技术领域本发明涉及电光学装置以及电子设备。
背景技术：
作为上述电光学装置，例如已知有按每个像素具备对像素电极进行开关控制的晶体管的有源驱动方式的液晶装置。该液晶装置例如被用作作为电子设备的液晶投影仪的液晶光阀。在上述液晶装置中，为了保持像素电位，具备在一对电容电极之间夹持有电介质膜的构造的电容元件。若上述液晶投影仪为高亮度，则有晶体管的漏光(电流)增加的趋势，所以为了维持显示品质，需要增加电容元件的电容量。例如，专利文献1中公开有将辅助电容沿像素的平面方向设置多个来增加电容量的方法。专利文献1：日本特开平6－75248号公报然而，存在如下课题：若如上述专利文献1那样，在像素的平面方向上增加电容量，则需要很多面积，所以开口率降低，无法应对像素间距的窄间距化、液晶装置的小型化。另外，若要应对像素间距的窄间距化，则存在电容变小、漏光增加而无法应对高亮度化这样的课题。
技术实现要素：
本发明的方式是为了解决上述课题的至少一部分而完成的，能够作为以下的方式或者应用例来实现。[应用例1]本应用例所涉及的电光学装置的特征在于，具有：基板；设置于上述基板上的绝缘层；以及设置于上述绝缘层的槽，在上述槽的内部形成有按第一电极、第一绝缘膜、第二电极、第二绝缘膜、第三电极的顺序依次层叠而形成的多个电容。根据本应用例，在槽(沟槽)的内部由层叠膜构成多个电容(电容元件)，所以不增加平面上的面积，就能够增加电容。因此，能够使像素间距窄间距化，并且能够提高亮度。[应用例2]在上述应用例所涉及的电光学装置中，优选在上述基板上设置有晶体管，上述多个电容被配置在上述晶体管之上。根据本应用例，在晶体管之上配置有电容(沟槽型的电容)，所以能够用沟槽型的电容遮挡来自晶体管的漏光。另外，能够用沟槽的侧壁反射从外部向晶体管侵入的光(倾斜光等)。因此，能够抑制如光射入至晶体管的情况那样晶体管产生误动作。[应用例3]在上述应用例所涉及的电光学装置中，优选上述晶体管具有半导体层，上述槽被配置成在俯视时与上述半导体层重叠。根据本应用例，以与半导体层重叠的方式形成电容(槽)，所以能够通过电容遮挡来自半导体层(特别是LDD(LightlyDopedDrain：轻掺杂漏极)区域)的漏光。另外，即使在使用遮光性低但膜的埋入性好的膜的情况下，通过膜被层叠，也能够提高遮光性。[应用例4]在上述应用例所涉及的电光学装置中，优选上述第一电极、上述第二电极以及上述第三电极是氮化钛，上述第一绝缘膜以及上述第二绝缘膜是High－k膜。根据本应用例，通过使用上述材料，能够在槽中层叠多个电容膜，并且能够使电容量增加。[应用例5]本应用例所涉及的电子设备的特征在于，具备上述的电光学装置。根据本应用例，具备上述的电光学装置，所以能够提供能够小型化且使显示品质提高的电子设备。附图说明图1是表示液晶装置的结构的示意俯视图。图2是沿着图1所示的液晶装置的H－H’线的示意剖视图。图3是表示液晶装置的电性结构的等效电路图。图4是表示液晶装置的像素的构造的概略剖视图。图5是表示像素的构造的概略俯视图。图6是按工序顺序表示液晶装置的制造方法的流程图。图7是表示液晶装置的制造方法中的一部分制造方法的概略剖视图。图8是表示液晶装置的制造方法中的一部分制造方法的概略剖视图。图9是表示液晶装置的制造方法中的一部分制造方法的概略剖视图。图10是表示液晶装置的制造方法中的一部分制造方法的概略剖视图。图11是表示作为电子设备的投影仪的结构的概略图。