阵列基板断线修补方法与流程

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板断线修补方法。

背景技术：

随着液晶面板技术的不断发展，越来越多的新技术应用在薄膜晶体管阵列基板上，如平面转换(In-Plane Switching，简称IPS)，边缘场开关技术(Fringe Field Switching，简称FFS)，色彩滤镜矩阵(Color Filter On Array，简称COA)等技术。这些技术对显示基板的平坦度要求比较高，通常需要在阵列基板上沉积一层较厚的有机层如色阻层、平坦层等。在阵列基板制作过程中，由于各种因素的影响，可能导致金属导线包括扫描线和数据线存在断线或者短接的情况，影响良率。

为提高良率，针对断线部分会进行激光化学气相沉积(Laser Chemical Vapor Deposition，简称LCVD)长线修补；针对短接问题，需先切断短接部分，将短接部分隔离，再进行LCVD长线修补。目前的COA产品，色阻做在阵列基板上，在LCVD长线修补中，因色阻很厚(3um左右)，直接轰击(zapping)色阻和绝缘膜，会使LCVD长线爬坡高度太高，容易导致LCVD长线断裂。

技术实现要素：

本发明提供一种阵列基板断线修补方法，用以解决现有技术中的断线修补方法容易导致LCVD长线断裂的技术问题。

本发明一方面提供一种阵列基板断线修补方法，所述阵列基板包括衬底基板、第一金属层、第二金属层、第一绝缘层、第二绝缘层和色阻层；其中，所述第一金属层设置于所述衬底基板上，所述第一绝缘层覆盖在所述第一金属层和所述衬底基板上，所述第二金属层位于所述第一绝缘层上，所述第二绝缘层覆盖在所述第二金属层和所述第一绝缘层上，所述色阻层覆盖在所述第二绝缘层上，包括：

获取第一长线区域的两端，所述第一长线区域包括金属线断线部分；

对所述第一长线区域的两端均采用镭射光照射，去除所述色阻层和所述第二绝缘层，露出所述第二金属层，以获得两个第一沟槽，所述第一沟槽的侧壁呈阶梯状；

在两个所述第一沟槽中及两个所述第一沟槽之间的所述色阻层上生长第一金属膜，以通过所述第一金属膜将两个所述第一沟槽底部的所述第二金属层连接，完成所述金属线断线部分的连接。

进一步的，对所述第一长线区域的两端均采用镭射光照射，具体包括：

控制镭射光斑的大小和镭射能量，使所述镭射光斑的直径从大到小变化，以去除所述色阻层和所述第二绝缘层，露出所述第二金属层，从而获得所述第一沟槽。

进一步的，对所述第一长线区域的两端均采用镭射光照射，具体包括：

设置多个不同直径的环形镭射光栅对所述第一长线区域的两端进行照射，以除去所述色阻层和所述第二绝缘层，露出所述第二金属层，从而获得所述第一沟槽。

进一步的，设置3个不同直径的环形镭射光栅对所述第一长线区域的两端进行照射。

进一步的，所述第一金属膜由钨或者钼制成。

本发明另一方面提供一种阵列基板断线修补方法，所述阵列基板包括衬底基板、第一金属层、第二金属层、第一绝缘层、第二绝缘层和色阻层；其中，所述第一金属层设置于所述衬底基板上，所述第一绝缘层覆盖在所述第一金属层和所述衬底基板上，所述第二金属层位于所述第一绝缘层上，所述第二绝缘层覆盖在所述第二金属层和所述第一绝缘层上，所述色阻层覆盖在所述第二绝缘层上，包括：

获取第二长线区域的两端，所述第二长线区域包括金属线断线部分；

对所述第二长线区域的两端均采用镭射光照射，去除所述色阻层、所述第一绝缘层和所述二绝缘层，露出所述第一金属层，以获得两个第二沟槽，所述第二沟槽的侧壁呈阶梯状；

在两个所述第二沟槽中及两个所述第二沟槽之间的所述色阻层上生长第二金属膜，以通过所述第二金属膜将两个所述第二沟槽底部的所述第一金属层连接，完成所述金属线断线部分的连接。

