相关申请的交叉引用
本申请要求基于于2017年9月18日提交的韩国专利申请第10-2017-0119271号和于2018年9月6日提交的韩国专利申请第10-2018-0106524号的优先权的权益，其公开内容通过引用整体并入本文。
技术领域
本申请涉及用于制备电致变色装置的方法。
背景技术：
电致变色是指其中电致变色材料的光学特性通过电化学氧化或还原反应而改变的现象，其中利用该现象的装置被称为电致变色装置。电致变色装置通常包括电致变色层、电解质层、和在两个相对电极之间的离子存储层，其中电致变色层和离子存储层分别包含显色反应彼此相反的变色材料。例如，电致变色层可以包含其自身是透明的但在还原反应后着蓝色的wo3，以及离子存储层可以包含在氧化状态(feiii[feii(cn)6]-)下具有蓝色而在还原反应后变为透明的普鲁士蓝(prussianblue，pb)。
以这种方式，在将引起显色的反应彼此相反的变色材料用于不同的层时，为了驱动电致变色装置，必需在实际驱动装置之前匹配各层的状态。具体地，必需采取措施使得电致变色层和离子存储层二者均处于无色或透明状态(脱色状态)或者其二者均具有预定的颜色(着色状态)。常规地，在制造层合有所有结构层(例如，电极层、电致变色层、电解质层和离子存储层)的电致变色装置之后，向具有氧化性电致变色材料(例如，pb)的层施加高于驱动电位的电压预定的时间，以在对pb进行实际驱动和脱色(还原)处理之前强行插入电解质离子。这样的操作被称为所谓的初始化操作。顺便提及，作为脱色(还原)处理的目标的变色材料(例如，pb)自身不具有参与变色反应的(电解质)离子，以及当在装置中使用凝胶聚合物电解质时，存在电解质离子的量与使用液体电解质的情况相比较少的问题，因此需要过电压以使pb完全脱色。然而，过电压导致电极层和电致变色层的劣化，并且导致器件的驱动耐久性劣化。
技术实现要素：
技术问题
本申请的一个目的是提供具有改善的驱动耐久性的电致变色装置及其制备方法。
本申请的以上目的和其他目的可以通过以下进行详细描述的本申请解决。
技术方案
在与本申请有关的一个实例中，本申请涉及用于制备电致变色装置的方法。具体地，本申请涉及用于制备其中在包含还原性电致变色材料的电致变色层上顺序地设置有电解质层和离子存储层的电致变色装置的方法。
在本申请中，除了在着色时透射率大幅降低的电致变色层和离子存储层结构之外，本申请的电致变色装置中使用的各层结构对于在380nm至780nm的范围内的可见光波长的透射率可以为80％或更大、或者85％或更大。
本申请的制备方法包括在将电解质层设置在电致变色层上之前向电致变色层中插入一价阳离子的步骤。当电致变色层中的还原性电致变色材料通过插入一价阳离子而被还原时，电致变色层可以着色。因此，其中插入有一价阳离子的电致变色层可以具有与包含氧化性电致变色材料的离子存储层相同的着色状态，并因此，根据本申请的制备方法制备的电致变色装置可以不需要初始化操作。
在本申请中，向电致变色层中插入一价阳离子可以通过干法完成。例如，向电致变色层中插入一价阳离子可以通过沉积来进行。如下所述，当通过干法插入一价阳离子时，具有的优点是电致变色层对相邻层的附接力优异并且不需要单独的清洁过程。
在一个实例中，向电致变色层中插入一价阳离子可以通过热蒸镀沉积或热气相沉积来完成。根据以上方法，在真空状态下将高热量施加至金属源以使金属汽化成可以插入电致变色层中的离子状态。
在一个实例中，通过沉积插入的一价阳离子可以为li+、na+、k+、rb+或cs+。即，在热蒸镀沉积中，可以使用金属例如li、na、k、rb或cs作为一价阳离子源。
在本申请中，可以进行热蒸镀沉积(即，插入一价阳离子的过程)使得不形成由一价阳离子源构成的单独的层(金属层)。例如，在旨在将锂离子(li+)插入电致变色层的情况下，可以进行本申请的热蒸镀沉积过程使得在电致变色层上不形成单独的锂层。当形成金属层(例如，锂层)时，电池性能可能劣化。此外，金属层的形成可以使电致变色装置内部的反射率增加，从而成为在着色时提供低透明度并且在脱色时提供高透明度的电致变色装置的功能的阻碍。