附图标记说明：3a…扫描线，3b…电容线，6a…数据线，10…元件基板，10a…作为基板的第一基材，13…绝缘层，14…密封材料，15…液晶层，16…电容元件，16’…槽(沟槽)，16a…作为第一电极的下部电极，16b…作为第一绝缘膜的下部电介质膜，16c…作为第二电极的中部电极，16d…作为第二绝缘膜的上部电介质膜，16e…作为第三电极的上部电极，16f…覆盖TEOS膜，18…遮光层，20…对置基板，20a…第二基材，22…数据线驱动电路，24…扫描线驱动电路，26…上下导通部，27…像素电极，28…第一取向膜，29…布线，30…TFT，30a…半导体层，30c…沟道区域，30d…像素电极侧源极和漏极区域，30d1…像素电极侧LDD区域，30g…栅极电极，30s…数据线侧源极和漏极区域，30s1…数据线侧LDD区域，31…共用电极，32…第二取向膜，33…栅极绝缘膜，41…第一绝缘层，42…第二绝缘层，43…第三绝缘层，44～49…层间绝缘层，51…第一遮光膜，52…第二遮光膜，53…第三遮光膜，61…外部连接端子，81…第一中继层，82…第二中继层，83a～83f…接触孔，84a～84d…中继电极，84e…共用布线，100…液晶装置，161…作为电容的第一电容元件，162…作为电容的第二电容元件，1000…投影仪，1100…偏振光照明装置，1101…灯单元，1102…集成透镜，1103…偏振光变换元件，1104、1105…分色镜，1106、1107、1108…反射镜，1201、1202、1203、1204、1205…中继透镜，1206…十字分色棱镜，1207…投射透镜，1210、1220、1230…液晶光阀，1300…屏幕，1400…投射光学系统。具体实施方式以下，根据附图对将本发明具体化了的实施方式进行说明。此外，使用的附图被适当地放大或者缩小来显示，以便使要说明的部分成为能够识别的状态。此外，在以下的方式中，设例如记载为“在基板上”的情况表示：配置成接触到基板之上的情况，或者隔着其他构成物配置在基板之上的情况，或者一部分以接触的方式配置在基板之上、一部分隔着其他构成物配置的情况。在本实施方式中，例举具备薄膜晶体管(TFT：ThinFilmTransistor)来作为像素的开关元件的有源矩阵型的液晶装置来进行说明。该液晶装置例如能够作为后述的投射型显示装置(液晶投影仪)的光调制元件(液晶光阀)来优选使用。＜作为电光学装置的液晶装置的结构＞图1是表示液晶装置的结构的示意俯视图。图2是沿着图1所示的液晶装置的H－H’线的示意剖视图。图3是表示液晶装置的电性结构的等效电路图。以下，参照图1～图3对液晶装置的结构进行说明。如图1以及图2所示，本实施方式的液晶装置100具备：对置配置的元件基板10以及对置基板20、和被上述一对基板夹持的液晶层15。作为构成元件基板10的基板的第一基材10a以及构成对置基板20的第二基材20a例如使用玻璃基板、石英基板等透明基板。元件基板10比对置基板20大，两基板经由沿着对置基板20的外周配置的密封材料14接合，在其间隙中封入具有负的介电各向异性的液晶来构成液晶层15。密封材料14例如采用热固化性或者紫外线固化性的环氧树脂等粘合剂。在密封材料14中混入有用于将一对基板的间隔保持为恒定的间隙材料。在密封材料14的内侧具有排列有多个像素P的显示区域E。在密封材料14与显示区域E之间以包围显示区域E的方式配置有遮光性的例如由金属或者金属氧化物等构成的遮光层18(隔断部)。此外，显示区域E也可以包括以包围对显示做出贡献的多个像素P的方式配置的多个伪像素。在第一基材10a的1边部与沿着1边部的密封材料14之间设置有数据线驱动电路22。另外，在沿着与该1边部对置的其他1边部的密封材料14的内侧设置有检查电路(未图示)。而且，在与该1边部正交且相互对置的其他2边部设置有2个扫描线驱动电路24。在与该1边部对置的其他1边部设置有连接2个扫描线驱动电路24的多个布线29。与这些数据线驱动电路22以及扫描线驱动电路24连接的布线被连接到沿着该1边部排列的多个外部连接端子61。以下，将沿着该1边部的方向设为X方向，将沿着与该1边部正交且相互对置的其他2边部的方向设为Y方向来进行说明。如图2所示，在第一基材10a的液晶层15侧的表面形成有：按每个像素P设置的具有透光性的像素电极27以及作为开关元件的薄膜晶体管30(以下，称为“TFT30”。)