用于显示装置的倾斜小面的制作方法
【专利摘要】本发明提供用于经压印衬底上的所提供经掩蔽结构的系统、方法及设备。在一个方面中，这些经掩蔽结构可为供用作前灯膜的部分的反射小面。在另一方面中，这些经掩蔽结构可为供用作电容性触摸屏阵列的部分的经掩蔽布线。在一个方面中，所述结构可具有形成于其上的离散掩模，而在其它方面中，这些结构可具有自掩蔽属性且可包含干涉式黑色掩模。
【专利说明】勺其它微机械加工工艺形成机电元件。哥制器(1100).如本文中所用，术语干涉式里选择性地吸收及/或反射光的装置。在一I，所述对导电板中的一者或两者可为全部&信号时相对运动。在实施方案中，一个板I过气隙与所述固定层分离的反射膜。一个出器上的光的光学干涉。干涉式调制器装置多成新产品，尤其是具有显示能力的那些产
〔个创新性方面，所述方面中的单个方面均
生方面可实施于一种设备中，所述设备包含注衬底及至少部分位于所述凹痕内的反射向所述凹痕的侧上的反射表面及安置于所玉及分段电压时干涉式调制器的各种状态
3式调制器显示器中的显示数据帧的图的实
I明的显示数据帧的共用信号及分段信号的
的部分横截面的实例。
找I方案的横截面的实例。
勺制造工艺的流程图的实例。
'法中的各种阶段的横截面示意性图解说明
泛经掩蔽结构的工艺的实例。
3的实例。
泛的替代细节视图的实例。
；成经自掩蔽结构的工艺中的两个步骤的实器)及多种机电系统装置。本文中的教示:切换装置、射频滤波器、传感器、加速计、陀惯性组件、消费型电子产品的部件、变容二泛电子测试设备。因此，所述教示并不意欲属领域的技术人员将容易明了的宽广适用
勾以补充显示装置的操作。举例来说，可在污器，且可在显示装置的前面放置触摸屏阵I备补充掩模或包含自掩蔽属性，使得可将5不显著影响显示器的外观。这些互补结构:些衬底可为柔性塑料衬底或者可为柔性或'底附接(例如，通过粘附、接合等)到显示
定实施方案以实现以下潜在优点中的一或0不需要如显示装置本身的组件的那样精接着附接到显示装置。通过使用卷对卷工所述显示元件将入射可见光的一大部分反射到(例如)用户。相反地，在暗(“激活”、“关闭”或“关断”)状态中，所述显示元件反射甚少的入射可见光。在一些实施方案中，可反转接通与关断状态的光反射性质。MEMS像素可经配置以主要在特定波长下反射，从而允许除黑色及白色以外还进行彩色显示。
[0034]MOD显示装置可包含行/列IMOD阵列。每一 MOD可包含一对反射层，即，可移动反射层及固定部分反射层，所述对反射层以彼此相距可变且可控的距离进行定位以形成气隙(还称作光学间隙或腔)。所述可移动反射层可在至少两个位置之间移动。在第一位置(即，松弛位置)中，可移动反射层可定位于距固定部分反射层相对大的距离处。在第二位置(即，激活位置)中，可移动反射层可更靠近于部分反射层而定位。取决于可移动反射层的位置，从两个层反射的入射光可以相长或相消方式干涉，从而产生每一像素的总体反射或非反射状态。在一些实施方案中，MOD可在未经激活时处于反射状态，从而反射在可见光谱内的光，且可在经激活时处于暗状态，从而反射在可见范围之外的光(例如，红外光)。然而，在一些其它实施方案中，MOD可在未经激活时处于暗状态且在经激活时处于反射状态。在一些实施方案中，引入所施加电压可驱动像素改变状态。在一些其它实施方案中，所施加电荷可驱动像素改变状态。
[0035]图1中所描绘的像素阵列部分包含两个邻近的干涉式调制器12。在左侧(如所图解说明)的IMOD 12中，将可移动反射层14图解说明为处于距包含部分反射层的光学堆叠16预定距离处的松弛位置。跨越左侧IMOD 12施加的电压Vtl不足以致使可移动反射层14激活。在右侧的IMOD 12中，将可移动反射层14图解说明为处于接近或邻近光学堆叠16的激活位置。跨越右侧MOD 12施加的电压Vbias足以使可移动反射层14维持处于激活位置。
[0036]在图1中，借助指示入射于像素12上的光13及从左侧的像素12反射的光15的箭头大体图解说明像素12的反射性质。虽然未详细地图解说明，但所属领域的技术人员将理解，入射于像素12上的光13的大部分将穿过透明衬底20朝向光学堆叠16透射。入射于光学堆叠16上的光的一部分将透射穿过光学堆叠16的部分反射层，且一部分将往回反射穿过透明衬底20。光13的透射穿过光学堆叠16的部分将在可移动反射层14处往回朝向(且穿过)透明衬底20反射。从光学堆叠16的部分反射层反射的光与从可移动反射层14反射的光之间的干涉(相长性或相消性)将确定从像素12反射的光15的波长。