热蒸镀沉积条件没有特别限制，只要热蒸镀沉积进行到不会形成由一价阳离子源构成的单独的层的这样的程度即可。例如，热蒸镀沉积可以在10毫托或更小、5毫托或更小、3毫托或更小、1毫托或更小、0.1毫托或更小、或者0.01毫托或更小的压力条件下进行。其下限没有特别限制，但是可以为例如0.0001毫托或更大。
在一个实例中，热蒸镀沉积可以在考虑到待插入的金属离子的熔点的温度条件下进行。例如，热蒸镀沉积可以在高于一价阳离子的源金属的熔点的温度下进行。具体地，当待插入的一价阳离子为li+时，考虑到锂的熔点为约180℃，热蒸镀沉积可以在作为锂的熔点的180℃或更高的温度条件下进行。具体地，热蒸镀沉积可以在约500℃至700℃的范围内的温度条件下进行。
进行热蒸镀沉积的时间没有限制，只要其满足以上条件即可。例如，热蒸镀沉积可以在以上压力和温度条件下进行几秒至几分钟。
在一个实例中，当热蒸镀沉积进行到不会形成由一价阳离子源构成的单独的层的这样的程度时，插入电致变色层中的一价阳离子的含量可以在每cm2电致变色层1.0×10-8mol至1.0×10-6mol的范围内，并且更具体地在每cm2电致变色层5.0×10-8mol至5.0×10-7mol的范围内。
插入电致变色层中的一价阳离子的含量(即，摩尔数)可以由其中存在一价阳离子的电致变色层中的电荷量与电子的摩尔数之间的关系获得。例如，当使用热蒸镀沉积向电致变色层中插入一价阳离子并且电致变色层的电荷量为a(c/cm2)时，电荷量a除以法拉第常数f的值(a/f)可以为每cm2电致变色层存在的电子的摩尔数。另一方面，由于电子(e-)和一价阳离子可以以1:1的比例反应，因此电致变色层中存在的一价阳离子的最大量(即最大摩尔数)可以等于由以上获得的电子摩尔数。关于一价阳离子的含量，测量电荷量的方法没有特别限制。例如，可以使用恒电位仪装置通过已知的方法例如电位阶跃计时电流法(potentialstepchronoamperometry，psca)测量电荷量。
在本申请中，插入的一价阳离子在电致变色层中存在的形式可以包括所有以下情况。具体地，在本申请中，插入电致变色层中的一价阳离子可以以离子的形式包含在电致变色层中，和/或也可以以与构成电致变色层的变色材料化学键合的形式包含在各层中。
在本申请中，电致变色层包含还原性电致变色材料。在本申请中，还原性电致变色材料可以为在进行还原反应时着色的材料。在将一价阳离子插入包含如上还原性电致变色材料的电致变色层中时，电致变色层可以具有变色状态，即着色状态。
可用于电致变色层中的还原性电致变色材料的种类没有特别限制。在一实例中，电致变色层可以包含能够通过沉积法形成的还原性金属氧化物。例如，电致变色层可以为由选自ti、nb、mo、ta和w的金属的一种或更多种氧化物构成的沉积层。
在本申请中，电致变色层可以通过干涂覆法例如沉积形成。本申请的发明人确定，电致变色装置的耐久性可以根据形成电致变色层的方法和在电致变色层中插入一价阳离子的方法而变化。例如，当电致变色层不是通过干涂覆法(例如，沉积)形成而是通过湿涂覆法(例如，其中将涂覆组合物涂覆然后进行热处理的方法)形成时，作为向电致变色层中引入(或插入)电致变色层所不具有的一价阳离子的方法，例如，可以考虑向包含变色颗粒(例如，wo3)和溶剂的涂覆组合物中另外引入能够提供一价阳离子的前体的方法。然而，由于通过这样的湿涂覆法注入一价阳离子在有机电解质溶液中进行，因此如果在注入过程之后不进行清洗过程，则发生对层合结构(例如，电解质层)的附接力降低，因此，引起装置的驱动耐久性降低的问题。特别地，当应用湿涂覆时，通常通过将包含电致变色材料的组合物直接施加在电极上来形成电致变色层，但是存在的问题是，对于具有如上电致变色层的电极层合体(电极/电致变色层)，由于现实原因(例如，插入的电解质离子的损失或层合体的损坏)而使清洁困难。然后，由于这样的湿涂覆法也不适用于使用辊对辊法的电致变色装置的连续制造过程，因此大规模生产率也差。在本申请中，考虑到这一点，对于通过干法形成的电致变色层，如上所述，通过干法向电致变色层中注入一价阳离子。
