显示面板及显示装置的制作方法

本实用新型涉及液晶显示
技术领域：
，特别涉及一种显示面板及显示装置。
背景技术：
：显示面板的亮度取决于背光源亮度和显示屏透过率的乘积，现有的技术大多通过提高背光源亮度来增加背光源本身的亮度，但是整体成本高，背光源温度升高还会引起其他品质问题。技术实现要素：本实用新型的主要目的是提供一种显示面板，旨在提高显示面板的亮度，同时降低成本。为实现上述目的，本实用新型提出的显示面板，包括依次层叠设置的第一偏光片、阵列基板、彩膜基板和第二偏光片，所述阵列基板和所述彩膜基板之间设有液晶层，所述第一偏光片的第一光透过轴与所述第二偏光片的第二光透过轴垂直设置；所述阵列基板设有多个像素单元，每一所述像素单元包括像素电极，所述像素电极正中设有水平间隔带或竖直间隔带，所述水平间隔带或竖直间隔带将所述像素电极分为两个子像素区域，两个子像素区域内均设有多个平行的条状分支，且两个所述子像素区域内的条状分支相互垂直，其中一所述子像素区域内的条状分支平行于所述水平间隔带或所述竖直间隔带，所述第一偏光片的第一光透过轴与所述水平间隔带或所述竖直间隔带之间形成的夹角为θ，0°<θ<90°。可选的，θ为45°。可选的，所述水平间隔带的宽度为2um～40um。可选的，所述竖直间隔带的宽度为2um～20um。可选的，所述阵列基板还设有多条数据线和多条扫描线，所述多条扫描线和多条数据线绝缘交叉限定多个所述像素单元，每一像素单元的像素电极与对应的所述数据线和所述扫描线电连接。可选的，每一所述像素单元还包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的栅极与所述扫描线电连接，所述薄膜晶体管的源极与所述数据线电连接，所述薄膜晶体管的漏极与所述像素电极电连接。可选的，每一所述像素单元还包括设于所述像素电极的公共电极，所述公共电极与所述水平间隔带或所述竖直间隔带异层且绝缘设置。可选的，所述像素电极为氧化铟锡电极。可选的，所述阵列基板和所述彩膜基板均为透明基板。本实用新型还提出一种显示装置，包括所述的显示面板。本实用新型显示面板通过将第一偏光片的第一光透过轴与第二偏光片的第二光透过轴垂直设置，当光线通过第一偏光片入射到阵列基板上时，由于像素电极正中设有水平间隔带或竖直间隔带，水平间隔带或竖直间隔带将像素电极分为两个子像素区域，两个子像素区域内均设有多个平行的条状分支，且两个子像素区域内的条状分支相互垂直，其中一子像素区域内的条状分支平行于水平间隔带或竖直间隔带，第一偏光片的第一光透过轴与水平间隔带或所述竖直间隔带之间的夹角为θ，0°<θ<90°，然后光线从第二偏光片出来，增大了光的透过率，进而提高显示面板的亮度，无需增加背光源的亮度即可提高显示面板的亮度，降低成本。附图说明为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。图1为本实用新型显示面板一实施例的剖示图；图2为本实用新型显示面板一实施例的部分结构示意图；图3为图2中另一视角的部分结构示意图；图4为本实用新型显示面板另一实施例的部分结构示意图；图5为图4中另一视角的部分结构示意图；图6为本实用新型阵列基板一实施例的平面结构示意图。附图标号说明：标号名称标号名称100显示面板212薄膜晶体管10第一偏光片22数据线11第一光透过轴23扫描线20阵列基板24第一基板21像素单元30彩膜基板211像素电极31第二基板2110子像素区域40第二偏光片2111条状分支41第二光透过轴211a水平间隔带50液晶层211b竖直间隔带本实用新型目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。具体实施方式下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。需要说明，本实用新型实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。在本实用新型中，除非另有明确的规定和限定，术语“连接”、“固定”等应做广义理解，例如，“固定”可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。另外，在本实用新型中如涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本实用新型要求的保护范围之内。本实用新型提出一种显示面板100。