[0037]光学堆叠16可包含单个层或数个层。所述层可包含电极层、部分反射且部分透射层及透明电介质层中的一或多者。在一些实施方案中，光学堆叠16为导电、部分透明且部分反射的，且可(举例来说)通过将以上层中的一或多者沉积到透明衬底20上来制作。所述电极层可由多种材料形成，例如各种金属，举例来说，氧化铟锡(ITO)。所述部分反射层可由多种部分反射的材料形成，例如各种金属，例如铬(Cr)、半导体及电介质。所述部分反射层可由一或多个材料层形成，且所述层中的每一者可由单一材料或材料的组合形成。在一些实施方案中，光学堆叠16可包含单个半透明厚度的金属或半导体，其充当光学吸收器及导体两者，同时(例如光学堆叠16或IMOD的其它结构的)不同的导电层或部分可用于在IMOD像素之间运送信号。光学堆叠16还可包含覆盖一或多个导电层或导电/吸收层的一或多个绝缘层或电介质层。
[0038]在一些实施方案中，可将光学堆叠16的层图案化成若干平行条带，且其可在显示装置中形成行电极，如下文进一步描述。如所属领域的技术人员将理解，术语“图案化”在1 16内的电介质层(未展示)可防止短路侧的经激活像素12所图解说明。不管所施实例中可将阵列中的一系列像素称作“行”-个方向称作“行”且将另一方向称作“列”且将列视为行。此外，显示元件可均匀地布配置，举例来说，相对于彼此具有某些位置音代任一配置。因此，虽然将显示器称作包:身不需要彼此正交地布置或安置成均匀分件的布置。
调制器显示器的电子装置的系统框图的实-软件模块的处理器21。除执行操作系统以友用程序，包含浏览器、电话应用程序、
2通信。阵列驱动器22可包含将信号提供24及列驱动器电路26。图2中的线1-1展。虽然为清晰起见图2图解说明3X31100暴露于约10伏的电压差，并使待松弛的像素暴露于接近零伏的电压差。在寻址之后，使像素暴露于稳定状态或大约5伏的偏置电压差使得其保持在先前选通状态中。在此实例中，在被寻址之后，每一像素经历在约3伏到7伏的“稳定窗”内的电位差。此滞后性质特征使得例如图1中所图解说明的像素设计能够在相同所施加电压条件下保持稳定在激活状态或松弛预存状态中。由于每一頂OD像素(无论是处于激活状态还是松弛状态)基本上均为由固定反射层及移动反射层形成的电容器，因此此稳定状态可保持在滞后窗内的稳定电压下而实质上不消耗或损失电力。此外，如果所施加的电压电位保持实质上固定，那么基本上有甚少或无电流流动到MOD像素中。
[0043]在一些实施方案中，可通过根据给定行中的像素的状态的所要改变(如果有)沿着所述组列电极以“分段”电压的形式施加数据信号来形成图像的帧。可依次寻址所述阵列的每一行，使得一次一行地写入所述帧。为了将所要数据写入到第一行中的像素，可将对应于所述第一行中的像素的所要状态的分段电压施加于列电极上，且可将呈特定“共用”电压或信号形式的第一行脉冲施加到第一行电极。接着，可使所述组分段电压改变为对应于第二行中的像素的状态的所要改变(如果有)，且可将第二共用电压施加到第二行电极。在一些实施方案中，第一行中的像素不受沿着列电极施加的分段电压的改变影响，且保持于在第一共用电压行脉冲期间其被设定到的状态。可以循序方式针对整个系列的行或替代地针对整个系列的列重复此过程，以产生图像帧。可通过以每秒某一所要数目的帧不断地重复此过程来刷新所述帧及/或用新的图像数据更新所述帧。
[0044]跨越每一像素所施加的分段与共用信号的组合(即，跨越每一像素的电位差)确定了每一像素的所得状态。图4展示图解说明当施加各种共用电压及分段电压时干涉式调制器的各种状态的表的实例。如所属领域的技术人员将容易理解，可将“分段”电压施加到列电极或行电极，且可将“共用”电压施加到列电极或行电极中的另一者。
[0045]如在图4中(以及在图5B中所展示的时序图中)所图解说明，当沿着共用线施加释放电压VC.时，沿着共用线的所有干涉式调制器元件将被置于松弛状态(或者称作释放或未激活状态)中，而不管沿着分段线所施加的电压如何(即，高分段电压VSh及低分段电压VSJ。特定来说，当沿着共用线施加释放电压VC.时，在沿着所述像素的对应分段线施加高分段电压VSh及施加低分段电压V&两种情况下，跨越调制器像素的电位电压(或者称作像素电压)都在松弛窗(参见图3，也称作释放窗)内。
[0046]当将保持电压(例如高保持电压VCmD H或低保持电压VCmD J施加于共用线上时，干涉式调制器的状态将保持恒定。举例来说，松弛IMOD将保持处于松弛位置，且激活IMOD将保持处于激活位置。所述保持电压可经选择使得在沿着对应分段线施加高分段电压VSh及施加低分段电压V&两种情况下，像素电压都将保持在稳定窗内。因此，分段电压摆幅(即，高VSh与低分段电压VSlj之间的差)小于正稳定窗或负稳定窗的宽度。
