一种光电检测器件、光电检测装置的制作方法

本发明属于光电检测技术领域，具体涉及一种光电检测器件、光电检测装置。

背景技术：

如图1所示，现有的光电检测器件包括：衬底110、电极112、绝缘层114、感光层116、级联载体层118和电源120，电极112位于衬底110上，可采用间隔设置或连续设置，绝缘层114与电极112和感光层116连接，感光层116采用非晶硒制成，级联载体层118位于感光层116上方，电源120与级联载体层118连接，电源120向级联载体层118施加电压以提高载流子的分离。

如图1所示的光电检测器件，相邻的像素单元共用一个电极112，光线会照射在位于相邻像素单元共用的电极112上面的感光层116上，使该位置处的感光层116产生光生电子，如果相邻像素单元中的光照信号不一样，这样就会在相邻像素单元的水平方向产生电场，该电场会使位于电极112上的光生电子发生移动，从而产生电流，并在相邻的像素单元中的水平电场的作用下，将该电流输入到低电场的像素单元中，从而使像素单元相互干扰，即发生串扰。

技术实现要素：

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种能够减少光生电子在公共电极与像素电极形成的电场的作用下在相邻像素单元中发生串扰的光电检测器件、光电检测装置。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种光电检测器件，包括：第一公共电极、第一像素电极、第二像素电极、第二公共电极和光电半导体层，所述第一公共电极、所述第一像素电极和所述第二像素电极位于所述光电半导体层的第一侧，所述第二公共电极位于所述光电半导体层的与所述第一侧相对的第二侧；

所述第二公共电极与位于所述第一像素电极和所述第二像素电极之间的所述第一公共电极对应设置。

其中，所述第一像素电极位于第一像素单元中，所述第二像素电极位于第二像素单元中，所述第一像素单元和所述第二像素单元相邻设置，所述第一公共电极位于所述第一像素单元和所述第二像素单元之间。

其中，所述第二公共电极与该第二公共电极对应设置的所述第一公共电极之间的电场大于所述第一公共电极与相邻的所述第一像素电极之间的电场；所述第二公共电极与该第二公共电极对应设置的所述第一公共电极之间的电场大于所述第一公共电极与相邻的所述第二像素电极之间的电场。

其中，所述第二公共电极在其所在平面的正投影覆盖与该第二公共电极对应设置的所述第一公共电极在第二公共电极所在平面的正投影。

其中，所述光电检测器件还包括第一连接电极，所述第一连接电极位于所述光电半导体层的第一侧，所述第一连接电极用于连接多个所述第一公共电极。

其中，所述第一像素电极和所述第二像素电极均包括像素连接部和两个子像素电极，两个所述子像素电极通过所述像素连接部连接。

其中，每个所述像素电极的两个像素子电极之间设置有所述第一公共电极。

其中，所述第二公共电极采用不透明的金属材料制成。

其中，所述光电检测器件还包括第二连接电极，所述第二连接电极位于所述光电半导体层的第二侧，所述第二连接电极用于连接多个所述第二公共电极。

作为另一技术方案，本发明还提供一种光电检测装置，包括上述任意一项所述的光电检测器件。

本发明的光电检测器件、光电检测装置中，该光电检测器件包括：第一公共电极、第一像素电极、第二像素电极、第二公共电极和光电半导体层，第一公共电极、第一像素电极和第二像素电极位于光电半导体层的第一侧，第二公共电极位于光电半导体层的与第一侧相对的第二侧；第二公共电极与位于第一像素电极和第二像素电极之间的第一公共电极对应设置，通过在第二公共电极上加载电压，使其与第一公共电极形成的电压能够减小第一公共电极与第一像素电极形成的电压和第一公共电极与第二像素电极形成的电压在水平方向上的分量，从而避免因第一像素电极和第二像素电极的电压不同导致的电子在第一像素电极和第二像素电极中运动，阻止水平方向电流的流动，即避免发生电子串扰。

