技术特征：
技术总结
本发明属于半导体技术领域，涉及一种产生双激子的等离激元纳米腔及其制备方法与应用，所述等离激元纳米腔包括从上至下的隔离层、发光材料层、二氧化硅层与银层，所述隔离层上设置有银纳米线。所述方法包括如下步骤：在基体上沉积银层，然后在银层上沉积二氧化硅层，得到材料A；在材料A表面的二氧化硅层表面涂覆发光材料层，然后在发光材料层表面涂覆隔离层，得到材料B；将银纳米线设置于材料B的隔离层的表面，得到所述等离激元纳米腔。本发明提供的等离激元纳米腔能够在室温、100mW/cm2的连续激光泵浦下产生双激子辐射，且制备方法简单，便于对双激子辐射的研究与应用。
技术研发人员：陈杰;杜文娜;裘晓辉;刘新风
受保护的技术使用者：国家纳米科学中心
技术研发日：2019.04.19
技术公布日：2019.07.16