进一步的，对所述第二长线区域的两端均采用镭射光照射，具体包括：

控制镭射光斑的大小和镭射能量，使所述镭射光斑的直径从大到小变化，以去除所述色阻层、所述第一绝缘层和所述第二绝缘层，露出所述第一金属层，从而获得所述第二沟槽。

进一步的，对所述第二长线区域的两端均采用镭射光照射，具体包括：

设置多个不同直径的环形镭射光栅对所述第二长线区域的两端进行照射，以除去所述色阻层、所述第一绝缘层和所述第二绝缘层，露出所述第一金属层，从而获得所述第二沟槽。

进一步的，设置3个不同直径的环形镭射光栅对所述第二长线区域的两端进行照射。

进一步的，其特征在于，所述第二金属膜由钨或者钼制成。

本发明提供一种阵列基板断线修补方法，通过在对第一长线区域的两端均采用镭射光照射，去除色阻层和第二绝缘层，露出第二金属层，从而获得两个侧壁呈阶梯状的第一沟槽，然后在两个第一沟槽中及两个第一沟槽之间的色阻层上生长第一金属膜，以通过第一金属膜将两个第一沟槽底部的第二金属层连接，从而完成金属线断线部分的连接。由于上述方法获得的第一沟槽侧壁呈阶梯状，即在色阻层和第二绝缘层上形成的第一沟槽侧壁下降过程较缓，大大减小了第一金属膜的爬坡高度，使第一金属膜不易断裂。同时，由于上述方案是在色阻之上生长第一金属膜，不用先移除色阻层，因此不会导致色阻层残留问题，及移除色阻层时导致的第一绝缘层或第二绝缘层受损问题，提高了断线修补成功率。

附图说明

在下文中将基于实施例并参考附图来对本发明进行更详细的描述。其中：

图1为阵列基板断线修补的一结构示意图；

图2为本发明提供的阵列基板断线修补方法的一流程示意图；

图3为阵列基板断线修补的另一结构示意图；

图4为本发明提供的阵列基板断线修补方法的另一流程示意图。

在附图中，相同的部件使用相同的附图标记。附图并未按照实际的比例绘制。

具体实施方式

下面将结合附图对本发明作进一步说明。

请参考图1和图2。本实施例提供一种阵列基板断线修补方法，阵列基板包括衬底基板1、第一金属层2、第二金属层3、第一绝缘层4、第二绝缘层5和色阻层6；其中，第一金属层2设置于衬底基板1上，第一绝缘层4覆盖在第一金属层2和衬底基板1上，第二金属层3位于第一绝缘层4上，第二绝缘层5覆盖在第二金属层3和第一绝缘层4上，色阻层6覆盖在第二绝缘层5上，包括：

步骤101，获取第一长线区域的两端，第一长线区域包括金属线断线部分。第一金属层2包括多个平行设置的扫描线，第二金属层3包括多个平行设置的数据线，扫描线与数据线垂直设置。第一长线区域即包括金属线断线部分的区域，该区域的两端在第二金属层3上的投影分别位于两根数据线上。

