技术总结
本实用新型提供了一种全介质像素式全斯托克斯成像偏振器，包括透光基底以及位于基底上的半导体介质层；介质层由超像素单元阵列组成；超像素单元包括0°趋向的线栅结构、45°趋向的线栅结构、90°趋向的线栅结构和一个Z型通孔结构单元阵列构成；其中得到的全介质像素式全斯托克斯成像偏振器线偏振片的透过率在1.40μm‑1.60μm接近100%，消光比20dB以上，最高可到70dB；其圆二色性在1.50μm‑1.61μm波段平均在70%以上，在1.53μm处圆二色性最高可达到98.3%。本实用新型具有波段较宽，结构简单，易于制作的特点，在以后的光学传感系统、先进的纳米光子器件以及集成光学系统中，具有很大的应用价值。
技术研发人员：胡敬佩;王钦华;赵效楠;林雨;朱爱娇;徐铖;曹冰
受保护的技术使用者：苏州大学
文档号码：201620966488
技术研发日：2016.08.29
技术公布日：2017.05.10