技术领域本实用新型涉及一种显示装置，例如涉及一种有效应用于具有用于对设置于显示区域的多个像素供给信号的晶体管的显示装置的技术。
背景技术：
存在一种显示装置，经由多条信号线对设置于显示区域的多个像素供给信号，而显示图像。在这种显示装置中，为了使显示装置小型化并且加大显示区域，要求缩小显示区域周边的区域的面积。另外，多个像素各自包含分别显示R(红色)、G(绿色)以及B(蓝色)各颜色的多个子像素。对各像素供给视频信号的信号线包含与各像素所包含的多个子像素各自分别连接的多条信号线。各信号线将输入视频信号的信号线驱动电路与各子像素连接。在信号线驱动电路与各信号线之间连接信号线开关电路。例如在日本特开2010-107840号公报(专利文献1)中记载了以下技术：在显示装置中，具有在基板上呈矩阵状地配置有多个像素电路的显示区域以及通过控制信号被控制导通和非导通并对像素电路供给视频信号的多个开关电路。在先技术文献专利文献专利文献1：日本特开2010-107840号公报
技术实现要素：
上述信号线开关电路具有将多条信号线各自与信号线驱动电路分别进行连接的多个晶体管。信号线开关电路内包含的多个晶体管设置于显示区域周边的区域。另外，由于较大的电流流过这些多个晶体管，因此该晶体管的栅极宽度比栅极长度长。为了高效地配置这种具有比栅极长度长的栅极宽度的多个晶体管，多个晶体管在栅极长度方向上排列。然而，难以缩小在栅极长度方向上相邻的两个晶体管各自的、彼此相邻一侧的源电极或漏电极之间的距离。因此，包括该两个晶体管在内，无法将在栅极长度方向上排列的多个晶体管作为整体而拉近间隔地进行配置，无法缩小显示区域周边的区域的面积。或者，即使是信号线开关电路内包含的晶体管以外的晶体管，在显示区域周边的区域设置有多个晶体管的情况下，也与信号线开关电路内包含的晶体管同样地，无法缩小显示区域周边的区域的面积。本实用新型是为了解决上述现有技术的问题点而完成的，目的在于提供一种显示装置，能够缩小显示区域周边的区域中的、设置有多个晶体管的部分的面积，从而能够缩小显示区域周边的区域的面积。以下简单地说明在本申请中公开的实用新型中，具有代表性的方式的概要。作为本实用新型的一个方式的显示装置具有：基板；像素电路，其形成有像素；多个控制电路，其向像素电路供给与图像相关的信号；以及晶体管，其设置于控制电路。晶体管包括：栅极线，其在第一方向上延伸；绝缘膜，其设置有开口部；漏电极和源电极，其在与第一方向不同的第二方向上排列；半导体膜，其经由绝缘膜与漏电极、源电极以及栅极线重叠。另外，晶体管包括导电性布线，该导电性布线经由开口部将半导体膜与源电极或漏电极电连接。该显示装置还具有作为晶体管的第一晶体管以及作为晶体管的第二晶体管。第一晶体管与第二晶体管在第二方向上相邻，俯视观察时，在第一晶体管的导电性布线的第二晶体管侧的端部、与第一晶体管的开口部的第二晶体管侧的端部之间存在间隙。另外，作为另一方式，也可以是，第一晶体管具有相对于第一晶体管的栅极线在第二晶体管侧配置的作为多个开口部的第一开口部组，第二晶体管具有相对于第二晶体管的栅极线在第一晶体管侧配置的作为多个开口部的第二开口部组。也可以是，第一开口部组在第一晶体管内在第一方向上排列，第二开口部组在第二晶体管内在第一方向上排列，第一开口部组和第二开口部组在第一方向上交替地配置。另外，作为另一方式，也可以是，第一晶体管的源电极和漏电极中的一个与第二晶体管的源电极和漏电极中的一个在第二方向上相邻，并且在第一方向上不重叠。另外，作为另一方式，也可以是，第一晶体管具有相对于第一晶体管的栅极线在第二晶体管侧配置的作为多个开口部的第一开口部组，第二晶体管具有相对于第二晶体管的栅极线在第一晶体管侧配置的作为多个开口部的第二开口部组。也可以是，第一开口部组在第一晶体管内在第一方向上排列，第二开口部组在第二晶体管内在第一方向上排列，第一开口部组和第二开口部组在第一方向上重叠。另外，作为另一方式，也可以是，像素包括颜色相互不同的第一子像素和第二子像素，第一晶体管为驱动第一子像素的晶体管，第二晶体管为驱动第二子像素的晶体管，第一子像素和第二子像素在第二方向上排列。另外，作为另一方式，也可以是，在像素电路中形成有作为像素的、第一像素和第二像素，第一像素包括第一子像素，第二像素包括第二子像素。也可以是，第一晶体管为驱动第一子像素的晶体管，第二晶体管为驱动第二子像素的晶体管，第一子像素和第二子像素的颜色相互不同，第一晶体管和第二晶体管由同一控制电路进行控制。另外，作为另一方式，也可以是，具有作为晶体管的第三晶体管，第三晶体管隔着第一晶体管配置在第二晶体管的相反侧。也可以是，第一晶体管的漏电极与第二晶体管的源电极和漏电极中的一个在第二方向上相邻，第三晶体管的源电极与第一晶体管的源电极共有。另外，作为另一方式，也可以是，第一晶体管具有相对于第一晶体管的栅极线在第二晶体管侧配置的作为多个开口部的第一开口部组，第二晶体管具有相对于第二晶体管的栅极线在第一晶体管侧配置的作为多个开口部的第二开口部组。也可以是，第一晶体管和第三晶体管具有在第一晶体管的栅极线与第三晶体管的栅极线之间配置的作为共用的多个开口部的第三开口部组。也可以是第一开口部组在第一晶体管内在第一方向上排列，第二开口部组在第二晶体管内在第一方向上排列，第一开口部组和第二开口部组在第一方向上交替地配置，第三开口部组在第一方向上排列。另外，作为另一方式，也可以是，第一晶体管的漏电极和源电极中的一个与第二晶体管的漏电极和源电极中的一个相邻，第一晶体管具有相对于第一晶体管的栅极线在第二晶体管侧配置的多个开口部。另外，也可以是，俯视观察时，第一晶体管的开口部与第二晶体管的漏电极和源电极中的一个分离。附图说明图1是表示实施方式的显示装置的一例的俯视图。图2是表示实施方式的显示装置的一例的剖视图。图3是表示实施方式的显示装置的一例的剖视图。图4是表示实施方式的显示装置的等效电路的图。图5是实施方式的显示装置中的信号线开关电路的晶体管的俯视图。图6是实施方式的显示装置中的信号线开关电路的晶体管的俯视图。图7是实施方式的显示装置中的信号线开关电路的晶体管的俯视图。图8是实施方式的显示装置中的信号线开关电路的晶体管的剖视图。图9是实施方式的显示装置中的信号线开关电路的晶体管的剖视图。图10是实施方式的显示装置中的信号线开关电路的晶体管的剖视图。图11是实施方式的显示装置中的信号线开关电路的晶体管的俯视图。图12是实施方式的显示装置中的信号线开关电路的晶体管的俯视图。图13是第一比较例的显示装置中的信号线开关电路的晶体管的俯视图。图14是第一比较例的显示装置中的信号线开关电路的晶体管的俯视图。图15是第二比较例的显示装置中的信号线开关电路的晶体管的俯视图。