电子照相感光构件、处理盒和电子照相设备的制作方法
【专利摘要】本发明涉及电子照相感光构件、处理盒和电子照相设备。电子照相感光构件的电荷产生层包括酞菁颜料和特定的三氰基乙烯化合物。可选择地，电子照相感光构件的电荷产生层和/或底涂层包括特定的三氰基乙烯化合物，电荷产生层包括酞菁颜料。
【专利说明】电子照相感光构件、处理盒和电子照相设备
【技术领域】
[0001]本发明涉及电子照相感光构件以及各自包括所述电子照相感光构件的处理盒和电子照相设备。
【背景技术】
[0002]已开发各种电子照相感光构件用电荷产生物质。这些物质中，经常使用具有高感光度的酞菁颜料。
[0003]然而，电子照相感光构件的高感光度通过从处理盒或电子照相设备的外部穿透的光易于引起电子照相感光构件的光存储。近年来，需要对此进行改进。术语"光存储"表示载流子累积在用光照射的部分(照射部)中从而引起照射部与未用光照射的部分之间的电位差的现象，这能引起图像品质(图像再现性)降低。
[0004]日本专利特开2006-72304和2008-15532公开了组合使用酞菁颜料和有机电子受体化合物的技术，以及电荷产生层包括具有电子受体分子的颜料敏化掺杂剂的技术。
[0005]然而，使用日本专利特开2006-72304和2008-15532中公开的技术没有产生光存储的充分改进。
【发明内容】
[0006]本发明的方面提供抑制光存储发生的电子照相感光构件，以及各自包括该电子照相感光构件的处理盒和电子照相设备。
[0007]本发明的一个公开方面提供具有支承体以及在支承体上形成的电荷产生层和电荷输送层的电子照相感光构件，
[0008]其中电荷产生层具有酞菁颜料和由下述式(I)表示的三氰基乙烯化合物，其中三氰基乙烯化合物的偶极矩为8.0德拜以上，偶极矩从通过密度泛函计算在B3LYP/6-31G水平上的分子轨道计算的结果而获得。
[0009]本发明的另一方面提供具有支承体、在支承体上形成的底涂层以及在底涂层上形成的电荷产生层和电荷输送层的电子照相感光构件，
[0010]其中底涂层具有由下述式(I)表示的三氰基乙烯化合物，其中三氰基乙烯化合物的偶极矩为8.0德拜以上，偶极矩从通过密度泛函计算在B3LYP/6-31G水平上的分子轨道
计算的结果而获得，以及其中电荷产生层具有酞菁颜料，
[0011]
【权利要求】
1.一种电子照相感光构件，其包含: 支承体；和在所述支承体上形成的电荷产生层和电荷输送层， 其中所述电荷产生层包含: 酞菁颜料，和由下述式(I)表示的三氰基乙烯化合物， 其中所述三氰基乙烯化合物的偶极矩为8.0德拜以上，所述偶极矩从通过密度泛函计算在B3LYP/6-31G水平上的分子轨道计算的结果而获得，
2.一种电子照相感光构件，其包含: 支承体；和在所述支承体上形成的底涂层；在所述底涂层上形成的电荷产生层和电荷输送层， 其中所述底涂层包含由下述式(I)表示的三氰基乙烯化合物， 其中所述三氰基乙烯化合物的偶极矩为8.0德拜以上，所述偶极矩从通过密度泛函计算在B3LYP/6-31G水平上的分子轨道计算的结果而获得，和其中所述电荷产生层包含酞菁颜料，
3.根据权利要求1或2所述的电子照相感光构件， 其中，式(I)中，R1表示用吡啶基、哌啶基、烷基或芳基取代的氨基，或者用仲胺或叔胺取代的芳基。
4.根据权利要求1或2所述的电子照相感光构件， 其中所述由式(I)表示的三氰基乙烯化合物的最低未占据分子轨道LUMO在-3.2eV至-2.9eV的范围内，所述LUMO从通过密度泛函计算在B3LYP/6-31G水平上的分子轨道计算的结果而获得。
5.根据权利要求1或2所述的电子照相感光构件， 其中所述三氰基乙烯化合物为由式(1-1)至(1-3)中的任一种表示的三氰基乙烯化合物:
6.根据权利要求1或2所述的电子照相感光构件，其中所述酞菁颜料为羟基镓酞菁。
7.—种处理盒，其可拆卸地安装至电子照相设备的主体，其中所述处理盒一体化支承:根据权利要求1或2所述的电子照相感光构件，和选自由充电装置、显影装置和清洁装置组成的组的至少一种装置。
8.一种电子照相设备，其包括:根据权利要求1或2所述的电子照相感光构件；充电装置；曝光装置；显影装置；和转印装置。
【文档编号】G03G5/047GK103676508SQ201310384755
【公开日】2014年3月26日 申请日期:2013年8月29日 优先权日:2012年8月31日
【发明者】西田孟, 久野纯平, 川原正隆, 渡口要, 田中正人 申请人:佳能株式会社