对位装置的制作方法

本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种对位装置。

背景技术：

显示面板制程中，通常将大尺寸的玻璃基板进行薄膜晶体管层(thinfilmtransistor，tft)或彩膜层等功能层的制备，将大尺寸的玻璃基板划分为多个阵列的小单元区域，在每个小单元区域中均形成薄膜晶体管层(tft单元)或彩膜层(彩膜单元)，以得到具有多个阵列的tft单元的第一基板和具有多个阵列的彩膜单元的第二基板，将该第一基板与该第二基板进行对位及贴合后，切割贴合后的组件，可以得到多个显示面板。

随着显示面板的解析度越来越高，tft单元与彩膜单元之间的对位精度要求也越来越高。现有的对位装置是将第一基板与第二基板的四角对组，这样仅能控制该第一基板与该第二基板的对位精度，无法控制tft单元与彩膜单元之间的对位精度。特别是，由于tft单元与彩膜单元在不同的制程中进行，难免出现tft单元的尺寸与彩膜单元的尺寸差异，当tft单元的尺寸与彩膜单元的尺寸一大一小时，tft单元与彩膜单元之间的对位精度将会受到影响，导致显示面板显示不良，甚至需要反馈前厂修改尺寸，耗时费力。

技术实现要素：

针对以上的问题，本发明的目的是提供一种对位装置，以提高tft单元与彩膜单元之间的对位精度。

为了解决背景技术中存在的问题，本发明提供了一种对位装置，包括第一定盘、第二定盘及第一温控组件，所述第一定盘与所述第二定盘相对设置，所述第一定盘用于吸附第一基板，所述第一基板上具有第一阵列单元，所述第二定盘用于吸附第二基板，所述第二基板上具有第二阵列单元，所述第一阵列单元与所述第二阵列单元相对设置，所述第一温控组件连接于所述第一定盘，且设于远离所述第一基板的一侧，在所述第一阵列单元的尺寸与所述第二阵列单元的尺寸不同时，所述第一温控组件用于发散热量至所述第一基板或吸收所述第一基板的热量，以使所述第一阵列单元发生膨胀或收缩，以使所述第一阵列单元的尺寸与所述第二阵列单元的尺寸相同。

其中，所述第一定盘具有相对设置的顶壁和底壁，所述第一基板贴附于所述底壁，所述第一温控组件连接于所述顶壁，所述第一温控组件用以发散热量至所述第一定盘或吸收所述第一定盘的热量，所述第一定盘用于在所述第一温控组件与所述第一基板之间传导热量。

其中，所述第一定盘具有相对设置的顶壁和底壁，所述第一基板贴附于所述底壁，所述第一定盘还具有收容腔，所述收容腔设于所述顶壁与所述底壁之间，所述第一温控组件设于所述收容腔中，所述第一温控组件用以发散热量至所述底壁或吸收所述底壁的热量，所述底壁用于在所述第一温控组件与所述第一基板之间传导热量。

其中，所述第一温控组件包括制热回路和制冷回路。

其中，所述制热回路包括电加热器，所述制冷回路包括电制冷器，所述电制冷器和所述电加热器均包括半导体元件。

其中，所述第一温控组件还包括温度控制仪，所述温度控制仪用于检测和调节所述第一温控组件的温度。

其中，所述对位装置还包括第二温控组件，所述第二温控组件连接于所述第二定盘，且设于远离所述第二基板的一侧，在所述第一阵列单元的尺寸与所述第二阵列单元的尺寸不同时，通过控制所述第一温控组件或/和所述第二温控组件发热或制冷，以使所述第一阵列单元的尺寸与所述第二阵列单元的尺寸相同。

