技术总结
一种掩膜版版图及形成半导体结构的方法，其中掩膜版版图包括：第一层掩膜版版图，相邻第一图形之间的区域用于定义栅极结构两侧的源漏区以及隔离区，第一图形投影于基底表面的图形为第一投影图形，第一投影图形横跨基底中的若干有源区；第二层掩膜版版图，相邻第二图形之间的区域用于定义若干有源区，第二图形用于定义位于相邻有源区之间的隔离区，第二图形投影于基底表面的图形为第二投影图形，第二投影图形横跨若干有源区，第二投影图形与至少一个第一投影图形相邻，且第一投影图形与相邻第二投影图形之间的区域用于定义横跨若干源漏区表面的源漏金属层。本发明提高了工艺灵活性，改善了形成的半导体结构的电学性能。
技术研发人员：余云初;沈忆华;潘见;傅丰华
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
文档号码：201510702113
技术研发日：2015.10.26
技术公布日：2017.05.03