掩模版夹持设备的制作方法

本申请要求于2017年2月10日递交的美国临时专利申请No.62/457,269的优先权，其全部内容通过引用并入本文。

技术领域

本公开涉及可以用在例如光刻装置中的掩模版夹持设备。

背景技术：

光刻装置是将期望图案施加到衬底的目标部分的机器。例如，光刻装置可以用于集成电路(IC)的制造。在这种情况下，备选地被称为掩模或掩模版的图案形成设备可以被用来生成与IC的相应层相对应的电路图案，并且该图案可以被成像到具有辐射灵敏材料(抗蚀剂)层的衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(包括一个或多个管芯的一部分)上。一般而言，单个衬底将包含成功曝光的相邻目标部分的网络。已知的光刻装置包括所谓的步进器和所谓的扫描器，其中，在步进器中通过一次将整个图案曝光到目标部分上来对每个目标部分进行辐照，并且在扫描器中通过利用给定方向(“扫描”方向)的光束对图案进行扫描，同时与该方向平行或反平行地对衬底进行扫描，来对每个目标部分进行辐照。

为了提高扫描图案的生产率，以恒定速度跨投影透镜沿着扫描方向前后扫描图案形成设备。因此，从休息开始，掩模版快速加速以达到扫描速度，然后在扫描结束时，其快速减速到零，反转方向，并且在相反的方向加速以达到扫描速度。例如，加速度/减速度变化率是重力加速度的15倍。在扫描的恒定速度部分期间，掩模版上不存在惯性力。但是，在扫描的加速度和减速度部分期间会遇到的较大惯性力(例如，60牛顿＝0.4kg的掩模版质量x 150m/sec2的加速度)会导致掩模版的滑移。这种滑移可能会在衬底上产生未对齐的设备图案。

另外，掩模版通过使用多个支撑件来被约束在Z轴方向(即，重力方向)。这些支撑件的功能在于，在不影响X轴和Y轴的移动的同时，在Z方向定位掩模版。在一些配置中，Z支撑件使得必须使用粘合剂代替剩余的支撑结构(例如，卡盘)来固定保持掩模版的夹具。但是，使用粘合剂会导致显著的XY硬度和较大的迟滞问题。当利用粘合剂附接到夹具的Z支撑件经受XY剪应力时，在扫描的加速度和减速度部分期间会出现这种迟滞现象，其中，粘合剂在坚硬状态时展现出在XY方向的一定量的柔韧性和迟滞。另外，当这些Z支撑件具有非零硬度因子时，它们还在周围区域中的夹具和掩模版的界面处生成高压力点，从而导致微滑移和相应的套刻问题。

技术实现要素：

因此，需要为图案形成设备提供在Z方向的支撑系统的方法和系统，该图案形成设备在对X和Y方向的行进和迟滞影响最小的条件下，在高加速度和高减速度下工作。

根据一个实施例，一种掩模版夹持系统包括支撑设备和保持设备。保持设备被配置为将掩模版可释放地耦合到支撑设备。保持设备包括多个突节。掩模版夹持系统还包括被耦合到支撑设备的金属支撑系统。金属支撑系统提供从真空通道到保持设备的真空路径。

在另一实施例中，一种光刻装置包括：照射光学系统，被配置为照射图案形成设备的图案；以及投影系统，被配置为将图案的图像投影到衬底的目标部分。该装置还包括掩模版夹持系统。掩模版夹持系统包括支撑设备和保持设备。保持设备被配置为将掩模版可释放地耦合到支撑设备。保持设备包括多个突节。掩模版夹持系统还包括被耦合到支撑设备的金属支撑系统。金属支撑系统提供从真空通道到保持设备的真空路径。

在又一实施例中，一种用于支撑图案形成设备的方法包括：使用多个突节将图案形成设备保持在保持设备上；以及使用支撑设备支撑保持设备。该方法还包括：通过金属支撑系统提供从真空通道到保持设备的真空路径。

附图说明

并入本文中并且形成本说明书的一部分的附图示出了本公开，并且与本说明书一起进一步用于说明本公开的原理，并且进一步使得本领域技术人员能够做出并使用本公开。

图1A是根据本公开的一个实施例的反射光刻装置的示意图。

图1B是根据本公开的一个实施例的透射光刻装置的示意图。

图2是根据本公开的一个实施例的反射光刻装置的更详细示意图。

图3是根据本公开的一个实施例的光刻单元的示意图。

图4是根据本公开的一个实施例的掩模版夹持系统的示意图。

图5是根据本公开的一个实施例的包括支撑系统的掩模版夹持系统的截面图的示意图。

图6A和图6B是根据本公开的一个实施例的保持设备的俯视图的示意图。

图6C和图6D是根据本公开的一个实施例的第二支撑设备部分的俯视图的示意图。

图7A和图7B分别是根据本公开的一个实施例的外环的俯视图和仰视图的示意图。

图8A和图8B分别是根据本公开的一个实施例的保持器的俯视图和侧视图的示意图。

图9A和图9B是根据本公开的一个实施例的柱状物的侧视图的示意图。

图10A是根据本公开的一个实施例的结合外环、保持器、以及柱状物的支撑系统的示意图。

图10B是根据本公开的一个实施例的包括外环、保持器、以及柱状物的支撑系统的侧视图的示意图。

图11是根据本公开的一个实施例的包括可渗漏密封件的掩模版夹持系统的截面图的示意图。

结合附图根据下面阐述的详细描述，本公开的特征和优点将变得更加明显，其中，贯穿说明书相同的参考标号标识对应的元件。在附图中，相同的参考标号一般指示等同、功能类似和/或结构类似的元件。元件第一次出现在其中的附图由对应参考标号中最左侧的数字来指示。除非有相反的指示，否则贯穿本公开提供的附图不应该被理解为缩放附图。

具体实施方式

本说明书公开了合并本公开的特征的一个或多个实施例。所公开的(多个)实施例仅仅例示了本公开。本公开的范围不限于所公开的(多个)实施例。本公开由所附的权利要求限定。

所描述的(多个)实施例以及本说明书中对“一个实施例”、“实施例”、“示例实施例”等的引用指示所描述的(多个)实施例可以包括特定特征、结构、或特性，但是并不一定每个实施例都包括该特定特征、结构、或特性。另外，这些短语不一定指代相同的实施例。另外，当结合实施例描述特定特征、结构、或特性时，应该理解的是，结合其他实施例实现这种特征、结构、或特性落在本领域技术人员的认知中(不管是否明确描述)。