其中，所述第一温控组件和所述第二温控组件均包括制热回路或/和制冷回路。

其中，所述第一阵列单元为tft单元，所述第二阵列单元为彩膜单元；或者所述第一阵列单元为彩膜单元，所述第二阵列单元为tft单元。

其中，所述对位装置还包括检测装置，所述检测装置用于检测所述第一阵列单元与所述第二阵列单元的尺寸是否相同。

本实施例提出一种对位装置，在第一定盘和/或第二定盘上安装温控组件，该温控组件可以适当调节所述第一基板和/或所述第二基板的温度，例如，升温或降温，使得所述第一基板和/或所述第二基板发生热胀冷缩，这样设于所述第一基板上的tft单元的尺寸与设于所述第二基板上的彩膜单元的尺寸也会发生变化，以实现tft单元和彩膜单元的尺寸调节，从而实现所述tft单元和彩膜单元的尺寸相等，提高所述tft单元和彩膜单元的对位精度，提高显示面板的显示品质。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明第一实施例提供的一种对位装置的结构示意图。

图2是本发明第二实施例提供的一种对位装置的结构示意图。

图3是本发明实施例提供的一种温控组件的结构示意图。

图4是本发明实施例提供的另一种温控组件的结构示意图。

图5是图4提供的温控组件中流通通道的结构示意图。

图6是图5沿aa｀方向的截面图。

图7是本发明第三实施例提供的一种对位装置的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。

请参阅图1，图1是本发明实施例提供的一种对位装置100，用于基板与基板之间的对位。所述对位装置100包括第一定盘110、第二定盘120及第一温控组件130。所述第一定盘110与所述第二定盘120相对设置。所述第一定盘110用于吸附第一基板111。所述第一基板111上具有第一阵列单元112。所述第二定盘120用于吸附第二基板121。所述第二基板121上具有第二阵列单元122。所述第一阵列单元112与所述第二阵列单元122相对设置。所述第一温控组件130连接于所述第一定盘110，且设于远离所述第一基板111的一侧，用于调节所述第一基板111的温度。在所述第一阵列单元112的尺寸与所述第二阵列单元122的尺寸不同时，所述第一温控组件130用于发散热量至所述第一基板111或吸收所述第一基板111的热量，以使所述第一阵列单元112发生膨胀或收缩，以使所述第一阵列单元112的尺寸与所述第二阵列单元122的尺寸相同。

本实施例中，所述第一阵列单元112可以为tft单元或彩膜单元，相应地，所述第二阵列单元122可以为彩膜单元或tft单元。所述tft单元是指在第二基板121上多个阵列的小单元区域之一，该小单元区域具有tft阵列层，将第二基板121的小单元区域切割分离，即可得到tft阵列基板，该tft阵列基板可以用于显示面板的制备。所述彩膜单元是指在第一基板111上多个阵列的小单元区域之一，该小单元区域具有彩膜层，将第一基板111的小单元区域切割分离，即可得到彩膜基板，该彩膜基板可以用于显示面板的制备。

针对第一基板111与第二基板121对位过程中，tft单元与彩膜单元的尺寸不同，会导致所述tft单元与彩膜单元对位不准，可能造成对位及贴合后显示面板显示不良的问题，如若返前厂对tft单元与彩膜单元的尺寸进行调节，该制程复杂，耗时费力。本实施例提出一种对位装置100，在第一定盘110和/或第二定盘120上安装温控组件，该温控组件可以适当调节所述第一基板111和/或所述第二基板121的温度，例如，升温或降温，使得所述第一基板111和/或所述第二基板121发生热胀冷缩，这样设于所述第一基板111上的tft单元的尺寸与设于所述第二基板121上的彩膜单元的尺寸也会发生变化，以实现tft单元和彩膜单元的尺寸调节，从而实现所述tft单元和彩膜单元的尺寸相等，提高所述tft单元和彩膜单元的对位精度，提高显示面板的显示品质。

可选的，所述温控组件的温度调节范围可以为20～30℃。优选地，所述温控组件的温度调节范围可以为21～25℃。

所述对位装置还包括第一支架113及第二支架123。所述第一支架113设于所述第一定盘110的相对两侧，用于支撑所述第一定盘110及带动所述第一定盘110移动。所述第二支架123设于所述第二定盘120的相对两侧，用于支撑所述第二定盘120及带动所述第二定盘120移动。