图16是第二比较例的显示装置中的信号线开关电路的晶体管的俯视图。图17是第二比较例的显示装置中的信号线开关电路的晶体管的剖视图。图18是实施方式的变形例的显示装置中的信号线开关电路的晶体管的俯视图。附图标记说明AF1、AF2：取向膜；AR1：区域；BM：遮光膜；BS、FS：基板；BSb、FSb：背面；BSf、FSf：前表面；BSg、FSg：基材；BSs1～BSs4：边；CC：电路部；CE：公共电极；CF：彩色滤光片；CFb、CFg、CFr：彩色滤光片像素；CG：扫描线驱动电路；CH：沟道区域；CHP：半导体芯片；Clc：液晶电容；CM：公共电极驱动电路；CS：信号线驱动电路；CTL：显示控制电路；CW1、CW2：连接布线；DP：显示部；DPA：显示区域；DST1、DST2、DST4：距离；EL1、EL2：源/漏电极；EL11～EL14、EL21～EL24：电极部；EP11～EP14、EP21、EP22、EP25：端部；FL：边框部；FLA、FLA1：边框区域；GE：栅电极；GI：栅极绝缘膜；GL：扫描线；IF1、IF2：绝缘膜；LCD1：显示装置；LCL：液晶层；LS：光源；OC1：树脂层；OC2：绝缘层；OP1、OP2：开口部；OPG1、OPG2：开口部组；PE：像素电极；PL1、PL2：偏振片；Px、Px1、Px2：像素；SC：半导体膜；SD1、SD2：源/漏区域；SG：子像素组；SL、SLB、SLG、SLR：信号线；SSB、SSG、SSR：开关切换信号；SW、SW1、SW2：信号线开关电路；Sx、SxB、SxG、SxR：子像素；Tr、TrB、Trd、TrG、TrR：晶体管；VW：观察者；WD21、WP11：宽度。具体实施方式以下，参照附图说明本实用新型的各实施方式。此外，公开仅是一例，本领域技术人员能够容易地想到具有实用新型的宗旨的适当变更，其当然包含在本实用新型的范围内。另外，为了使说明更清楚，附图与实施方式相比有时示意性地表示各部分的宽度、厚度、形状等，但是仅是一例，并不限定本实用新型的解释。另外，在本说明书和各图中，关于已经出现的图，对与前述要素相同的要素标注相同的附图标记，有时适当地省略详细说明。另外，在本说明书的显示装置的结构说明中，“上”是指相对于基板BS形成晶体管Tr、控制电路(信号线开关电路SW)的一侧。另外，“下”是指“上”的相反侧。并且，在实施方式中使用的附图中，有时即使是剖视图，为了更容易观察附图也省略阴影线。另外，有时即使是俯视图，为了更容易观察附图也标注阴影线。在以下实施方式中说明的技术能够广泛应用于以下显示装置：在设置有显示功能层的显示区域内设置的多个元件上具备从显示区域周围供给信号的机构。对于上述那样的显示装置例如能够例示液晶显示装置或有机EL(Electro-Luminescence：场致发光)显示装置等各种显示装置。在以下实施方式中，作为显示装置的代表例，列举液晶显示装置进行说明。另外，液晶显示装置根据用于使作为显示功能层的液晶层的液晶分子的取向发生变化的电场的施加方向，大致分类为以下两种。即，作为第一分类，具有在显示装置的厚度方向(或面外方向)施加电场的所谓纵电场模式。纵电场模式例如存在TN(TwistedNematic：扭曲向列)模式、VA(VerticalAlignment：垂直对准)模式等。另外，作为第二分类，具有在显示装置的平面方向(或面内方向)施加电场的所谓横电场模式。横电场模式例如存在IPS(In-PlaneSwitching：平面转换)模式、作为IPS模式之一的FFS(FringeFieldSwitching：边缘场开关)模式等。此外，上述纵电场模式也包扩在显示装置的厚度方向与平面方向之间即倾斜方向上产生电场的情况。以下说明的技术能够应用于纵电场模式和横电场模式中的任一模式，但是在以下说明的实施方式中，作为一例，列举横电场模式的显示装置进行说明。(实施方式)<显示装置的结构>首先，说明显示装置的结构。图1是表示实施方式的显示装置的一例的俯视图。图2和图3是表示实施方式的显示装置的一例的剖视图。图2是沿图1的A-A线的剖视图。另外，图3是图2的B部分的放大剖视图。此外，在图1中，为了使俯视观察时的显示区域DPA与边框区域(周边区域)FLA的边界更容易看见，用双点划线表示显示区域DPA的轮廓。另外，图1示出的多条信号线SL从边框区域FLA延伸至显示区域DPA。但是，在图1中，为了更容易观察，在显示区域DPA中省略了信号线SL的图示。另外，图2为截面，但是为了更容易观察而省略了阴影线。如图1所示，本实施方式的显示装置LCD1具有显示图像的显示部DP。作为基板BS的显示面侧的前表面BSf(参照图2)侧的区域即设置有显示部DP的区域为显示区域DPA。另外，显示装置LCD1俯视观察时具有显示部DP周围的框状部分即不显示图像的边框部(周边部)FL。设置有边框部FL的区域为边框区域FLA。即，边框区域FLA为显示区域DPA周围的框状区域，但是并不限定于框状。此外，在本申请的说明书中，俯视观察是指从与基板BS的前表面BSf垂直的方向观察的情况。另外，显示装置LCD1具备在相对配置的一对基板之间形成有显示功能层即液晶层的结构。即，如图2所示，显示装置LCD1具有显示面侧的基板FS、位于基板FS的相反侧的基板BS以及配置在基板FS与基板BS之间的液晶层LCL(参照图3)。将在基板BS的前表面BSf(参照图2)内相互交叉优选正交的两个方向设为作为第一方向的Y轴方向以及作为第二方向的X轴方向。此时，图1示出的基板BS俯视观察时具有沿X轴方向延伸的边BSs1、与边BSs1平行地沿X轴方向延伸的边BSs2、沿与X轴方向交叉优选正交的Y轴方向延伸的边BSs3以及与边BSs3平行地沿Y轴方向延伸的边BSs4。从图1示出的基板BS所具有的边BSs2、边BSs3以及边BSs4各自至显示部DP为止的距离相等，比从边BSs1至显示部DP为止的距离短。以下，在本申请的说明书中，在记载为基板BS的周缘部的情况下，是指构成基板BS外缘的边BSs1、边BSs2、边BSs3以及边BSs4中的某一个。另外，在仅记载为周缘部的情况下，是指基板BS的周缘部。显示部DP具有作为多个显示元件的像素Px(参照后述图4)。即，多个像素Px设置于显示区域DPA。多个像素Px在X轴方向和Y轴方向上呈矩阵状地排列。在本实施方式中，多个像素Px分别具有在基板BS的前表面BSf侧的显示区域DPA形成的薄膜晶体管(Thin-FilmTransistor：TFT)。如使用后述图4说明那样，显示装置LCD1具有多条扫描线GL和多条信号线SL。