在一个实例中，电致变色层可以通过溅射沉积形成。溅射沉积的过程条件没有特别限制。例如，溅射沉积可以在1毫托至100毫托的范围内的压力条件下，并且更具体地在3毫托或更大、5毫托或更大、或者10毫托或更大且80毫托或更小、60毫托或更小、40毫托或更小、或者30毫托或更小的压力条件下进行。此外，溅射沉积可以在50w至500w的范围内的功率条件下，并且更具体地在80w或更大、100w或更大、120w或更大、或者130w或更大且450w或更小、400w或更小、350w或更小、或者300w或更小的功率条件下进行。此时，所使用的氩气和氧气的流量没有特别限制。此外，在以上条件下的溅射沉积可以在几分钟至几小时的范围内进行。
在一个实例中，电致变色层可以形成在导电基础材料或离型基础材料上。在每种情况下，一价阳离子的插入可以在电致变色层的与导电基础材料接触的一侧的相反侧上进行，或者可以在电致变色层的与离型基础材料接触的一侧的相反侧上进行。在电致变色层形成在离型基础材料上的情况下，需要将作为沉积层的电致变色层与单独形成的导电基础材料层合的步骤，因此就可加工性而言在导电基础材料上直接形成电致变色层更优选。
在一个实例中，电致变色层可以通过辊对辊法形成。例如，该方法可以为包括以下步骤的方法：将导电膜从卷绕有导电膜的辊上展开，并且在展开的导电膜上沉积电致变色层。当使用辊对辊法时，有利于确保生产率和可加工性。
在一个实例中，一价阳离子的插入可以在根据辊对辊法移动预定路径的层合体上进行。例如，当层合体为顺序地包括导电基础材料和电致变色层的层合体时，可以实现一价阳离子在层合体中的电致变色层的一侧中的插入。
在本申请中，电致变色层的厚度没有特别限制。例如，电致变色层的厚度可以为1μm或更小。具体地，其可以为50nm或更大、100nm或更大、150nm或更大、或者200nm或更大，并且可以为900nm或更小、700nm或更小、500nm或更小、或者400nm或更小。
在一个实例中，电致变色层可以为形成在导电基础材料上的层。在本申请中，导电基础材料可以意指能够用作所谓的电极的层。在本申请中，导电基础材料的厚度可以在例如50nm至400nm的范围内。
导电基础材料中使用的材料的种类没有特别限制。例如，导电基础材料可以包括透明导电化合物、金属网或omo(氧化物/金属/氧化物)。
在一个实例中，透明导电氧化物可以例示为ito(氧化铟锡)、in2o3(氧化铟)、igo(氧化铟镓)、fto(氟掺杂的氧化锡)、azo(铝掺杂的氧化锌)、gzo(镓掺杂的氧化锌)、ato(锑掺杂的氧化锡)、izo(铟掺杂的氧化锌)、nto(铌掺杂的氧化钛)、zno(氧化锌)或cto(氧化铯钨)等。然而，透明导电氧化物的材料不限于以上列出的材料。
在一个实例中，金属网可以具有包含ag、cu、al、mg、au、pt、w、mo、ti、ni或其合金的格子形状。然而，可用于金属网的材料不限于以上列出的金属材料。
在一个实例中，omo可以包括上层、下层和设置在两个层之间的金属层。在本申请中，上层可以意指构成omo的层中的位于距离电解质层相对较远的层。由于omo具有比以ito为代表的透明导电氧化物更低的薄层电阻，因此可以缩短电致变色装置的变色速率。
omo电极的上层和下层可以包含sb、ba、ga、ge、hf、in、la、se、si、ta、se、ti、v、y、zn、zr或其合金的金属氧化物。上层和下层中包含的各金属氧化物的类型可以相同或不同。上层的厚度可以在10nm至120nm的范围内或在20nm至100nm的范围内。此外，上层的可见光折射率可以在1.0至3.0的范围内或在1.2至2.8的范围内。具有在以上范围内的折射率和厚度，可以赋予装置适当水平的光学特性。此外，下层的厚度可以在10nm至100nm的范围内或在20nm至80nm的范围内。此外，下层的可见光折射率可以在1.3至2.7的范围内或在1.5至2.5的范围内。具有在以上范围内的折射率和厚度，可以赋予装置适当水平的光学特性。