、信号布线、和覆盖这些的第一取向膜28。像素电极27例如由ITO(IndiumTinOxide：氧化铟锡)等透明导电膜构成。在第二基材20a的液晶层15侧的表面设置有：遮光层18、以覆盖遮光层18的方式成膜的绝缘层13、被设置成覆盖绝缘层13的共用电极31、和覆盖共用电极31的第二取向膜32。共用电极31与上述的像素电极27同样地例如由ITO等透明导电膜构成，覆盖绝缘层等，并且如图1所示那样通过设置于对置基板20的四角的上下导通部26与元件基板10侧的布线电连接。覆盖像素电极27的第一取向膜28以及覆盖共用电极31的第二取向膜32是无机取向膜，基于液晶装置100的光学设计来选定。例如，列举使用气相生长法使SiOx(氧化硅)等无机材料成膜并相对于液晶分子大致垂直取向的取向膜。这种液晶装置100是透射式，采用像素P在非驱动时为暗显示的常黑模式、在非驱动时为亮显示的常白模式的光学设计。根据光学设计，在光的入射侧(射出侧)配置偏振片来使用。如图3所示，液晶装置100具有：至少在显示区域E相互绝缘且正交的多个扫描线3a以及多个数据线6a、以及与扫描线3a平行延伸的电容线3b。扫描线3a延伸的方向为X方向，数据线6a延伸的方向为Y方向。此外，电容线3b也能够配置成与数据线6a平行延伸。在由扫描线3a、数据线6a以及电容线3b这些信号线同类划分而成的区域设置有像素电极27、TFT30和电容元件16，这些构成像素P的像素电路。扫描线3a与TFT30的栅极电连接，数据线6a与TFT30的数据线侧源极和漏极区域电连接。像素电极27与TFT30的像素电极侧源极和漏极区域电连接。数据线6a与数据线驱动电路22(参照图1)连接，将被从数据线驱动电路22供给的图像信号D1、D2、…、Dn向像素P进行供给。扫描线3a与扫描线驱动电路24(参照图1)连接，将被从扫描线驱动电路24供给的扫描信号SC1、SC2、…、SCm向各像素P进行供给。从数据线驱动电路22向数据线6a供给的图像信号D1～Dn可以按该顺序以线顺序进行供给，也可以对相互相邻的多个数据线6a彼此按组进行供给。扫描线驱动电路24对扫描线3a在规定的时机脉冲性地以线顺序供给扫描信号SC1～SCm。液晶装置100构成为：作为开关元件的TFT30根据扫描信号SC1～SCm的输入而在一定期间成为接通状态，由此从数据线6a供给的图像信号D1～Dn在规定的时机被写入至像素电极27。而且，经由像素电极27写入至液晶层15的规定电平的图像信号D1～Dn在像素电极27与隔着液晶层15对置配置的共用电极31之间被保持一定期间。为了防止所保持的图像信号D1～Dn泄漏，与形成在像素电极27与共用电极31之间的液晶电容并联连接有电容元件16。电容元件16被设置于TFT30的像素电极侧源极和漏极区域与电容线3b之间。＜液晶装置的像素的构造＞图4是表示液晶装置的像素的构造的概略剖视图。图5是表示像素的构造的概略俯视图。以下，参照图4以及图5对像素的构造进行说明。此外，图4以及图5示出各构成部件的俯视或者剖视的位置关系，以能够明示的尺寸来表示。另外，图5所示的像素是从电容元件16观察第一基材10a侧的概略俯视图。如图4所示，液晶装置100具备元件基板10、和与其对置配置的对置基板20(参照图2)。构成元件基板10的第一基材10a如上所述那样例如由石英基板等构成。在第一基材10a上形成有例如由钨(W)、硅化钨(WSi)等构成的第一遮光膜51。第一遮光膜51在俯视时被图案化成栅格状，规定各像素P的开口区域。在第一基材10a以及第一遮光膜51上形成有由氧化硅等构成的第一绝缘层41以及第二绝缘层42。在第二绝缘层42上形成有TFT30以及扫描线3a(第三遮光膜53)等。TFT30例如具有LDD构造，具有由非晶硅(a－Si)或多晶硅(Poly－Si)等构成的半导体层30a、形成于半导体层30a上的栅极绝缘膜33、以及形成于栅极绝缘膜33上的由多晶硅等构成的栅极电极30g。