显示面板及其制作方法、显示装置与流程

本发明涉及液晶显示器领域，特别涉及一种显示面板及其制作方法、显示装置。

背景技术：

tft-lcd(薄膜晶体管液晶显示器)液晶显示屏多采用外引脚邦定(outerleadbonding，简称olb)，上下玻璃基板采用非切齐设计错开一段距离，露出的引脚链接驱动ic，将驱动信号输入面板。链接驱动ic的方法是，先将覆晶薄膜(chiponfilm，简称cof)的一端邦定在引脚上，再将另一端邦定在驱动ic上，各部件间通常采用异方性导电膜(anisotropicconductivefilm，简称acf)作为接着剂，实现固定和导通。

随着市场发展和技术升级，显示屏的边框呈逐步缩窄的趋势，而外引脚邦定所对应区域外露的引脚成为边框缩窄的障碍。一方面覆晶薄膜邦定工艺要求留出一定的宽度，另一方面，为了保障足够的导电面积，金属引脚不能做的太小，这使得外引脚邦定所对应区域的宽度难以进一步缩小。此外，外引脚邦定区没有黑色矩阵遮挡，需要加装外框或填充黑胶以遮蔽漏光，也就间接增加了整机的边框厚度。

为解决此问题，业界出现了一种新型的覆晶薄膜邦定制程，侧面邦定(sidebonding)。该技术将上下基板切齐，通过侧面研磨手段将玻璃断面打磨光滑，露出金属引脚的断面。并在断面处印刷周期性的导电银浆，扩展引脚断面的导电面积，随后从侧面邦定覆晶薄膜。这种新制程的好处是，驱动信号从引脚的截面进入，大大缩短了引脚的长度；上下基板切齐，引脚隐蔽于bm内，提高了外观的整体性；此外，覆晶薄膜和电路板可以更容易的隐蔽于侧面，避免了覆晶薄膜向下弯折导致的损伤。

一般而言，彩膜基板存在整面性ito公共电极，玻璃断面处会将公共电极的断面暴露。为了防止覆晶薄膜上的引脚与公共电极导通，需要将切面附近的公共电极去除。通常，公共电极的图案化需要通过黄光制程来实现，这会增加设备、光罩、光阻等成本。并且，一张光罩只能进行一种图案的制作，所以对于不同尺寸或不同类型的产品，需要重新设计和制作光罩。

技术实现要素：

本发明所要解决的技术问题在于，提供一种显示面板及其制作方法、显示面板，实现四边无边框效果，且解决了在侧面邦定时，覆晶薄膜容易与彩膜基板上的公共电极走线导通的问题。

为了解决上述问题，本发明提供了一种显示面板，包括彩膜基板，其表面分布有公共电极走线，所述公共电极走线形成有走线间隙区；阵列基板，与所述彩膜基板相对设置，且与所述彩膜基板的同一侧形成有相互对齐的切断面，所述切断面在该走线间隙区中；所述阵列基板上分布有金属走线，所述金属走线延伸至所述切断面并在该切断面形成引脚断面；

进一步地，所述显示面板还包括导电银浆层，覆于所述引脚断面上；覆晶薄膜，覆于所述导电银浆层上；芯片层，连接于所述覆晶薄膜；所述覆晶薄膜与所述导电银浆层之间设有异方性导电膜；所述覆晶薄膜与所述芯片层之间设有异方性导电膜。

进一步地，所述芯片层与所述彩膜基板、所述阵列基板均位于所述覆晶薄膜的同一侧。

进一步地，所述彩膜基板包括显示区域和非显示区域，所述切断面对应所述非显示区域。

本发明还提供了一种显示面板的制备方法，包括s1)制作彩膜基板和阵列基板，所述阵列基板上分布有金属走线；所述彩膜基板上涂布有公共电极走线，在制作彩膜基板步骤中，包括在所述彩膜基板上，利用激光去除部分所述公共电极走线并形成走线间隙区，所述激光光束的宽度小于所述走线间隙区的宽度；s2)装配所述彩膜基板和所述阵列基板，使所述彩膜基板和所述阵列基板相对设置；s3)在所述走线间隙区位置切割所述彩膜基板和所述阵列基板的同一侧的边侧，使所述彩膜基板和所述阵列基板在同一侧形成相互对齐的切断面，所述金属走线在所述切断面形成引脚断面；s4)在所述引脚断面处涂布导电银浆并固化形成导电银浆层；s5)在所述导电银浆层上制备覆晶薄膜；s6)在所述覆晶薄膜上连接芯片层。

