技术特征：
技术总结
一种光刻掩膜版的制造方法，包括：提供透光基底、掩膜版以及光刻胶层；对光刻胶层进行曝光处理以及显影处理，形成第一沟槽以及第二沟槽，所述第一沟槽的宽度小于第二沟槽的宽度；形成填充满第一沟槽的第一掩膜层；形成填充满第二沟槽的第二掩膜层；去除光刻胶层；以第一掩膜层以及第二掩膜层为掩膜刻蚀掩膜版直至暴露出透光基底表面，在第一掩膜层下方形成光学辅助线条掩膜，在第二掩膜层下方形成主图形掩膜，光学辅助线条掩膜的宽度小于主图形掩膜的宽度；去除第一掩膜层和第二掩膜层。本发明避免了定义光学辅助线条的掩膜倒掉的问题，提高了形成的光刻掩膜版的产品良率，减小光刻掩膜版重出的损耗。
技术研发人员：邢滨;张城龙
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
技术研发日：2016.03.08
技术公布日：2017.09.15