积反应器腔室；被构造成在硬盘的内径处保持多个硬盘的芯轴；以及将所述多个 硬盘移动到所述腔室中的传输机构。所述芯轴可在腔室的外面部移动以加载所述硬盘，并可在所述腔室内部移动以进 行处理。所述腔室被构造成在第一压力状态和第二压力状态运行。所述系统可被构造成进 一步以两个以上的压力状态依次运行。所述第一压力状态可以是低真空稳流反应，并且其中所述第二压力状态是高真空 密封系统反应。所述设备可进一步包括与所述腔室相连的泵以及用于在反应物/产物到达与泵 相连的泵送歧管之前将其移除的分子筛过滤器。所述芯轴可构造成从一个盒体转移所述多个盘。所述设备可进一步包括被构造成 从一个以上的盒体转移所述多个盘的芯轴。所述设备可以进一步包括多个线性排列的腔室，并且所述腔室被构造成用于并行 处理多个芯轴上的多个硬盘。所述设备可以进一步包括多个芯轴，所述芯轴用于将多个硬盘同时传输至所述腔 室内以便在所述腔室内同时处理所述多个硬盘。所述传输机构可以包括线性转移所述芯轴的线性驱动器；用于线性转移所述盒体 或多个盒体的盒体传送器；用于将所述盒体或多个盒体从所述盒体传送器升至装载水平面 的升降器，所述装载水平面允许所述芯轴与所述多个盘配合。根据本发明的另一个方面，提供一种硬盘制造系统，包括外壳；位于外壳内的腔 室；用于将包含有多个硬盘的盒体转移至所述外壳内并在外壳内转移的传输系统；以及用 于将所述多个硬盘从所述盒体或多个盒体转移至所述腔室的芯轴。所述硬盘制造系统也可以包括位于外壳内的第二腔室，并且所述传输系统可以进 一步被构造成用于将所述盒体从所述腔室转移至所述第二腔室。所述传输机构可包括线性转移所述芯轴的线性驱动器；用于线性转移所述盒体或 多个盒体的盒体传送器；以及用于将所述盒体或多个盒体从所述盒体传送器升至装载水平 面的升降器，所述装载水平面允许所述芯轴与所述多个盘配合。所述腔室可包括真空泵，所述真空泵用于在所述腔室内建立第一压力状态和第二 压力状态。所述腔室还可被构造成在腔室内建立多个压力状态。所述硬盘制造系统也可以包括多个芯轴，至少两个所述芯轴在所述腔室内同时被处理。所述硬盘制造系统也可以包括多个腔室，所述芯轴可在所述多个腔室的每个之间 转移。所述多个腔室中至少有一个腔室可包括第一反应物气相沉积腔室，并且所述多个 腔室中至少有一个腔室可以包括第二反应物气相沉积腔室。根据本发明的一个进一步的方面，提供一种方法，所述方法包括运输一个盒体或多个盒体内的多个硬盘；将所述多个硬盘从所述盒体或多个盒体转移至芯轴。以及将带有 所述多个硬盘的芯轴转移至处理腔室内。所述芯轴被构造成在所述硬盘的内径处保持所述多个硬盘。所述方法也可以包括在所述多个硬盘上沉积第一反应物；并且在所述多个硬盘上 沉积第二反应物。所述方法也可以包括以第一压力状态运行所述处理腔室，以便在沉积所述第一和 第二反应物前清洗所述多个硬盘；并且在沉积所述第一和第二反应物期间以第压二状态运 行所述处理腔室。


结合于说明书且构成说明书的一部分的附图连同说明书共同阐释了本发明的实 施例，用于解释本发明的原理。所述附图采用示意性的方式旨在说明所述示例型实施例的 主要特点。所述附图并没有旨在描绘实际实施例的每一个特点，也不在于描绘所述元件的 相对尺寸，并且也不是按比例绘制的。图1是根据本发明实施例的制造HDD图案化媒介盘的完整过程的流程图。图2A-2F示出了根据本发明实施例的纳米光刻涂底(priming)模块的模块；图3A-B示出了根据本发明实施例的带有外壳的多个模块；图4A-4D是根据本发明实施例的透视图，示出了将盘从盒体传输至处理腔室；图5示出了根据本发明的实施例的具有多个腔室的系统；图6A-6D示出了根据本发明实施例将盘转移至腔室的过程；图7A-7C是根据本发明实施例在纳米光刻涂底系统内芯轴移动的透视图。图8是根据本发明实施例纳米光刻涂底系统的透视图，示出了用于处理盘的各单 独的处理腔室。图9是根据本发明实施例纳米光刻涂底系统的透视图，示出了纳米光刻系统的存 储系统；图10A-10C示出了根据本发明实施例将盘转移至腔室的过程。并且图11示出了根据本发明实施例用于制造HDD图案化媒介盘的系统。图12A-12C示出了根据本发明实施例将盘转移至腔室的过程。