[0047]当将寻址或激活电压(例如高寻址电压VCadd H或低寻址电压VCadd J施加于共用线上时，可通过沿着相应分段线施加分段电压而选择性地将数据写入到沿着所述线的调制器。所述分段电压可经选择使得激活取决于所施加的分段电压。当沿着共用线施加寻址电压时，施加一个分段电压将导致在稳定窗内的像素电压，从而致使所述像素保持不被激活。相比之下，施加另一分段电压将导致超出所述稳定窗的像素电压，从而导致所述像素的激活。造成激活的特定分段电压可取决于使用了哪一寻址电压而变化。在一些实施方案中，当沿着共用线施加高寻址电压VCadd H时，施加高分段电压VSh可致使调制器保持处于其当前位置，而施加低分段电压V&可致使所述调制器激活。作为推论，当施加低寻址电压VCadd^时，分段电压的影响可为相反的，其中高分段电压VSh致使所述调制器激活，且低分段电压对所述调制器的状态无影响(即，保持稳定)。
[0048]在一些实施方案中，可使用跨越调制器始终产生相同极性电位差的保持电压、寻址电压及分段电压。在一些其它实施方案中，可使用使调制器的电位差的极性交替的信号。跨越调制器的极性的交替(即，写入程序的极性的交替)可减少或抑制在单个极性的重复写入操作之后可能发生的电荷积累。
[0049]图5A展示图解说明图2的3X3干涉式调制器显示器中的显示数据帧的图的实例。图5B展示可用于写入图5A中所图解说明的显示数据帧的共用信号及分段信号的时序图的实例。可将所述信号施加到(例如)图2的3X3阵列，此将最终产生图5A中所图解说明的线时间60e的显示布置。图5A中的经激活调制器处于暗状态，即，其中反射光的实质部分在可见光谱之外，以便给(例如)观看者产生暗外观。在写入图5A中所图解说明的帧之前，所述像素可处于任一状态，但图5B的时序图中所图解说明的写入程序假定在第一线时间60a之前每一调制器已被释放且驻存于未激活状态中。
[0050]在第一线时间60a期间:将释放电压70施加于共用线I上；施加于共用线2上的电压以高保持电压72开始且移动到释放电压70 ;且沿着共用线3施加低保持电压76。因此，沿着共用线I的调制器(共用1，分段I)、(1,2)及(1，3)在第一线时间60a的持续时间内保持处于松弛或未激活状态，沿着共用线2的调制器(2，I)、(2,2)及(2，3)将移动到松弛状态，且沿着共用线3的调制器(3，I)、(3,2)及(3，3)将保持处于其先前状态。参考图4，沿着分段线1、2及3施加的分段电压将对干涉式调制器的状态无影响，因为在线时间60a期间，共用线1、2或3中的任一者均未暴露于造成激活的电压电平(即，VC.-松弛及VChold l-稳定)。
[0051]在第二线时间60b期间，共用线I上的电压移动到高保持电压72，且由于未将寻址或激活电压施加于共用线I上，因此不管所施加的分段电压如何，沿着共用线I的所有调制器均保持处于松弛状态。沿着共用线2的调制器因释放电压70的施加而保持处于松弛状态，且当沿着共用线3的电压移动到释放电压70时，沿着共用线3的调制器(3，I)、(3,2)? (3,3)将松弛。
[0052]在第三线时间60c期间，通过将高寻址电压74施加于共用线I上来寻址共用线I。由于在施加此寻址电压期间沿着分段线I及2施加低分段电压64，因此跨越调制器(1，I)及(1，2)的像素电压大于调制器的正稳定窗的高端(即，电压差超过预定义阈值)，且激活调制器(1，1)及(1，2)。相反地，由于沿着分段线3施加高分段电压62，因此跨越调制器(1,3)的像素电压小于调制器(1，1)及(1，2)的像素电压，且保持在所述调制器的正稳定窗内；调制器(1，3)因此保持松弛。此外，在线时间60c期间，沿着共用线2的电压减小到低保持电压76，且沿着共用线3的电压保持处于释放电压70，从而使沿着共用线2及3的调制器处于松弛位置。
[0053]在第四线时间60d期间，共用线I上的电压返回到高保持电压72，从而使沿着共用线I上的调制器处于其相应经寻址状态。将共用线2上的电压减小到低寻址电压78。由于沿着分段线2施加高分段电压62，因此跨越调制器(2，2)的像素电压低于所述调制器的负稳定窗的较低端，从而致使调制器(2，2)激活。相反地，由于沿着分段线I及3施加低分段电压64，因此调制器(2，I)及(2，3)保持处于松弛位置。共用线3上的电压增加到高保持电压72，从而使沿着共用线3的调制器处于松弛状态中。
