中公开的内容也应当作为本实施例公开的内容。
[0015]在本实施例中，所述交变电压的频率是37赫兹； 当所述的交变电压正半周开始时，令晶体管Tl导通、令晶体管T4导通、令晶体管T2、T3截止；
所述的交变电压正半周结束前的1.5毫秒时刻，令晶体管Tl截止、令晶体管T2导通；令所述的聚合物分散型液晶膜放电1.5毫秒；
当所述的交变电压负半周开始时，令晶体管T4截止、令晶体管T3导通；
所述的交变电压负半周结束前的1.5毫秒时刻，令晶体管T4导通、令晶体管T3截止；令所述的聚合物分散型液晶膜放电1.5毫秒；
驱动电源集成电路按照上述过程依次循环驱动聚合物分散型液晶膜运行。
[0016]实施例四:
本实施例是在实施例一的基础上进行的改进，本实施例中与实施例一相同的部分，请参照实施例一中公开的内容进行理解，此处不作重复描述；实施例一中公开的内容也应当作为本实施例公开的内容。
[0017]参见图1、图2，本发明的聚合物分散型液晶膜的驱动方法，有一个驱动电源集成电路与聚合物分散型液晶膜的两个输入电极电连接；所述驱动电源集成电路包括一个双臂桥式推挽输出电路；所述双臂桥式推挽输出电路包括四个场效应晶体管；其中的晶体管Tl漏极与电源正极电连接，晶体管Tl源极与晶体管T2漏极电连接，所述晶体管T2源极接电源地；其中的晶体管T3漏极与电源正极电连接，晶体管T3源极与晶体管T4漏极电连接，晶体管T4源极接电源地；晶体管Tl源极与晶体管T2漏极之间的输出节点与所述聚合物分散型液晶膜的一个输入电极电连接，晶体管T3源极与晶体管T4漏极之间的输出节点与所述聚合物分散型液晶膜的另一个输入电极电连接；所述的驱动电源集成电路施加在所述聚合物分散型液晶膜输入电极上的电压是正负交替变化的矩形波电压即交变电压，所述的交变电压的频率是5-80赫兹；
当所述的交变电压正半周开始时，令晶体管Tl导通、令晶体管T4导通、令晶体管T2、T3截止；
所述的交变电压正半周结束前的0.25 - 10毫秒时刻，令晶体管T4截止、令晶体管T3导通；令所述的聚合物分散型液晶膜放电0.25 - 10毫秒；此时，晶体管Tl处于导通状态，晶体管T2处于截止状态；
当所述的交变电压负半周开始时，令晶体管Tl截止、令晶体管T2导通；此时，晶体管T3处于导通状态，晶体管T4处于截止状态；
所述的交变电压负半周结束前的0.25 - 10毫秒时刻，令晶体管Tl导通、令晶体管T2截止；令所述的聚合物分散型液晶膜放电0.25 - 10毫秒；此时，晶体管T3处于导通状态，晶体管T4处于截止状态；
驱动电源集成电路按照上述过程依次循环驱动聚合物分散型液晶膜运行。
[0018]在本发明的实施例中，四个场效应晶体管的匹配形式之一是晶体管Tl、晶体管T2、晶体管T3、晶体管T4全部采用N沟道型晶体管。四个场效应晶体管的匹配形式之二是晶体管Tl、晶体管T3是P沟道型晶体管；晶体管T2、晶体管T4是N沟道型晶体管。四个场效应晶体管的匹配形式之三是晶体管Tl、晶体管T3是N沟道型晶体管；晶体管T2、晶体管T4是P沟道型晶体管。四个场效应晶体管的匹配形式之四是晶体管Tl、晶体管T2、晶体管T3、晶体管T4全部采用P沟道型晶体管。
[0019]本实施例中，四个场效应晶体管的运行时间和顺序由驱动电源集成电路的端口写入运行程序实现，所述驱动电源集成电路的型号可以是LMD18201或LMD18200。
[0020]实施例五:
本实施例是在实施例一和实施例四的基础上进行的改进，本实施例中与前述实施例相同的部分，请参照前述实施例中公开的内容进行理解，此处不作重复描述；前述实施例中公开的内容也应当作为本实施例公开的内容。
[0021]在本实施例中，所述交变电压的频率是37-50赫兹；
当所述的交变电压正半周开始时，令晶体管Tl导通、令晶体管T4导通、令晶体管T2、T3截止；
所述的交变电压正半周结束前的1-1.5毫秒时刻，令晶体管T4截止、令晶体管T3导通；令所述的聚合物分散型液晶膜放电1-1.5毫秒；
当所述的交变电压负半周开始时，令晶体管Tl截止、令晶体管T2导通；
所述的交变电压负半周结束前的1-1.5毫秒时刻，令晶体管Tl导通、令晶体管T2截止；令所述的聚合物分散型液晶膜放电1-1.5毫秒；
驱动电源集成电路按照上述过程依次循环驱动聚合物分散型液晶膜运行。