附图说明

图1为现有的光电检测器件的结构示意图；

图2为本发明的实施例1的光电检测器件的俯视图；

图3为图2中沿AA线的截面图；

其中，附图标记为：110、衬底；112、电极；114、绝缘层；116、感光层；118、级联载体层；120、电源；1、第一公共电极；2、第一像素电极；3、第二像素电极；4、第二公共电极；5、光电半导体层；6、第一连接电极；7、像素连接部；8、子像素电极；9、第二连接电极。

具体实施方式

为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细描述。

实施例1：

请参照图2和图3，本实施例提供一种光电检测器件，包括：第一公共电极1、第一像素电极2、第二像素电极3、第二公共电极4和光电半导体层5，第一公共电极1、第一像素电极2和第二像素电极3位于光电半导体层5的第一侧，第二公共电极4位于光电半导体层5的与第一侧相对的第二侧；第二公共电极4与位于第一像素电极2和第二像素电极3之间的第一公共电极1对应设置。

其中，在施加电压后，第一公共电极1、第一像素电极2、第二像素电极3和第二公共电极4均用于产生特定的电场；光电半导体层5在被光照射后，能够吸收光线并产生电子，电子在上述特定的电场中移动。

需要说明的是，本实施例中的光电半导体层5的第一侧实际上指图3中光电半导体层5的下表面，光电半导体层5的第二侧实际上指图3中光电半导体层5的上表面。

其中，第一像素电极2位于第一像素单元中，第二像素电极3位于第二像素单元中，第一像素单元和第二像素单元相邻设置，第一公共电极1位于第一像素单元和第二像素单元之间。

请结合图2和图3，第一像素电极2位于第一像素单元(Pixel 1)中，第二像素电极3位于第二像素单元(Pixel 2)中，在第一像素电极2和第二像素电极3之间设置有第一公共电极1，也就是说，位于Pixel1和Pixel 2之间的第一公共电极1为Pixel 1和Pixel 2共同使用。

其中，第二公共电极4与该第二公共电极4对应设置的第一公共电极1之间的电场E2大于第一公共电极1与其相邻的第一像素电极2之间的电场E1；第二公共电极4与该第二公共电极4对应设置的第一公共电极1之间的电场E2大于第一公共电极1与其相邻的第二像素电极3之间的电场E5。

请参照图3，第一公共电极1与Pixel 1中的第一像素电极2之间存在电场E1，电场E1的方向为由第一公共电极1指向第一像素电极2的方向；同理，第一公共电极1与Pixel 2中的第二像素电极3之间存在电场E5，电场E5的方向为由第一公共电极1指向第二像素电极3的方向；由于第二公共电极4与位于Pixel 1和Pixel 2之间的第一公共电极1对应设置，因此，第二公共电极4和第一公共电极1之间存在电场E2，电场E2的方向由第一公共电极1指向第二公共电极4的方向。

之所以将电场E2设置为大于电场E1和电场E5，是由于电场E2的方向与电场E1和电场E5的方向几乎是垂直的，因此，电场E2的存在可以与电场E1形成电场E3，还可以与电场E5形成电场E4，电场E3和E4能够分别减小电场E1和电场E5在水平方向上的分量，可以理解的是，电场E2比电场E1越大，电场E1在水平方向的分量就越小；同理，电场E2比电场E5越大，电场E5在水平方向的分量就越小，从而可以避免电子在水平方向的串扰。

其中，第二公共电极4在其所在平面的正投影覆盖与该第二公共电极4对应设置的第一公共电极1在第二公共电极4所在平面的正投影。

从图2中可以看出，第一公共电极1和第二公共电极2均为条状电极，第二公共电极4在其所在平面的正投影覆盖与该第二公共电极4对应设置的第一公共电极1在第二公共电极4所在平面的正投影，换句话说，第二公共电极4的宽度大于第一公共电极1的宽度，因此，在本实施例的光电检测器件的俯视图中，第二公共电极4能够完全挡住与其对应的第一公共电极1，之所以如此设置，是为了利用第二公共电极4阻挡从第二公共电极4所在的光电半导体层5的第二侧入射的光，避免该入射光照射到第一公共电极1。