[0054]最后，在第五线时间60e期间，共用线I上的电压保持处于高保持电压72，且共用线2上的电压保持处于低保持电压76，从而使沿着共用线I及2的调制器处于其相应经寻址状态。共用线3上的电压增加到高寻址电压74以寻址沿着共用线3的调制器。在将低分段电压64施加于分段线2及3上时，调制器(3，2)及(3，3)激活，而沿着分段线I所施加的高分段电压62致使调制器(3，I)保持处于松弛位置。因此，在第五线时间60e结束时，3X3像素阵列处于图5A中所展示的状态，且只要沿着共用线施加保持电压就将保持处于所述状态，而不管可能在正寻址沿着其它共用线(未展示)的调制器时发生的分段电压的变化如何。
[0055]在图5B的时序图中，给定写入程序(B卩，线时间60a到60e)可包含高保持及寻址电压或低保持及寻址电压的使用。一旦已针对给定共用线完成写入程序(且将共用电压设定为具有与激活电压相同的极性的保持电压)，所述像素电压便保持在给定稳定窗内，且不通过松弛窗，直到将释放电压施加于所述共用线上为止。此外，由于每一调制器是在寻址所述调制器之前作为写入程序的一部分而释放，因此调制器的激活时间而非释放时间可确定必要线时间。具体来说，在其中调制器的释放时间大于激活时间的实施方案中，可将释放电压施加达长于单个线时间，如在图5B中所描绘。在一些其它实施方案中，沿着共用线或分段线所施加的电压可变化以考虑到不同调制器(例如不同色彩的调制器)的激活及释放电压的变化。
[0056]根据上文所阐明的原理操作的干涉式调制器的结构的细节可广泛变化。举例来说，图6A到6E展示包含可移动反射层14及其支撑结构的干涉式调制器的不同实施方案的横截面的实例。图6A展示图1的干涉式调制器显示器的部分横截面的实例，其中金属材料条带(即，可移动反射层14)沉积于从衬底20正交延伸的支撑件18上。在图6B中，每一IMOD的可移动反射层14的形状为大体正方形或矩形且在拐角处或接近拐角处经由系链32附接到支撑件。在图6C中，可移动反射层14的形状为大体正方形或矩形且悬挂于可变形层34上，可变形层34可包含柔性金属。可变形层34可围绕可移动反射层14的周界直接或间接地连接到衬底20。这些连接在本文中称作支撑柱。图6C中所展示的实施方案具有源于可移动反射层14的光学功能与其机械功能(其由可变形层34来实施)解耦合的额外益处。此解耦合允许用于反射层14的结构设计及材料与用于可变形层34的结构设计及材料彼此独立地进行优化。
[0057]图6D展不IMOD的另一实例,其中可移动反射层14包含反射子层14a。可移动反射层14靠在支撑结构(例如，支撑柱18)上。支撑柱18提供可移动反射层14与下部固定电极(即，所图解说明的IMOD中的光学堆叠16的一部分)的分离，使得(举例来说)当可移动反射层14处于松弛位置时，在可移动反射层14与光学堆叠16之间形成间隙19。可移动反射层14还可包含可经配置以充当电极的导电层14c及支撑层14b。在此实例中，导电层14c安置于支撑层14b的远离衬底20的一侧上，且反射子层14a安置于支撑层14b的接近于衬底20的另一侧上。在一些实施方案中，反射子层14a可为导电的且可安置于支撑层14b与光学堆叠16之间。支撑层14b可包含电介质材料(举例来说，氧氮化硅(S1N)或二氧化硅(S12))的一或多个层。在一些实施方案中，支撑层14b可为若干层的堆叠，例如，Si02/Si0N/Si02三层堆叠。反射子层14a及导电层14c中的任一者或两者可包含(例如)具有约0.5%铜(Cu)的铝(Al)合金或另一反射金属材料。在电介质支撑层14b上方及下方采用导体层14a、14c可平衡应力且提供增强的传导性。在一些实施方案中，可出于多种设计目的(例如实现可移动反射层14内的特定应力分布曲线)而由不同材料形成反射子层14a及导电层14c。
[0058]如在图6D中所图解说明，一些实施方案还可包含黑色掩模结构23。黑色掩模结构23可形成于光学非作用区(例如在像素之间或在柱18下方)中以吸收环境光或杂散光。黑色掩模结构23还可通过抑制光从显示装置的非作用部分反射或透射穿过所述部分借此增加对比度来改进所述显示器的光学性质。另外，黑色掩模结构23可为导电的且经配置以充当电运送层。在一些实施方案中，可将行电极连接到黑色掩模结构23以减小所连接行电极的电阻。可使用包含沉积及图案化技术的多种方法来形成黑色掩模结构23。黑色掩模结构23可包含一或多个层。举例来说，在一些实施方案中，黑色掩模结构23包含充当光学吸收器的钥-铬(MoCr)层、一层及充当反射器及运送层的铝合金，其分别具有在约30 A到
