1.一种掩模版，包括：
特征部，其中所述特征部包括：
基部结构；以及
阶梯结构，所述阶梯结构包括中央区域和边缘区域，在顶视图中，所述中央区域包括比所述边缘区域更大的宽度，其中所述阶梯结构被配置为被布置在待被光刻处理的衬底的形貌阶梯之上。
2.根据权利要求1所述的掩模版，其中所述特征部包括沿着第一长度的中心轴线。
3.根据权利要求2所述的掩模版，其中所述基部结构包括沿着所述第一长度的一致的线宽。
4.根据权利要求2或3中的任一项所述的掩模版，其中所述阶梯结构包括沿着第二长度的多个阶梯，其中所述第二长度小于所述第一长度。
5.根据权利要求4所述的掩模版，其中所述阶梯结构包括具有多个阶梯的第一阶梯结构和具有多个阶梯的第二阶梯结构，并且其中所述第一阶梯结构和所述第二阶梯结构彼此相对。
6.根据权利要求5所述的掩模版，其中所述第一阶梯结构和所述第二阶梯结构是对称的。
7.根据权利要求5所述的掩模版，其中所述第二阶梯结构是所述第一阶梯结构关于所述中心轴线的镜像。
8.根据权利要求5至7中的任一项所述的掩模版，其中所述阶梯中的每一个包括高度和长度。
9.根据权利要求5至8中的任一项所述的掩模版，其中：
所述第一阶梯结构包括最高的水平部分和最低的水平部分，其中所述最低的水平部分被定位在所述最高的水平部分的左边和右边；以及
所述第二阶梯结构包括最高的水平部分和最低的水平部分，其中所述最低的水平部分被定位在所述最高的水平部分的左边和右边。
10.根据权利要求9所述的掩模版，其中：
对于所述第一阶梯结构，所述最高的水平部分在左边经由多个阶梯以下降的方式被连接至所述最低的水平部分，并且其中所述最高的水平部分在右边经由多个阶梯以下降的方式被连接至所述最低的水平部分；以及
对于所述第二阶梯结构，所述最高的水平部分在左边经由多个阶梯以上升的方式被连接至所述最低的水平部分，并且其中所述最高的水平部分在右边经由多个阶梯以上升的方式被连接至所述最低的水平部分。
11.根据权利要求9或10中的任一项所述的掩模版，其中所述边缘区域包括第一宽度并且由所述第一阶梯结构的所述最低的水平部分和所述第二阶梯结构的所述最低的水平部分界定，并且其中所述中央区域包括第二宽度并且由所述第一阶梯结构的所述最高的水平部分和所述第二阶梯结构的所述最高的水平部分界定。
12.根据权利要求11所述的掩模版，其中所述基部结构包括线宽，其中所述线宽小于所述第一宽度和所述第二宽度，并且所述第一宽度小于所述第二宽度。
13.根据权利要求4至12中的任一项所述的掩模版，其中所述第二长度实质上大于所述形貌阶梯的长度。
14.根据权利要求13所述的掩模版，其中所述阶梯结构的所述第二长度取决于所述形貌阶梯的陡度、所述形貌阶梯的高度、所述衬底上的预期的特征部的线宽、光刻胶的类型、光刻系统的曝光波长或它们的组合。
15.根据权利要求4至14中的任一项所述的掩模版，其中阶梯的数目取决于所述形貌阶梯的陡度、所述形貌阶梯的高度、所述衬底上的预期的特征部的线宽、光刻胶的类型、光刻系统的曝光波长或它们的组合。
16.根据权利要求8至15中的任一项所述的掩模版，其中每个阶梯的高度和长度取决于所述形貌阶梯的陡度、所述形貌阶梯的高度、所述衬底上的预期的特征部的线宽、光刻胶的类型、光刻系统的曝光波长或它们的组合。
17.一种制造器件的方法，包括：
在包括至少一个形貌阶梯的衬底之上沉积抗蚀剂层；
使用根据权利要求1至16中的任一项所述的掩模版曝光所述抗蚀剂层的至少一部分；以及
根据所述曝光去除所述抗蚀剂层的一部分。
18.根据权利要求17所述的方法，其中所述抗蚀剂层是负性光刻胶或正性光刻胶。
19.一种制造掩模版的方法，包括：
在测试掩模版上形成多个测试结构，所述测试结构中的每一个包括具有中央区域和边缘区域的阶梯结构，在顶视图中，所述中央区域包括比所述边缘区域更大的宽度，其中所述阶梯结构被配置为被布置在待被光刻处理的衬底的形貌阶梯之上；
在包括多个形貌阶梯的测试衬底上形成多个经光刻处理的结构，每个经光刻处理的结构使用所述测试掩模版的相应的测试结构被形成在所述多个形貌阶梯的相应的形貌阶梯之上；
从所述多个测试结构中选定至少一个所述测试结构；以及
根据所选定的测试结构来形成包括阶梯结构的掩模版。
20.根据权利要求19所述的方法，其中所述阶梯结构中的每一个在长度、具有相同长度的阶梯的数目、阶梯高度、阶梯长度、所述中央区域的宽度、以及所述边缘区域的宽度上不同。