参照图1至图6，在本实用新型实施例中，该显示面板100包括依次层叠设置的第一偏光片10、阵列基板20、彩膜基板30和第二偏光片40，所述阵列基板20和所述彩膜基板30之间设有液晶层50，所述第一偏光片10的第一光透过轴11与所述第二偏光片40的第二光透过轴41垂直设置；所述阵列基板20设有多个像素单元21，每一所述像素单元21包括像素电极211，所述像素电极211正中设有水平间隔带211a或竖直间隔带211b，所述水平间隔带211a或竖直间隔带211b将所述像素电极211分为两个子像素区域2110，两个子像素区域2110内均设有多个平行的条状分支2111，且两个所述子像素区域2110内的条状分支2111相互垂直，其中一所述子像素区域2110内的条状分支2111平行于所述水平间隔带211a或所述竖直间隔带211b，所述第一偏光片10的第一光透过轴11与所述水平间隔带211a或所述竖直间隔带211b之间形成的夹角为θ，0°<θ<90°。具体的，阵列基板20和彩膜基板30均为透明基板，如玻璃基板、石英基板等，其中阵列基板20包括第一基板24，彩膜基板30包括第二基板31，第一基板24和第二基板31的相对内侧均形成有像素电极和公共电极，并在第一基板24和第二基板31之间设置液晶层50，通过在像素电极与公共电极之间施加驱动电压，利用像素电极与公共电极之间形成的电场来控制液晶层50内的液晶分子的旋转，将背光模组的光线折射出来产生画面。阵列基板20的像素电极211可以是半透明电极或反射电极。当像素电极211是半透明电极时，像素电极211可包括透明导电层。透明导电层可包括例如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)和氧化铝锌(AZO)中的至少一种。除了透明导电层之外，像素电极211可包括用于提高发光效率的半透反射层。半透反射层可以是薄层(例如几纳米至几十纳米厚)，并且可包括Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca和Yb中的至少一种。本实施例优选像素电极211为氧化铟锡电极。第一偏光片10和第二偏光片40的基本结构包括：最中间的PVA(聚乙烯醇)，两层TAC(三醋酸纤维素)，PSAfilm(压敏胶)，Releasefilm(离型膜)和Protectivefilm(保护膜)。其中，起到偏振作用的是PVA层，但是PVA极易水解，为了保护偏光膜的物理特性，因此在PVA的两侧各复合一层具有高光透过率、耐水性好又有一定机械强度的(TAC)薄膜进行防护，这就形成了偏光片原板。在普通TN型LCD偏光片生产中，根据不同的使用要求，需要在偏光片原板的一侧涂复一定厚度的PSA，并复合上对PSA进行保护的隔离膜；而在另一侧要根据产品类型，分别复合保护膜、反射膜、半透半反胶层膜，由此形成偏光片成品。对STN型LCD偏光片产品，还要在PSA层一侧，根据客户的不同需要，按一定的补偿角度复合具有一定位相差补偿值的位相差膜和保护膜，由此形成STN型LCD偏光片产品。第一偏光片10和第二偏光片40对光的偏振方向只有一种，将第一偏光片10的第一光透过轴11与第二偏光片40的第二光透过轴41垂直设置，才能显示图像。为了实现宽的视野角，像素电极211内有不同取向的条状分支2111，条状分支2111的每一个取向区称为一个畴，本实施例中的像素电极211包括了大小相同且对称设置的四个畴，水平间隔带211a或竖直间隔带211b将像素电极211分为大小相同的两个子像素区域2110，其中一个子像素区域2110由相邻的两个畴连续形成，另一个由另外相邻的两个畴连续形成，每个子像素区域2110大体上呈矩形。相邻子像素区域2110的条状分支2111的取向不同，所对应液晶的倒向就会不同，每个子像素区域2110内的条状分支2111相互平行设置，且条状分支2111的开口大小相同，在子像素区域2110交界的区域液晶倒向就会出现混乱，亮度出现异常，暗态发亮。为避免这种现象，在子像素区域2110交界的区域设计有水平间隔带211a或竖直间隔带211b，以避免交界处出现液晶倒向混乱。水平间隔带211a或竖直间隔带211b在显示时为不透光的暗态，本实施例中每个像素电极211包括一个水平间隔带211a或竖直间隔带211b。请参考图2和图4，为本实用新型的两种条状分支2111的排布方式，但不限于该两种方式。利用空间视角融合法，通过将两个子像素区域2110内的条状分支2111相互垂直，其中一子像素区域2110内的条状分支2111平行于水平间隔带211a或竖直间隔带211b，第一偏光片10的第一光透过轴11与水平间隔带211a或竖直间隔带211b之间形成的夹角为θ，0°<θ<90°，只保留一个水平间隔带211a或竖直间隔带211b，以此来增加画素开口率。本实用新型显示面板100通过将第一偏光片10的第一光透过轴11与第二偏光片40的第二光透过轴41垂直设置，当光线通过第一偏光片10入射到阵列基板20上时，由于像素电极211正中设有水平间隔带211a或竖直间隔带211b，水平间隔带211a或竖直间隔带211b将像素电极211分为两个子像素区域2110，两个子像素区域2110内均设有多个平行的条状分支2111，且两个子像素区域2110内的条状分支2111相互垂直，其中一子像素区域2110内的条状分支2111平行于水平间隔带211a或竖直间隔带211b，第一偏光片10的第一光透过轴11与水平间隔带211a或所述竖直间隔带211b之间的夹角为θ，0°<θ<90°，然后光线从第二偏光片40出来，增大了光的透过率，进而提高显示面板100的亮度，无需增加背光源的亮度即可提高显示面板100的亮度，降低成本。