但是，在更详细地描述这些实施例之前，给出可以实现本公开的实施例的示例环境是有教导意义的。

图1A和图1B分别是可以实现本公开的实施例的光刻装置100和光刻装置100’的示意图。光刻装置100和光刻装置100’均包括：照射系统(照射器)IL，被配置为调整辐射束B(例如，深紫外线或极紫外线辐射)；支撑结构(例如，掩模台)MT，被配置为支撑图案形成设备(例如，掩模、掩模版、或动态图案形成设备)MA并且被连接到第一定位器PM，该第一定位器PM被配置为精确定位图案形成设备MA；以及衬底台(例如，晶片台)WT，被配置为保持衬底(例如，抗蚀涂层晶片)W并且被连接到第二定位器PW，该第二定位器PW被配置为精确定位衬底W。光刻装置100和100’还具有投影系统PS，该投影系统PS被配置为通过图案形成设备MA将赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分(例如，包括一个或多个管芯)C。在光刻装置100中，图案形成设备MA和投影系统PS是反射型的。在光刻装置100’中，图案形成设备MA和投影系统PS是透射型的。

照射系统IL可以包括各种类型的光学部件，例如，折射型、反射型、反射折射型、磁性型、电磁型、静电型、或其他类型的光学部件、或它们的任意组合，以用于引导、成形、或控制辐射束B。

支撑结构MT以取决于以下的方式来保持图案形成设备MA：图案形成设备MA相对于基准架的取向、光刻装置100和100’中的至少一者的设计、以及诸如图案形成设备MA是否被保持在真空环境中的其他条件。支撑结构MT可以使用机械、真空、静电、或其他夹持技术来保持图案形成设备MA。支撑结构MT可以是支架或台，例如，该支架或台可以根据需要来被固定或可移动。通过使用传感器，支撑结构MT可以确保图案形成设备MA处于例如，相对于投影系统MS的期望位置。

术语“图案形成设备”MA应该被宽泛地理解为指代可以用来在其横截面中向辐射束B赋予图案从而在衬底W的目标部分C中产生图案的任何设备。赋予辐射束B的图案可以对应于在目标部分C中产生以形成集成电路的设备中的特定功能层。

图案形成设备MA可以是透射型(如同在图1B的光刻装置100’中)或反射型(如同在图1A的光刻装置100中)的。图案形成设备MA的示例包括掩模版、掩模、可编程反射镜阵列、以及可编程LCD面板。掩模在光刻技术中是公知的，并且可以包括诸如二元、交替相移和衰减相移以及各种混合掩模类型的掩模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小型反射镜的矩阵布置，其中，每个小型反射镜可以被分别倾斜以在不同方向反射入射的辐射束。经过倾斜的反射镜在由小型反射镜矩阵反射的辐射束B中赋予图案。

术语“投影系统”PS可以涵盖任何类型的投影系统，包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、电磁型、以及静电型光学系统、或它们的任意组合，视所使用的曝光辐射或其他因素(诸如，在衬底W上使用浸液或者使用真空)来定。真空环境可以用于EUV或电子束辐射，因为其他气体可以吸收过多的辐射或电子。因此，在真空壁和真空泵的辅助下，真空环境可以被提供给整个光束路径。

光刻装置100和/或光刻装置100’可以是具有两个(双工作台)或更多个衬底台WT(和/或两个或更多个掩模台)的类型。在这种“多工作台”机器中，可以并行使用附加的衬底台WT，或者可以在一个或多个其他衬底台WT用于曝光的同时在一个或多个台上执行准备步骤。在这种情况中，附加的台可以不是衬底台WT。

参考图1A和图1B，照射器IL从辐射源SO接收辐射束。源SO和光刻装置100、100’可以是单独的物理实体，例如，当源SO是准分子激光时。在这种情况中，不认为源SO形成光刻装置100或100’的部分，但是辐射束B在光束递送系统BD(在图1B中)的辅助下从源SO传递到照射器IL，其中例如，光束递送系统BD包括适当的定向反射镜和/或扩束器。在其他情况中，源SO可以是光刻装置100、100’的主要部分，例如，当源SO是汞灯时。在需要时，源SO和照射器IL与光束递送系统BD一起可以被称为辐射系统。

照射器IL可以包括用于调节辐射束的角强度分布的调节器AD(在图1B中)。一般而言，至少可以调节照射器的光瞳面中的强度分布的外和/或内径向范围(一般分别被称为“σ-外部”和“σ-内部”)。另外，照射器IL可以包括各种其他部件(在图1B中)，诸如，积分器IN和聚光器CO。照射器IL可以用来将辐射束B调整为跨其横截面具有期望的均匀性和强度分布。

参考图1A，辐射束B入射到图案形成设备(例如，掩模)MA，并且由图案形成设备MA进行图案化，其中图案形成设备MA被保持在支撑结构(例如，掩模台)MT上。在光刻装置100中，辐射束B从图案形成设备(例如，掩模)MA被反射。在从图案形成设备(例如，掩模)MA被反射后，辐射束B穿过投影系统PS，该投影系统PS将辐射束B聚集到衬底W的目标部分C上。在第二定位器PW和定位传感器IE2(例如，干涉仪设备、线性编码器、或电容传感器)的辅助下，衬底台WT可以被精确移动(例如，以便在辐射束B的路径中定位不同的目标部分C)。类似地，第一定位器PM和另一定位传感器IF1可以用来相对于辐射束B的路径精确定位图案形成设备(例如，掩模)MA。可以使用掩模对齐标记M1和M2以及衬底对齐标记P1和P2来对齐图案形成设备(例如，掩模)MA和衬底W。

参考图1B，辐射束B入射到图案形成设备(例如，掩模MA)上，并且由图案形成设备图案化，其中，图案形成设备被保持在支撑结构(例如，掩模台MT)上。在穿过掩模MA后，辐射束B通过投影系统PS，该投影系统PS将光束聚焦在衬底W的目标部分C上。投影系统具有共轭到照射系统光瞳IPU的光瞳PPU。部分辐射来自照射系统光瞳IPU处的强度分布，不受掩模图案处的衍射的影响而穿过掩模图案，并且在照射系统光瞳IPU处产生强度分布图像。