如使用后述图4说明那样，多条扫描线GL各自与在X轴方向上排列的多个像素Px电连接，多条信号线SL各自与在Y轴方向上排列的多个像素Px电连接。另外，显示装置LCD1具有电路部CC。电路部CC包括扫描线驱动电路CG和信号线驱动电路CS。扫描线驱动电路CG经由多条扫描线GL与多个像素Px电连接，信号线驱动电路CS经由多条信号线SL与多个像素Px电连接。另外，在图1示出的示例中，在边框区域FLA中的、基板BS的边BSs1与显示部DP之间的部分即边框区域FLA1设置有半导体芯片CHP。在半导体芯片CHP内设置有信号线驱动电路CS。因而，信号线驱动电路CS设置于基板BS的前表面BSf侧的区域且设置于相对于显示区域DPA在Y轴方向上的负侧配置的区域即边框区域FLA1。此外，本申请的说明书中的“Y轴方向上的负侧”是指图中表示Y轴方向的箭头所延伸一侧的相反侧。另外，半导体芯片CHP可以使用所谓COG(ChipOnGlass：玻璃载芯片)技术设置于边框区域FLA1，或者也可以设置于基板BS的外部并经由FPC(FlexiblePrintedCircuits：柔性印刷电路板)与显示装置LCD1连接。另外，使用后述图4说明信号线SL的详细配置。显示装置LCD1俯视观察时具有形成于边框区域FLA的密封部。密封部形成为连续地包围显示部DP周围，图2示出的基板FS和基板BS由设置于密封部的密封材料进行粘接固定。这样，通过在显示部DP周围设置密封部，能够密封作为显示功能层的液晶层LCL(参照图3)。此外，显示功能层并不限定于此，也可以是使用MicroElectroMechanicalSystem(MEMS)快门控制光透射量。另外，如图2所示，在显示装置LCD1的基板BS的、显示面侧的相反侧即背面BSb侧设置有偏振片PL2，该偏振片PL2使从光源LS产生并朝向观察者VW(参照图3)的光成为偏振光。偏振片PL2固定于基板BS。另一方面，在基板FS的显示面侧即前表面FSf侧设置有偏振片PL1。偏振片PL1固定于基板FS。另外，如图3所示，显示装置LCD1具有在基板FS与基板BS之间配置的多个像素电极PE和公共电极CE。本实施方式的显示装置LCD1如上所述那样是横电场模式的显示装置，因此多个像素电极PE和公共电极CE分别形成于基板BS。图3示出的基板BS包含由玻璃基板等构成的基材BSg，主要是图像显示用电路形成于基材BSg。基板BS具有位于基板FS侧的前表面BSf以及位于其相反侧的背面BSb(参照图2)。另外，在基板BS的前表面BSf侧呈矩阵状地形成有TFT等显示元件和多个像素电极PE。图3示出的示例表示横电场模式(详细地说FFS模式)的显示装置LCD1，因此公共电极CE形成于基板BS所具备的基材BSg的前表面侧，被绝缘层OC2覆盖。另外，多个像素电极PE以隔着绝缘层OC2与公共电极CE相对的方式形成于绝缘层OC2的基板FS侧。另外，图3示出的基板FS是在由玻璃基板等构成的基材FSg上形成有彩色滤光片CF(其用于形成彩色显示的图像)的基板，具有作为显示面侧的前表面FSf(参照图2)以及位于前表面FSf的相反侧的背面FSb。如基板FS那样，对于形成有彩色滤光片CF的基板，在与上述作为形成有TFT的TFT基板的基板BS区分时，由于隔着彩色滤光片基板或液晶层与TFT基板相对，因此被称为对置基板。此外，作为针对图3的变形例，也可以采用将彩色滤光片CF设置于作为TFT基板的基板BS的结构。基板FS例如在玻璃基板等基材FSg的一面上形成有周期性地排列R(红色)、G(绿色)和B(蓝色)这三色的彩色滤光片像素CFr、CFg和CFb而构成的彩色滤光片CF。在彩色显示装置中，例如将该R(红色)、G(绿色)和B(蓝色)这三色的子像素作为一组，构成一个像素(还称为1pixel)。基板FS的多个彩色滤光片像素CFr、CFg和CFb配置于与具有形成于基板BS的像素电极PE的各子像素彼此相对的位置。另外，在各色的彩色滤光片像素CFr、CFg以及CFb的各自的边界上形成有遮光膜BM。遮光膜BM例如由黑色树脂、低反射性金属构成。遮光膜BM俯视观察时形成为格子状。换言之，基板FS具有在形成为格子状的遮光膜BM的开口部处形成的各色的彩色滤光片像素CFr、CFg以及CFb。此外，构成一个像素的子像素并不限定于R(红色)、G(绿色)、B(蓝色)这三色，还可以具备具有透明滤光片的W(白色)等。另外，W(白色)的彩色滤光片可以不形成，也可以是白色或透明彩色滤光片。或者，遮光膜BM并不限定于格子状，也可以是条纹状。边框区域FLA由遮光膜BM覆盖。遮光膜BM还形成于显示区域DPA内，但是在显示区域DPA中，在遮光膜BM上形成有多个开口部。通常，形成于遮光膜BM且埋入有彩色滤光片CF的开口部中，形成于周缘部侧的开口部的端部被规定为显示区域DPA与边框区域FLA的边界。此外，也可以在比开口部的端部更靠周缘部侧的位置设置虚拟彩色滤光片。另外，基板FS可以具有覆盖彩色滤光片CF的树脂层OC1和取向膜AF1，基板BS可以具有取向膜AF2。另外，在基板FS与基板BS之间设置有液晶层LCL，该液晶层LCL通过在像素电极PE与公共电极CE之间施加显示用电压而形成显示图像。液晶层LCL根据所施加的电场状态，调制通过该液晶层LCL的光。此外，液晶层LCL的厚度与基板FS、基板BS的厚度相比极薄。例如，液晶层LCL的厚度与基板FS、基板BS的厚度相比为0.1％～10％左右的厚度。<显示装置的等效电路>接着，说明显示装置的等效电路。图4是表示实施方式的显示装置的等效电路的图。如图4所示，显示装置LCD1的显示部DP具有多个像素Px。多个像素Px在X轴方向和Y轴方向上呈矩阵状地排列。即，显示部DP为形成有像素Px的像素电路。另外，显示装置LCD1具有多条扫描线GL和多条信号线SL。多条扫描线GL在X轴方向上分别延伸并且在Y轴方向上排列。多条信号线SL在Y轴方向上分别延伸并且在X轴方向上排列。多条信号线SL与多条扫描线GL相互交叉。多个像素Px各自包括显示R(红色)、G(绿色)和B(蓝色)各颜色的子像素Sx。子像素Sx各自设置于由相邻的两条扫描线GL和相邻的两条信号线SL包围的区域，但是也可以构成为在由相邻的两条扫描线GL和相邻的两条信号线SL包围的区域设置两个子像素。各子像素Sx具有由薄膜晶体管构成的晶体管Trd、与晶体管Trd的漏电极连接的像素电极PE以及隔着液晶层与像素电极PE相对的公共电极CE。此外，Clc为等效地表示液晶层的液晶电容。并且，在图4中，省略在公共电极CE与像素电极PE之间形成的保持电容的图示。此外，对液晶层供给极性不同的电位，因此薄膜晶体管的漏电极与源电极根据电位极性而适当地调换。显示装置LCD1具有信号线驱动电路CS、扫描线驱动电路CG、显示控制电路CTL以及公共电极驱动电路CM。