以下实施例以第一阵列单元112是彩膜单元，第二阵列单元122是tft单元为例。所述第一基板111可以为透光基板，所述第一基板111的材质可为玻璃、石英、有机聚合物、或是其它可适用的材料。所述第二基板121的材质可为玻璃、石英、有机聚合物、或是不透光/反射材料(例如：导电材料、晶圆、陶瓷、或其它可适用的材料)、或是其它可适用的材料。

请参阅图1，所述第一定盘110具有相对设置的顶壁114和底壁115及连接于所述顶壁114与所述底壁115之间的侧壁116。其中，所述第一基板111贴附于所述底壁115。

本申请对于所述第一温控组件130在第一定盘110上的具体位置并不做限定，但是由于第一定盘110的底壁115需要吸附所述第一基板111，所以所述第一定盘110的底壁115需要具有很高的平整度，为了不影响所述第一定盘110的底壁115的平整度，优选地，所述第一温控组件130可以设置在第一定盘110除了底壁115的区域，如第一定盘110的顶壁114或侧壁116。

第一实施例

请参阅图1，所述第一温控组件130用以发散热量至所述第一定盘110(如图1中箭头所示)或吸收所述第一定盘110的热量。所述第一温控组件130连接于所述顶壁114。所述第一定盘110用于在所述第一温控组件130与所述第一基板111之间传导热量。

本实施方式中，所述顶壁114可以是平面，也可以具有凹槽。通过在顶壁114设置凹槽，可以将所述第一温控组件130设于所述凹槽中，一方面，定位所述第一温控组件130，另一方面，减少第一温控组件130与所述第一基板111之间的间距，即减少热传导距离，从而增大热传导效率。

第二实施例

请参阅图2，所述第一定盘110还具有收容腔117。所述收容腔117设于所述顶壁114与所述底壁115之间。所述顶壁114和/或所述侧壁116上可以设有通孔118，所述通孔118以导通所述收容腔117与第一定盘110外。所述第一温控组件130设于所述收容腔117中。所述第一温控组件130用以发散热量至所述底壁115或吸收所述底壁115的热量。所述底壁115用于在所述第一温控组件130与所述第一基板111之间传导热量。

本实施方式中，将所述第一温控组件130设于所述收容腔117中，一方面，安装所述第一温控组件130，另一方面，进一步减少第一温控组件130与所述第一基板111之间的间距，即减少热传导距离，从而增大热传导效率。

本申请对于所述第一定盘110的材质不做具体的限定，优选地，所述第一定盘110是导热性好的材料，如金属材料等。

基于上述的实施例，可选的，所述第一温控组件130与所述第一定盘110之间可以设置紫铜板、薄铝板、导热层或散热器等导热性较好的结构，这些导热性较好的结构连接于所述第一温控组件130与所述第一定盘110之间，以加快所述第一温控组件130与所述第一基板111之间的热量传导。

可选的，所述第一温控组件130背离所述第一定盘110的一侧，可以设置聚氨脂硬质泡沫、塑料、真空腔等形成保温层，以抑制第一温控组件130与外界环境之间的热交换。

基于上述的实施例，所述第一温控组件130包括制热回路131和制冷回路132。

第一种实施方式中，请参阅图3，所述第一温控组件130还包括电源133。所述制热回路131包括电加热器134，所述制冷回路132包括电制冷器135，所述电制冷器135和所述电加热器134均包括半导体元件。所述制冷回路132和所述制热回路131并联在电源133正负极两端。在制冷回路132中，电制冷器135包括半导体制冷片，该半导体制冷片连接于所述第一定盘110，通过在半导体制冷片中流过电流，半导体制冷片产生制冷效果，可降低第一定盘110的温度。可选的，所述半导体制冷片均匀分布于所述第一定盘110的顶壁114或收容腔117中。优选的，所述半导体制冷片对应于每个第一阵列单元112的位置和数量均相同，以使每个第一阵列单元112制冷均匀。

在制热回路131中，电制热器134包括半导体制热片，该半导体制热片连接于所述第一定盘110，通过在半导体制热片中流过电流，半导体制热片产生热，可对第一定盘110加热。可选的，所述半导体制热片均匀分布于所述第一定盘110的顶壁114或收容腔117中。优选的，所述半导体制热片对应于每个第一阵列单元112的位置和数量均相同，以使每个第一阵列单元112制热均匀。