步骤102，对第一长线区域的两端均采用镭射光照射，去除色阻层6和第二绝缘层5，露出第二金属层3，以获得两个第一沟槽8，第一沟槽8的侧壁呈阶梯状。

具体的，控制镭射光斑的大小和镭射能量，使所述镭射光斑的直径从大到小变化，以去除所述色阻层6和所述第二绝缘层5，露出所述第二金属层3，从而获得所述第一沟槽8。先对第一长线区域的两端的色阻层6进行镭射光照射，控制镭射光斑的大小，使所述镭射光斑的直径从大到小变化，如此直到除去色阻层6和第二绝缘层5，使第二金属层3露出，优选的，可对第二金属层3进行镭射光照射，使在第二金属层3表面形成一小凹槽，在后续生长完第一金属膜7后，可使第一金属膜7与第二金属层3接触更充分。镭射光照射完毕之后，在第一长线区域的两端会获得两个第一沟槽8，该第一沟槽8的掏空部分由直径从大到小的同心圆柱堆叠而成，即第一沟槽8的侧壁呈阶梯状。优选的，通过控制镭射光斑的直径在第一段时间内缓慢渐变以获得第一渐变斜面，然后调整镭射光斑的直径突变至某一更小值，在第二段时间内控制镭射光斑的直径缓慢渐变从而获得第二渐变斜面，再调整镭射光斑的直径突变至更小值，重复以上过程，直到露出第二金属层3。由于在第一段时间结束后，镭射光斑的直径有一个突变，使得第一渐变斜面与第二渐变斜面之间有一个平面，从而使第一沟槽8的侧壁呈阶梯状。第一渐变斜面与第二渐变斜面的倾斜角度不超过70度。

进一步的，在本发明另一实施例中，第一长线区域的两端均采用镭射光照射还提供一种可选方案，即设置多个不同直径的环形镭射光栅对所述第一长线区域的两端进行照射，以除去所述色阻层6和所述第二绝缘层5，露出所述第二金属层3，从而获得所述第一沟槽8。上述方案中，采用多个不同直径的环形镭射光栅同时对第一长线区域的两端进行照射，以除去色阻层6和第二绝缘层5，露出第二金属层3。优选的，采用三个不同直径的环形镭射光栅对第一长线区域的两端进行照射。优选的，对第二金属层3进行镭射光照射，使在第二金属层3表面形成一小凹槽，在后续生长第一金属膜7时，可使第一金属膜7与第二金属层3接触更充分。

步骤103，在两个第一沟槽8中及两个第一沟槽8之间的色阻层6上生长第一金属膜7，以通过第一金属膜7将两个第一沟槽8底部的第二金属层3连接，完成金属线断线部分的连接。

具体的，第一金属膜7与第二金属层3所采用的材料相同。第一金属膜由钨或者钼制成。通过第一金属膜7将两个第一沟槽8底部的第二金属层3连接，从而完成金属线断线部分的连接。

上述实施例通过在对第一长线区域的两端均采用镭射光照射，去除色阻层6和第二绝缘层5，露出第二金属层3，从而获得两个侧壁呈阶梯状的第一沟槽8，然后在两个第一沟槽8中及两个第一沟槽8之间的色阻层6上生长第一金属膜7，以通过第一金属膜7将两个第一沟槽8底部的第二金属层3连接，从而完成金属线断线部分的连接。由于上述方法获得的第一沟槽8侧壁呈阶梯状，即在色阻层6和第二绝缘层5上形成的第一沟槽8侧壁下降过程较缓，大大减小了第一金属膜7的爬坡高度，使第一金属膜7不易断裂。同时，由于上述方案是在色阻层6之上生长第一金属膜7，不用先移除色阻层6，因此不会导致色阻层6残留问题，及移除色阻层6时导致的第一绝缘层4或第二绝缘层5受损问题，提高了断线修补成功率。

请参考图3和图4。本实施例提供一种阵列基板断线修补方法，阵列基板包括衬底基板1、第一金属层2、第二金属层3、第一绝缘层4、第二绝缘层5和色阻层6；其中，第一金属层2设置于衬底基板1上，第一绝缘层4覆盖在第一金属层2和衬底基板1上，第二金属层3位于第一绝缘层4上，第二绝缘层5覆盖在第二金属层3和第一绝缘层4上，色阻层6覆盖在第二绝缘层5上，包括：

步骤201，获取第二长线区域的两端，第二长线区域包括金属线断线部分。第一金属层2包括多个平行设置的扫描线，第二长线区域即包括金属线断线部分的区域，该区域的两端在第一金属层2上的投影分别位于两根扫描线上。