进一步地，在制作彩膜基板步骤中，采用测量所述走线间隙区两端电阻的方法检测激光照射区域的所述公共电极是否完全去除。

进一步地，在制作彩膜基板步骤中采用激光多次照射所述公共电极，使激光照射区域的所述公共电极完全去除形成所述走线间隙区，当所述激光照射区域的所述公共电极完全去除时，所述激光照射区域所检测的电阻值为兆欧数量级。

进一步地，在步骤s4)中，在所述引脚断面上涂布所述导电银浆形成块状导电银浆或线状导电银浆，所述块状导电银浆或线状导电银浆形成所述导电银浆层。如权利要求5所述的显示面板的制备方法，其特征在于，

在所述步骤s1)中，所述走线间隙区的宽度为100-400um。

进一步地，在形成走线间隙区之后，对所述走线间隙区进行清洁处理。

本发明还提供了一种显示装置，包括所述的显示面板。

本发明的优点是：本发明的显示面板及其制作方法、显示装置，采用侧面邦定技术，将上下基板切齐，通过侧面研磨手段将玻璃断面打磨光滑，露出金属引脚的断面。并在断面处印刷周期性的导电银浆，扩展引脚断面的导电面积，随后从侧面邦定覆晶薄膜。这种新制程的好处是，驱动信号从引脚的截面进入，大大缩短了引脚的长度；上下基板切齐，引脚隐蔽于非显示区域内，提高了外观的整体性；此外，覆晶薄膜和印刷电路板可以更容易的隐蔽于侧面，避免了覆晶薄膜向下弯折导致的损伤。同时去除了切面附近的公共电极走线，避免覆晶薄膜与公共电极走线导通。

附图说明

下面结合附图和实施例对本发明作进一步解释。

图1是现有技术中外引脚邦定示意图。

图2是实施例中的侧面邦定示意图。

图3是实施例中切断面主视图。

图4是实施例中的激光制程示意图。

图5是实施例中显示面板制作方法流程图。

图中

100显示面板；

1彩膜基板；

101显示区域；102非显示区域；

11公共电极走线；111走线间隙区；

2阵列基板；

21金属走线；211引脚断面；

3导电银浆层；4异方性导电膜；

5覆晶薄膜；6芯片层；

7切断面；

具体实施方式

以下实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「顶」、「底」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。

如图1所示，由于现有技术中，通常采用外引脚邦定，即通过采用将上下基板错开一段距离，从而露出阵列基板上的金属引脚，而且为了保障足够的导电面积，金属引脚不能设计的太小，这样就会使得外引脚邦定区域的宽度无法缩小。此外，外引脚邦定的区域还需要加装额外的外框或者填充黑胶用以遮蔽漏光，也就间接增加了显示面板的边框厚度。

如图2所示，为了解决现有技术问题，在其中一实施例中，本发明的显示面板，包括彩膜基板1、阵列基板2、导电银浆层3、异方性导电膜4、覆晶薄膜5和芯片层6。

所述彩膜基板1包括一显示面，该显示面包括显示区域101和非显示区域102，一般情况下，非显示区102围绕显示区域101分布。所述彩膜基板1的显示面区域分布有公共电极走线11。

如图4所示，为了避免所述覆晶薄膜5在邦定时和所述公共电极走线11导通，造成短路现象，因此，需在所述公共电极走线11上形成一断路区域，以防止短路现象的发生，本实施例中，采用在所述彩膜基板1的非显示区102形成一走线间隙区111，以使所述公共电极走线11在所述走线间隙区111缺失。