具体实施例方式根据本发明的实施例，提供一种用于制造图案化媒介盘的系统和方法。图1示出 了制造HDD图案化媒介盘的完整流程图，通常分为4个模块(由浅虚线框标出)。在图1中， 实线框示出了传统的连续媒介制造设备的应用，虚线框示出了光刻设备的应用，例如，纳米 压印光刻(即纳米光刻)，并且双线框示出了图案化媒介制造设备的应用。在模块10中， 以在清洗装置12中清洗所述盘来启动制造过程。然后，盘移至传统处理系统14，例如，用 于制造非图案化磁性层的200Lean 中。然后，盘移至光刻模块16以压印图案。光刻模块 16进行纳米光刻。通常，在光刻模块中盘被涂上光刻胶，所述光刻胶曝光给所需图案(通过 辐射或与底版物理接触，即，压印)，然后曝光过的抗蚀剂被显影或在紫外线(UV)照射下固 化。一旦光刻处理过程完成，盘将移至图案化系统18。，所述处理步骤可包括除杂(de-scum)、抗 蚀剂修整(resist trim)、硬质掩膜沉积和蚀刻、抗蚀剂剥离、金属蚀刻、平坦化(其中可能 包括碳或金属或氧化物再充填或回蚀刻)。这些过程在多个腔室内进行，每一个腔室都具有 独立的真空环境；然而，一旦盘进入系统18，将一直处于真空环境，直到处理完成。一旦图 案化系统18内的处理步骤完成，所述盘将移至模块20和22，所述模块20与22与本发明的 内容无关。纳米压印处理过程中的一个关键步骤是沉积“粘性”层或底层(primerlayer)。该 关键步骤包括第一前体的汽化，以及所述第一前体与第二前体例如水蒸气的反应，以便通 过“自限”反应形成一单层材料。申请人已发明一种纳米压印设备以促进以高真空和高生 产量在盘上进行这些前体的这种反应。本文描述的纳米压印涂底设备的一些优势特征包括，例如，盘批量运输、盘批量转 移、以及批量气相沉积。纳米压印涂底设备的其他优势特征包括，例如，腔室内的低真空稳 流反应以及高真空密封系统反应、对密封腔室的精确流体注入以及蒸气输送、用于防冷凝 的热传输管线和腔室、用于将反应产物从腔室内移除的屏蔽腔、以及在反应物或产物到达 泵送歧管前将其移除的分子筛过滤器。这些以及其他一些特征将参考图2A-8在此进一步 详细说明。图2A-2F示出了纳米压印涂底设备200的内部，并且图3A-3B示出了纳米压印涂 底设备200的外部。图3A-3B也示出了在系统内多个纳米涂底设备200彼此紧邻以并行处
理多批量盘。如图2A-2F所示，所述纳米压印涂底设备200包括支架件204、盒体传送器208、盘 升降器210、门/芯轴线性驱动器212、处理腔室216、真空泵220、输送管224、蒸气控制器 228、气体仪表板232、动力分配单元(PDU) 236、控制器240、臭氧发生器244以及输入输出 (IO)模块/电机驱动器248。如图3A-3B所示，纳米压印涂底设备200也可以包括外壳300 以及可选H印a过滤器304，所述过滤器304与所述纳米压印设备200 (图2A)内的HEPA环 境252连通。应该意识到，纳米压印涂底设备200的元件的布置可与在图2A-2F示出的不 同。此外，纳米光刻涂底设备200可以包括其他元件或更少的元件。往回参考图2A-2F，所述支架件204提供框架，所述盒体传送器208、盘升降器210、 门/芯轴线性驱动器212、处理室216、真空泵220、气体仪表板232，PDU236、控制器240、臭 氧发生器244以及输入输出(IO)模块/电机驱动器248固定到该框架上。所述盒体传送器208及盘升降器210用于传输一个或多个盒体256。每个盒体256 用于保持多个盘260并且，在特定实施例中，所述盒体256保持大约25个盘260。应该意识 到，盒体256可以保持任意数量的盘260，包括少于或多于25个盘260。通过盒体256传输 所述盘260的传输装置可自动化以支持高处理产量。