一种声表面波滤波器应用泛曝光的双层胶剥离工艺的制作方法

本发明涉及电学及纳米加工技术领域，特别是一种声表面波滤波器应用泛曝光的双层胶剥离工艺。

背景技术：

随着新一代移动通讯时代到来，声表面波滤波器(sawf)广泛的应用在射频移动通信中，声表面波芯片工艺正高速发展，工艺的新研究、新发现已成为重要侧重点。

传统的双层胶剥离工艺由于使用了上窄下宽的累“倒梯形”结构(如图1所示)，降低了金属剥离的难度，提高了剥离的效率。但是，一般使用双层胶剥离工艺对光刻胶敏感性、显影液的对独立性、工艺细节的复杂性，要求严苛，导致选取购置麻烦，批量生产困难。

技术实现要素：

为解决上述问题，本发明提供一种声表面波滤波器应用泛曝光的双层胶剥离工艺，本工艺可使用普通的正性光刻胶同型号不同粘度光刻胶的叠加剥离工艺，充分解决选择光刻胶、显影液、工艺的问题。

为实现上述目的，本发明采用的技术方案是：

一种声表面波滤波器应用泛曝光的双层胶剥离工艺，包括如下步骤：

步骤1、清洗工艺：压电材料的表面清洗：

步骤2、涂胶工艺：字压电材料表面涂抹粘度为49cps的第一层正性光刻胶；

步骤3、泛曝光处理：紫外光泛曝光对整枚晶片进行全部无掩膜版无差别充分曝光，照射涂好正性光刻胶的压电材料，光刻胶曝光完全，光刻胶发生反应；

步骤4、二次涂胶工艺：在第一层正性光刻胶表面涂抹粘度为14cps的第二层正性光刻胶；

步骤5、光刻工艺：紫外线透过光刻版透光区照射压电材料，第二层正性光刻胶接触到紫外线的区域发生反应；

步骤6、显影工艺：第二层正性光刻胶接触紫外线区域显影掉，未接触区域不反应，下方第一层正性光刻胶因已全部泛曝光，显影后开口大小明显大于上方第二层正性光刻胶，且下方存在侧向显影，形成类似传统双层胶的类“倒梯形”的结构形式；

步骤7、镀膜工艺：选择合适的镀膜设备蒸发镀膜；

步骤8、剥离工艺：将镀膜后的半成品浸泡酒精，20-30分钟即可剥离出平滑的金属指条。

在本发明的一个实施例中，在步骤2中，以转速5000转/分旋涂第一层正性光刻胶。

在本发明的一个实施例中，在步骤4中，以转速3000转/分旋涂第二层正性光刻胶。

在本发明的一个实施例中，所述步骤2中，第一层正性光刻胶厚22000埃。

在本发明的一个实施例中，所述步骤4中，第二层正性光刻胶厚15000埃。

在本发明的一个实施例中，在步骤7中，镀膜厚度小于第一层正性光刻胶厚的一半。

使用本发明的有益效果是：

本发明的核心措施在第一次涂胶好增加泛曝光，人为地增加下层光刻胶的显影溶解度，形成类“倒梯形”结构。光刻胶经过曝光后发生反应，经显影后去除。因下层粘度为49cps的光刻胶经泛曝光后已均可显影掉，而上层14cps的光刻胶只是部分图形显影，因此当过显影时，下层缺口明显大于上面，从而形成“倒梯形”结构。

附图说明

图1为本发明声表面波滤波器应用泛曝光的双层胶剥离工艺工艺流程图。

图2为本发明声表面波滤波器应用泛曝光的双层胶剥离工艺工艺参考示意图。

具体实施方式

以下结合附图对本发明进行详细的描述。

实施例1

结合图1、图2所示，如下详细描述声表面波滤波器应用泛曝光的双层胶剥离工艺工艺的具体步骤。

步骤1.清洗工艺：压电材料的清洗。

步骤2.涂胶工艺：以转速5000转/分旋涂粘度为49cps普通正性光刻胶，胶厚22000埃左右。

步骤3.泛曝光处理：紫外光泛曝光(对整枚晶片进行全部无掩膜版无差别充分曝光)照射涂好正性光刻胶的晶片，光刻胶曝光完全，光刻胶发生反应。

步骤4.二次涂胶工艺：为防止第一层光刻胶坍塌，以转速3000转/分旋涂粘度为14cps正性光刻胶(需与第二步使用的粘度49cps的光刻胶同型号同品名，因此可使用同一显影液)，胶厚15000埃左右。

步骤5.光刻工艺：紫外线透过光刻版透光区照射晶片，粘度14cps光刻胶接触到紫外线的区域发生反应。

步骤6.显影工艺：选择合适的显影时间，上方14cps光刻胶接触紫外线区域显影掉，未接触区域不反应。下方49cps光刻胶因已全部泛曝光，显影后开口大小明显大于上方14cps光刻胶，且下方存在侧向显影，此时形成类似传统双层胶的类“倒梯形”的结构形式。

步骤7.镀膜工艺：选择合适的镀膜设备蒸发镀膜，且镀金属膜厚度最好小于49cps光刻胶厚度的50％，也即是11000埃，以便好剥离。

步骤8.剥离工艺：浸泡酒精，20-30分钟即可剥离出平滑的金属指条。

光刻胶的“倒梯形”结构，决定着剥离工艺的成败，传统的双层胶结构对光刻胶、显影液、工序细节都是很大的挑战，本发明利用增加泛曝光，人为地增加第一层胶的显影溶剂度，形成类“倒梯形”结构，对光刻胶的只需满足同型号粘度不同、同一款显影液即可，充分解决了双层胶的技术壁垒。