具体地说，半导体层30a具有：沟道区域30c、数据线侧LDD区域30s1、数据线侧源极和漏极区域30s、像素电极侧LDD区域30d1、和像素电极侧源极和漏极区域30d(都参照图5)。在栅极电极30g以及第二绝缘层42上形成有由氧化硅等构成的第三绝缘层43。如上所述，在第三绝缘层43上形成有被用作扫描线3a的第三遮光膜53。另外，在第一遮光膜51上的TFT30的周围设置有从第一遮光膜51贯通到第三遮光膜53的槽(沟槽)。在槽之中埋入有由钨(W)等构成的第二遮光膜52。如图4所示，在第三遮光膜53上设置有层间绝缘层(44～49)、电容元件16、中继层81、82、中继电极84a～84f以及像素电极27等。对于电容元件16来说，在形成为贯通层间绝缘层45的槽(沟槽)16’的内部，作为电容的第一电容元件161和第二电容元件162以并联连接的方式设置。具体地说，如图4所示，从槽16’的外侧起，层叠有作为第一电极的下部电极16a、作为第一绝缘膜的下部电介质膜16b、作为第二电极的中部电极16c、作为第二绝缘膜的上部电介质膜16d、作为第三电极的上部电极16e。由下部电极16a、下部电介质膜16b和中部电极16c形成第一电容元件161。由中部电极16c、上部电介质膜16d和上部电极16e形成第二电容元件162。下部电极16a、中部电极16c以及上部电极16e的材料例如是氮化钛(TiN)。下部电介质膜16b(电容膜)、上部电介质膜16d(电容膜)的材料例如是High－k膜(高介电常数膜)。另外，下部电极16a、中部电极16c以及上部电极16e的膜厚例如是以下。下部电介质膜16b以及上部电介质膜16d的膜厚例如是另外，槽16’的深度例如是下部电极16a经由形成于下层的第一中继层81以及接触孔83f与上部的中继电极84d电连接。该中继电极84d例如是共用布线。施加到共用布线的电压例如是7V。第一中继层81的材料是铝。另外，第一中继层81也发挥形成槽16’(沟槽)时的蚀刻阻挡层的作用。并且，第一中继层81也发挥屏蔽从栅极电极30g产生的电位的作用。中部电极16c经由接触孔83a、83b、83c、83d、83e、第二中继层82以及中继电极84a、84b、84c与像素电极27电连接。施加到中部电极16c的电压例如是2V和12V。这样，在较深的槽16’中设置并联连接第一电容元件161以及第二电容元件162而成的电容元件16，所以在像素P的平面方向上不扩大电容元件16的区域，就能够使电容元件16的电容量增加。因此，由于在平面方向上不扩大电容元件16的区域，所以能够缩小遮光区域P2的面积，能够提高开口率。此外，能够形成窄间距的像素P。而且，由于能够增加电容元件16的电容，所以能够应用于高亮度的液晶投影仪。如图5所示，沟槽型的电容元件16被配置成与构成TFT30的半导体层30a在俯视时重叠。换而言之，在TFT30之上配置有沟槽型的电容元件16。如图5所示，像素P具有开口区域P1、和处于开口区域P1的周围的遮光区域P2。对于图5所示的像素P来说，以与形成于遮光区域P2的第一遮光膜51(参照图4)重叠的方式形成有半导体层30a。半导体层30a的一端以及另一端是源极和漏极区域30s、30d。在半导体层30a的与沟道区域30c重叠的区域配置有栅极电极30g。这样，在TFT30之上配置有电容元件16，并且以沿着半导体层30a的延伸方向的方式重叠地配置有沟槽型的电容元件16，所以能够提高遮光性。例如，能够用沟槽型的电容元件16遮挡来自TFT30(特别是半导体层30a的LDD区域30s1、30d1)的漏光，能够抑制漏光侵入开口区域P1。另外，在较深的槽16’中层叠多个膜而构成电容元件16，所以例如在来自外部的光为倾斜光并向TFT30侵入的情况下，也能够用沟槽型的电容元件16的侧壁使光反射。