技术特征：
技术总结
一种方法，包括：获得图案形成装置的薄掩模透射函数和用于光刻过程的M3D模型，其中所述薄掩模透射函数是连续透射掩模(CTM)，所述M3D模型至少表示能够归因于所述图案形成装置上的结构的多边缘的M3D效应的一部分；通过使用所述薄掩模透射函数和所述M3D模型确定所述图案形成装置的M3D掩模透射函数；和通过使用所述M3D掩模透射函数确定由所述图案形成装置和所述光刻过程产生的空间图像。
技术研发人员：曹宇;卢彦文;刘鹏;拉斐尔·C·豪厄尔;R·比斯瓦斯
受保护的技术使用者：ASML荷兰有限公司
技术研发日：2017.12.06
技术公布日：2019.08.09