本工艺中，打破传统工艺的思维定式。实现了双层胶剥离的实际的简单化，易生产性。使用非关键设备泛曝光，关键设备精确曝光，充分发挥设备的利用性，提高设备使用效率。

本工艺同样适用同一款显影液，类型相似、粘度不同的双层胶，通过中间使用泛曝光增加第一层显影溶解度的工艺方法。本工艺同样适用于厚金属的剥离制作，只是在光刻胶的选择上需要粘度更大。

实施例2

步骤1.清洗工艺：压电材料的清洗。

步骤2.涂胶工艺：以转速5500转/分旋涂粘度为45cps普通正性光刻胶，胶厚20000埃左右。

步骤3.泛曝光处理：紫外光泛曝光(对整枚晶片进行全部无掩膜版无差别充分曝光)照射涂好正性光刻胶的晶片，光刻胶曝光完全，光刻胶发生反应。

步骤4.二次涂胶工艺：为防止第一层光刻胶坍塌，以转速3000转/分旋涂粘度为13cps正性光刻胶(需与第二步使用的粘度45cps的光刻胶同型号同品名，因此可使用同一显影液)，胶厚14000埃左右。

步骤5.光刻工艺：紫外线透过光刻版透光区照射晶片，粘度13cps光刻胶接触到紫外线的区域发生反应。

步骤6.显影工艺：选择合适的显影时间，上方13cps光刻胶接触紫外线区域显影掉，未接触区域不反应。下方45cps光刻胶因已全部泛曝光，显影后开口大小明显大于上方13cps光刻胶，且下方存在侧向显影，此时形成类似传统双层胶的类“倒梯形”的结构形式。

步骤7.镀膜工艺：选择合适的镀膜设备蒸发镀膜，且镀金属膜厚度最好小于49cps光刻胶厚度的50％，也即是10000埃，以便好剥离。

步骤8.剥离工艺：浸泡酒精，20-30分钟即可剥离出平滑的金属指条。

实施例3

1.清洗工艺：采用浓硫酸+双氧水浸泡4小时去除压电材料有机物与金属杂质，通过冲洗与兆声清洗去除微小颗粒，完成压电材料晶圆的清洗。

2.涂胶工艺：以转速5000转/分旋涂粘度为49cps普通正性光刻胶，热板90℃加热90秒，胶厚22000埃左右。

3.泛曝光处理：使用ure-2000/35型深紫外光刻机对压电材料进行泛曝光(对整枚晶片进行全部无掩膜版无差别充分曝光)，时间为5分钟，光刻胶曝光完全，光刻胶发生反应。

4.二次涂胶工艺：为防止第一层光刻胶坍塌，以转速3000转/分旋涂粘度为14cps正性光刻胶(需与第二步使用的粘度49cps的光刻胶同型号同品名，因此可使用同一显影液)，烘箱90℃加热20分钟，胶厚15000埃左右。

5.光刻工艺：紫外线透过光刻版透光区照射晶片，粘度14cps光刻胶接触到紫外线的区域发生反应。

6.显影工艺：选择含量2.38％的tmah显影液，60秒显影时间，上方14cps光刻胶接触紫外线区域显影掉，未接触区域不反应。下方49cps光刻胶因已全部泛曝光，显影后开口大小明显大于上方14cps光刻胶，且下方存在侧向显影，此时形成带有凸沿的类似传统双层胶的类“倒梯形”的结构形式。

7.镀膜工艺：选择合适的真空蒸发镀膜设备镀膜，且镀金属膜厚度最好小于49cps光刻胶厚度的50％，也即是11000埃，以便好剥离。

8.剥离工艺：浸泡酒精，使用超声波20-30分钟即可剥离出平滑的金属指条。

可以通过以上实施例1、实施例2和实施例3中的工艺参数，对光刻胶的厚度，光刻胶的粘度、涂抹速度进行适当改变，以达成本工艺的方案。

本工艺中各个参数均通过预先设计进行调整。

本发明立足于传统工艺对双层胶剥离工艺对光刻胶敏感性、显影液的对独立性、工艺细节的复杂性的严苛要求，发挥创造性思维，利用紫外线泛曝光(对整枚晶片进行全部无掩膜版无差别充分曝光)第一层光刻胶，第二层光刻胶正常曝光，人为地增加第一层光刻胶的显影溶解度，从而形成双层胶的类“倒梯形”结构。而这个过程双层胶只需满足同型号不同粘度的光刻胶即可，使用同一显影就可完成双层胶剥离工艺，解决了传统双层胶剥离工艺的选择光刻胶困难、显影液分别独立、工艺复杂性的问题。

本发明的核心措施在第一次涂胶好增加泛曝光，人为地增加下层光刻胶的显影溶解度，形成类“倒梯形”结构。

光刻胶经过曝光后发生反应，经显影后去除。因下层粘度为49cps的光刻胶经泛曝光后已均可显影掉，而上层14cps的光刻胶只是部分图形显影，因此当过显影时，下层缺口明显大于上面，从而形成“倒梯形”结构。

以上内容仅为本发明的较佳实施例，对于本领域的普通技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上可以作出许多变化，只要这些变化未脱离本发明的构思，均属于本发明的保护范围。