在第二定位器PW和定位传感器IF(例如，干扰仪设备、线性编码器、或电容传感器)的辅助下，衬底台WT可以被精确移动(例如，以在辐射束B的路径中定位不同目标部分C)。类似地，第一定位器PM和另一定位传感器(图1B中未示出)可以用来相对于辐射束B的路径精确定位掩模MA(例如，在从掩模库机械提取后或者在扫描期间)。

一般而言，可以利用形成第一定位器PM的部分的长冲程模块(粗定位)和短冲程模块(细定位)来实现掩模台MT的移动。类似地，可以使用形成第二定位器PW的部分的长冲程模块和短冲程模块来实现衬底台WT的移动。在步进器(与扫描器相反)的情况中，掩模台MT可以仅被连接到短冲程致动器或者可以被固定。可以使用掩模对齐标记M1和M2以及衬底对齐标记P1和P2来对齐掩模MA和衬底W。尽管衬底对齐标记(如所示出的)占据了专用目标部分，但是它们可以被放置在目标部分之间的空间中(被称为划线对齐标记)。类似地，在多于一个管芯被设置在掩模MA上的情况中，掩模对齐标记可以被放置在管芯之间。

掩模台MT和图案形成设备MA可以在真空腔中，其中，真空内机器人IVR可以被用来将诸如掩模的图案形成设备移动到真空腔内部或外部。备选地，当掩模台MT和图案形成设备MA在真空腔外部时，真空外机器人可以被用于各种传输操作，类似于真空内机器人IVR。真空内机器人和真空外机器人需要被校准，以用于任何有效载荷(例如，掩模)到传输台的固定运动学支座的平滑传输。

光刻装置100和100’可以被用在以下模式中的至少一种模式中：

1、在步进模式中，支撑结构(例如，掩模台)MT和衬底台WT基本保持静止，同时向辐射束B赋予的整个图案被一次投影到目标部分C上(即，在单次静态曝光中)。衬底台WT随后在X和/或Y方向被移位，使得不同目标部分C可以被曝光。

2、在扫描模式中，支撑结构(例如，掩模台)MT和衬底台WT被同时扫描，同时赋予辐射束B的图案被投影到目标部分C上(即，单次动态曝光)。衬底台WT相对于支撑结构(例如，掩模台)MT的速度和方向可以由投影系统PS的放大(或缩小)和图像反转特性确定。

3、在其他模式中，支撑结构(例如，掩模台)MT大体保持静止，保持可编程图案形成设备，并且在赋予辐射束B的图案被投影到目标部分C上的同时衬底台WT被移动或扫描。可以采用脉冲辐射源SO，并且在衬底台WT的每次移动之后或者在扫描期间的连续辐射脉冲之间根据需要对可编程图案形成设备进行更新。这种操作模式可以很容易被应用于无掩模光刻，该无掩模光刻利用诸如可编程反射镜阵列的可编程图案形成设备。

还可以采用所描述的使用模式的组合和/或变形或完全不同的使用模式。

在另外的实施例中，光刻装置100包括极紫外(EUV)源，该EUV源被配置为生成用于EUV光刻的EUV辐射束。一般而言，EUV源被配置在辐射系统中，并且对应的照射系统被配置为调整EUV源的EUV辐射束。

图2更详细地示出了光刻装置100，该光刻装置100包括源收集器装置SO、照射系统IL、以及投影系统PS。源收集器装置SO被构建并布置使得可以在源收集器装置SO的围护结构220中保持真空环境。EUV辐射发射等离子体210可以由放电产生的等离子体源形成。EUV辐射可以由气体或蒸气(例如，Xe气体、Li蒸气、或Sn蒸气)产生，其中，极热等离子体210被产生以在EUV电磁谱范围中发射辐射。例如，极热等离子体210由至少部分地导致电离等离子体的放电产生。可能需要例如10Pa的分压的Xe、Li、Sn蒸气或任何其他适当气体或蒸气，以用于辐射的高效生成。在一个实施例中，提供激发锡(Sn)等离子体，以产生EUV辐射。

由热等离子体210发射的辐射经由可选的气障或污染物陷阱230(在一些情况中还被称为污染物屏障或翼片阱)被从源腔211传递到收集器腔212中，气障或污染物陷阱230被定位在源腔211中的开口中或后面。污染物陷阱230可以包括通道结构。污染物陷阱230还可以包括气障或气障和通道结构的组合。本文中进一步指示的污染物陷阱或污染物屏障230至少包括通道结构，如本领域已知的。

收集器腔212可以包括辐射收集器CO，该辐射收集器可以是所谓的掠入射收集器。辐射收集器CO具有上游辐射收集器侧251和下游辐射收集器侧252。穿过收集器CO的辐射可以被反射离开光栅光谱滤光片240，以被聚焦在虚拟源点IF。虚拟源点IF通常被称为中间焦点，并且源收集器装置被布置为使得中间焦点IF位于围护结构220中的开口219处或附近。虚拟源点IF是辐射发射等离子体210的图像。光栅光谱滤光片240特别地用于抑制红外(IR)辐射。

然后，辐射穿过照射系统IL，该照射系统可以包括琢面场反射镜设备222和琢面光瞳场反射镜设备224，琢面场反射镜设备222和琢面光瞳场反射镜设备224被布置为在图案形成设备MA处提供辐射束221的期望角分布以及期望的辐射强度均匀性。在辐射束221在由支撑结构MT保持的图案形成设备MA处反射时，图案化光束226被形成并且图案化光束226经由反射元件228、230而被投影系统PS成像在由晶片台或衬底台WT保持的衬底W上。

在照射光学单元IL和投影系统PS中一般可以存在比所示出的元件更多的元件。根据光刻装置的类型，光栅光谱滤光片240可以可选地存在。另外，可以存在比图中所示更多的反射镜，例如，相比图2中所示，在投影系统PS中可以存在1个-6个附加的反射元件。

仅仅作为收集器(或收集器反射镜)的一个示例，图2所示的集光器光学元件CO被描绘为具有掠入射反射器253、254和255的巢状收集器。掠入射反射器253、254和255被设置为围绕光轴O成轴对称，并且这种类型的集光器光学元件CO优选地与通常被称为DPP源的放电产生的等离子体源结合使用。