因此，能够向开口区域P1的方向聚光而提高亮度，并且能够抑制照射到TFT30所导致的TFT30的误动作。而且，在槽16’中层叠膜来构成电容元件16，所以例如即使在使用虽然遮光性低但膜的埋入性好的材料的情况下，膜被层叠，因而也能够获得遮光性，能够遮挡漏光。另外，如图4所示，像素电极27与电容元件16的一部分连接，并且与未图示的半导体层30a的像素电极侧源极和漏极区域30d(漏极区域)电连接。在像素电极27以及相邻的像素电极27间的绝缘层(49)上设置有斜向蒸镀了氧化硅(SiO2)等无机材料而成的第一取向膜28(参照图2)。在第一取向膜28之上设置有液晶等被封入至由密封材料14(参照图1以及图2)包围的空间而成的液晶层15。在液晶层15之上以与元件基板10对置的方式配置有对置基板20(参照图2)。＜液晶装置的制造方法＞图6是按工序顺序表示液晶装置的制造方法的流程图。图7～图10是表示液晶装置的制造方法中的一部分制造方法的概略剖视图。以下，参照图6～图10对液晶装置的制造方法进行说明。此外，主要对液晶装置中的元件基板的制造方法进行说明。如图6所示，在步骤S11中，形成TFT30。具体地说，如图7的(a)所示，在由石英基板等构成的第一基材10a上形成TFT30。首先，在第一基材10a上形成由硅化钨(WSi)等构成的第一遮光膜51。然后，隔着由氧化硅(SiO2)等构成的绝缘层41、42形成TFT30。作为TFT30的形成方法，能够使用公知的成膜技术、光刻技术以及蚀刻技术。接下来，在TFT30的周围形成用于遮挡来自TFT30的漏光的由钨等构成的第二遮光膜52，在第二遮光膜52以及第三绝缘层43之上形成由铝等构成的第三遮光膜53(扫描线3a)。此外，省略这些的具体的制造方法的说明。在步骤S12中，形成第一中继层81以及第二中继层82。具体地说，同样地如图7的(a)所示，首先，在第三遮光膜53之上形成由氧化硅等构成的层间绝缘层44。接下来，形成用于与电容元件16的一部分连接的第一中继层81以及用于与电容元件16的一部分连接的第二中继层82。作为第一中继层81以及第二中继层82的形成方法，能够使用公知的成膜技术(例如，CVD(ChemicalVaporDeposition：化学气相沉积)技术)、光刻技术以及蚀刻技术。在步骤S13中，形成接触孔83a。具体地说，首先，如图7的(b)所示，在第一中继层81、第二中继层82以及层间绝缘层44之上形成由氧化硅等构成的层间绝缘层45。接下来，在层间绝缘层45中形成贯通到第二中继层82的接触孔83a。然后，将钨埋入至接触孔83a。此后，为了使在层间绝缘层45的表面产生的凹凸平坦化，施以CMP(ChemicalMechanicalPolishing：化学机械研磨)研磨处理。在步骤S14中，形成覆盖TEOS(TetraEthylOrthoSilicate：正硅酸乙酯)膜16f。具体地说，如图7的(c)所示，在层间绝缘层45之上形成覆盖TEOS膜16f。覆盖TEOS膜16f用于防止在后面的工序中接触孔83a被侵蚀。在步骤S15中，形成槽16’(沟槽)。具体地说，如图8的(d)所示，在层间绝缘层45中形成贯通到第一中继层81的用于形成电容元件16的沟槽16’。换而言之，在俯视时与半导体层30a重叠的区域形成沟槽16’。作为沟槽16’的形成方法，能够使用公知的光刻技术以及蚀刻技术。沟槽16’的深度例如为以上，优选为以上。沟槽16’的宽度例如为0.45μm。在步骤S16中，形成下部电极16a。具体地说，如图8的(e)所示，首先，遍及从沟槽16’中到覆盖TEOS膜16f之上，例如使用CVD技术将氮化钛进行成膜。接下来，使用光刻技术以及蚀刻技术，将下部电极16a图案化。下部电极16a的厚度例如是在步骤S17中，形成下部电介质膜16b。具体地说，如图8的(f)所示，遍及从沟槽16’中的下部电极16a上到覆盖TEOS膜16f上，形成由High－k膜(高介电常数膜)构成的下部电介质膜16b。