步骤202，对第二长线区域的两端均采用镭射光照射，去除色阻层6、第一绝缘层4和第二绝缘层5，露出第一金属层2，以获得两个第二沟槽9，第二沟槽9的侧壁呈阶梯状。

具体的，控制镭射光斑的大小和镭射能量，使所述镭射光斑的直径从大到小变化，以去除色阻层6、第一绝缘层4和第二绝缘层5，露出第一金属层2，从而获得第二沟槽9。先对第二长线区域的两端的色阻层6进行镭射光照射，控制镭射光斑的大小，使镭射光斑的直径从大到小变化，如此直到除去色阻层6、第一绝缘层4和第二绝缘层5，使第一金属层2露出。优选的，可对第一金属层2进行镭射光照射，使在第一金属层2表面形成一小凹槽，在后续生长完第二金属膜7后，可使第二金属膜7与第一金属层2接触更充分。镭射光照射完毕之后，在第二长线区域的两端会获得两个第二沟槽9，该第二沟槽9的掏空部分由直径从大到小的同心圆柱堆叠而成，即第一沟槽8的侧壁呈阶梯状。优选的，通过控制镭射光斑的直径在第三段时间内缓慢渐变以获得第三渐变斜面，然后调整镭射光斑的直径突变至某一更小值，在第四段时间内控制镭射光斑的直径缓慢渐变从而获得第四渐变斜面，再调整镭射光斑的直径突变至更小值，重复以上过程，直到露出第一金属层2。由于在第三段时间结束后，镭射光斑的直径有一个突变，使得第三渐变斜面与第四渐变斜面之间有一个平面，从而使第二沟槽9的侧壁呈阶梯状。第三渐变斜面与第四渐变斜面的倾斜角度不超过70度。

进一步的，在本发明另一实施例中，第二长线区域的两端均采用镭射光照射还提供一种可选方案，即设置多个不同直径的环形镭射光栅对所述第二长线区域的两端进行照射，以除去色阻层6、第一绝缘层4和第二绝缘层5，露出第一金属层2，从而获得第二沟槽9。上述方案中，采用多个不同直径的环形镭射光栅同时对第二长线区域的两端进行照射，以除去色阻层6、第一绝缘层4和第二绝缘层5，露出第一金属层2。优选的，采用三个不同直径的环形镭射光栅对第二长线区域的两端进行照射。优选的，对第一金属层2进行镭射光照射，使在第一金属层2表面形成一小凹槽，在后续生长第二金属膜7时，可使第二金属膜7与第一金属层2接触更充分。

步骤203，在两个第二沟槽9中及两个第二沟槽9之间的色阻层6上生长第二金属膜7，以通过第二金属膜7将两个第二沟槽9底部的第一金属层2连接，完成金属线断线部分的连接。

具体的，第二金属膜7由钨或者钼制成。通过第二金属膜7将两个第二沟槽9底部的第一金属层2连接，从而完成金属线断线部分的连接。

上述实施例通过对第二长线区域的两端均采用镭射光照射，去除色阻层6、第一绝缘层4和第二绝缘层5，露出第一金属层2，从而获得两个侧壁呈阶梯状的第二沟槽9，然后在两个第二沟槽9中及两个第二沟槽9之间的色阻层6上生长第二金属膜7，以通过第二金属膜7将两个第二沟槽9底部的第一金属层2连接，从而完成金属线断线部分的连接。由于上述方法获得的第二沟槽9侧壁呈阶梯状，即在色阻层6、第一绝缘层4和第二绝缘层5上形成的第二沟槽9侧壁下降过程较缓，大大减小了第二金属膜7的爬坡高度，使第二金属膜7不易断裂。同时，由于上述方案是在色阻层6之上生长第二金属膜7，不用先移除色阻层6，因此不会导致色阻层6残留问题，及移除色阻层6时导致的第一绝缘层4或第二绝缘层5受损问题，提高了断线修补成功率。

虽然已经参考优选实施例对本发明进行了描述，但在不脱离本发明的范围的情况下，可以对其进行各种改进并且可以用等效物替换其中的部件。尤其是，只要不存在结构冲突，各个实施例中所提到的各项技术特征均可以任意方式组合起来。本发明并不局限于文中公开的特定实施例，而是包括落入权利要求的范围内的所有技术方案。