80人、500 A到1000 A及500 A到6000 A的范围中的厚度。可使用多种技术来图案化所述
一或多个层，包含光刻及干蚀刻，举例来说，所述干蚀刻包含用于MoCr及S12层的四氟化碳(CF4)及/或氧气(O2)以及用于铝合金层的氯气(Cl2)及/或三氯化硼(BCl3)。在一些实施方案中，黑色掩模23可为标准具或干涉式堆叠结构。在此类干涉式堆叠黑色掩模结构23中，导电吸收器可用于在每一行或列的光学堆叠16中的下部固定电极之间传输或运送信号。在一些实施方案中，间隔件层35可用于将吸收器层16a与黑色掩模23中的导电层大体电隔离。
[0059]图6E展示MOD的另一实例，其中可移动反射层14为自支撑的。与图6D相比，图6E的实施方案不包含支撑柱18。而是，可移动反射层14在多个位置处接触下伏光学堆叠16，且可移动反射层14的曲率提供足够的支撑使得可移动反射层14在跨越干涉式调制器的电压不足以造成激活时返回到图6E的未激活位置。为清晰所见，此处将可含有多个数种不同层的光学堆叠16展示为包含光学吸收器16a及电介质16b。在一些实施方案中，光学吸收器16a可充当固定电极及部分反射层两者。
[0060]在例如图6A到6E中所展示的实施方案的实施方案中，MOD充当直视装置，其中从透明衬底20的前侧(即，与其上布置有调制器的侧相对的侧)观看图像。在这些实施方案中，可对所述装置的背面部分(即，所述显示装置的在可移动反射层14后面的任一部分，举例来说，包含图6C中所图解说明的可变形层34)进行配置及操作而不影响或负面地影响显示装置的图像质量，因为反射层14光学屏蔽所述装置的所述部分。举例来说，在一些实施方案中，可在可移动反射层14后面包含总线结构(未图解说明)，其提供将调制器的光学性质与调制器的机电性质(例如电压寻址及由此寻址产生的移动)分离的能力。另外，图6A到6E的实施方案可简化处理(例如，图案化)。
[0061]图7展示图解说明用于干涉式调制器的制造工艺80的流程图的实例，且图8A到8E展示此制造工艺80的对应阶段的横截面示意性图解说明的实例。在一些实施方案中，除图7中未展示的其它框以外，制造工艺80也可经实施以制造(例如)图1及6中所图解说明的一般类型的干涉式调制器。机电系统装置的制造也可包含在图7中未展示的其它框。方形成牺牲层25而继续。稍后移除牺牲层8解说明的所得干涉式调制器12中未展示16上方的牺牲层25的经部分制作的装置。；择以在随后移除之后提供具有所要设计大I二氟化氙064)可蚀刻材料，例如钥(10)70，例如溅镀)、等离子增强化学气相沉积等沉积技术来实施牺牲材料的沉积。
切如，如图1、6及8(:中所图解说明的柱18)卜层25以形成支撑结构孔口，接着使用例如料(例如，聚合物或无机材料，例如二氧化沲方案中，形成于牺牲层中的支撑结构孔口:下伏衬底20，使得柱18的下部端接触衬底1所描绘，形成于牺牲层25中的孔口可延伸兑，图82图解说明支撑柱18的下部端与光时料层沉积于牺牲层25上方并图案化支撑分来形成柱18或其它支撑结构。所述支撑上但被掩蔽以减小这些结构对显示器的外
「反射小面，其经配置以朝向显示阵列重新亡件(例如干涉式调制器)的显示装置中，I接着穿过前灯膜往回朝向观看者反射。因身偏移的位置处(例如在前灯膜的边缘中丨之前通过全内反射在整个前灯膜中传播并主一些实施方案中，这些反射小面可包含反上提供掩模以防止光从反射材料的背侧反
布置的多个交叉电极以形成电容性触摸屏I高度反射的。这些电极也可在电极的可观勺不合意光学效应。
摸屏电极中的一者或两者可形成于柔性衬隹性衬底可附接到显示装置，其中所述柔性每施方案中，触摸屏或前灯的组件可形成于定，距离评通过1= (8-八)/2而给出。凹痕I表面118的倾倾斜0可部分地基于将形兑明的实施方案中，将形成于凹痕112中的与经压印衬底110的主表面且特定来说与18成大概40度到50度角。在一些实施方大于约0.5 4 III，且在其它实施方案中，其深
因素来确定侧壁114的角0，例如衬底110吉构的折射率及其它性质。举例来说，由于1过经完成装置中的其它层，因此这些层的而影响所反射光的总体路径。在其中衬底；分的实施方案中，倾斜小面角9通常确定行进的角度方向及在由下伏显示器反射之&层且向外朝向观看者的所得角度方向。此[且取决于前灯内的每一所包含材料层的所勺边界处发生的折射)。-个特定实施方案中，反射层120可为大概
二反射层120上方。在所图解说明的实施方:；沉积的其它适合不透明材料，使得掩蔽层110中的凹痕112的区中较厚。由于掩蔽因此掩蔽层120由实质上非反射性的材料的入射光。在一个实施方案中，掩蔽层130！ 130的上部表面成形。在其中掩蔽层130面化可通过部分地暴露掩蔽层130的光致130而实现。