omo中包括的金属层可以包含低电阻金属材料。没有特别限制，例如，金属层中可以包含ag、cu、zn、au、pd及其合金中的一者或更多者。在一个实例中，金属层的厚度可以在3nm至30nm的范围内或在5nm至20nm的范围内。此外，金属层的可见光折射率可以为1或更小、或者0.5或更小。具有在以上范围内的折射率和厚度，可以赋予导电装置适当水平的光学特性。
电解质层是用于提供参与电致变色反应的电解质离子的结构。电解质离子是可以插入电致变色层中并参与变色反应的离子，其可以是与插入电致变色层中的一价阳离子相同的种类。
在一个实例中，电解质层可以是凝胶聚合物电解质(gelpolymerelectrolyte，gpe)。凝胶聚合物电解质可以解决由于在使用液体电解质时引起的电解质泄漏造成的耐久性劣化的问题。通常已知凝胶聚合物电解质至电极的离子透过率比液体电解质的那些低。然而，在本申请中，一价阳离子可以通过如上热蒸镀沉积充分地转移至电致变色层，因此可以提供具有比现有技术中所考虑的更加改善的离子透过率的电致变色装置。如在以下实验例中，该优点可以通过对比长时间驱动的电致变色装置的耐久性来确定。
在一个实例中，凝胶聚合物电解质层可以由能够在交联时形成聚合物基体的含有可交联单体的组合物形成。具体地，凝胶聚合物电解质可以通过以下获得：将包含可交联单体、能够提供插入电致变色层中的一价阳离子的金属盐和有机溶剂的组合物施加到离型基础材料上，接着进行热固化或光固化。固化条件没有特别限制。在固化之后形成的电解质层的厚度可以为例如约50nm或更大、约100nm或更大、约500nm或更大、约1μm或更大，并且上限可以为约200μm或更小、约100μm或更小、约50μm或更小、或者约10μm或更小。
如果在交联之后形成的基体可以是透明的，则可交联单体的种类没有特别限制。例如，当使组合物进行光固化以形成电解质层时，可以使用多官能(甲基)丙烯酸酯等作为可交联单体。
金属盐可以是能够提供一价阳离子(例如，li+、na+、k+、rb+或cs+)的碱金属盐化合物。金属盐的种类没有特别限制。例如，作为碱金属盐化合物，可以使用锂盐化合物，例如lipf6、liasf6、licf3so3、lin(cf3so2)2、libf4、lisbf6、lin(c2f5so2)2、lialo4、lialcl4、lico0.2ni0.56mn0.27o2、licoo2、liso3cf3或liclo4；或者钠盐化合物，例如naclo4。
在一个实例中，作为有机溶剂，可以使用碳酸酯化合物。由于碳酸酯化合物具有高介电常数，因此可以使电解质离子的电导率增加。作为碳酸酯化合物，例如，可以使用pc(碳酸丙烯酯)、ec(碳酸乙烯酯)、dmc(碳酸二甲酯)、dec(碳酸二乙酯)或emc(碳酸甲乙酯)。
在一个实例中，用于形成电解质层的组合物还可以包含光引发剂或热引发剂。作为这些引发剂，可以没有限制地使用已知类型的引发剂。
离子存储层可以意指形成为在用于电致变色材料的变色的可逆氧化还原反应时与电致变色层匹配电荷平衡的层。因此，与电致变色层不同，离子存储层包含氧化性电致变色材料。在本申请中，氧化性电致变色材料可以是待在进行氧化反应时着色的材料。例如，当将与如上所述的一价阳离子相同种类的电解质离子插入包含氧化性电致变色材料的离子存储层中时，离子存储层可以脱色至具有几乎透明的状态。
可用于离子存储层的氧化性电致变色材料的种类没有特别限制。例如，包含在离子存储层中的氧化性电致变色材料可以例示为例如，选自cr、mn、fe、co、ni、rh和ir中的一种或更多种金属的氧化物，或者普鲁士蓝。