在Y轴方向上排列的多个子像素Sx的晶体管Trd各自的源电极与信号线SL连接。另外，多条信号线SL各自与显示数据对应，与被输入向各子像素Sx供给的视频信号的信号线驱动电路CS连接。即，多条信号线SL将多个子像素Sx与信号线驱动电路CS连接。另外，在X轴方向上排列的多个子像素Sx的晶体管Trd各自的栅电极与扫描线GL连接。另外，各扫描线GL与扫描线驱动电路CG连接，该扫描线驱动电路CG在一个水平扫描期间供给对各子像素Sx供给的扫描信号。显示控制电路CTL根据从显示装置外部发送过来的显示数据、时钟信号以及显示器定时信号等显示控制信号，控制信号线驱动电路CS、扫描线驱动电路CG以及公共电极驱动电路CM。显示控制电路CTL根据显示装置的子像素的排列、显示方法或触摸面板的有无等，适当地变换从外部供给的显示数据、显示控制信号并输出到信号线驱动电路CS、扫描线驱动电路CG以及公共电极驱动电路CM。在图4示出的示例中，作为与子像素Sx各自相连接的信号线SL，设置有信号线SLR、SLG和SLB。信号线SLR、SLG和SLB与信号线开关电路SW连接。信号线SLR是与子像素SxR连接的红色信号线，子像素SxR是显示与蓝色和绿色中的任一颜色均不同的红色的子像素Sx。信号线SLG是与子像素SxG连接的绿色信号线，子像素SxG是显示与蓝色和红色中的任一颜色均不同的绿色的子像素Sx。信号线SLB是与子像素SxB连接的蓝色信号线，子像素SxB是显示与红色和绿色中的任一颜色均不同的蓝色的子像素Sx。具体地说，信号线SLR与由分别显示红色并且在Y轴方向上排列的多个子像素SxR构成的子像素组SG连接。信号线SLG与由分别显示绿色并且在Y轴方向上排列的多个子像素SxG构成的子像素组SG连接。信号线SLB与由分别显示蓝色并且在Y轴方向上排列的多个子像素SxB构成的子像素组SG连接。如上所述，多条信号线SL在Y轴方向上分别延伸，并且在X轴方向上排列。因而，信号线SLR、SLG和SLB各自在Y轴方向上延伸。信号线开关电路SW是向作为像素电路的显示部DP供给与图像相关的信号的控制电路。信号线开关电路SW具有作为开关元件的晶体管TrR、TrG以及TrB。即，晶体管TrR、TrG以及TrB设置于作为控制电路的信号线开关电路SW。晶体管TrR、TrG以及TrB各自例如为薄膜晶体管。晶体管TrR将红色信号线SLR与信号线驱动电路CS连接。晶体管TrG将绿色信号线SLG与信号线驱动电路CS连接。晶体管TrB将蓝色信号线SLB与信号线驱动电路CS连接。晶体管TrR、TrG以及TrB由从显示控制电路CTL输出的开关切换信号SSR、SSG和SSB各自分别进行导通截止控制。晶体管TrR由开关切换信号SSR进行导通截止控制，晶体管TrG由开关切换信号SSG进行导通截止控制，晶体管TrB由开关切换信号SSB进行导通截止控制。具体地说，在一个水平扫描期间的第一期间，晶体管TrR导通，晶体管TrG和晶体管TrB截止，将从信号线驱动电路CS输出的红色视频信号输出到红色信号线SLR。接着，在一个水平扫描期间的第二期间，晶体管TrG导通，晶体管TrB和晶体管TrR截止，将从信号线驱动电路CS输出的绿色视频信号输出到绿色信号线SLG。接着，在一个水平扫描期间的第三期间，晶体管TrB导通，晶体管TrR和晶体管TrG截止，将从信号线驱动电路CS输出的蓝色视频信号输出到蓝色信号线SLB。这样，信号线驱动电路CS在每一个水平扫描期间将与显示数据对应的视频信号供给到信号线SL。显示控制电路CTL与由信号线驱动电路CS以在一个水平期间内分时地输出红色视频信号、绿色视频信号以及蓝色视频信号的方式进行控制的情况相配合地，控制信号线开关电路SW的晶体管TrR、晶体管TrG以及晶体管TrB的导通截止。即，信号线开关电路SW内包含的各晶体管Tr处于分时地被驱动的关系。另外，显示控制电路CTL以在输出各色视频信号的期间维持被写入视频信号的子像素的晶体管Trd的导通状态的方式控制扫描线驱动电路CG。此外，信号线开关电路有时简称为RGB开关或分时开关。另外，在本说明书中，对与红色、绿色以及蓝色的子像素连接的三条信号线设置一个信号线开关电路，但是也可以构成为对与两个子像素连接的两条信号线设置一个信号线开关电路。或者，也可以对与两个像素、即六个子像素连接的六条信号线设置一个信号线开关电路。在该情况下，信号线驱动电路在一个水平期间输出六次视频信号。能够根据向各子像素写入视频信号的写入状况、信号线驱动电路的处理能力，而任意地设定分时数。扫描线驱动电路CG在每一个水平扫描期间从上朝下或从下朝上依次选择扫描线GL，输出对所选择的扫描线GL供给的扫描信号，与该选择的该扫描线GL连接的多个子像素Sx的晶体管Trd在一个水平扫描期间导通。而且，对信号线SLR、SLG或SLB供给的视频信号经由一个水平扫描期间为导通状态的晶体管Trd，被输出到像素电极PE，最终对保持电容(未图示)和液晶电容Clc进行充电，控制液晶分子的取向。由此，在显示部DP中显示图像。<信号线开关电路的晶体管的配置>接着，说明信号线开关电路的晶体管的配置。图5～图7是实施方式的显示装置中的信号线开关电路的晶体管的俯视图。图8～图10是实施方式的显示装置中的信号线开关电路的晶体管的剖视图。图11和图12是实施方式的显示装置中的信号线开关电路的晶体管的俯视图。图5表示六条信号线和六个晶体管(信号线开关电路为两个)。在图6中放大示出图5示出的六条信号线SL和六个晶体管Tr中的三条信号线SL和三个晶体管Tr。在图7中放大示出图6中由双点划线包围的区域AR1。图8～图10是沿图7的C-C线的剖视图。在图8～图10中省略比绝缘膜IF2更靠上的部分的图示。此外，以下，例示说明各像素Px例如具有红色、绿色和蓝色这三个颜色的子像素Sx的情况。但是，如使用图4说明那样，各像素Px也可以具有红色、绿色、蓝色以及白色这四个子像素Sx。另外，在本实施方式中，在某一像素内包含的子像素与其它像素内包含的子像素之间，包括与该子像素连接的晶体管在内的信号线开关电路没有被调换。但是，例如在后述实施方式的变形例中说明那样，也可以是，子像素在X轴方向上的排列顺序与信号线开关电路内包含的晶体管在X轴方向上的排列顺序没有对应，而是被调换。在图5示出的示例中，在显示部DP中形成有作为第一像素的像素Px1以及作为第二像素的像素Px2。另外，作为第一像素的像素Px1以及作为第二像素的像素Px2各自作为颜色相互不同的子像素Sx而包括红色子像素SxR(第三子像素)、绿色子像素SxG(第一子像素)以及蓝色子像素SxB(第二子像素)。子像素SxR、SxG和SxB在X轴方向上排列。