如图3A所示，盒体256按盒体传送器 208的盒体加载特征通过外壳300上的开口 304装载于纳米压印涂底设备内。此外，盒体传 送器208被构造成使盒体256线性移动。另外，盒体传送器208和/或盘升降器210可以 配备激光传感盒体定位，以将盒体256从开口 304精确的传输至腔室216。一旦所述盒体256在盒体传送器208上从开口 304传输至腔室216附近的升降位 置，此时，盒体256可通过盒体升降器210升至处理腔室216处。处理腔室216包括与芯轴 264相连的门218。所述门218以及芯轴264也可与门/芯轴线性驱动器212相连。所述芯
7轴264用于将盘260从盒体256传输至腔室216。所述芯轴在盘260的内径处保持盘260。 因为芯轴在盘260的内径处保持盘260，所以在接触区产生的粒子最少，以便粒子只在非关 键区(例如，盘内径的斜面处)产生。在一个特定实施例中，芯轴264承载25个盘。应该 意识到，芯轴264可以承载任意数量的盘，包括少于25个盘以及多于25个盘。线性驱动器 212与芯轴264相连以驱动芯轴264的延伸以及紧固处理腔室216的门218。在一个实施 例中，所述线性驱动器212包括电机和带有分度器的导螺杆，所述导螺杆用于驱动芯轴264 的运动。处理腔室216可包括一个以上的芯轴264以并行处理盘260(例如，可以在给定的 时间内处理50个盘，腔室216内的每个芯轴上加载25个盘)。处理腔室还可进一步包括保 持数量大于25个盘的一个芯轴。在此，通过参考图4A-4D进一步详细说明将盘260从所述设备200的入口 304转 移至处理腔室216的过程。具体地，图4A-4D示出了利用盒体传送器208和盘升降器210 转移盒体并将其升至腔室216的过程。盒体传送器升降机可升起一个以上的盒体。图4A 示出了在盒体传送器208上线性转移盒体256并将盒体256升至处理腔室206的水平面。 如图4B所示，然后芯轴264通过芯轴线性驱动器212伸长，以便将盘260从盒体256转移 至芯轴264上。如图4C所示，当盘260转移至芯轴264后，盒体256落回到盒体传送器208 上。如图4D所示，线性驱动器212随后将芯轴256移至腔室内的一个位置，在所述位置腔 室216的门218闭合。系统可以规模化，用于具有更高生产量的生产规模系统。例如，为了提高生产量， 多个子系统(和/或纳米光刻涂底设备)可线性相连以并行处理用于盘的多个盒体。图5 示出了用于纳米光刻处理的彼此相连的多个模块500，所述模块500包括第一和第二化学 气相沉积(例如，水蒸气)腔室504，508，第三和第四化学气相沉积(例如，VALMAT蒸汽) 腔室512，516，以及第一和第二准备(例如，等离子蚀刻或O2-UV)腔室520，524。在图5中， 盘260从所述准备腔室520，524传输至第三和第四化学气相沉积腔室516，518，然后传输 至第一和第二化学气相沉积腔室504，508。图5示出的系统被配置成在每个过程中处理50 个盘(每个腔室处理25个盘，并且每个过程有2个腔室)。应该意识到，如需处理额外的盘 可提供额外的模块500。另一个示例是多个盒体内的盘可通过一个芯轴转移至处理腔室。 (例如，参见图12A-12C)。在另一个实施例中，多个芯轴264可安装于盘转移机构上，并且可定位于较大腔 室中以同时处理多个盒体内的盘(参见图6A-7C)。如图6A-D所示，所述腔室216用于保持 两个芯轴264并且当盘260要加载于芯轴264上时，门218向下移动。如图6A所示，在盒 体转移器208上，所述盒体256被转移至腔室216。如图6B所示，然后盒体256由盘升降 器208升起，并且盘转移至芯轴264 (图6C)。如图6D所示，在盘260转移至所述芯轴264 后，盒体256落回到线性传送器208上。当所有盘260加载至芯轴264上后(参见图7A)， 通过线性驱动器212 (参见图7B)芯轴264缩回到腔室216内并且门闭合(参见图7C)。往回参考图2A-2F，处理腔室216提供了一种反应环境，所述环境使得在盘的第 一表面以密集的定向的形式形成双作用单分子表面改性层，以使盘的表面特性由金属氧 化_氢氧化物特性变为有机特性，并且进一步允许第二表面变为在经过紫外线辐射时可交 联聚合物压印抗蚀剂。在一个特定实施例中，所述处理腔室216，例如，可以是内部具有约 11升体积的聚碳化合物腔室。