在一个实例中，离子存储层可以通过湿涂覆法形成。具体地，离子存储层可以通过以下形成：将包含选自cr、mn、fe、co、ni、rh和ir中的一种或更多种金属的氧化物颗粒或者普鲁士蓝颗粒的涂覆组合物施加到基础材料上，接着进行干燥或热处理。此时，其上施加有涂覆组合物的基础材料可以为离型基础材料或导电基础材料。
在一个实例中，氧化性变色颗粒的颗粒直径没有特别限制，但是可以为例如5nm或更大、10nm或更大、或者15nm或更大，并且可以为100nm或更小、50nm或更小、或者30nm或更小。
在一个实例中，用于形成离子存储层的涂覆组合物还可以包含有机溶剂和/或基于硅烷的化合物。有机溶剂或基于硅烷的化合物的种类没有特别限制，并且可以没有限制地使用任何已知的材料。例如，可以使用水或醇作为有机溶剂。然后，例如，作为基于硅烷的化合物，可以使用(甲基)丙烯酸类硅烷偶联剂、环氧硅烷偶联剂、氨基硅烷偶联剂或烷氧基硅烷偶联剂等，但不特别限制于以上列出的材料。
用于形成离子存储层的组合物的热处理条件没有特别限制。例如，可以在施加在约200℃或更低的热数秒至数分钟或数秒至数十分钟的同时进行热处理。在以上温度下，可以除去醇溶剂，并且同时，由于基于硅烷的化合物的缩合和水解，可以形成固体离子存储层。热处理温度的下限没有特别限制，但是可以为例如70℃或更高、75℃或更高、80℃或更高、85℃或更高、90℃或更高、95℃或更高、或者100℃或更高。
在一个实例中，当通过湿涂覆法形成离子存储层时，离子存储层可以是多孔层。在多孔层的情况下，其可以帮助改善电致变色装置的长期驱动耐久性，因为可以平稳地进行离子的移动。
离子存储层的厚度没有特别限制。例如，离子存储层的厚度可以为1μm或更小。具体地，其可以为50nm或更大、100nm或更大、150nm或更大、或者200nm或更大，并且可以为900nm或更小、700nm或更小、500nm或更小、或者400nm或更小。
在一个实例中，离子存储层可以为直接形成在导电基础材料上的层。即，在本申请中，可以将用于形成离子存储层的组合物直接施加在导电基础材料上，然后进行热处理以形成层。直接接触离子存储层的导电基础材料可以称为第二导电基础材料以将其区别于与电致变色层相邻的导电基础材料，并且其具体结构可以与上述的相同。在这样的情况下，本申请的方法可以是还包括以下步骤的方法：将层结构层合成使得电解质层、离子存储层和第二导电基础材料可以顺序地位于电致变色层的一侧上。更具体地，该方法可以是还包括以下步骤的方法：经由凝胶聚合物电解质层将包括导电基础材料和电致变色层的第一层合体与包括第二导电基础材料和离子存储层的第二层合体层合。此时，用于层合层结构的具体方法没有特别限制，并且可以适当地应用已知的层合方法等。
在一个实例中，离子存储层可以为形成在电解质层上的层。更具体地，离子存储层可以为通过以下形成的层：将用于形成离子存储层的涂覆组合物施加到顺序地包括导电基础材料、电致变色层和电解质层的层合体或顺序地包括电致变色层和电解质层的层合体的电解质层上，然后对其进行干燥。或者，离子存储层可以为通过以下形成的层：将用于形成离子存储层的涂覆组合物施加到离型基础材料上或作为单个层存在的凝胶聚合物电解质层上，然后对其进行热处理。
在一个实例中，电致变色装置还可以包括在各导电基础材料的外侧表面上的透光基础材料。透光基础材料的种类没有特别限制，其中可以使用玻璃或聚合物树脂。例如，可以使用以下作为透光基础材料：聚酯膜，例如pc(聚碳酸酯)、pen(聚(萘二甲酸乙二醇酯))或pet(聚(对苯二甲酸乙二醇酯))；丙烯酸类膜，例如pmma(聚(甲基丙烯酸甲酯))；或者聚烯烃膜，例如pe(聚乙烯)或pp(聚丙烯)等。如上所述，当电致变色装置还包括透光基础材料时，该方法可以是还包括以下步骤的方法：在导电基础材料上形成电致变色层之前或者在第二导电基础材料上形成离子存储层之前，在透光基础材料上形成具有上述结构的导电基础材料。
有益效果