图3示出了光刻单元300，其有时被称为光刻单元或簇。光刻装置100或100’可以形成光刻单元300的部分。光刻单元300还可以包括在衬底上执行预曝光处理和后曝光处理的装置。常规地，这些装置包括用于沉积抗蚀剂层的旋涂器SC、用于对经过曝光的抗蚀剂进行显影的显影器DE、激冷板CH、以及烘烤板BK。衬底输送装置或机器人RO从输入/输出端口I/O1、I/O2取走衬底，在不同处理装置之间移动它们，然后将它们递送到光刻装置的进料台LB。通常被统称为轨道的这些设备由轨道控制单元TCU控制，其中，轨道控制单元TCU本身由管理控制系统SCS控制，该管理控制系统SCS还经由光刻控制单元LACU控制光刻装置。因此，可以操作不同装置，以最大化吞吐量和处理效率。

图4是根据一个实施例的掩模版夹持系统400的示意图。

在该示例中，掩模版夹持系统400包括保持图案形成设备401的保持设备403、支撑设备407以及支撑传输设备480。保持设备403紧紧地保持图案形成设备401。支撑设备407支撑保持设备403。支撑传输设备480传输支撑设备407。支撑传输设备480在扫描运动轮廓的加速部分向支撑设备407施加加速力，并且在扫描运动轮廓的减速部分向支撑设备407施加减速力。保持设备403保持图案形成设备401，使得在扫描运动轮廓的恒定速度部分期间，不存在图案化掩模相对于支撑传输设备480的位移。

在一个示例中，图案形成设备401(例如，掩模或掩模版)由保持设备403(例如，使用真空)可释放地保持到支撑设备407。支撑设备407可以被配置为在支撑传输设备480被控制时，在X方向、Y方向、Z方向、以及Rx、Ry和Rz旋转中移动。例如，支撑传输设备480可以使用任何接合技术(诸如但不限于，黏合剂组分、激光或超声波焊接、化学粘结、或它们的组合)来被耦合到支撑设备407，使得支撑传输设备480在扫描运动轮廓的加速部分期间提供足够的力以对支撑设备407进行加速，并且在扫描运动轮廓的减速部分期间提供足够的力以对支撑设备407进行减速。

在一个示例中，支撑传输设备480可以按照高加速率或高减速率，利用保持设备403和可释放地保持的图案形成设备401高速移动支撑设备407。高加速度和高减速度可以在保持设备403和支撑设备407之间生成横向剪切力。剪切力会导致保持设备403和图案形成设备401相对于支撑设备407的滑移。因为图案形成设备401相对于支撑传输设备480的位置不是恒定的或可复制的，所以这种横向力还会导致产生套刻误差的机械滞后行为。

图5图示了根据本公开的一个实施例的包括支撑系统的掩模版夹持系统500的横截面视图的示意图。

在该示例中，掩模版夹持系统500包括：用于保持图案形成设备501的保持设备503、包括第一和第二支撑设备部分507和511的支撑设备、支撑传输设备519、支撑系统515。例如，保持设备503、支撑设备部分507和511、支撑传输设备519、以及支撑系统515使用任何接合技术(诸如但不限于，粘合剂509、513、517和531、激光或超声波焊接、化学粘结、或它们的组合)来被耦合在一起。

在一个示例中，图案形成设备501通过各种手段(例如，真空、粘合剂、电磁、静电、或它们的组合)来被耦合到保持设备503。保持设备503例如利用粘合剂517来被耦合到第一支撑设备部分507。在一个示例中，第一支撑设备部分507可以在允许Z方向的柔量的同时提供X和Y方向的硬度和定位，以不使图案形成设备501变形。换言之，第一支撑设备部分507可以被设计为在Z方向保持弹性的同时在X和Y方向坚硬。

第一支撑设备部分507例如通过粘合剂509来被耦合到第二支撑设备部分511。但是，应该注意的是，可以使用其他设计来耦合第一和第二支撑设备部分507和511。

第二支撑设备部分511例如使用粘合剂513来被进一步耦合到支撑传输设备519。在一个示例中，粘合剂509、513、517和531中的一者或多者可以包括2030、310M等中的一者或多者。但是，应该注意的是，还可以使用其他粘合剂。另外或者备选地，可以使用接合技术将保持设备503、支撑设备部分507和511、支撑传输设备519以及支撑系统515耦合在一起。

根据一些实施例，掩模版夹持系统500的保持设备503可以包括多个突节505a-505c。在一个示例中，图案形成设备501被耦合到保持设备503的多个突节505a-505c，这些突节被配置为使用例如真空来可释放地保持图案形成设备501。尽管图5中仅示出三个突节，但是应该注意的是，多个突节505a-505c可以包括任何数目的突节。在一些实施例中，使用多个突节505a-505c可以提高剪应力均匀性。在一个示例中，多个突节505a-505c可以具有这样的设计和图案，使得多个突节可以在图案形成设备501和保持设备504之间的接触表面处产生分布式的均匀柔性层。另外，可以优化多个突节505a-505c的高度、形状、大小和/或硬度，以在接触表面处产生分布式的均匀柔性层。根据一些实施例，多个突节505a-505c可以通过使用掩模刻蚀保持设备503做出。在该示例中，向掩模提供多个突节的设计和图案。然后，使用掩模产生具有多个突节的保持设备503。但是，应该注意的是，还可以使用其他制造过程来产生保持设备503和多个突节505a-505c。作为非限制性示例，在保持设备503上产生多个突节505a-505c时还可以使用喷砂处理。

根据一些实施例，保持设备503还可以包括在外边缘处的密封件506a和506b(统称为密封件506)。在一个示例中，密封件506可以在保持设备503的两个外边缘(沿Y方向或X方向)、三个外边缘、或所有四个外边缘处。在一些实施例中，密封件506可以包括围绕保持设备503的周界的连续密封件。但是，本公开的实施例不限于该示例。在该示例中，密封件506具有与多个突节505a-505c大体相同的高度。因此，当图案形成设备501在多个突节505a-505c上时，密封件506可以接触图案形成设备501。下面更详细地讨论的图11示出了可渗漏密封件。

在一个示例中，多个突节505a-505c中的每个突节可以具有大约150μm的高度和大约300μm的直径。根据一些实施例，多个突节505a-505c可以具有大约3.87mm(在X方向)和大约2.96mm(在Y方向)的突节节距。但是，应该注意的是，多个突节505a-505c可以具有其他高度、直径和/或突节节距。