在图5示出的示例中，信号线开关电路SW具有作为红色晶体管Tr的晶体管(第三晶体管)TrR、作为绿色晶体管Tr的晶体管(第一晶体管)TrG以及作为蓝色晶体管Tr的晶体管(第二晶体管)TrB。如图5～图8所示，晶体管Tr为薄膜晶体管，具有栅电极GE、栅极绝缘膜GI、半导体膜SC、绝缘膜IF1、作为源电极和漏电极的源/漏电极EL1和EL2以及作为导电性布线的连接布线CW1和CW2。多个晶体管Tr在栅极长度方向即X轴方向上排列。即，绿色晶体管TrG和蓝色晶体管TrB在栅极长度方向上相邻，红色晶体管TrR和绿色晶体管TrG在栅极长度方向上相邻。另外，栅电极GE还被称为栅极线。在图8示出的示例中，晶体管Tr为底栅型薄膜晶体管。因此，如图8所示，在基板BS(参照图2)内包含的基材BSg上设置有栅电极GE。在基材BSg上以覆盖栅电极GE的方式设置有栅极绝缘膜GI。栅极绝缘膜GI例如为由氮化硅(SiN)或氧化硅(SiO2)等构成的透明绝缘膜。在俯视观察时与栅电极GE重叠的部分的栅极绝缘膜GI上以及俯视观察时隔着栅电极GE而在两侧的部分的栅极绝缘膜GI上设置有半导体膜SC。半导体膜SC例如由非晶硅或多晶硅等形成。另外，也可以利用以IZO(IndiumZincOxide：铟锌氧化物)、IGZO(IndiumGalliumZincOxide：铟镓锌氧化物)等锌系氧化物为代表的透明氧化物半导体。此外，在图7和图8中，示出从晶体管TrG的栅电极GE至晶体管TrB的栅电极GE的区域。半导体膜SC中的俯视观察时与栅电极GE重叠的部分为沟道区域CH。半导体膜SC中的相对于栅电极GE配置于与信号线SL连接一侧的部分为作为源区和漏区中的一个而发挥功能的源/漏区域SD1。半导体膜SC中的相对于栅电极GE配置于与信号线SL连接一侧的相反侧、即与信号线驱动电路CS(参照图4)连接一侧的部分为作为源区和漏区中的另一个而发挥功能的源/漏区域SD2。栅电极GE和沟道区域CH例如在Y轴方向上延伸。此时，X轴方向上的沟道区域CH的长度为沟道长度即栅极长度，Y轴方向上的沟道区域CH的宽度为沟道宽度即栅极宽度。栅极宽度比栅极长度长。如上述使用图4说明那样，信号线SL与由在Y轴方向上排列的多个子像素Sx构成的子像素组SG连接。因此，较大电流流过信号线SL和晶体管Tr。因而，在晶体管Tr中，沟道区域CH的沟道宽度与沟道区域CH的沟道长度相比极长。即，栅极宽度比栅极长度长。为了高效地配置这种具有比栅极长度长的栅极宽度的多个晶体管Tr，如上所述，多个晶体管Tr在栅极长度方向上排列。以覆盖沟道区域CH、源/漏区域SD1和SD2以及栅极绝缘膜GI的露出部分的方式，设置有绝缘膜IF1。绝缘膜IF1例如为由氮化硅(SiN)或氧化硅(SiO2)等构成的透明绝缘膜。在位于源/漏区域SD1上的部分的绝缘膜IF1上设置有贯穿绝缘膜IF1而到达源/漏区域SD1的开口部(接触孔)OP1。源/漏区域SD1的上表面在开口部OP1的底面露出。在位于源/漏区域SD2上的部分的绝缘膜IF1上设置有贯穿绝缘膜IF1而到达源/漏区域SD2的开口部(接触孔)OP2。源/漏区域SD2的上表面在开口部OP2的底面露出。此外，在图5～图7示出的示例中，开口部OP1和OP2各自俯视观察时具有圆形形状。但是，开口部OP1和OP2各自的平面形状并不限定于圆形。因而，开口部OP1和OP2各自俯视观察时例如也可以具有正方形形状等矩形形状。在位于源/漏区域SD1上的部分的绝缘膜IF1上形成有作为源电极和漏电极中的一个而发挥功能的源/漏电极EL1。在位于源/漏区域SD2上的部分的绝缘膜IF1上形成有作为源电极和漏电极中的另一个而发挥功能的源/漏电极EL2。因此，源/漏电极EL1和EL2在与栅电极GE的延伸方向即Y轴方向不同的X轴方向上排列。源/漏电极EL1与信号线SL电连接，源/漏电极EL2与信号线驱动电路CS(参照图4)电连接。在开口部OP1内部以及俯视观察时与开口部OP1相邻的部分的绝缘膜IF1上形成有作为导电性布线的连接布线CW1。连接布线CW1与在开口部OP1的底面露出的源/漏区域SD1电连接。另外，连接布线CW1与源/漏电极EL1电连接。因而，连接布线CW1经由开口部OP1将半导体膜SC即源/漏区域SD1与源/漏电极EL1电连接。此外，如图5～图8所示，连接布线CW1也可以与源/漏电极EL1一体地形成。在开口部OP2的内部以及俯视观察时与开口部OP2相邻的部分的绝缘膜IF1上形成有作为导电性布线的连接布线CW2。连接布线CW2与在开口部OP2的底面露出的源/漏区域SD2电连接。另外，连接布线CW2与源/漏电极EL2电连接。因而，连接布线CW2经由开口部OP2将半导体膜SC即源/漏区域SD2与源/漏电极EL2电连接。此外，如图5～图8所示，连接布线CW2也可以与源/漏电极EL2一体地形成。源/漏电极EL1和EL2以及连接布线CW1和CW2由例如从下表面朝向上表面依次层叠钛(Ti)、铝(Al)和钛(Ti)而成的不透明金属层叠膜形成。连接布线CW1中的蓝色晶体管TrB侧的端部EP11形成于开口部OP1内侧。而且，俯视观察时在连接布线CW1的蓝色晶体管TrB侧的端部EP11、与开口部OP1的蓝色晶体管TrB侧的端部EP12之间存在间隙。即，连接布线CW1的端部EP11相对于开口部OP1的端部EP12配置在蓝色晶体管TrB侧的相反侧。由此，能够缩小X轴方向上的绿色晶体管TrG与蓝色晶体管TrB之间的间隔。因此，能够缩小信号线开关电路SW内包含的在X轴方向上排列的晶体管Tr的中心之间的间隔的平均值。因而，能够缩小边框区域FLA1(参照图1)的面积。此外，蓝色晶体管TrB的连接布线CW2的、绿色晶体管TrG侧的端部EP21，与蓝色晶体管TrB的开口部OP2的、绿色晶体管TrG侧的端部EP22的位置关系，也和端部EP11与端部EP12的位置关系相同。即，俯视观察时在连接布线CW2的端部EP21与开口部OP2的端部EP22之间存在间隙。也就是说，连接布线CW2的端部EP21形成于开口部OP2内侧。换言之，连接布线CW2的端部EP21相对于开口部OP2的端部EP22配置在绿色晶体管TrG侧的相反侧。此外，在本申请的说明书中，关于绿色晶体管TrG的开口部OP1的蓝色晶体管TrB侧的端部EP12，其并非指开口部OP1的上表面的端部而是指底面的端部。另外，关于蓝色晶体管TrB的开口部OP2的绿色晶体管TrG侧的端部EP22，其并非指开口部OP2的上表面的端部而是指底面的端部。在绿色晶体管TrG的开口部OP1内部以及绝缘膜IF1上以覆盖源/漏电极EL1的方式形成有绝缘膜IF2。绝缘膜IF2例如为由有机膜构成的透明绝缘膜。优选的是，俯视观察时开口部OP1与蓝色晶体管TrB的源/漏电极EL2分离。