第二种实施方式中，请参阅图4，所述第一温控组件130包括介质液136、流通通道137、制冷器138a、加热器138b和驱动器139。所述介质液136用于发散或吸收热量，所述制冷器138a用于制冷所述介质液136，所述加热器138b用于加热所述介质液136。所述驱动器139用于驱动所述介质液136在所述流通通道137中流动。所述流通通道137可以均匀分布于第一定盘110的顶壁114或收容腔117内。

可选地，所述流通通道137的形状可以是一个空腔整体，该空腔整体覆盖于所述第一基板111上的所有第一阵列单元112，以使所有第一阵列单元112均匀受热或制冷，所有第一阵列单元112的尺寸变化量相同。

可选地，请参阅图5及图6，所述流通通道137的形状还可以是多个相连通的管道，每个管道均覆盖每个第一阵列单元112。

可选的，第一温控组件130不限于制冷方式和制热方式，还可以由化学制热、化学制冷等。

可选的，所述第一温控组件130还包括温度控制仪(未图示)，所述温度控制仪用于检测和调节所述第一温控组件130的温度。

可选的，所述对位装置100还包括检测装置(未图示)，所述检测装置用于检测所述第一阵列单元112与所述第二阵列单元122的尺寸是否相同。

具体而言，在所述第一阵列单元112的两个角或三个角上均做第一标记，在所述第二阵列单元122的两个角或三个角上均做第二标记。所述检测装置检测第一标记之间的间距与所述第二标记之间的间距，若第一标记之间的间距与所述第二标记之间的间距相同，则所述第一阵列单元112与第二阵列单元122的尺寸相同。若第一标记之间的间距与所述第二标记之间的间距不同，则所述第一阵列单元112与第二阵列单元122的尺寸不同。

使用时，检测装置先检测所述第一阵列单元112与所述第二阵列单元122的尺寸是否相同。若第一阵列单元112的尺寸小于所述第二阵列单元122的尺寸，那么控制第一温控组件130产生热量，该热量通过第一定盘110传导至所述第一基板111，以使第一基板111受热膨胀，进而第一阵列单元112的尺寸增大，适当调节所述第一温控组件130升高的温度，以使第一阵列单元112的尺寸等于所述第二阵列单元122的尺寸。若第一阵列单元112的尺寸大于所述第二阵列单元122的尺寸，那么控制第一温控组件130吸收热量，所述第一基板111的热量通过第一定盘110传导至第一温控组件130，以使第一基板111制冷收缩，进而使得第一阵列单元112的尺寸减小，适当调节所述第一温控组件130降低的温度，以使第一阵列单元112的尺寸等于所述第二阵列单元122的尺寸。

第三实施例

请参阅图7，所述对位装置100还包括第二温控组件140。所述第二温控组件140连接于所述第二定盘120，且设于远离所述第二基板121的一侧，用于对所述第二定盘120加热或制冷。在所述第一阵列单元112的尺寸与所述第二阵列单元122的尺寸不同时，通过控制所述第一温控组件130或/和所述第二温控组件140发热或制冷，以使所述第一阵列单元112的尺寸与所述第二阵列单元122的尺寸相同。

可选的，所述第二温控组件140与所述第一温控组件130可以为相同的结构。本实施例对于所述第二温控组件140的安装位置和具体的结构不再赘述。

可选的，所述第一温控组件130和所述第二温控组件140均包括制热回路131或/和制冷回路132。

在第一种情况下，所述第一温控组件130和所述第二温控组件140均为制热回路131。

使用时，检测装置先检测所述第一阵列单元112与所述第二阵列单元122的尺寸是否相同。若第一阵列单元112的尺寸小于所述第二阵列单元122的尺寸，那么可以控制第一温控组件130产生热量，该热量通过第一定盘110传导至所述第一基板111，以使第一基板111受热膨胀，进而第一阵列单元112的尺寸增大，适当调节所述第一温控组件130升高的温度，以使第一阵列单元112的尺寸等于所述第二阵列单元122的尺寸。若第一阵列单元112的尺寸大于所述第二阵列单元122的尺寸，那么控制第二温控组件140产生热量，该热量通过第二定盘120传导至所述第二基板121，以使第二基板121受热膨胀，进而第二阵列单元122的尺寸增大，适当调节所述第二温控组件140升高的温度，以使第一阵列单元112的尺寸等于所述第二阵列单元122的尺寸。