另外或备选地，掩模版夹持系统500可以包括支撑系统515。支撑系统515在Z方向提供对于保持设备503和图案形成设备501的支撑。在一个示例中，支撑系统(代替粘合剂或除粘合剂外)的使用可以以名义上的零迟滞和XY硬度为图案形成设备501提供Z方向的支撑功能，因为已经消除了第一和第二支撑设备部分507和511之间使用粘合剂的第二耦合。粘合剂耦合的消除还消除了粘合剂的相关联的弹性变形和阻尼特性。在一个示例中，X和/或Y方向的位移可以被支撑系统515吸收，该支撑系统在XY方向具有较低硬度，在Z方向具有较高硬度(相对于粘合剂)，并且具有名义上的零迟滞或粘弹性行为。在一些实施例中，支撑系统515可以使用粘合剂(例如，硬2030)来与掩模版夹持系统500耦合。

根据一些实施例，相比第一支撑设备部分507在X和Y方向的硬度，支撑系统515可以在X和Y方向具有低硬度。在一个示例中，支撑系统515(在X和Y方向)的硬度可以比第一支撑设备部分507(在X和Y方向)的硬度小某个数量级(例如，小大约10％至15％)。另外或备选地，支撑系统515被配置为不表现出迟滞行为或者表现出名义上为零(例如，大约0.5％)的迟滞行为。当通过粘合剂而被附接到夹具的Z支撑件经受XY剪切力时，这种迟滞会在扫描的加速度和减速度部分期间出现，其中，粘合剂在坚硬时在XY方向展现出一定量的弹性和迟滞。

根据一些实施例，支撑系统515可以包括金属支撑系统。例如，支撑系统515可以包括在Z方向具有与粘合剂的硬度类似的硬度的金属弯曲件，同时其在XY平面的硬度可以减少大约多于50％。与粘合剂相比，支撑系统515可以更软且更具弹性，以补偿面内迟滞和漂移。另外或备选地，可以通过设计支撑系统515来改善面外漂移，使得其具有接触支撑传输设备519和/或保持设备503的“脚”，从而使得任何粘合剂层更加确定地影响图案形成设备501的Z位置。

根据一些实施例，支撑设备515可以包括柱状物525和保持器527。应该注意的是，尽管提供了用于支撑设备515的一些示例性设计，但是本公开的实施例不限于这些设计。还可以使用可以提供规定硬度的支撑设备515的备选设计。例如，可以使用在X和Y方向具有一定柔性且在Z方向相对坚硬的支撑系统。该支撑系统可以在用于图案形成设备在Z方向的定位的相关层中提供更好地受控的厚度。柱状物525和保持器527在529处彼此连接。在一个示例中，柱状物525和保持器527可以使用不同手段(诸如但不限于，焊接)在529处彼此耦合。柱状物515可以使用诸如但不限于粘合剂531的任何手段来被耦合到第一支撑设备部分507。保持器527可以使用诸如但不限于粘合剂的任何手段来被耦合到支撑传输设备519。在一个示例中，可以在支撑传输设备519的上表面和保持器527的下表面之间应用粘合剂层。因此，支撑系统515被配置为在第二支撑设备部分511上支撑第一支撑设备部分507(从而支撑保持设备503)。

根据一些实施例，柱状物515被配置为提供以上讨论的弯曲功能。在该示例中，保持器527被固定到支撑传输设备519。柱状物525在一端(529)处被耦合到保持器527。在另一端，柱状物515可以被配置为在X和/或Y方向移动。在一些实施例中，支撑系统515或支撑系统515的一个或多个部分(例如，柱状物525和/或保持器527)可以由诸如但不限于钛和/或其合金的金属制成。在一些实施例中，柱状物525可以制成圆柱体形状，其中，该圆柱体形状内部具有真空孔和/或通道535。但是，应该注意的是，可以使用其他材料和/或形状来做成支撑系统515。柱状物525的长度连同柱状物525可以围绕连接529转动的事实可以提供柱状物525的弯曲功能。根据一个示例，可以根据设计支撑系统515时的制造参数和工艺参数来优化柱状物525内的真空通道535的内径、柱状物525的长度以及柱状物525的侧壁的厚度。

根据一些实施例，支撑系统515可以被耦合到支撑传输设备519中的真空通道521。支撑传输设备519的真空通道521可以通过对于本领域普通技术人员显而易见的方式来被耦合到真空泵550。当图案形成设备501将使用真空来与保持设备503耦合时，泵(例如，真空泵550)可以通过真空通道521和支撑系统515来去除图案形成设备501和保持设备503之间的空气。例如，支撑系统515的柱状物525可以包括真空通道535，该真空通道将被耦合到真空通道521，以从图案形成设备501和保持设备503之间去除空气，从而使得保持设备503可以保持图案形成设备501(例如，在多个突节505a-505c上)。因此，支撑系统515可以提供第一支撑设备部分507的支撑，并且提供用于将图案形成设备501保持在保持设备503上的真空。

在一个实施例中，保持设备或系统503可以是用于保持掩模版或掩模的掩模版夹具或垫(pad)，并且支撑传输设备519可以是用于诸如图1A和图1B所示的光刻系统的卡盘。

图6A和图6B图示了根据一个实施例的保持设备603和643的俯视图的示意图。在一个示例中，保持设备603和643可以是图5的掩模版夹持系统500的保持设备503。

根据一些实施例，本公开的掩模版夹持系统包括两个保持设备。例如，保持设备603被配置为保持图案形成设备的一侧，保持设备643被配置为保持图案形成设备的与由保持设备603保持的一侧相对的另一侧。继续该示例，保持设备603包括多个突节605。如上面讨论的，多个突节605可以具有以下设计和图案，该设计和图案使得多个突节可以在图案形成设备和保持设备603之间的接触表面处产生分布式的均匀柔性层。另外，多个突节605的高度、大小和/或硬度可以被优化，以在接触表面处产生分布式的均匀柔性层。另外，保持设备603可以包括开口615，其中，支撑系统(诸如但不限于，图5的支撑系统515、粘合剂等)可以在该开口615处被耦合到保持设备603。根据一些实施例，开口615可以允许支撑系统(诸如但不限于，图5的支撑系统515、粘合剂等)被耦合到保持设备603，以支撑保持设备603并且提供真空通道。

