1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
扫描线和数据线，所述扫描线与所述数据线绝缘交叉限定多个像素单元，所述像素单元包括n个串联的薄膜晶体管和像素电极，其中，n为正整数，且n≧2；
所述n个串联的薄膜晶体管中的第1个薄膜晶体管的漏极与所述像素电极连接，第n个薄膜晶体管的源极连接至一所述数据线，用于接收数据电压信号；
所述n个串联的薄膜晶体管中的每个薄膜晶体管的栅极接收一扫描电压信号，其中，第i个薄膜晶体管的栅极所接收的扫描电压信号小于第j个薄膜晶体管的栅极所接收的扫描电压信号，i，j为正整数，1≤i≤n，1≤j≤n，且i≠j。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述像素单元还包括显示电容和/或存储电容，所述显示电容和/或所述存储电容的一极板为所述像素电极。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述n个薄膜晶体管中的第i个薄膜晶体管的栅极与一所述扫描线相连，第j个薄膜晶体管的栅极与另一所述扫描线相连。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述像素单元还包括至少一个分压元件，所述第i个薄膜晶体管的栅极与一所述分压元件连接，所述分压元件与一所述扫描线连接。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述分压元件包括至少一个分压晶体管，所述至少一个分压晶体管的栅极均连接所述扫描线。
6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，与所述分压元件中的所述至少一个分压晶体管的栅极连接的所述扫描线与所述第j个薄膜晶体管的栅极连接。
7.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述分压元件中包括至少两个分压晶体管，所述至少两个分压晶体管相互串联或者相互并联。
8.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述分压元件中包括一个分压晶体管，所述第i个薄膜晶体管的栅极与所述分压晶体管的漏极连接，所述分压晶体管的源极与栅极相连。
9.根据权利要求1-8任意一项所述的阵列基板，其特征在于，所述n个串联的薄膜晶体管中的第1个至第m个薄膜晶体管中任一薄膜晶体管的栅极所接收的扫描电压信号小于所述n个串联的薄膜晶体管中的第m+1个至第n个薄膜晶体管中任一薄膜晶体管的栅极所接收的扫描电压信号，m为正整数，且1≤m＜n。
10.根据权利要求1-8任意一项所述的阵列基板，其特征在于，所述n个串联的薄膜晶体管中的第1个薄膜晶体管的栅极所接收的扫描电压信号小于其他薄膜晶体管的栅极所接收的扫描电压信号，其他薄膜晶体管的栅极所接收的扫描电压信号相同。
11.根据权利要求1-8任意一项所述的阵列基板，其特征在于，所述n个串联的薄膜晶体管中的第n个薄膜晶体管的栅极所接收的扫描电压信号大于其他薄膜晶体管的栅极所接收的扫描电压信号，其他薄膜晶体管的栅极所接收的扫描电压信号相同。
12.根据权利要求1-8任意一项所述的阵列基板，其特征在于，所述n个串联的薄膜晶体管中的第i个薄膜晶体管的栅极所接收的扫描电压信号小于第j个薄膜晶体管的栅极所接收的扫描电压信号，且i<j。
13.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述n个串联的薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管。
14.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1-13任一项所述的阵列基板。
15.根据权利要求14所述的显示面板，其特征在于，还包括：
与所述阵列基板相对设置的彩膜基板；
所述彩膜基板上设置有黑矩阵，所述n个串联的薄膜晶体管在所述彩膜基板的正投影位于所述黑矩阵内。
16.根据权利要求14所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板的画面刷新频率为0.5Hz-45Hz，包括端点值。
17.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求14-16任一项所述的显示面板。