1痕112上的部分。在一个实施方案中，可通尸凹痕112上的部分的移除。举例来说，可食掩蔽层130的上覆于平坦部分118上的较之厚部分的时间周期来蚀刻掩蔽层130。在I方案中，可通过部分地暴露掩蔽层130的1平坦部分118上的较薄部分显影来实现光表面118的涂层而将亲水性涂层施加到凹:基二氯娃烧及胺基烧基二乙氧基娃烧。在兄下，当随后在反射层120上方沉积掩蔽层覆于衬底110中的凹痕112上的部分。接(如果需要)，或者可以足够薄以致不需要
成邻近凹痕112的内部表面的反射表面可由墨(例如银纳米粒子油墨、铝纳米粒子油认形成反射表面。在一个实施方案中，通过处理衬底的在凹痕112之间的平坦上部部的凹痕112。接着，可通过任何适合工艺来举例来说，在油墨的沉积及可能固化之后，泛90所描述。此掩蔽结构可为如上文所描掩蔽结构。
；成经自掩蔽结构的工艺中的两个步骤的实射层120沉积干涉式膜堆叠。图11八展示化的，如所展示)的衬底310。在替代实施11八的堆叠220)替换。
I露掩蔽层以界定掩蔽层的上覆于衬底310:蔽层330包含光致抗蚀剂的一个实施方案部分地暴露掩蔽层330，使得掩蔽层330的艮上不被暴露。
分蚀除，从而留下掩蔽层330的受保护部分掩蔽层330的受保护部分334界定可用作友层330的在凹痕312内的部分332界定反
\及334可用作蚀刻工艺中的掩模以图案化及经掩蔽布线360两者的经完成结构300。掩蔽反射小面140。类似地，也通过掩蔽层、免于朝向观看者不合意地反射光。
〔膜堆叠(例如图11八到118中的干涉式膜？部分332及334在用于图案化干涉式膜堆有形成于其中的凹痕的衬底。
3在柔性衬底的第一表面上方形成反射层。主其它实施方案中，可在此时沉积额外层以
I在反射层上方形成经图案化掩蔽层。可使适合方法来形成此经图案化掩蔽层。在一露所沉积光致抗蚀剂层以选择性地显影及户，沉积于衬底中的凹痕内的亲水层或沉积的哪些部分粘附到衬底及哪些部分保持在
1使用经图案化掩蔽层作为掩模来图案化反装性衬底中的凹痕内形成经掩蔽反射小面。形成经掩蔽布线。在其它实施方案中，例如隹经图案化掩蔽层，因为形成于衬底上的结
户涉式调制器的显示装置40的系统框图的显示器，如本文中所描述。
[0101]在图15B中示意性地图解说明显示装置40的组件。显示装置40包含外壳41，且 可包含至少部分地包封于其中的额外组件。举例来说，显示装置40包含网络接口 27，网络 接口 27包含耦合到收发器47的天线43。收发器47连接到处理器21，处理器21连接到调 节硬件52。调节硬件52可经配置以对信号进行调节（例如，对信号进行滤波）。调节硬件 52连接到扬声器45及麦克风46。处理器21还连接到输入装置48及驱动器控制器29。驱 动器控制器29耦合到帧缓冲器28且耦合到阵列驱动器22，阵列驱动器22又耦合到显示阵 列30。电力供应器50可向如特定显示装置40设计所需的所有组件提供电力。
[0102]网络接口 27包含天线43及收发器47，使得显示装置40可经由网络与一或多个 装置通信。网络接口 27也可具有一些处理能力以减轻（例如）对处理器21的数据处理要 求。天线43可发射及接收信号。在一些实施方案中，天线43根据包含IEEE 16. 11(a), (b) 或（g)的IEEE 16. 11标准或包含IEEE 802. 11a、b、g或n的IEEE 802. 11标准来发射及接 收RF信号。在一些其它实施方案中，天线43根据蓝牙标准发射及接收RF信号。在蜂窝式 电话的情况中，天线43经设计以接收码分多址（CDMA)、频分多址（FDMA)、时分多址（TDMA)、 全球移动通信系统（GSM)、GSM/通用包无线电服务（GPRS)、增强型数据GSM环境（EDGE)、地 面中继无线电（TETRA)、宽带CDMA (ff-CDMA)、演进数据优化（EV-D0)、1 X EV-DO、EV-D0修订 版A、EV-D0修订版B、高速包接入（HSPA)、高速下行链路包接入（HSDPA)、高速上行链路包 接入（HSUPA)、演进高速包接入（HSPA+)、长期演进（LTE)、AMPS或用于在无线网络内（例如 利用3G或4G技术的系统）通信的其它已知信号。收发器47可预处理从天线43接收的信 号使得其可由处理器21接收及进一步操纵。收发器47还可处理从处理器21接收的信号 使得其可经由天线43从显示装置40发射。