根据一些实施例，保持设备603还可以包括在外边缘处的密封件606。在一个示例中，密封件606可以在保持设备603的两个外边缘(沿着Y轴或X轴)处、在三个外边缘处、或者所有四个外边缘处。在一些实施例中，密封件606可以包括围绕保持设备604的周界的连续密封件。但是，本公开的实施例不限于该示例。另外，密封件606相对于保持设备603的外边缘的形状和位置仅用于说明性目的，并且可以具有各种配置。在该示例中，密封件606可以具有与多个突节605大体相同的高度。备选地，如相对于图11更详细地讨论的，密封件606的一个或多个部分可以包括相比多个突节605在高度上可以更短的可渗漏密封件。

保持设备643还包括多个突节645、密封件646、以及开口655a和655b。在开口655a和655b处，支撑系统(诸如但不限于图5的支撑系统515、粘合剂等)可以被耦合到保持设备643。根据一些实施例，开口655a和655b可以允许支撑系统(诸如但不限于，图5的支撑系统515、粘合剂等)被耦合到保持设备643，以支撑保持设备643并提供真空通道。应该注意的是，尽管示出了用于保持设备603的一个开口并且示出了用于保持设备643的两个开口，但是本公开的实施例不限于这些数目，其他数目的开口可以用于每个保持设备。根据一些实施例，密封件646类似于针对图11更详细地讨论的密封件606和/或可渗漏密封件1106。

图6A和图6B示出了开口615、655a和655b代替对应的突节而被放置在保持设备603和643上。但是，开口的这些位置是示例性的位置，并且本公开的实施例不限于这些位置。例如，开口615、655a和655b中的一个或多个开口可以被放置在突节之间。根据一些实施例，开口的位置可以被优化，以使得在保持设备604和/或643保持图案形成设备时，可以在图案形成设备与保持设备603和643之间产生分布式的均匀真空。在一个示例中，分布式的均匀真空(利用多个突节)可以在图案形成设备与保持设备603和/或643之间的接触表面处产生分布式的均匀柔性层。

图6C和图6D图示了根据一个实施例的第二支撑设备部分611和651的俯视图的示意图。在一个示例中，第二支撑设备部分611和651可以是图5的掩模版支撑夹持系统600的第二支撑设备部分511。

在一个示例中，图6C的第二支撑设备部分611对应于图6A的保持设备603。另外，第二支撑设备部分651可以对应于图6B的保持设备643。换言之，第二支撑设备部分611可以通过例如图5所示的第一支撑设备部分和支撑系统来保持保持设备603。根据一些实施例，第二支撑设备部分611包括开口612。开口612可以用于定位支撑系统(诸如但不限于，图5的支撑系统515、粘合剂等)。在该示例中，第二支撑设备部分611的开口612可以对应于保持设备603的开口615。

根据一些实施例，第二支撑设备部分651包括开口652a和652b。开口652a和652b可以用于定位支撑系统(诸如但不限于，图5的支撑系统515、粘合剂等)。在该示例中，第二支撑设备部分651的开口652a和652b可以对应于保持设备643的开口655a和655b。

应该注意的是，尽管针对第二支撑设备部分611示出了一个开口并且针对第二支撑设备部分651示出了两个开口，但是本公开的实施例不限于这些数目，其他数目的开口可以用于每个保持设备。另外，图6C和图6D示出开口612、652a和652b位于第二支撑设备部分611和651的一条边缘处。但是，开口的这些位置是示例性的位置，本公开的实施例不限于这些位置。

继续该示例，三个支撑系统(诸如但不限于，支撑系统515)可以用于本公开的掩模版夹持系统。在一个示例中，三个支撑系统中的每个支撑系统可以用来支撑其各自的第一支撑设备部分和/或保持设备。另外，每个支撑系统可以用于提供用于将图案形成设备保持到保持设备的真空环境。通过使用三个支撑系统，可以提高所提供的真空环境的对称性。在一个示例中，所有三个支撑系统可以被耦合到一个真空泵，该真空泵提供用于将图案形成设备保持到保持设备的真空环境。备选地，三个支撑系统中的每个支撑系统可以被耦合到其各自的真空泵，该真空泵提供用于将图案形成设备保持到保持设备的真空环境。另外或备选地，三个支撑系统中的两个支撑系统可以被耦合到第一真空泵，另一个支撑系统可以耦合到第二真空泵。

在一些实施例中，三个支撑系统(诸如但不限于，支撑系统515)可以用于本公开的掩模版夹持系统。在一个示例中，三个支撑系统中的两个或三个支撑系统可以在Z方向具有大体相同的硬度。

应该注意的是，本公开的实施例可以包括以上讨论的设计中的一个或多个设计。例如，一些实施例可以包括具有多个突节、但是具有不同于以上讨论的金属弯曲件的支撑系统的保持设备。在一些实施例中，不具有多个突节的保持设备可以与以上讨论的金属弯曲件支撑系统一起使用。在一些实施例中，并不是所有支撑系统都提供图案形成设备和保持设备之间的真空环境。在一些实施例中，一种或多种设计的组合可以用于掩模版夹持系统。

图7A、图7B、图8A、图8B、图9A和图9B图示了根据一个实施例的支撑系统的示例性实施方式。在一个示例中，该支撑系统可以用作图5的掩模版夹持系统500的支撑系统515的一种设计。

图7A和图7B分别示出了根据一个实施例的外环700的俯视图和仰视图的示意图。在一些实施例中，外环700是支撑系统的一部分，并且可以用来将支撑系统耦合到支撑传输设备(例如，图5的支撑传输设备519，诸如但不限于，卡盘)，以允许Z方向的调节和/或密封真空环境。

在一个示例中，外环700可以包括本体701上的引脚703。引脚703可以用来将外环700耦合到下面讨论的保持器。在一些实施例中，保持器可以在引脚703处被焊接到外环700。另外，引脚703可以产生Z方向的调节所需要的间隙。

另外或备选地，外环700可以包括脚705。在一个示例中，脚705可以被用于接触支撑传输设备，诸如，图5的支撑传输设备519(诸如但不限于卡盘)。在一个示例中，可以使用粘合剂将外环700的下表面707和脚705耦合到支撑传输设备(诸如图5的支撑传输设备519，诸如但不限于卡盘)。固化期间的粘合剂收缩和Z调节期间的压力会使脚705接触支撑传输设备。在一个示例中，可以使用粘合剂材料将外环700(从而将支撑系统)耦合到支撑传输设备并且密封真空。应该注意的是，除粘合剂以外或者代替粘合剂，还可以使用其他接合技术。