如图3所示，所述阵列基板2与所述彩膜基板1相对设置，且与所述彩膜基板1同一侧形成有相互对齐的切断面7，所述切断面7对应在所述走线间隙区111中。所述阵列基板2上分布有金属走线21，所述金属走线21延伸至所述切断面7并在该切断面7形成引脚断面211，所述引脚断面211对应所述彩膜基板1的所述非显示区域102，这样不用增加额外的边框或填充黑胶用以遮蔽漏光。

所述导电银浆层3为滴入所述引脚断面211处的导电银浆固化形成，目的是为了增加所述异方性导电膜4与所述引脚断面211的电性导通能力。

所述异方性导电膜4作为接着剂，实现导电银浆层3和覆晶薄膜5、覆晶薄膜5和芯片层6的固定和导通。

如图5所示，且同时参见图1-图4，为了实现上述显示面板的结构，本实施中，本发明还提供了一种显示面板的制作方法，包括步骤s1)-s6)。

s1)制作彩膜基板1和阵列基板2，所述彩膜基板1包括一显示面，该显示面包括显示区域101和非显示区域102，一般情况下，非显示区102围绕显示区101分布。所述彩膜基板1的显示面区域分布有公共电极走线11，为了避免所述覆晶薄膜5在邦定时和所述公共电极走线11导通，造成短路现象，采用激光制程去除部分所述公共电极走线11形成一走线间隙区111。本实施例中，采用在所述彩膜基板1非显示区102中形成一走线间隙区111，以使所述公共电极走线11在所述走线间隙区111缺失。

一般而言，所述覆晶薄膜5在与彩膜基板1和阵列基板2邦定时，由于所述公共电极走线11的存在，所述覆晶薄膜5会与所述公共电极走线11导通，产生短路现象，为了解决这一问题，采用激光去除部分所述公共电极走线11形成一走线间隙区111。

现有技术中去除公共电极走线11通常是利用黄光制程，这会增加设备、光罩、光阻等成本，并且一张光罩只能进行一种图案的制作，所以对不同尺寸或不同类型的产品，需要重新设计和制作光罩。所以本实施例采用激光制程，可以通过调节能量和聚焦范围来改变激光线宽，这样可以根据不同的产品来灵活调整激光图案。

如图4所示，采用激光镭射技术去除所述阵列基板2断面附近的所述公共电极走线11，其走线间隙区111的宽度为100-400um，为了提高走线间隙区111的形成效率和效果，本实施例中，还在走线间隙区111的形成后增加检测步骤，即通过测电阻的方式检测处激光移除公共电极走线11的效果，具体方式为，将电阻器两头分别接入所述走线间隙区111两端，若测出电阻为无限大或电阻值为兆欧数量级，则激光去除效果较好，若电阻较小，则需要进行多次激光制程，直到测出的电阻为无限大或电阻值为兆欧数量级。s2)装配所述彩膜基板1和所述阵列基板2，使所述彩膜基板1和所述阵列基板2相对设置。

s3)在所述走线间隙区111位置切割所述彩膜基板1和所述阵列基板2的同一侧的边侧，使所述彩膜基板1和所述阵列基板2在同一侧形成相互对齐的切断面7，所述金属走线21在所述切断面7形成引脚断面211；一般而言金属走线21设有多条，因此，在所述切断面7上，具有多个间隔排列的金属走线21的引脚断面211。

s4)在所述引脚断面211的表面涂布导电银浆并固化形成导电银浆层3。

s5)在所述导电银浆层3上制备覆晶薄膜5；

s6)在所述覆晶薄膜5上连接芯片层8，所述芯片层8与所述彩膜基板1、所述阵列基板2均位于所述覆晶薄膜5的同一侧。在激光制程完成后，需要对所述彩膜基板1的所述走线间隙区111进行清理，主要是利用喷涂含清洗溶液的清洁工具对所述走线间隙区111区域进行清洗,以去除激光制程中产生的颗粒物或残屑。

本发明还提供了一种显示装置，其主要改进点和特征均集中体现在显示面板上，具体体现在邦定区域中，其具体特征参见本实施例的所述显示面板部分，至于其他的部件，本发明不再本发明的改进点中，对此不再一一赘述。

以上仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。