下部电介质膜16b的厚度例如是接下来，如图9的(g)所示，将下部电介质膜16b以及覆盖TEOS膜16f图案化。作为形成方法，能够使用光刻技术以及蚀刻技术来形成。由此，下部电介质膜16b形成于从沟槽16’中到沟槽16’的边缘，接触孔83a的上表面露出。另外，在遮光区域P2(电容元件16的区域)残留下部电介质膜16b，除去开口区域P1的下部电介质膜16b，所以能够抑制开口区域P1的透过率降低。在步骤S18中，形成中部电极16c。在步骤S19中，形成上部电介质膜16d。在步骤S20中，形成上部电极16e。具体地说，如图9的(h)所示，遍及下部电介质膜16b以及层间绝缘层45的整个面，按中部电极16c、上部电介质膜16d以及上部电极16e的顺序进行成膜。中部电极16c例如是氮化钛(TiN)。上部电介质膜16d例如是High－k膜。上部电极16e例如是氮化钛(TiN)。作为这些的制造方法，例如能够使用CVD技术。中部电极16c的膜厚例如为上部电介质膜16d的膜厚例如为上部电极16e的膜厚例如为在步骤S21中，施以蚀刻处理。具体地说，如图9的(i)所示，以将中部电极16c与接触孔83a电连接的方式，将中部电极16c、上部电介质膜16d以及上部电极16e一并图案化。蚀刻处理例如是干式蚀刻。由此，由下部电极16a、下部电介质膜16b和中部电极16c构成的第一电容元件161、和由中部电极16c、上部电介质膜16d和上部电极16e构成的第二电容元件162形成在沟槽16’之中。这样，通过在沟槽16’中具备并联连接的第一电容元件161和第二电容元件162，能够立体地构成并联电容，能够使遮光区域P2变窄。其结果为能够使像素间距窄间距化。此外，一般的液晶装置100所需的电容量是40fF左右。单个式的电容元件的电容量是10fF左右。并联式的电容元件的电容量是20fF左右。然而，如本实施方式那样，在沟槽构造中形成并联连接的电容元件，由此能够提高到60～70fF左右的电容量。由此，例如，即使是小型化的液晶装置(例如，像素间距为4μm，开口率为60％)，也能够以高显示品质进行显示。在步骤S22中，形成到像素电极27。具体地说，如图10所示，在电容元件16之上隔着层间绝缘层46～49、接触孔83b～83g、中继电极84a～84f等形成像素电极27。接下来，以覆盖像素电极27等的方式，使用斜向蒸镀法来形成第一取向膜28。由此，元件基板10侧完成。构成电容元件16的下部电极16a以及上部电极16e经由第一中继层81、接触孔83f、83g以及中继电极84d等与共用布线84e连接。另一方面，中部电极16c经由接触孔83a～83e、第二中继层82、中继电极84a～84c等与像素电极27电连接。＜电子设备的结构＞图11是表示作为电子设备的投影仪的结构的概略图。以下，参照图11对投影仪的结构进行说明。如图11所示，本实施方式的投影仪1000具备：沿着系统光轴L配置的作为照明系统的偏振光照明装置1100；作为光分离元件的2个分色镜1104、1105；3个反射镜1106、1107、1108；5个中继透镜1201、1202、1203、1204、1205；3个作为光调制机构的透射式的液晶光阀1210、1220、1230；作为光合成元件的十字分色棱镜1206；以及投射透镜1207。偏振光照明装置1100由作为由超高压水银灯或卤素灯等白色光源构成的光源的灯单元1101、集成透镜1102、偏振光转换元件1103概略构成。分色镜1104使从偏振光照明装置1100射出的偏振光光束中的红色光(R)反射，并使从偏振光照明装置1100射出的偏振光光束中的绿色光(G)和蓝色光(B)透过。另一个分色镜1105使透过了分色镜1104的绿色光(G)反射，并使蓝色光(B)透过。被分色镜1104反射的红色光(R)被反射镜1106反射后经由中继透镜1205射入至液晶光阀1210。