外环700可以包括开口(例如，孔)709。在一个示例中，开口709可以用来将粘合剂插入外环700内侧，以将外环700耦合到保持器，如下所述。在一些实施例中，外环700可以包括通道711，使得粘合剂可以到达外环700的另一端并且保持粘合剂在外环700的内侧部分。开口709和通道711的形状仅用于说明性的目的，并且可以具有各种配置。

图8A和图8B分别图示了根据一个实施例的保持器800的俯视图和侧视图的示意图。在一些实施例中，保持器800是支撑系统的一部分，并且可以用来将柱状物(如下面讨论的)耦合到外环700，以允许在Z方向的调节和/或密封真空环境。

在一些实施例中，保持器800可以包括弹簧801。弹簧801可以是Z方向的弹簧，并且可以被配置为在Z方向的定位调节期间在外环700上下拉。在一个示例中，保持器800的弹簧801可以在外环700的引脚703上被连接到外环700。例如，可以使用粘合剂将弹簧801连接到引脚703。另外或备选地，可以在外环700的引脚703上将保持器800的弹簧801焊接到外环700。弹簧801的形状仅用于说明性目的，并且可以具有各种配置。

在一个示例中，保持器800可以包括第一部分803和第二部分805。根据一些实施例，第一和第二部分803和805可以是圆柱体形状的。但是，第一和第二部分803和805可以被设计为具有其他形状。继续该示例，第二部分805具有比第一部分803更小的半径。在一些实施例中，外环700可以在第一部分803处被耦合到保持器800。例如，可以使用粘合剂将保持器800的第一部分803连接到外环700。如上面讨论的，外环700的通道711和开口709可以用于插入粘合剂以将保持器800的第一部分803耦合到外环700。

另外或备选地，保持器800的第二部分805可以用于将保持器800耦合到柱状物(如下面讨论的)。在一个示例中，柱状物通过保持器800被定位，并且第二部分805的内侧被连接到柱状物。在一个示例中，柱状物被焊接到第二部分805的内侧。

根据支撑系统的该示例性设计，图7A和图7B的外环700被耦合到支撑传输设备(例如，支撑传输设备519，诸如但不限于卡盘)，并且图8A和图8B的保持器800被耦合到外环700。如下面讨论的，柱状物在一端处被耦合到保持器800，并且被耦合到第一支撑设备部分(例如，图5的第一支撑设备部分507)。

图9A和图9B分别图示了根据一个实施例的柱状物900的俯视图和侧视图的示意图。在一些实施例中，柱状物900是支撑系统的一部分，并且可以提供支撑系统的弯曲功能。根据一些实施例，柱状物900被配置为提供以上讨论的弯曲功能。在该示例中，柱状物900在一端处被耦合到保持器800。在另一端，柱状物900可以被配置为在XY方向移动。

在一个示例中，柱状物900包括顶部901。顶部901可以被耦合到第一支撑设备部分(例如，图5的第一支撑设备部分507)。在一些实施例中，可以使用粘合剂材料将顶部901连接到第一支撑设备部分。作为非限制性示例，可以使用5-50μm、10-30μm、或大约20μm的受控厚度的粘合剂层。应该注意的是，除粘合剂以外或者代替粘合剂，还可以使用其他接合技术。

柱状物900被配置为被插入通过保持器800。柱状物900的底部903连接到位于保持器800内部的保持器800的第二部分805。另外，柱状物900包括真空通道905，该真空通道905用于提供保持设备和图案形成设备之间的真空环境。

应该注意的是，包括外环700、保持器800、以及柱状物900的支撑系统是本公开的支撑系统的设计的一个示例性实施例，并且还可以使用诸如以上讨论的支撑系统515的其他支撑系统。

在一个示例中，外环700、保持器800、以及柱状物900中的一者或多者可以由诸如但不限于钛和/或其合金的金属制成。但是，外环700、保持器800、以及柱状物900中的一者或多者还可以由其他材料制成和/或包括其他材料。

图10A图示了根据一个实施例的结合有外环700、保持器800、以及柱状物900的支撑系统的示意图。在一个实施例中，为了将支撑系统组装到掩模版支撑系统，第一柱状物900可以被定位并且被连接到第一支撑设备部分(例如，图5的第一支撑设备部分507)的底部(例如，使用粘合剂)。如果使用粘合剂，则可以对粘合剂进行固化。接着，可以将外环700连接到保持器800(例如，使用粘合剂)，并且可以将外环700连接到支撑传输设备(例如，支撑传输设备519)(例如，使用粘合剂)。接着，可以将支撑系统(例如，包括外环700、保持器800、以及柱状物900)插入支撑传输设备中的孔中(例如，在真空通道521中)。在一个示例中，当外环700的底部上的脚705接触支撑传输设备(例如，卡盘)时，支撑系统可以在期望的Z高度以上大约50-200μm处。该额外高度可以产生Z力，在固化阶段期间抵靠支撑传输设备(例如，卡盘)来推动脚705。然后，可以在XY方向调节支撑系统的位置。在一个示例中，当粘合剂没有被固化时，保持器800仍然可以相对于外环700在Z方向上滑动。当在Z方向调节掩模版支撑系统时，保持器800的弹簧801可以在外环700上推动—压力导致外环700的脚705接触支撑传输设备(例如，卡盘)。接着，外环-保持器和外环-卡盘粘合剂被固化。

图10B图示了根据一个实施例的包括外环700、保持器800以及柱状物900的支撑系统1000的侧视图的示意图。在一个示例中，支撑系统1000可以用作图5的掩模版夹持系统500的支撑系统515的一种设计。

如图10B所示，支撑系统1000包括外环700。外环700被配置为将支撑系统1000支撑在表面1001处的支撑传输设备(例如，支撑传输设备519，诸如但不限于卡盘)上。另外，外环700可以包括引脚703。引脚703可以用于将外环700耦合到保持器800。外环700还可以包括通道711，以使得粘合剂(用于将外环700连接到保持器800)可以到达外环700的另一端。尽管没有示出，但是外环700可以包括开口(例如，孔)以及一个或多个脚，如以上所讨论的。