进一步的，本实施例中当θ为45°时，此时光的透过率最大，实施效果最好。进一步的，由于每个像素电极211内仅有一条水平间隔带211a或竖直间隔带211b，为了不影响液晶倒向混乱，且提高光的透过率，当像素电极211内设有一条水平间隔带211a的情况下，所述水平间隔带211a的宽度为2um～40um，优选水平间隔带211a的宽度为2um、20um、40um。本实施例中，当水平间隔带211a的宽度小于2um时，会出现液晶倒向混乱，显示面板100的亮度出现异常；当水平间隔带211a的宽度大于40um时，此时光的透过率减小，不利于提高显示面板100的亮度。因此将水平间隔带211a的宽度设置在2um～40um之间较合适。同理，所述竖直间隔带211b的宽度为2um～20um。优选竖直间隔带211b的宽度为2um、10um、20um。本实施例中，当竖直间隔带211b的宽度小于2um时，会出现液晶倒向混乱，显示面板100的亮度出现异常；当竖直间隔带211b的宽度大于20um时，此时光的透过率减小，不利于提高显示面板100的亮度。因此将竖直间隔带211b的宽度设置在2um～20um之间较合适。参照图6，所述阵列基板20还设有多条数据线22和多条扫描线23，所述多条扫描线22和多条数据线23绝缘交叉限定多个所述像素单元21，每一像素单元21的像素电极211与对应的所述数据线23和所述扫描线22电连接。本实施例中，扫描线23和数据线22均为导体材料形成，如铝合金、铬金属等。其中，阵列基板20包括多个呈阵列排布的像素单元21，扫描线23与数据线22绝缘交叉限定多个像素单元21，扫描线23与数据线22相互垂直设置，多条扫描线23平行间隔设置，多条数据线22平行间隔设置，相邻两条数据线22和相邻两条扫描线23围合限定一个像素单元21。每一像素单元21的像素电极211与对应的数据线23和扫描线22电连接，以实现液晶的正确导向。参照图6，每一所述像素单元21还包括薄膜晶体管212，所述薄膜晶体管212的栅极与所述扫描线22电连接，所述薄膜晶体管212的源极与所述数据线23电连接，所述薄膜晶体管212的漏极与所述像素电极211电连接。本实施例中，薄膜晶体管212的栅极与扫描线22电连接，栅极一般与扫描线22采用相同材质同时形成；薄膜晶体管212的源极与数据线23电连接，源极与对应的数据线23电连接；薄膜晶体管212的漏极与像素电极211电连接。通常源极和漏极与数据线23采用相同材质同时形成。薄膜晶体管212还包括有源层(未图示)，有源层可以包括半导体层和掺杂半导体层，位于源极和漏极的下方，且位于栅极的上方，源电极和漏电极之间的全部掺杂半导体层和部分半导体层被刻蚀掉，形成TFT沟道。当栅极通入高电平时，源极和漏极通过有源层导通，将数据线23中的图像信号电压通入像素电极211。为保持各导电结构之间的绝缘，在扫描线22和栅极上覆盖的绝缘层为栅极绝缘层，在数据线23、有源层、源极和漏极上覆盖的绝缘层为钝化层。像素电极211形成在钝化层上，像素电极211通过钝化层上的过孔与漏极相连。进一步的，每一所述像素单元21还包括设于所述像素电极211的公共电极，所述公共电极与所述水平间隔带211a或所述竖直间隔带211b异层且绝缘设置。本实施例中，阵列基板20上的公共电极(未图示)与彩膜基板30上的公共电极电压相等，有两个作用：与像素电极211形成存储电容；屏蔽电场，防止边缘漏光。公共电极与水平间隔带211a或竖直间隔带211b异层且绝缘设置，可以理解的，公共电极与水平间隔带211a或竖直间隔带211b之间层叠设置或者夹设有绝缘材料，异层设置能实现不同金属层之间跨线，避免信号短接。本实用新型的阵列基板20上的像素电极211的制程主要包括：涂布、涂布光阻、曝光、显影、蚀刻、去光阻。不需要增加额外光罩及制程，通过将每个像素电极211仅设置一条水平间隔带211a或一条竖直间隔带211b来实现增大开口率的目的。本实用新型还提出一种显示装置，该显示装置包括显示面板100，该显示面板100的具体结构参照上述实施例，由于本显示装置采用了上述所有实施例的全部技术方案，因此至少具有上述实施例的技术方案所带来的所有有益效果，在此不再一一赘述。以上所述仅为本实用新型的优选实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是在本实用新型的实用新型构思下，利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的
技术领域：
均包括在本实用新型的专利保护范围内。当前第1页1 2 3