[0103]在一些实施方案中，可由接收器来替换收发器47。另外，可由图像源来替换网络接 口 27，所述图像源可存储或产生待发送到处理器21的图像数据。处理器21可控制显示装 置40的总体操作。处理器21从网络接口 27或图像源接收数据（例如经压缩图像数据）， 且将所述数据处理成原始图像数据或处理成容易被处理成原始图像数据的格式。处理器21 可将经处理数据发送到驱动器控制器29或发送到帧缓冲器28以供存储。原始数据通常指 代识别图像内的每一位置处的图像特性的信息。举例来说，此类图像特性可包含色彩、饱和 度及灰度级。
[0104]处理器21可包含用以控制显示装置40的操作的微控制器、CPU或逻辑单元。调节 硬件52可包含用于向扬声器45发射信号及从麦克风46接收信号的放大器及滤波器。调 节硬件52可为显示装置40内的离散组件，或可并入于处理器21或其它组件内。
[0105]驱动器控制器29可直接从处理器21或从帧缓冲器28取得由处理器21产生的原 始图像数据，且可适当地将原始图像数据重新格式化以供高速发射到阵列驱动器22。在一 些实施方案中，驱动器控制器29可将原始图像数据重新格式化成具有光栅状格式的数据 流，使得其具有适合于跨越显示阵列30进行扫描的时间次序。接着，驱动器控制器29将经 格式化的信息发送到阵列驱动器22。虽然驱动器控制器29 (例如LCD控制器）通常作为独 立的集成电路（1C)与系统处理器21相关联，但可以许多方式实施此类控制器。举例来说， 可将控制器作为硬件嵌入于处理器21中、作为软件嵌入于处理器21中或与阵列驱动器22 完全集成在硬件中。显示装置40的输入装置。在一些实施方案出显示装置40的操作。
听周知的多种能量存储装置。举例来说，电电或锂离子电池。电力供应器50还可为可乾电池或太阳能电池涂料。电力供应器50
于驱动器控制器29中，驱动器控制器29可2实施方案中，控制可编程性驻存于阵列驱硬件及/或软件组件且以各种配置实施。
长的各种说明性逻辑、逻辑块、模块、电路及组合。已就功能性大体描述且在上文所描解说明了硬件与软件的可互换性。此功能3、体系统强加的设计约束。
、数字信号处理器①”)、专用集成电路程逻辑装置、离散门或晶体管逻辑、离散硬其任一组合来实施或执行用于实施结合本方案，而是被赋予与本发明、本文中所揭示:示范性”在本文中专用于意指“用作实例、丨任何实施方案未必解释为比其它实施方案了解，术语“上部”及“下部”有时为了便于1的页面上的定向的相对位置，且可能不反
的背景中描述的某些特征以组合形式实施方案的背景中描述的各种特征单独地或以此外，虽然上文可将特征描述为以某些组的青况中，可从所主张的组合去除来自所述组合或子组合的变化形式。
I操作，但此不应理解为要求以所展示的特斤图解说明的操作来实现所要结果。此外，客个实例性工艺。然而，可将其它并未描绘戶。举例来说，可在所图解说明的操作中的'卜操作。在某些情况中，多任务化及并行处
【权利要求】
1.一种设备，其包括: 柔性衬底，其具有形成于所述衬底的第一表面中的多个凹痕 '及 反射小面，其至少部分地位于所述凹痕内，其中所述反射小面包含: 反射表面，其位于所述小面的面向所述凹痕的侧上；及 小面掩蔽结构，其在所述反射小面的与所述衬底相对的侧上，其中所述小面掩蔽结构的反射性小于所述反射表面。
2.根据权利要求1所述的设备，其中所述衬底的所述第一表面包含位于所述衬底中的所述凹痕之间的平坦区域，且其中所述反射小面包含经定向而与所述衬底的所述平坦区域成角度的倾斜侧壁。
3.根据权利要求2所述的设备，其中所述反射小面具有高度为至少约0.5 μ m的截头圆锥形形状。
4.根据权利要求2或3所述的设备，其中所述倾斜侧壁相对于所述衬底的所述平坦区域定向的所述角度在约40°与约50°之间。
5.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的设备，其中所述反射表面包含铝。
6.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的设备，其中所述反射表面包含金属油墨。
7.根据权利要求1到6中任一权利要求所述的设备，其中所述小面掩蔽结构包含光致抗蚀剂层。
8.根据权利要求1到6中任一权利要求所述的设备，其中所述小面掩蔽结构包含干涉式黑色掩模。
9.根据权利要求1到8中任一权利要求所述的设备，其另外包括: 多个经掩蔽导线，其位于所述柔性衬底上，其中所述多个经掩蔽导线中的每一者包含: 导电材料条带；及 导线掩蔽结构，其具有至少一个导线掩蔽层，其中所述导线掩蔽层的反射性小于所述导电材料条带。