[0022]实施例六:
本实施例是在实施例五的基础上进行的改进，本实施例中与前述实施例相同的部分，请参照前述实施例中公开的内容进行理解，此处不作重复描述；前述实施例中公开的内容也应当作为本实施例公开的内容。
[0023]在本实施例中，所述交变电压的频率是50赫兹；
当所述的交变电压正半周开始时，令晶体管Tl导通、令晶体管T4导通、令晶体管T2、T3截止；
所述的交变电压正半周结束前的I毫秒时刻，令晶体管T4截止、令晶体管T3导通；令所述的聚合物分散型液晶膜放电I毫秒；
当所述的交变电压负半周开始时，令晶体管Tl截止、令晶体管T2导通；
所述的交变电压负半周结束前的I毫秒时刻，令晶体管Tl导通、令晶体管T2截止；令所述的聚合物分散型液晶膜放电I毫秒；
驱动电源集成电路按照上述过程依次循环驱动聚合物分散型液晶膜运行。
[0024]实施例七:
本实施例是在实施例一的基础上进行的改进，本实施例中与实施例一相同的部分，请参照实施例一中公开的内容进行理解，此处不作重复描述；实施例一中公开的内容也应当作为本实施例公开的内容。
[0025]参见图1、图2、图3、图4、图5,本发明的聚合物分散型液晶膜的驱动方法,有一个驱动电源与聚合物分散型液晶膜的两个输入电极电连接；所述驱动电源包括矩形波发生电路、驱动级、双臂桥式推挽输出电路；所述双臂桥式推挽输出电路包括四个场效应晶体管；其中的晶体管Tl漏极与电源正极电连接，晶体管Tl源极与晶体管T2漏极电连接，所述晶体管T2源极接电源地；其中的晶体管T3漏极与电源正极电连接，晶体管T3源极与晶体管T4漏极电连接，晶体管T4源极接电源地；晶体管Tl源极与晶体管T2漏极之间的输出节点与所述聚合物分散型液晶膜的一个输入电极电连接，晶体管T3源极与晶体管T4漏极之间的输出节点与所述聚合物分散型液晶膜的另一个输入电极电连接；所述驱动级的四路对应的输出分别施加在所述晶体管Tl、T2、T3及T4的栅极、源极；所述的驱动电源施加在所述聚合物分散型液晶膜输入电极上的电压是正负交替变化的矩形波电压即交变电压，所述的交变电压的频率是5-80赫兹；
当所述的交变电压正半周开始时，令晶体管Tl导通、令晶体管T4导通、令晶体管T2、T3截止；
所述的交变电压正半周结束前的0.25 - 10毫秒时刻，令晶体管Tl截止、令晶体管T2导通；令所述的聚合物分散型液晶膜放电0.25 - 10毫秒；此时，晶体管T4处于导通状态，晶体管T3处于截止状态；或者，晶体管T4、T3处于截止状态；
当所述的交变电压负半周开始时，令晶体管T4截止、令晶体管T3导通；此时，晶体管T2处于导通状态，晶体管Tl处于截止状态；
所述的交变电压负半周结束前的0.25 - 10毫秒时刻，令晶体管T4导通、令晶体管T3截止；令所述的聚合物分散型液晶膜放电0.25 - 10毫秒；此时，晶体管T2处于导通状态，晶体管Tl处于截止状态；或者，晶体管Tl、T2处于截止状态；
所述的驱动电源按照上述过程依次循环驱动聚合物分散型液晶膜运行。
[0026]在本实施例中，四个场效应晶体管的匹配形式之一是晶体管Tl、晶体管T2、晶体管T3、晶体管T4全部采用N沟道型晶体管(参见图1)。四个场效应晶体管的匹配形式之二是晶体管Tl、晶体管T3是P沟道型晶体管；晶体管T2、晶体管T4是N沟道型晶体管。四个场效应晶体管的匹配形式之三是晶体管Tl、晶体管T3是N沟道型晶体管；晶体管T2、晶体管T4是P沟道型晶体管。四个场效应晶体管的匹配形式之四是晶体管Tl、晶体管T2、晶体管T3、晶体管T4全部采用P沟道型晶体管。
[0027]本实施例中，晶体管Tl源极与晶体管T2漏极之间的节点01是双臂桥式推挽输出电路的一个输出端，该节点通过导线连接到所述聚合物分散型液晶膜的一个输入电极上。晶体管T3源极与晶体管T4漏极之间的节点02是双臂桥式推挽输出电路的另一个输出端，该节点通过导线连接到所述聚合物分散型液晶膜的另一个输入电极上。本实施例中，驱动电源是现有技术中的一种，不详细描述。
[0028]本实施例中，所述矩形波发生电路可以由可编程器件及附加的元器件构成，还可以由单片机电路构成，所述矩形波发生电路输出4路矩形波信号与驱动级输入端电连接；图4是由单片机电路构成的矩形波发生