专利名称：电子照相感光构件、处理盒和电子照相设备的制作方法
技术领域：
本发明涉及电子照相感光构件、具有所述电子照相感光构件的处理盒和电子照相设备。
背景技术：
电子照相感光构件通常用于具有充电步骤、曝光步骤、显影步骤、转印步骤和清洁步骤的电子照相图像形成方法中。在该电子照相图像形成方法中，为了获得清晰图像，清洁步骤是重要的步骤，在清洁步骤中将转印步骤后残留在电子照相感光构件上的调色剂(称为转印残余调色剂)除去以清洁电子照相感光构件的表面。使用清洁刮板的清洁方法是通过使清洁刮板和电子照相感光构件相互摩擦而操作的清洁方法。此外，近年来，在充电步骤中，电子照相感光构件借助于充电辊直接充电的方法变得流行。因此，在充电辊和清洁刮板与电子照相感光构件接触的此类构成中作为一个重要问题可以给出称作“摩擦存储 (rubbing memory)”的现象。该现象是当与电子照相感光构件保持接触的充电辊或清洁刮板和电子照相感光构件经受由于在物流期间可能出现的振动或落下而引起的任何冲击以及它们一起摩擦从而在电子照相感光构件表面上产生正电荷时引起的存储现象之一。电子照相感光构件的表面层通常通过浸渍涂布法形成。通过浸渍涂布法形成的此类表面层的表面，即电子照相感光构件的表面具有平滑的趋势。因此，这使清洁刮板或充电辊与电子照相感光构件表面之间的接触面积更大以使清洁刮板或充电辊与电子照相感光构件的表面之间的摩擦阻力更大，致使趋于可见上述严重问题。此外，近年来，为了改进图像品质，使调色剂颗粒的直径更小。使调色剂颗粒的直径越小，调色剂和电子照相感光构件之间的接触面积就越大。这使调色剂以每单位质量大的力附着至电子照相感光构件的表面，因而电子照相感光构件的表面的清洁性可能低。因此，需要以高接触压力设置清洁刮板从而防止调色剂滑过。然而，由于如上所述电子照相感光构件的表面是平滑的，因此其与清洁刮板高度地紧密接触。因此，它们处于更趋于发生由于摩擦存储引起的任何缺陷图像的此类构成中。特别地，当将任何振动施加至例如处理盒时，在清洁刮板和电子照相感光构件之间极大地产生摩擦，因而该问题很严重。作为伴随这些清洁刮板和充电辊与电子照相感光构件之间摩擦的问题的克服方式，日本专利特开申请H10-14^13中公开的技术是可用的。该日本专利特开申请 H10-14^13公开了将用氟取代的苯基引入粘结剂分子的末端以致减少与清洁刮板的摩擦的技术。日本专利特开申请2000-75517也公开了将具有特定结构的电荷输送材料和具有特定结构的聚碳酸酯组合从而防止发生任何存储的技术。从电子照相感光构件与充电辊或清洁刮板之间较少摩擦的观点，认为使电子照相感光构件的表面形状改变是一种手段。例如，日本专利申请特开2001-066814公开了使用具有井形凹凸的压模机(冲压模具)通过压缩成型加工电子照相感光构件的表面的技术。然而，即使在使用在日本专利特开申请H10-14^13和2000-75517中公开的电子照相感光构件的情况下，在较为苛刻的条件下如在振动试验中也可能发生在构件与电子照相感光构件接触时由于它们的摩擦引起的存储，因此寻求作进一步改进。在使用日本专利申请特开2001-066814中公开的精细表面加工的电子照相感光构件和它是在其凹凸状表面形状中具有浅井的电子照相感光构件时，不能够充分减少电子照相感光构件的表面与作为弹性构件的充电辊或清洁刮板的接触面积。因此，在一些情况下不能够良好地获得防止摩擦存储发生的效果。
发明内容
考虑到常规电子照相感光构件具有的上述问题进行本发明。因此，本发明的目的在于提供如下的电子照相感光构件和具有此类电子照相感光构件的处理盒及电子照相设备，所述电子照相感光构件即使当电子照相感光构件和与所述电子照相感光构件接触的构件相互高度地紧密接触时，也防止任何摩擦存储发生。本发明为具有支承体和在支承体上设置的感光层的电子照相感光构件，其中电子照相感光构件的表面层以基于表面层中的全部固成分为小于0.6质量％包括含硅化合物；表面层中的含硅化合物具有的硅氧烷部位的量基于表面层中的全部固成分为 0.01质量％以上；在电子照相感光构件的表面上，以每单位面积(IOOymXlOOym)为50个以上至 70，000个以下的数量形成相互独立的凹陷部(凹陷的部分)，所述凹陷部为各自具有深度 (Rdv)与长轴径(Rpc)的比Rdv/Rpc为大于0. 3至7. 