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通过首先用臭氧气体进行稳定流动表面清洗，各个特征提供合适的机制和控制过 程，允许进行盘表面的有序准备。可精确计量液态反应物以流入汽化器(或液相-气相分离 器)。汽化器内出来的蒸气可顺序地或同时流入所述真空室。反应物的汽化通道可以布置 成使得反应物不会混合直至其进入反应腔室。当反应物到达腔室时发生表面反应，所述表 面反应允许第一反应物(例如，ValMat)的主要官能团通过与第二反应物(例如，水蒸气) 水解缩聚反应而粘结于盘的表面，所述两种反应物均为气态。汽化器可用来阻止液雾或液 滴进入腔室216。可加热处理腔室216及蒸气供应管224，以保持蒸气的温度并防止蒸气凝 结。腔室216可包括辅助气体管道(N2),以便进行有效的压力控制。纳米压印设备200可 以被设置成使得在腔室外不允许臭氧与反应物混合。处理腔室216可被构造成被操作为双模式真空系统，该系统允许在沉积底层之前 进行原位表面清洗。具体地，真空泵220可与处理腔室216相连以允许处理腔室216以两种 模式运行(1)用于对主表面进行臭氧清洗的连续流准常压(sub-atmosphere pressure) 状态，以及(2)低压密封系统双反应物化学气相沉积。在一个实施例中，第一压力状态可以 是接近大气的真空状态(例如，大约100-760托)，并且所述第二压力状态可以是高真空状 态(例如，大约10-1000毫托)。双模式运行有利于减少颗粒并在臭氧清洗后保持表面的清 洁度，不会损坏真空，造成环境污染，并且水汽不会在先前清洗过的表面上凝结。具体地，在 第一压力状态(例如，约100-760托)，盘在稳流环境中处理，由臭氧发生器产生的臭氧流经 所述批量盘，以氧化地移除表面污染物并部分氧化金属表面，为下个阶段做准备。所述反应 器抽至第二压力状态(例如，约10-200毫托)并且随后密封。反应物顺序地或者同时流入 腔室以达到低于1000毫托的预定压力值。在此条件下升起盘直至反应物在所述盘表面发 生反应后，盘的处理在腔室216内完成。在一个特定实施例中，150μ L的ValMat提供在第一供给存储器中，并且IOOyL 的去离子水(DI water)提供在第二供给存储器中，所述第一和第二供给存储器置于温度 为95-120°C的水浴中。然后，腔室216抽至约23托，泵被隔离，ValMat供给阀开启约一分 钟，并且系统在1至9分钟内保持稳定。系统达到稳定后，所述去离子水(DI水)供应存储 器开启0. 1至1分钟，并且所述系统可在0. 1至9分钟内保持稳定。然后，该系统向环境中 排气。作为选择，可进行O2等离子体/O2-UV表面处理/激活。然后，对基板进行真空/臭 氧处理以去除其表面的吸收剂。所述ValMat材料以蒸气状态引入以便“物理吸附”于基板 表面上。然后将水蒸气引入腔室。表面反应(水解缩聚反应)的过程小于约十分钟，促使 ValMat材料的水解以及与金属-氧化物富集的基板表面的缩聚粘结。此时，表面的涂底处 理过程完成并且基板以准备好进入剩余的NIL过程。应该意识到，基板可进行其他处理。例 如，在进行ValMat和H2O的“物理吸附”处理过程之前基板可以进行表面调制(例如，氧气 环境下500瓦特的紫外线曝光，用02、O2与UV的等离子蚀刻，只是用的是受控O2分压以及 高UV功率和UV均勻度，等等)。如图8所示，在一个实施例中，所述腔室216可根据反应的顺序依次排列(例如， 第一化学气相沉积腔室816a和第二化学气相沉积腔室816b)。