10.根据权利要求9所述的设备，其中所述导电材料条带位于所述导线掩蔽结构与所述衬底之间。
11.根据权利要求9或10所述的设备，其中所述多个经掩蔽导线彼此大体平行地延伸。
12.根据权利要求9到11中任一权利要求所述的设备，其中所述衬底的所述第一表面包含位于所述衬底中的所述凹痕之间的平坦区域，且其中所述多个经掩蔽导线在所述衬底的所述第一表面的所述平坦区域上方延伸。
13.根据权利要求9到12中任一权利要求所述的设备，其中所述导线掩蔽结构包含光致抗蚀剂层。
14.根据权利要求9到12中任一权利要求所述的设备，其中所述导线掩蔽结构包含干涉式暗掩模。
15.根据权利要求9到14中任一权利要求所述的设备，其中所述多个经掩蔽导线的宽度小于约5μηι。
16.根据权利要求1到8中任一权利要求所述的设备，其另外包括: 显示器衬底，其中所述柔性衬底位于所述显示器衬底与所述反射小面之间，且其中所述反射小面的所述反射表面面向所述显示器衬底；及 反射式显示器，其位于所述显示器衬底的与所述柔性衬底相对的侧上。
17.根据权利要求16所述的设备，其中所述柔性衬底另外包含形成于所述衬底上的多个经掩蔽导线。
18.根据权利要求17所述的设备，其另外包括位于第一柔性衬底的与所述显示器衬底相对的侧上的第二柔性衬底，其中所述第二柔性衬底包含形成于所述第二柔性衬底上的第二多个经掩蔽导线，且其中第一多个经掩蔽导线实质上正交于第二多个经掩蔽导线而延伸。
19.根据权利要求16到18中任一权利要求所述的设备，其另外包括: 处理器，其经配置以与所述显示器通信，所述处理器经配置以处理图像数据；及 存储器装置，其经配置以与所述处理器通信。
20.根据权利要求19所述的设备，其进一步包括经配置以将至少一个信号发送到所述显示器的驱动器电路。
21.根据权利要求20所述的设备，其进一步包括经配置以将所述图像数据的至少一部分发送到所述驱动器电路的控制器。
22.根据权利要求19到21中任一权利要求所述的设备，其进一步包括经配置以将所述图像数据发送到所述处理器的图像源模块。
23.根据权利要求22所述的设备，其中所述图像源模块包含接收器、收发器及发射器中的至少一者。
24.根据权利要求19到23中任一权利要求所述的设备，其进一步包括经配置以接收输入数据并将所述输入数据传递到所述处理器的输入装置。
25.一种制作设备的方法，其包括: 提供衬底，所述衬底具有形成于所述衬底的第一表面中的多个凹痕； 在所述衬底的所述第一表面上方形成反射层； 在所述反射层上方形成经图案化掩蔽层；及 使用所述经图案化掩蔽层作为掩模来图案化所述反射层以在所述衬底的所述第一表面中的所述凹痕内形成经掩蔽反射小面。
26.根据权利要求25所述的方法，其中所述衬底为柔性衬底。
27.根据权利要求25所述的方法，其中所述衬底为实质上刚性的。
28.根据权利要求25到27中任一权利要求所述的方法，其中所述形成经图案化掩蔽层包含: 在所述衬底的所述第一表面的部分上方形成疏水层，其中所述疏水层不覆盖所述衬底的所述第一表面内的所述凹痕；及 在所述疏水层上方形成掩蔽层，其中所述掩蔽层的不与所述疏水层接触的部分形成经图案化掩蔽层。
29.根据权利要求25到27中任一权利要求所述的方法，其中所述形成经图案化掩蔽层包含: 在所述衬底的所述第一表面内的所述凹痕内形成亲水层；及 在所述亲水层上方形成掩蔽层，其中所述掩蔽层的与所述亲水层接触的部分形成经图案化掩蔽层。
30.根据权利要求25到29中任一权利要求所述的方法，其中图案化所述反射层进一步包含使用所述掩蔽层作为掩模来图案化所述反射层以形成在所述衬底的所述第一表面的位于所述衬底的所述第一表面中的所述凹痕之间的平坦部分上方延伸的经掩蔽布线。
31.一种设备，其包括: 柔性衬底，其具有形成于所述衬底的第一表面中的多个凹痕 '及 反射小面，其至少部分地位于所述凹痕内，其中所述反射小面包含: 反射表面，其位于所述小面的面向所述凹痕的侧上；及 用于掩蔽所述反射小面的与所述衬底相对的侧的装置。
32.根据权利要求31所述的设备，其中所述掩蔽装置包含在所述反射小面的与所述衬底相对的所述侧上的小面掩蔽结构，且其中所述小面掩蔽结构的反射性小于所述反射表面。
【文档编号】G02B26/00GK104040407SQ201280064074
【公开日】2014年9月10日 申请日期:2012年12月14日 优先权日:2011年12月22日
【发明者】罗伯特·L·霍尔曼, 克里斯托弗尔·A·莱弗里, 汤民豪 申请人:高通Mems科技公司