0以下和具有深度(Rdv)为0. 1 μ m以上至10. Oym以下的凹陷部；表面层在其最外表面处基于此处构成元素具有硅元素的存在比例为0. 6质量％ 以上所述存在比例通过X射线光电子能谱法(ESCA)测量；在表面层中距离其最外表面 0.2μπι的内部的硅元素与构成元素的存在比例[Α(质量％)]与在其最外表面处的硅元素与构成元素的存在比例[B(质量％)]的比(Α/Β)为大于0.0至小于0.3，所述存在比例 [Α(质量％ )]和存在比例[B (质量％ )]通过X射线光电子能谱法(ESCA)测量；和含硅化合物为具有由下式(1)表示的结构和由下式(2)或下式(3)表示的重复结
构单元的聚合物
权利要求
1. 一种电子照相感光构件，其包括支承体和在所述支承体上设置的感光层，其中 所述电子照相感光构件的表面层以基于所述表面层中的全部固成分为小于0. 6质量％的量包括含硅化合物；所述表面层中的所述含硅化合物具有的硅氧烷部位的量基于所述表面层中的全部固成分为0.01质量％以上；在所述电子照相感光构件的表面上，以每单位面积(ΙΟΟμπιΧΙΟΟμπι)为50个以上至 70，000个以下的数量形成相互独立的凹陷部，所述凹陷部为各自具有深度(Rdv)与长轴径 (Rpc)的比Rdv/Rpc为大于0. 3至7. 0以下和具有深度(Rdv)为0. 1 μ m以上至10. 0 μ m以下的凹陷部；所述表面层在其最外表面处基于此处构成元素具有硅元素的存在比例为0. 6质量％ 以上，所述存在比例通过X射线光电子能谱法(ESCA)测量；在所述表面层中距离其最外表面0.2μπι的内部的硅元素与构成元素的存在比例[Α(质量％)]与在其最外表面处的硅元素与构成元素的存在比例[B(质量％)]的比(Α/Β)为大于0.0至小于0.3，所述存在比例 [Α(质量％ )]和存在比例[B(质量％ )]通过X射线光电子能谱法(ESCA)测量；和所述含硅化合物为具有由下式(1)表示的结构和由下式(2)或下式(3)表示的重复结构单元的聚合物
2.根据权利要求1所述的电子照相感光构件，其中所述表面层以基于所述表面层中的全部固成分为不大于0. M质量％的量包含所述含硅化合物，以及在所述表面层中的所述含硅化合物具有的所述硅氧烷部位的量基于所述表面层中的全部固成分为0. 05质量％以上。
3.根据权利要求1所述的电子照相感光构件，其中所述含硅化合物具有的所述硅氧烷部位的量基于所述含硅化合物的总质量为30. 0质量％以上至60. 0质量％以下，以及所述含硅化合物具有的由式( 或式C3)表示的重复结构单元数目的平均值为20以上至60以下。
4.根据权利要求1所述的电子照相感光构件，其中所述含硅化合物具有由下式(4)表示的结构作为至少一个末端部分的结构
5.一种处理盒，其包括根据权利要求1所述的电子照相感光构件和与其一体化支承的清洁装置，所述处理盒可拆卸地安装至电子照相设备的主体；所述清洁装置包括清洁刮板，所述清洁刮板与所述电子照相感光构件表面以相对的方向抵接。
6.根据权利要求5所述的处理盒，其中所述清洁刮板没有用任何润滑剂涂布。
7.根据权利要求5所述的处理盒，其中将所述电子照相感光构件和所述清洁刮板的接触线压力设定为30N/m以上至120N/m以下，其中将它们之间沿接触长度方向每单位长度施加的力称作接触线压力。
8.根据权利要求5所述的处理盒，其中将所述清洁刮板相对所述电子照相感光构件的接触角设定为25°以上至30°以下。
9.一种电子照相设备，其包括根据权利要求1所述的电子照相感光构件、充电装置、曝光装置、显影装置、转印装置和清洁装置；所述清洁装置包括清洁刮板，所述清洁刮板与所述电子照相感光构件表面以相对的方向抵接。
全文摘要
一种电子照相感光构件，其具有表面层，所述表面层以基于所述表面层中的全部固成分为小于0.6质量％的量包括含硅化合物，其中所述表面层中的含硅化合物具有的硅氧烷部位的量基于所述表面层中的全部固成分为0.01质量％以上，以及其表面具有特定凹陷部。还公开具有所述电子照相感光构件的处理盒和电子照相设备。
文档编号G03G5/047GK102165375SQ20098013795
公开日2011年8月24日 申请日期2009年9月24日 优先权日2008年9月26日
发明者上杉浩敏, 奥田笃, 西田孟, 野口和范 申请人:佳能株式会社