在图8中，第一化学气相沉 积腔室816a用于沉积第一反应物(例如，ValMat蒸气)并且第二化学气相沉积腔室816b 用于沉积第二反应物(例如，水蒸气)。图9示出了第一反应物(例如，水)保持存储器904以及可与图9中所示结构一起使用的第二反应物(例如，ValMat)保持存储器908。第二反应物保持存储器908可通 过加热的蒸气输送管线920与沉积腔室916a相连。所述腔室916a，916b可以包括计时排 气阀。根据一个实施例，串联的反应器916允许两批盘260在腔室916内并行处理。存储 器904和908可保持恒温，以允许在每个反应循环开始保持存储器内的蒸气压平衡。在一 个实施例中，存储器904，908的体积可小于反应器的体积。存储器904，908的温度可低于 100°C。腔室216可包括蒸气释放阀以控制蒸气进入腔室216的时间和容量。在一个特定 实施例中，释放阀的计时精度为约0. 1秒，计时长度约为30分钟。图10A-10C示出了在线传输盘以进行处理的可选实施例。在图10A-C中示出的实 施例中，盘260通过腔室216的底板1004升起，所述底板是一个活动门。芯轴264从盒体 传送器208上升起或降落以将盘260从盒体256转移至腔室216内。具体地，盒体256转 移至所述腔室216内(图10A)，芯轴264升至腔室216内(图10B)并且隔离门1004闭合 以密封腔室216 (图10C)，以便开始处理盘260。图11示出了用于批量处理盘的线性排列的系统1100。所述系统1100包括装载传 送器1104，负载锁1108，转台1112，两个氧气/臭氧软蚀刻站1116，1120，两个第一反应物 (例如，ValMat)处理站1124，1128，两个第二反应物(例如，水)处理站1132，1136，第二转 台1140，卸载锁1114和装载传送器1148。图12A-12C示出了实施例，其中，所述纳米压印涂底设备200允许多个盒体256由 一个芯轴264转移至处理腔室216。如图12A所示，盒体256由盘升降器210升至装载水平 面，以便盒体256内的盘260转移至处理腔室216。图12A示出了两盒体256a和256b升 至装载水平面。应该意识到，可以升起任意数量的盒体以处理多个盘。如图12B所示，盒体 256随后落回盒体传送器208的水平面上，盘260留在芯轴264上以转移至处理腔室216。 图12C示出了在处理腔室216内盘260置于芯轴264上。应当理解的是，在此说明的处理方法和技术在本质上与任何具体的设备无关，并 且可通过元件的适当结合来实施。此外，根据在此说明的技术可使用各种类型的通用设备。 本发明已就具体示例进行了描述，旨在全面阐释本发明而非限制本发明。本领域的普通技 术人员将清楚各种不同的组合也适合实施本发明。此外，在理解和实施在此公开的发明的基础上，本领域的普通技术人员将清楚本 发明的其他实施方式。所述实施例中说明的各个方面以及/或者各个元件可单独使用或结 合使用。本说明书和实施例仅是示例，本发明的真正范围和宗旨将由下列权利要求给出。
权利要求
一种纳米压印光刻涂底设备，包括双反应物化学气相沉积反应器腔室；芯轴，其被构造成在硬盘的内径处保持多个硬盘；以及用于将所述多个硬盘移动至所述腔室中的传输机构。
2.如权利要求1所述的设备，其特征在于，所述芯轴可在所述腔室外面移动以加载所 述硬盘，并可在所述腔室内移动进行处理。
3.如权利要求1所述的设备，其特征在于，所述腔室被构造成在第一压力状态和第二 压力状态运行。
4.如权利要求3所述的设备，其特征在于，所述第一压力状态是低真空稳流反应，并且 其中所述第二压力状态是高真空密封系统反应。
5.如权利要求1所述的设备，其特征在于，进一步包括与所述腔室相连的泵以及用于 在反应物/产物到达与泵相连的泵送歧管前将其移除的分子筛过滤器。
6.如权利要求1所述的设备，其特征在于，所述芯轴被构造成从一个盒体内转移所述 多个盘。