在通过蚀刻等方法去除连接布线CW1的端部EP11时，连接布线CW1的一部分有可能作为残渣残留于开口部OP1内部。但是，如果开口部OP1与源/漏电极EL2分离，则能够防止连接布线CW1与源/漏电极EL2短路。在图9示出的图8的变形例中，形成于开口部OP1内部的连接布线CW1与在开口部OP1的侧面的下部露出的源/漏区域SD1电连接。而且，连接布线CW1的端部EP11形成于开口部OP1的比端部EP12更靠内侧的位置。因而，在开口部OP1的底面中的蓝色晶体管TrB侧的部分中，栅极绝缘膜GI未被连接布线CW1覆盖。或者，如图10所示，晶体管Tr也可以是顶栅型薄膜晶体管。在图10示出的示例中，在基材BSg上形成半导体膜SC，在半导体膜SC上经由栅极绝缘膜GI而形成栅电极GE，在栅极绝缘膜GI上以覆盖栅电极GE的方式形成绝缘膜IF1。另外，开口部OP1贯穿绝缘膜IF1和栅极绝缘膜GI而到达半导体膜SC。即，无论是在晶体管Tr由底栅型薄膜晶体管构成的情况下还是在晶体管Tr由顶栅型薄膜晶体管构成的情况下，半导体膜SC均经由绝缘膜IF1和作为绝缘膜的栅极绝缘膜GI中的一方或双方，与源/漏电极EL1和EL2以及栅电极GE重叠。优选的是，绿色晶体管TrG具有相对于绿色晶体管TrG的栅电极GE配置在蓝色晶体管TrB侧的多个开口部OP1。另外，蓝色晶体管TrB具有相对于蓝色晶体管TrB的栅电极GE配置在绿色晶体管TrG侧的多个开口部OP2。此时，如图11所示，多个开口部OP1在绿色晶体管TrG内在Y轴方向上排列。另外，多个开口部OP2在蓝色晶体管TrB内在Y轴方向上排列。而且，开口部OP1与开口部OP2在Y轴方向上交替地配置。由此，能够进一步缩小X轴方向上的绿色晶体管TrG与蓝色晶体管TrB之间的间隔。如图7所示，源/漏电极EL1也可以包括在Y轴方向上交替地配置的电极部EL11和电极部EL12。电极部EL11为源/漏电极EL1中与连接布线CW1连接的部分，电极部EL12为源/漏电极EL1中未与连接布线CW1连接的部分。当将由电极部EL11和连接布线CW1形成的部分设为电极部EL13时，电极部EL12具有比电极部EL13在X轴方向上的宽度更窄的宽度。设为由源/漏电极EL1以及与该源/漏电极EL1连接的多个连接布线CW1形成电极部EL14。此时，电极部EL14俯视观察时具有凹凸形状。另外，开口部OP1俯视观察时与形成凹凸形状的凸部的电极部EL13中的连接布线CW1重叠。源/漏电极EL2也可以包括在Y轴方向上交替地配置的电极部EL21和电极部EL22。电极部EL21为源/漏电极EL2中与连接布线CW2连接的部分，电极部EL22为源/漏电极EL2中未与连接布线CW2连接的部分。当将由电极部EL21和连接布线CW2形成的部分设为电极部EL23时，电极部EL22具有比电极部EL23在X轴方向上的宽度窄的宽度。设为由源/漏电极EL2以及与该源/漏电极EL2连接的多个连接布线CW2形成电极部EL24。此时，电极部EL24俯视观察时具有凹凸形状。另外，开口部OP2俯视观察时与形成凹凸形状的凸部的电极部EL23中的连接布线CW2重叠。也可以是，连接布线CW1和连接布线CW2沿Y轴方向交替地配置，开口部OP1与开口部OP2沿Y轴方向交替地配置。即，也可以是，电极部EL13与电极部EL23沿Y轴方向交替地配置。此时，优选的是，开口部OP1与开口部OP2在Y轴方向上重叠。即，开口部OP1与开口部OP2在从Y轴方向观察时重叠。由此，能够进一步缩小X轴方向上的绿色晶体管TrG与蓝色晶体管TrB之间的间隔。或者，如图11所示，绿色晶体管TrG也可以具有相对于绿色晶体管TrG的栅电极GE配置在蓝色晶体管TrB侧的多个开口部OP1即开口部组OPG1。另外，蓝色晶体管TrB也可以具有相对于蓝色晶体管TrB的栅电极GE配置在绿色晶体管TrG侧的多个开口部OP2即开口部组OPG2。此时，开口部组OPG1可以在绿色晶体管TrG内在Y轴方向上排列。另外，开口部组OPG2可以在蓝色晶体管TrB内在Y轴方向上排列。在这种方式中，也可以沿Y轴方向交替地排列开口部OP1和开口部OP2。在这种情况下，也能够进一步缩小X轴方向上的绿色晶体管TrG与蓝色晶体管TrB之间的间隔。此时，开口部组OPG1与开口部组OPG2也可以在Y轴方向上重叠。即，开口部组OPG1与开口部组OPG2也可以在从Y轴方向观察时重叠。在这种情况下，也能够进一步缩小X轴方向上的绿色晶体管TrG与蓝色晶体管TrB之间的间隔。如图6所示，绿色晶体管TrG的源/漏电极EL1与蓝色晶体管TrB的源/漏电极EL2在X轴方向上相邻，并且在Y轴方向上不重叠。或者，绿色晶体管TrG的连接布线CW1与蓝色晶体管TrB的连接布线CW2在Y轴方向上不重叠。在这种情况下，也能够进一步缩小X轴方向上的绿色晶体管TrG与蓝色晶体管TrB之间的间隔。红色晶体管TrR隔着绿色晶体管TrG配置在蓝色晶体管TrB的相反侧。此时，红色晶体管TrR的源/漏电极EL2可以与绿色晶体管TrG的源/漏电极EL2共有。另外，绿色晶体管TrG和红色晶体管TrR也可以具有俯视观察时配置在绿色晶体管TrG的栅电极GE与红色晶体管TrR的栅电极GE之间的共用的多个开口部OP2。此时，共用的多个开口部OP2可以在Y轴方向上排列。通过这种配置，能够缩小X轴方向上的绿色晶体管TrG与红色晶体管TrR之间的间隔。因此，能够缩小信号线开关电路SW内包含的在X轴方向上排列的晶体管Tr的中心之间的间隔的平均值。因而，能够缩小边框区域的面积。或者，如图11所示，绿色晶体管TrG和红色晶体管TrR也可以具有俯视观察时配置在绿色晶体管TrG的栅电极GE与红色晶体管TrR的栅电极GE之间的共用的多个开口部OP2即开口部组OPG2。此时，开口部组OPG2可以在Y轴方向上排列。在这种情况下，也能够缩小X轴方向上的绿色晶体管TrG与红色晶体管TrR之间的间隔。此外，如图12所示，也可以是，连接布线CW1沿源/漏电极EL1一体地形成，连接布线CW2沿源/漏电极EL2一体地形成。此时，开口部OP1与开口部OP2可以不沿Y轴方向交替地配置，可以在Y轴方向上配置在同一位置。<晶体管的中心之间的间隔>接着，参照图5～图8、图12以及图13～图17，将实施方式与第一比较例和第二比较例进行比较而说明晶体管的中心之间的间隔。图13和图14是第一比较例的显示装置中的信号线开关电路的晶体管的俯视图。图15和图16是第二比较例的显示装置中的信号线开关电路的晶体管的俯视图。图17是第二比较例的显示装置中的信号线开关电路的晶体管的剖视图。在图13和图15中放大示出三条信号线和三个晶体管。