在第二种情况下，所述第一温控组件130和所述第二温控组件140均为制冷回路132。

使用时，检测装置先检测所述第一阵列单元112与所述第二阵列单元122的尺寸是否相同。若第一阵列单元112的尺寸小于所述第二阵列单元122的尺寸，那么控制第二温控组件140吸收热量，所述第二基板121的热量通过第二定盘120传导至第二温控组件140，以使第二基板121制冷收缩，进而使得第二阵列单元122的尺寸减小，适当调节所述第二温控组件140降低的温度，以使第一阵列单元112的尺寸等于所述第二阵列单元122的尺寸。若第一阵列单元112的尺寸大于所述第二阵列单元122的尺寸，那么控制第一温控组件130吸收热量，所述第一基板111的热量通过第一定盘110传导至第一温控组件130，以使第一基板111制冷收缩，进而使得第一阵列单元112的尺寸减小，适当调节所述第一温控组件130降低的温度，以使第一阵列单元112的尺寸等于所述第二阵列单元122的尺寸。

在第三种情况下，所述第一温控组件130和所述第二温控组件140均包括制热回路131和制冷回路132。

使用时，检测装置先检测所述第一阵列单元112与所述第二阵列单元122的尺寸是否相同。若第一阵列单元112的尺寸小于所述第二阵列单元122的尺寸，那么可以控制第一温控组件130产生热量，该热量通过第一定盘110传导至所述第一基板111，以使第一基板111受热膨胀，进而第一阵列单元112的尺寸增大；和/或，控制第二温控组件140吸收热量，所述第二基板121的热量通过第二定盘120传导至第二温控组件140，以使第二基板121制冷收缩，进而使得第二阵列单元122的尺寸减小，适当调节第一温控组件130升高的温度，和/或，适当调节所述第二温控组件140降低的温度，以使第一阵列单元112的尺寸等于所述第二阵列单元122的尺寸。若第一阵列单元112的尺寸大于所述第二阵列单元122的尺寸，那么控制第一温控组件130吸收热量，所述第一基板111的热量通过第一定盘110传导至第一温控组件130，以使第一基板111制冷收缩，进而使得第一阵列单元112的尺寸减小；和/或，控制第二温控组件140产生热量，该热量通过第二定盘120传导至所述第二基板121，以使第二基板121受热膨胀，进而第二阵列单元122的尺寸增大，适当调节所述第二温控组件140升高的温度，和/或，适当调节所述第一温控组件130降低的温度，以使第一阵列单元112的尺寸等于所述第二阵列单元122的尺寸。

针对第一基板111与第二基板121对位过程中，tft单元与彩膜单元的尺寸不同，会导致所述tft单元与彩膜单元对位不准，可能造成对位及贴合后显示面板显示不良的问题，如若返前厂对tft单元与彩膜单元的尺寸进行调节，该制程复杂，耗时费力。本申请提出一种对位装置100，在第一定盘110和/或第二定盘120上安装温控组件，该温控组件可以适当调节所述第一基板111和/或所述第二基板121的温度，例如，升温或降温，使得所述第一基板111和/或所述第二基板121发生热胀冷缩，这样设于所述第一基板111上的tft单元的尺寸与设于所述第二基板121上的彩膜单元的尺寸也会发生变化，以实现tft单元和彩膜单元的尺寸调节，从而实现所述tft单元和彩膜单元的尺寸相等，提高所述tft单元和彩膜单元的对位精度，提高显示面板的显示品质。

综上所述，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，但该较佳实施例并非用以限制本发明，该领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。

以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。