7.如权利要求1所述的设备，其特征在于，所述芯轴被构造成从多个盒体内转移所述 多个盘。
8.如权利要求1所述的设备，其特征在于，进一步包括多个腔室，所述多个腔室线性排 列并且被构造成用于并行处理位于多个芯轴上的多个硬盘。
9.如权利要求1所述的设备，其特征在于，进一步包括多个芯轴，所述多个芯轴被构造 成将多个硬盘同时传输至所述腔室中以在该腔室内同时处理所述多个硬盘。
10.如权利要求6所述的设备，其特征在于，所述传输机构包括 用于线性转移所述芯轴的线性驱动器；用于线性转移所述盒体的盒体传送器；以及将所述盒体从所述盒体传送器升至装载水平面的升降器，所述装载水平面允许所述芯 轴与所述多个盘配合。
11.一种硬盘制造系统，包括 夕卜壳；位于所述外壳内的腔室；用于将包含有多个硬盘的盒体转移至外壳内并在外壳内转移的传输系统；以及 用于将所述多个硬盘从所述盒体转移至所述腔室中的芯轴。
12.如权利要求11所述的硬盘制造系统，其特征在于，进一步包括用于将包含有多个硬盘的多个盒体转移至外壳内并在外壳内转移的传输系统；以及 用于将所述多个硬盘从多个盒体转移至所述腔室中的芯轴。
13.如权利要求11所述的硬盘制造系统，其特征在于，进一步包括位于外壳内的第二 腔室，并且其中所述传输系统进一步被构造成将所述盒体从所述腔室转移至所述第二腔室。
14.如权利要求11所述的硬盘制造系统，其特征在于，所述传输机构包括 用于线性转移芯轴的线性驱动器；用于线性转移所述盒体的盒体传送器；以及用于将所述盒体从所述盒体传送器升至装载水平面的升降器，所述装载水平面允许所 述芯轴与所述多个盘配合。
15.如权利要求14所述的硬盘制造系统，其特征在于，进一步包括其中所述盒体传送器线性转移多个盒体；并且所述升降器从所述盒体传送器上将多个盒体升至装载水平面，所述装载水平面允许所 述芯轴与所述多个盘配合。
16.如权利要求11所述的硬盘制造系统，其特征在于，所述腔室进一步包括真空泵，所 述真空泵被配置成在腔室内建立第一压力状态和第二压力状态。
17.如权利要求11所述的硬盘制造系统，其特征在于，进一步包括多个芯轴，所述多个 芯轴中至少两个芯轴被构造成同时在所述腔室内被处理。
18.如权利要求11所述的硬盘制造系统，其特征在于，进一步包括多个腔室，所述芯轴 在所述多个腔室的各个腔室间可转移。
19.如权利要求18所述的硬盘制造系统，其特征在于，所述多个腔室中至少一个腔室 包括第一反应物汽相沉积腔室，并且所述多个腔室中至少一个腔室包括第二反应物汽相沉 积腔室。
20.一种方法，包括在盒体内传输多个硬盘；将所述多个硬盘从所述盒体转移至芯轴；以及将带有所述多个硬盘的所述芯轴转移至处理腔室中。
21.如权利要求20所述的方法，其特征在于，进一步包括传输多个盒体内的多个硬盘；将所述多个硬盘从多个盒体转移至芯轴；以及将带有所述多个硬盘的所述芯轴转移至处理腔室中。
22.如权利要求20所述的方法，其特征在于，所述芯轴被构造成在所述硬盘的内径处 保持所述多个硬盘。
23.如权利要求20所述的方法，其特征在于，进一步包括在所述多个硬盘上沉积第一反应物；以及在所述多个硬盘上沉积第二反应物。
24.如权利要求23所述的方法，其特征在于，进一步包括在第一压力状态运行所述处理腔室，以便在沉积所述第一和第二反应物之前清洗所述 多个硬盘；以及在沉积所述第一和第二反应物期间，在第二压力状态运行所述处理腔室。
全文摘要
一种可规模化的高生产量的纳米压印光刻涂底设备，包括双反应物化学气相沉积反应器腔室，被构造成以硬盘半径来保持多个硬盘的芯轴，以及将多个硬盘转移到所述腔室中以及从所述腔室中转移出的传输机构。所述设备也可以包括转移工具，以将所述多个硬盘移至额外的腔室进行处理。
文档编号G03F7/00GK101916037SQ20091017946
公开日2010年12月15日 申请日期2009年10月20日 优先权日2008年10月21日
发明者C·T·彼得森, C·刘, 许仁 申请人:因特瓦克公司