其中，光电检测器件还包括第一连接电极6，第一连接电极6位于光电半导体层5的第一侧，第一连接电极6用于连接多个第一公共电极1。

请参照图2，第一连接电极6与第一公共电极1均位于光电半导体层5的第一侧，第一连接电极6能够将多个条状的第一公共电极1连接在一起，第一连接电极6可以将施加的电压传输至每一个第一公共电极1上。

其中，第一像素电极2和第二像素电极3均包括像素连接部7和两个子像素电极8，两个子像素电极8通过像素连接部7连接。

请参照图2，第一像素电极2和第二像素电极3均呈现为U字型，即包括两个相互平行的条状子像素电极8和一个将两个条状子像素电极8两节在一起的像素连接部7，以使同一像素单元内的两个子像素电极8和像素连接部7上电压相同。需要说明的是，虽然第一像素电极2和第二像素电极3的结构相同，但由于第一像素电极2和第二像素电极3位于不同的像素单元内，因此，施加在第一像素电极2和第二像素电极3上的电压可以是不同的，以此，电场E1和电场E5的大小是不同的。当然，若施加在第一像素电极2和第二像素电极3上的电压相同，则电场E1和电场E5的大小也相同。

其中，每个像素电极的两个像素子电极8之间设置有第一公共电极1。

也就是说，第一公共电极1不仅位于相邻的像素单元之间，同时，第一公共电极1还位于像素单元内，以在像素单元内形成电场。为了使第一公共电极1与像素单元内的两个子像素电极8之间产生的电场相同，优选地，第一公共电极1与两个子像素电极8的距离相同，即位于U字型的像素电极中垂线上。

其中，第二公共电极4采用不透明的金属材料制成。

之所以如此设置，是为了使位于第二公共电极4和与其对应的第一公共电极1之间的光电半导体层5不受光照影响，从而不产生电子，进而减少此位置处的此处的光电半导体层5中的载流子的数量，以降低Pixel 1和Pixel 2之间的相互干扰。需要说明的是，此处的电子即光生载流子。当然，第二公共电极4的制备材料还可以选择其他类型的导电材料，只要是不透明的即可，在此不再赘述。

优选地，第二公共电极4采用银或铝制成。当然，第二公共电极的材料并不局限于此，还可以采用其他不透明的金属材料，在此不再赘述。

其中，光电检测器件还包括第二连接电极9，第二连接电极9位于光电半导体层5的第二侧，第二连接电极9用于连接多个第二公共电极4。

可以理解的是，由于像素单元的数量为多个，因此，第二公共电极4的数量也为多个，通过在光电半导体层5的第二侧设置第二连接电极9，能够将多个第二公共电极4连接起来，同时，使多个第二公共电极4具有相同的电压。

本实施例的光电检测器件，该光电检测器件包括：第一公共电极1、第一像素电极2、第二像素电极3、第二公共电极4和光电半导体层5，第一公共电极1、第一像素电极2和第二像素电极3位于光电半导体层5的第一侧，第二公共电极4位于光电半导体层5的与第一侧相对的第二侧；每个第二公共电极4与相邻像素单元之间的第一公共电极1对应设置，通过在第二公共电极4上加载电压，使其与第一公共电极1形成的电压能够减小第一公共电极1与第一像素电极2形成的电压和第一公共电极1与第二像素电极3形成的电压在水平方向上的分量，从而避免因第一像素电极2和第二像素电极3的电压不同导致的电子在第一像素电极2和第二像素电极3中运动，阻止水平方向电流的流动，即避免发生电子串扰。

实施例2：

本实施例提供了一种光电检测装置，包括实施例1的光电检测器件。

本实施例的光电检测装置，通过在第二公共电极4上加载电压，使其与第一公共电极1形成的电压能够减小第一公共电极1与第一像素电极2形成的电压和第一公共电极1与第二像素电极3形成的电压在水平方向上的分量，从而避免因第一像素电极2和第二像素电极3的电压不同导致的电子在第一像素电极2和第二像素电极3中运动，阻止水平方向电流的流动，即避免发生电子串扰。

可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。