在图14中放大示出图13中由双点划线包围的区域AR101，在图16中放大示出图15中由双点划线包围的区域AR102。图17是沿图16的C-C线的剖视图。在图17中省略图示比绝缘膜IF2更靠上的部分。在第一比较例中，如图13和图14所示，连接布线CW1沿源/漏电极EL1一体地形成，连接布线CW2沿源/漏电极EL2一体地形成。另外，开口部OP1和开口部OP2未沿Y轴方向交替地配置，而是在Y轴方向上配置在同一位置。另外，在第一比较例中，如图13和图14所示，俯视观察时连接布线CW1的端部EP11与开口部OP1的端部EP12之间不存在间隙。另外，俯视观察时连接布线CW2的端部EP21与开口部OP2的端部EP22之间不存在间隙。在第一比较例中的晶体管Tr的配置中，当缩小连接布线CW1与连接布线CW2之间的距离时，有可能在源/漏电极EL1与源/漏电极EL2之间产生短路不良。因此，难以缩小连接布线CW1与连接布线CW2之间的距离。即，在第一比较例中的晶体管Tr的配置中，难以缩小在栅极长度方向上相邻的两个晶体管Tr各自的彼此相邻一侧的源/漏电极之间的距离。因此，包括该两个晶体管Tr在内，无法将在栅极长度方向上排列的多个晶体管Tr作为整体而拉近间隔地进行配置，无法缩小显示区域周边的区域的面积。另外，当在栅极长度方向上相邻的两个晶体管Tr各自的、彼此相邻一侧的源/漏电极彼此接近时，由于生产批次之间的源/漏电极的形状差异等，有可能在彼此相邻一侧的源/漏电极之间产生短路不良。或者，即使是信号线开关电路内包含的晶体管以外的晶体管，在显示区域周边的区域设置多个晶体管的情况下，也与信号线开关电路内包含的晶体管同样地，无法缩小显示区域周边的区域的面积。另一方面，在本实施方式中，在图12示出的示例中，连接布线CW1沿源/漏电极EL1一体地形成，连接布线CW2沿源/漏电极EL2一体地形成。另外，开口部OP1与开口部OP2并未沿Y轴方向交替地配置，而是在Y轴方向上配置在同一位置。但是，在图12示出的示例中，俯视观察时连接布线CW1的端部EP11与开口部OP1的端部EP12之间存在间隙。另外，俯视观察时连接布线CW2的端部EP21与开口部OP2的端部EP22之间存在间隙。在这种情况下，能够使在X轴方向上彼此相邻的开口部OP1与开口部OP2接近。因而，能够缩小源/漏电极EL1与源/漏电极EL2在X轴方向上的间隔。因此，在本实施方式中，与第一比较例相比，能够缩小X轴方向上的绿色晶体管TrG与蓝色晶体管TrB之间的间隔。接着，在第二比较例中，也与第一比较例同样地，如图15和图16所示，在绿色晶体管TrG中，在开口部OP1内部以及俯视观察时与开口部OP1相邻的部分的绝缘膜IF1上形成的连接布线CW1的端部EP11存在于开口部OP1外侧。而且，俯视观察时在绿色晶体管TrG的连接布线CW1的蓝色晶体管TrB侧的端部EP11、与绿色晶体管TrG的开口部OP1的蓝色晶体管TrB侧的端部EP12之间不存在间隙。此外，连接布线CW2的端部EP21与开口部OP2的端部EP22的位置关系也是同样的。即，俯视观察时在连接布线CW2的端部EP21与开口部OP2的端部EP22之间不存在间隙。在此，在实施方式和第二比较例中，如图7和图16所示，将绿色晶体管TrG的源/漏电极EL1内包含的电极部EL11的、蓝色晶体管TrB侧的相反侧的端部设为端部EP13。另外，将绿色晶体管TrG的开口部OP1的、蓝色晶体管TrB侧的相反侧的端部设为端部EP14。另外，将蓝色晶体管TrB的源/漏电极EL2内包含的电极部EL22的、绿色晶体管TrG侧的端部设为端部EP25。另外，在实施方式和第二比较例中，将电极部EL11的端部EP13与开口部OP1的端部EP14之间的X轴方向上的距离设为距离DST1，将开口部OP1的X轴方向上的宽度设为宽度WP11。另外，将电极部EL22的X轴方向上的宽度设为宽度WD21。另外，在实施方式中，将开口部OP1的端部EP12与蓝色晶体管TrB的源/漏电极EL2内包含的电极部EL22的端部EP25之间的X轴方向上的距离设为距离DST2。另一方面，在第二比较例中，将开口部OP1的端部EP12与连接布线CW1的端部EP11之间的X轴方向上的距离设为距离DST103。另外，将连接布线CW1的端部EP11与蓝色晶体管TrB的源/漏电极EL2内包含的电极部EL22的端部EP25之间的X轴方向上的距离设为距离DST104。在这种情况下，在第二比较例中，开口部OP1的端部EP12与电极部EL22的端部EP25之间的X轴方向上的距离，与距离DST103和距离DST104之和相等，比距离DST104长。为了防止连接布线CW1与源/漏电极EL2之间的短路、即源/漏电极EL1与源/漏电极EL2之间的短路，距离DST104难以设为固定距离以下。另一方面，在实施方式中，开口部OP1的端部EP12与电极部EL22的端部EP25之间的X轴方向上的距离DST2，比连接布线CW1的端部EP11与电极部EL22的端部EP25之间的距离DST4短。为了防止源/漏电极EL1与源/漏电极EL2之间的短路，距离DST4难以设为固定距离以下，但是距离DST2能够设为比距离DST4短。另外，X轴方向上的绿色晶体管TrG与蓝色晶体管TrB之间的间隔依赖于距离DST2。因而，在实施方式中，与第二比较例相比，也能够缩小X轴方向上的绿色晶体管TrG与蓝色晶体管TrB之间的间隔。即，在本实施方式中，能够将第二比较例中的距离DST103与距离DST104之和替换为距离DST2，因此与第二比较例相比，能够缩小X轴方向上的绿色晶体管TrG与蓝色晶体管TrB之间的间隔。另外，在第二比较例的方式中，连接布线CW1与连接布线CW2在Y轴方向上相邻，两者的距离过于近。其结果，有可能导致两者之间的寄生电容增加并且布线电阻增加。另一方面，在本实施方式中，能够防止该问题。此外，在本实施方式中，与第一比较例和第二比较例相比，有可能导致连接布线CW1与源/漏区域SD1之间的接触面积减小，连接布线CW1与源/漏区域SD1之间的接触电阻增加。但是，连接布线CW1与源/漏区域SD1之间的接触电阻与晶体管Tr内包含的沟道区域CH的电阻相比极低。因此，连接布线CW1与源/漏区域SD1之间的接触电阻增加这一情况对于同一晶体管Tr内包含的源/漏电极EL1与源/漏电极EL2之间的整体电阻几乎没有影响。<本实施方式的主要特征和效果>在本实施方式中，俯视观察时在绿色晶体管TrG的连接布线CW1的蓝色晶体管TrB侧的端部EP11、与绿色晶体管TrG的开口部OP1的蓝色晶体管TrB侧的端部EP12之间存在间隙。即，在栅极长度方向上相邻的两个晶体管中一个晶体管Tr的连接布线CW1的另一个晶体管Tr侧的端部EP11、与该一个晶体管Tr的开口部OP1的该另一个晶体管Tr侧的端部EP12之间存在间隙。