支撑系统1000还可以包括保持器800。在一些实施例中，保持器800是支撑系统1000的一部分，并且可以用于将柱状物900耦合到外环700，以允许Z方向的调节和/或密封真空环境。保持器800可以包括弹簧801。弹簧801可以在外环700的引脚703上连接到外环700。保持器800还可以包括第二部分805，该第二部分805可以用来将保持器800耦合到柱状物900。在一个示例中，柱状物900通过保持器800被定位，并且第二部分805的内侧被连接到柱状物900。

支撑系统1000还包括柱状物900。柱状物901可以具有顶部901、底部903以及真空通道905。顶部901可以被耦合到第一支撑设备部分(例如，图5的第一支撑设备部分507)。柱状物900的底部903可以被连接到位于保持器800内侧的保持器800的第二部分805。真空通道905可以用来提供保持设备和图案形成设备之间的真空环境。

图11图示了根据一个实施例的包括可渗漏密封件的掩模版夹持系统1100的截面视图的示意图。

图11图示了保持图案形成设备1101、保持设备1103、以及支撑系统1115。尽管没有示出，但是掩模版夹持系统1100可以包括支撑设备(该支撑设备包括第一和第二支撑设备部分)、支撑传输设备和粘合剂，如例如图5中所示。另外，支撑系统1115可以包括在本公开中讨论的任何支撑系统和/或用于为保持设备1103和图案形成设备1101提供Z方向的支撑的任何支撑系统。

根据一些实施例，掩模版夹持系统1100的保持设备1103可以包括多个突节1105。在一个示例中，图案形成设备1101被耦合到保持设备1103的多个突节1105，该保持设备1103被配置为使用真空可释放地保持图案形成设备1101。尽管在图11中仅示出四个突节，但是应该注意的是，多个突节1105可以包括任意数目的突节。在一些实施例中，使用多个突节1105可以提高剪切应力均匀性。在一个示例中，多个突节1105可以具有这样的设计和图案，该设计和图案使得多个突节可以在图案形成设备1101和保持设备1103之间的接触表面处产生分布式的均匀柔性层。另外，多个突节1105的高度、大小和/或硬度可以被优化，以在接触表面处产生分布式的均匀柔性层。根据一些实施例，可以通过使用掩模刻蚀保持设备1103来做出多个突节1105。但是，应该注意的是，还可以使用其他制造过程来产生保持设备1103和多个突节1105。

根据一些实施例，保持设备1103还可以包括在外边缘处的可渗漏密封件1106。在一个示例中，可渗漏密封件1106可以在保持设备1103的两个外边缘(沿Y方向或X方向)、三个外边缘、或所有四个外边缘处。在一些实施例中，密封件1106可以包括围绕保持设备1103的周界的连续密封件。但是，本公开的实施例不限于该示例。在该示例中，可渗漏密封件1106相比多个突节1105在高度上较短。因此，当图案形成设备1101在多个突节1105上时，可渗漏密封件1106不接触图案形成设备1101。根据一个实施例，通过使用可渗漏密封件1106，在图案形成设备1101和可渗漏密封件1106之间产生间隙1108。作为非限制性示例，间隙1108可以大约为1-5μm(例如，3μm)。另外，作为非限制性示例，每个可渗漏密封件1106可以具有大约0.1-1mm(例如，0.5mm)的宽度1110。但是，应该注意的是，还可以使用其他值的间隙1108和/或宽度1110。

在一个示例中，通过使用可渗漏密封件1106，少量空气可能会从外部流到图案形成设备1101和保持设备1103之间的表面(并且流到支撑系统115中的真空通道)。但是，使用可渗漏密封件1106可以提高图案形成设备1101和保持设备1103之间的接触表面处的压力并且改善分布式的均匀柔性层。另外，间隙1108可以被设计为使得图案形成设备1101和保持设备1103之间的真空可以被保持在不存在间隙的情况的大约例如99％。

除非有相反的指示，否则本文中使用的术语“大约”指示具有±10％的给定变化量的值。

尽管在本文中具体参考了在制造IC时使用的光刻装置，但是应该理解的是，本文描述的光刻装置可以具有其他应用，诸如，集成光学系统、磁畴存储器的引导图案和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等的制造。本领域技术人员将明白的是，在这种备选应用的上下文中，本文中对术语“晶片”或“管芯”的任何使用可以被认为分别与更一般的术语“衬底”或“目标部分”同义。本文中提到的衬底可以在曝光之前或之后被处理，例如，在轨道(通常向衬底施加抗蚀剂层并对经过曝光的抗蚀剂进行显影的工具)、量测工具和/或检验工具。在可应用的情况下，本公开可以应用于这些和其他衬底处理工具。衬底可以被不止一次处理，例如，以产生多层IC，因而本文中使用的术语“衬底”还可以指代已经包含多个经处理层的衬底。

尽管以上在光学光刻的上下文中可以对于本发明的实施例的使用进行具体参考，但是将明白的是，本发明可以用在上下文允许的其他应用(例如，压印光刻)中而不限于光学光刻。在压印光刻中，图案形成设备中的形貌限定了在衬底上产生的图案。图案形成设备的形貌可以被压印到提供给衬底的抗蚀剂层，其中，通过应用电磁辐射、热、压力、或它们的组合对其上的抗蚀剂进行固化。在抗蚀剂被固化后，从图案形成设备去除抗蚀剂，在图案形成设备中留下图案。

尽管以上已经描述了本公开的具体实施例，但是将明白的是，本公开可以通过不同于所描述的方式实施。本说明书不旨在限制本公开。

将明白的是，具体实施方式部分(而不是摘要和发明内容部分)旨在阐述权利要求。摘要和发明内容部分可以给出由(多个)发明人预见到的本公开的一个或多个而非全部示例性实施例，并且不旨在通过任意方式限制本公开及所附权利要求。

以上在说明指定功能的实施方式及这些功能的关系的功能性构建块的辅助下描述了本公开。为了描述方便，这些功能性构建块的边界在本文中被任意限定。可以限定备选边界，只要指定功能及其关系被适当执行即可。

具体实施例的以上描述将完全揭示出本公开的一般性，通过应用本技术领域的知识，其他人可以在不需要过度试验的条件下针对各种应用很容易地修改和/或改变这种具体实施例，而不会偏离本公开的一般概念。因此，基于本文给出的教导和指导，这种修改和改变将落在所公开的实施例的等同范围中。

本公开的范围和宽度不应该受到任何上述示例性实施例的限制，而是应该仅根据下面的权利要求及它们的等同进行限定。