根据本申请的一个实例，在本申请中，在用于装置形成的各层结构之间的层合之前，通过干法预先向电致变色层中插入一价阳离子，使得电致变色层和离子存储层二者可以以着色状态层合。因此，由于在层合之后不需要单独的初始化操作，因此可以防止电致变色装置的耐久性劣化。此外，根据本申请，由于可以以辊对辊方式进行电致变色层的形成和一价阳离子的插入，因此本申请可以提高电致变色装置的可加工性和生产率。
具体实施方式
在下文中，将通过实施例详细描述本申请。然而，本申请的保护范围不受以下实施例限制。
用于测量电致变色膜的驱动特性的方法
<电荷量>
在改变电致变色膜的驱动循环的同时，通过使用恒电位仪装置使用电位阶跃计时电流法(psca)测量实施例和比较例中的各个膜的电荷量，对一次循环驱动时的电荷量和在500个循环之后的电荷量进行比较并且描述于表1中。
<透射率>
*着色时的透射率：其意指在期间施加用于着色的电位的时间(50秒)过去之后观察到的最终着色状态下的透射率。在驱动500个循环时的着色膜透射率描述于表1中。
*脱色时的透射率：其意指在期间施加用于脱色的电位的时间(50秒)过去之后观察到的最终脱色状态下的透射率。在驱动500个循环时的脱色膜透射率描述于表1中。
<变色速率>
*着色时间(单位：秒)：在将期间施加用于着色的电位的时间(50秒)过去之后观察到的最终着色状态下的透射率设为100时，其意指达到80的水平所花费的时间。在驱动500个循环时进行着色直至脱色膜满足以上水平所花费的时间描述于表1中。
*脱色时间(单位：秒)：在将期间施加用于脱色的电位的时间(50秒)过去之后观察到的最终脱色状态下的透射率设为100时，其意指达到80的水平所花费的时间。在驱动500个循环时进行脱色直至着色膜满足以上水平所花费的时间描述于表1中。
实施例和比较例
实施例1
在具有250nm厚度的ito/pet层合体上，使用溅射法(过程压力15毫托，沉积功率200w，以及沉积时间30分钟)层合具有300nm的厚度的wo3层。具体地，使用辊对辊设备，将层合膜从其上卷绕有膜的辊上展开，并且同时在展开的膜的ito的一侧上形成wo3层。此后，使用热蒸镀沉积法在10-6托和640℃的条件下将锂离子(li+)插入ito/wo3层合体的wo3中，并使wo3层着色。此时，用于进行热蒸镀沉积的时间为10秒，并且锂掺杂量为2.0363×10-7(mol/cm2)。
然后，经由厚度为150nm的凝胶聚合物电解质(gpe)使ito/wo3层合体结合至pb/ito/pet层合体以制备具有pet/ito/wo3/gpe/pb/ito/pet结构的电致变色膜。因此，在实际驱动之前，电致变色膜具有相对低的透光特性(着色状态)。pb层通过以下制备：用棒涂覆机将包含30重量％的直径为20nm的普鲁士蓝颗粒、65重量％的乙醇和5重量％的teos(四乙氧基硅烷)的涂覆溶液涂覆在ito上，然后使其在110℃下干燥5分钟。pb层的厚度为250nm。
对于该膜，在分别施加±2v的脱色电压和着色电压每个循环50秒的同时观察透射率、驱动电荷量和变色速率。结果示于表1中。
实施例2
以与实施例1中相同的方式制备具有相同结构的电致变色膜，不同之处在于期间进行热蒸镀沉积的时间为20秒(锂掺杂量3.1090×10-7(mol/cm2))。
实施例3
以与实施例1中相同的方式制备具有相同结构的电致变色膜，不同之处在于期间进行热蒸镀沉积的时间为30秒(锂掺杂量4.1090×10-7(mol/cm2))。
比较例1
以与实施例1中相同的方式制备具有与实施例1中相同层合结构的电致变色装置，不同之处在于省略了通过热沉积插入锂离子的过程。
此后，向膜的pb/ito侧施加-5v的电压3分钟以使pb脱色。因此，电致变色膜在实际驱动之前具有相对高的透光特性。对于该膜，在以相同的时间间隔施加具有相同大小的脱色电压和着色电压的同时观察透射率、驱动电荷量和脱色速率。结果示于表1中。
[表1]
从表1中可以看出，随着驱动时间的流逝，在比较例的膜中观察到的驱动电荷量和着色/脱色透射率的减小幅度大于实施例中的那些。这意指根据实施例制造的膜的长期驱动耐久性优于比较例的那些。