由此，能够缩小在栅极长度方向上相邻的两个晶体管Tr之间的间隔，能够缩小该两个晶体管Tr的中心之间的间隔的平均值。因而，能够缩小边框区域的面积、即显示区域周边的区域面积。例如，当信号线开关电路SW内包含的晶体管Tr在栅极长度方向上的间隔大时，必须在栅极宽度方向上相邻的多个区域分开配置晶体管Tr，从而配置信号线开关电路SW的区域的面积增加。但是，根据本实施方式，能够缩小信号线开关电路SW内包含的晶体管Tr在栅极长度方向上的间隔，不需要在栅极宽度方向上相邻的多个区域分开配置晶体管Tr。因而，能够缩小边框区域的面积。这样，本实施方式中的晶体管Tr的配置是能够缩小在栅极长度方向上相邻的两个晶体管Tr各自的、彼此相邻一侧的源/漏电极之间的距离的配置。因此，包括该两个晶体管Tr在内，能够将在栅极长度方向上排列的多个晶体管Tr作为整体而拉近间隔地进行配置。另外，在栅极长度方向上相邻的两个晶体管Tr各自的、彼此相邻一侧的源/漏电极彼此分离，因此能够防止或抑制由于生产批次之间的源/漏电极的形状的差异等而在彼此相邻一侧的源/漏电极彼此之间产生短路不良这一情况。此外，在本实施方式中，说明了将在栅极长度方向上相邻的两个晶体管中一个晶体管的连接布线的端部与开口部的另一个晶体管侧的端部之间设置间隙的配置应用于信号线开关电路SW内包含的两个晶体管Tr的配置的示例。但是，也可以是信号线开关电路内包含的晶体管以外的晶体管。例如，也可以将本实施方式的实用新型应用于扫描线驱动电路CG内的晶体管。也就是说，也可以是，关于在边框区域在栅极长度方向上相邻的两个晶体管，在该两个晶体管中一个晶体管中的另一个晶体管侧的连接布线的端部与另一个晶体管侧的开口部的端部之间设置间隙。在这种情况下，也能够缩小边框区域的面积。<本实施方式的变形例>接着，说明本实施方式的变形例。图18是实施方式的变形例的显示装置中的信号线开关电路的晶体管的俯视图。在本变形例中，在某一像素内包含的子像素与其它像素内包含的子像素之间，包含与该子像素连接的晶体管在内的信号线开关电路被调换。即，子像素在X轴方向上的排列顺序与信号线开关电路内包含的晶体管在X轴方向上的排列顺序不对应，而是被调换。如图18所示，在本变形例中，与实施方式不同，在显示部DP中形成有作为第一像素的像素Px2以及作为第二像素的像素Px1。另外，像素Px1和像素Px2各自作为颜色相互不同的子像素Sx而包括红色子像素SxR、绿色子像素SxG以及蓝色子像素SxB。信号线开关电路SW1内包含的绿色晶体管(第一晶体管)TrG与像素Px2内包含的绿色子像素(第一子像素)SxG连接。即，信号线开关电路SW1内包含的绿色晶体管TrG是驱动像素Px2内包含的绿色子像素SxG的晶体管。也就是说，与图5相比，与信号线开关电路SW1内包含的绿色晶体管TrG连接的像素不同。另外，信号线开关电路SW1内包含的蓝色晶体管(第二晶体管)TrB与像素Px1内包含的蓝色子像素(第二子像素)SxB连接。即，信号线开关电路SW1内包含的蓝色晶体管TrB是驱动像素Px1内包含的蓝色子像素SxB的晶体管。也就是说，处于由同一信号线开关电路进行控制的两个晶体管驱动相互不同的像素的子像素这样的关系。在本变形例中，在驱动像素Px2内包含的绿色子像素SxG时，对信号线开关电路SW1内包含的绿色晶体管TrG和蓝色晶体管TrB供给极性相互相同的信号。而且，对像素Px2内包含的绿色子像素SxG和像素Px1内包含的蓝色子像素SxB供给极性相互相同的信号。此外，对信号线开关电路SW1内包含的红色晶体管TrR也供给极性与对信号线开关电路SW1内包含的绿色晶体管TrG和蓝色晶体管TrB供给的信号相同的信号。而且，对像素Px1内包含的红色子像素SxR也供给极性与对像素Px2内包含的绿色子像素SxG和像素Px1内包含的蓝色子像素SxB供给的信号相同的信号。另一方面，对信号线开关电路SW2内包含的红色晶体管TrR、绿色晶体管TrG以及蓝色晶体管TrB供给极性与对信号线开关电路SW1供给的信号相反的信号。而且，对像素Px2内包含的各色子像素供给极性与对像素Px1内包含的各色子像素供给的信号相反的信号。而且，信号线开关电路SW2内包含的绿色晶体管TrG与像素Px1内包含的绿色子像素SxG连接。在图5示出的实施方式中，信号线开关电路SW内包含的各晶体管Tr处于被分时地驱动的关系。而且，对在X轴方向上排列的多个子像素Sx沿X轴方向依次交替地供给正极性信号和负极性信号。因此，在对同一信号线开关电路内包含的红色晶体管TrR、绿色晶体管TrG以及蓝色晶体管TrB依次供给信号时，需要使从信号线驱动电路CS(参照图4)供给的信号的极性例如交替地反转为正极性、负极性和正极性，从而显示装置的消耗电力有可能增加。在图18示出的本变形例中，对同一信号线开关电路内包含的红色晶体管TrR、绿色晶体管TrG以及蓝色晶体管TrB依次供给极性相同的信号。但是，此时，使相邻像素之间的信号线(在图18中绿色信号线SLG)交叉。也就是说，信号线开关电路SW1的绿色晶体管TrG与像素Px2连接，因此不需要使从信号线驱动电路CS(参照图4)供给的信号的极性反转。因此，能够降低显示装置的消耗电力。此外，在本变形例中，说明了在某一像素内包含的子像素与其它像素内包含的子像素之间，包含与该子像素连接的晶体管在内的信号线开关电路被调换的示例。但是，并不限定于不同的像素之间，也可以在同一像素内的某一子像素与其它子像素之间，调换与该子像素连接的晶体管。例如，在将子像素与信号线开关电路内包含的晶体管连接时，为了减少一部分布线之间的重叠量，例如还能够使信号线彼此交叉。即使在这种配置中，通过在某一子像素与其它子像素之间调换与该子像素连接的晶体管，也能够容易地进行应对。以上，根据其实施方式具体地说明了由本申请发明人完成的实用新型，但是本实用新型并不限定于上述实施方式，当然在不脱离其宗旨的范围内能够进行各种变更。另外，在上述实施方式中，作为公开例例示了液晶显示装置的情况，但是作为其它应用例，可举出有机EL显示装置、其它自发光型显示装置或具有电泳元件等的电子纸型显示装置等所有平板型显示装置。另外，当然从中小型至大型不特别进行限定而能够应用。在本实用新型的思想范畴内，本领域技术人员能够想得到各种变更例和修正例，理解为这些变更例和修正例也属于本实用新型的范围。例如，本领域技术人员对上述各实施方式适当地进行结构要素的追加、删除或设计变更而得到的技术或进行了工序的追加、省略或条件变更而得到技术，只要具备本实用新型的宗旨，则也包含于本实用新型的范围。工业可用性本实用新型有效应用于显示装置。