被分色镜1105反射的绿色光(G)经由中继透镜1204射入至液晶光阀1220。透过了分色镜1105的蓝色光(B)经由由3个中继透镜1201、1202、1203和2个反射镜1107、1108构成的导光系统而射入至液晶光阀1230。液晶光阀1210、1220、1230分别与十字分色棱镜1206的各种色光的入射面对置配置。射入至液晶光阀1210、1220、1230的色光基于影像信息(影像信号)被调制并向十字分色棱镜1206射出。在该棱镜中，4个直角棱镜粘合，在其内面反射红色光的电介质多层膜和反射蓝色光的电介质多层膜形成为十字状。通过这些电介质多层膜对3种色光进行合成，合成表示彩色图像的光。所合成的光通过构成投射光学系统1400的投射透镜1207投射到屏幕1300上，从而图像被放大显示。液晶光阀1210是应用后述的液晶装置100的部件。液晶装置100在色光的入射侧和射出侧配置成十字尼科耳(crossednicol)的一对偏振光元件之间隔开间隙地进行配置。其他液晶光阀1220、1230也是同样。如以上详述那样，根据本实施方式的液晶装置100以及投影仪1000，能够得到以下所示的效果。(1)根据本实施方式的液晶装置100，在沟槽16’的内部形成有多个电容，所以不增加平面上的面积，就能够增加电容量。因此，能够使像素间距窄间距化，并且能够提高亮度。另外，能够形成并联连接的2个电容(第一电容元件161、第二电容元件162)，并且也能够将沟槽16’的侧壁、阶梯部分用作电容，所以能够增加电容元件16的电容量。(2)根据本实施方式的液晶装置100，以与TFT30(半导体层30a)重叠的方式配置有沟槽型的电容元件16，所以能够用电容元件16遮挡来自TFT30(特别是LDD(LightlyDopedDrain)区域)的漏光。另外，即使在例如用虽然遮光性低但膜的埋入性好的材料形成电容元件16的情况下，通过沿沟槽16’内的深度方向层叠膜，也能够提高遮光性。(3)根据本实施方式的液晶装置100，在TFT30之上配置有沟槽型的电容元件16，所以能够用沟槽型的电容元件16的侧壁使从外部向TFT30侵入的光(倾斜光等)反射。因此，能够抑制如光射入至TFT30的情况那样TFT30产生误动作。(4)根据本实施方式的投影仪1000，具有上述所记载的液晶装置100，所以能够提供能应对小型化且能够进行高品质的显示的投影仪1000。此外，本发明的方式不限定于上述的实施方式，在不违反从权利要求以及说明书整体读取到的发明的要旨或者思想的范围内能够适当地变更，包含在本发明的方式的技术范围内。另外，也能够以下述那样的方式进行实施。(变形例1)并不限定于如上所述那样，下部电介质膜16b以及上部电介质膜16d的材料是High－k膜(高介电常数膜)，例如，也可以使用硅氧化物、硅氮化物、金属氧化物(SiO2、SiN、Y2O2、HfO2、ZrO2、HfSiO等)、高介电常数绝缘膜(HfO2、ZrO2、Al2O3等)。另外，也可以使用介电常数3.8以上、或3.8以上30以下的硅氧化物、硅氮化物、金属氧化物、金属氧化硅。(变形例2)并不限定于如上所述那样，在电容元件16中，下部电极16a以及上部电极16e与共用布线电连接，中部电极16c与像素电极27电连接，也可以如以下那样连接。也可以下部电极16a以及上部电极16e与像素电极27电连接，中部电极16c与共用布线电连接。(变形例3)并不限于如上所述那样，作为形成电容元件16的层叠膜的方法，使用CVD技术，例如，也可以使用沟槽16’之中的膜的覆盖性好的ALD(原子层沉积法)技术来形成。(变形例4)并不限定于如上所述那样，构成电容元件16的下部电极16a、中部电极16c以及上部电极16e是氮化钛(TiN)，也可以使用氮化钽(TaN)、钨(W)、铝(Al)。(变形例5)并不限定于如上所述那样，作为电光学装置应用于液晶装置100，例如，也可以应用于具有产生漏光的元件等的装置。