一种大视场超分辨成像器件的制作方法

技术特征：

1.一种大视场超分辨成像器件，其特征在于：包括自下而上依次排布的基底，超表面，其中所述的超表面由连续排列的各向异性的纳米结构阵列组成；所述各向异性纳米结构是在超薄金属或介质上刻蚀而成，所述各向异性纳米结构的长轴l和短轴w不相等且均小于波长；所述纳米结构阵列的晶格常数p的取值范围为：0<p<λ/4，λ为入射光波长；所述的超薄金属的厚度Tg的取值范围为：δ<Tg<λ/5，λ为入射光波长，δ为金属的趋肤深度，真空磁导率μ₀＝4π×10^-7H/m，ω为圆频率，σ为金属的电导率；所述超薄介质厚度小于入射光波长。

2.根据权利要求1所述的一种大视场超分辨成像器件，其特征在于：所述的各向异性纳米结构还包括孔或孔的互补结构。

3.根据权利要求1所述的一种大视场超分辨成像器件，其特征在于：所述的各向异性纳米结构几何图案包括：矩形、椭圆形、十字形、工字形或多边形。

4.根据权利要求1所述的一种大视场超分辨成像器件，其特征在于：所述的纳米结构的各个单元结构可相互连接,排列方式可以为正方晶格或六方晶格。

5.根据权利要求1所述的一种大视场超分辨成像器件，其特征在于：所述的纳米结构可以在平面或曲面目标上制作。

6.根据权利要求1所述的一种大视场超分辨成像器件，其特征在于：若所述纳米结构制作在金属上，所述基底材料为在工作波段透明的材料，选为硅或二氧化硅半导体材料或者氟化物材料；所述金属包括：金、银、铜、金合金、银合金或铜合金。

7.根据权利要求1所述的一种大视场超分辨成像器件，其特征在于：若所述纳米结构制作在介质上，则基底选择折射率小于1.7的低折射率材料，介质选择折射率大于2.5的高折射率材料。

8.根据权利要求1所述的一种大视场超分辨成像器件，其特征在于：所述的大视场超分辨成像器件可通过尺寸缩放，改变结构参数及选择合适的材料用于可见光，红外、太赫兹或微波波段。

9.根据权利要求1所述的一种大视场超分辨成像器件，其特征在于：所述的大视场超分辨成像器件中的平面透镜的视场可达180°，若采用曲面或多平面组合，可实现360°大视场成像；所述的大视场超分辨成像器件也可设计为反射式的。