4个）的曝 光头28。基于各曝光头28的曝光区域30是将副扫描方向作为短边的矩形状。因此，伴随 着移动台14的移动，在感光材料P上按照每个曝光头28而形成带状的曝光完成区域31。
[0049] 多个曝光头28具备射出例如波长400nm的激光的未图示的光源（作为例子，是半 导体激光器（LD)等）、以及作为根据图像数据而针对各像素部的每一个来对从光源射出的 激光进行调制的空间光调制元件，该空间光调制元件例如是图3所示的DMD34。该DMD34与 具备数据处理部和反光镜驱动控制部的未图示的控制器连接。在控制器的数据处理部中， 根据所输入的像数据，按照各曝光头28的每一个来生成对DMD34上的使用区域内的各微镜 74(后述）进行驱动控制的控制信号。另外，在反光镜驱动控制部中，根据由图像数据处理 部生成的控制信号，按照各曝光头28的每一个来控制DMD34的各微镜74的反射面的角度。
[0050] 在图5中以概念图示出DMD34之后的光学系统。在DMD34的光反射侧（出射侧、 射出侧）配置有将在DMD34反射的激光B在感光材料P上成像的主光学系统。该主光学系 统包括：放大由DMD34调制过的光束的第1成像光学系统52、使光束在感光材料P上成像的 第2成像光学系统58、被插入到这些成像光学系统之间的微透镜阵列64、与微透镜阵列64 的出射侧紧邻配置的第1开口阵列66以及配置在微透镜阵列64的焦点位置的第2开口阵 列68。
[0051] 第1成像光学系统52例如由入射侧的透镜52A、出射侧的透镜52B构成，DMD34配 置在透镜52A的焦点面上。透镜52A与透镜52B的焦点面一致，进而在透镜52B的出射侧 的焦点面上配置有微透镜阵列64。第2成像光学系统58也例如由入射侧的透镜58A、出射 侧的透镜58B构成，透镜58A与透镜58B的焦点面一致，进而，配置有第2开口阵列68的微 透镜阵列64的焦点位置是透镜58A的焦点面。在透镜58B的出射侧的焦点面配置有感光 材料P。
[0052] 上述第1成像光学系统52放大基于DMD34的像而在微透镜阵列64上成像。进而， 第2成像光学系统58将经过了微透镜阵列64的像在感光材料P上成像、投影。另外，第1 成像光学系统52以及第2成像光学系统58都将来自DMD34的多个光束作为彼此大致平行 的光束而射出。
[0053] 如图3所示，本实施方式中使用的DMD34是在SRAM单元（存储器单元）72上呈格 子状地排列有构成各个像素（pixel)的多个（例如1024个X768个）微小反光镜（微镜 74)的反光镜设备。在各像素中，在最上部设置有被支柱支撑的矩形的微镜74,在微镜74 的表面蒸镀有例如铝等反射率高的材料。
[0054] 如果将数字信号写入到DMD34的SRAM单元72,则被支柱支撑的各微镜74以对角 线为中心，相对于配置有DMD34的基板侧而以±a度中的某一个角度倾斜。图4A示出微 镜74处于接通（on)状态即以+a°倾斜的状态，图4B示出微镜74处于断开（off)状态即 以-a°倾斜的状态。因此，根据图像信号，如图4六图48所示地控制01?34的各像素中的 微镜74的倾斜度，从而使入射到DMD34的激光B向各个微镜74的倾斜度方向反射。
[0055] 此外，在图4A图4B中，示出放大DMD34的一部分（1片微镜部分）、微镜74被控制 成+a°或者-a°的状态的一个例子。各个微镜74的接通断开控制通过与DMD34连接的 未图示的控制器来进行。
[0056]〈微透镜阵列〉
[0057] 在微透镜阵列64中，呈2维状地排列有例如1024个X768个左右的与DMD34上 的各微镜74对应的多个微透镜64a。在本实施方式中，使用由石英玻璃形成的平凸透镜。 各微透镜64a如后面所述，形成为校正第2成像光学系统的像差的面形状。
[0058] 此外，不限于上述的例子，也可以将两凸透镜等用作基本方式。另外，也可以通过 相同的材料来对各微透镜64a以及将它们呈阵列状连接的连接部分进行一体成型而形成 微透镜阵列64,或者，也可以将各微透镜64a嵌入到设置有与各个微镜74对应的多个开口 的底座的各个开口中。进而也可以重叠具有透镜光学能力的2层微透镜阵列而形成微透镜 阵列64。
[0059] 另外，将设置有与各微透镜64a对应的多个开口的开口阵列68设置在微透镜阵列 64的出射侧。
[0060] 开口阵列68既可以在微透镜64a的出射侧面的开口部以外的部位设置有铬掩模 (由铬构成的遮光膜）、或者实施透射性/半透射性的涂层而形成掩模，或者也可以与微透 镜64a不直接接触，而在出射面的附近配置在透明的掩模板上设置有遮光膜的部件。
[0061]〈微透镜的形状与配置〉
[0062] 如上所述，通过了微透镜阵列64的光束（激光B)通过第2成像光学系统58而在 感光材料P上成像为光束斑PB。此时，特别是由于在第2成像光学系统58中存在的离轴像 差，如图12所示，有可能使光束斑PB的形状发生变形，光斑直径放大而得不到所期望的析 像力。
[0063]SP，如图12所示，在简单地将相同形状的物体164a排列在与光轴58C的距离不同 的位置的情况下，第2成像光学系统58的像差（离轴像差）对像（=光束斑PB)的形状造 成影响，如果与第2成像光学系统58的光轴58C分离，则有可能使像（光束斑PB)的形状 发生变形。由此，存在着在成像面处得不到所期望的析像度的可能性。
[0064] 因此，在本实施方式中，使构成图5所示的微透镜阵列64的微透镜64a的形状根 据与第2成像光学系统58的光轴58C的距离而变化，校正第2成像光学系统58的离轴像 差。由此，防止在感光材料P上成像的光束斑PB的形状的变形，抑制光束斑PB的放大，从 而提高图像周围部分的析像力。
[0065] 具体地说，例如，如图6所示，通过形状不同的3种微透镜64a~64c来构成微透镜 阵列64。微透镜64根据与第2成像光学系统58的光轴58C的距离来从3种微透镜64al~ 64a3中进行选择，以预定的方向性相对于第2成像光学系统58的光轴58C进行配置。即， 如后文所述，微透镜64a2、3是非球面透镜，并且在形状上具有方向性，因此需要以预定的 方向朝向光轴58配置。
[0066] 在图6的例子中，在紧邻光轴58C的位置使用未进行用于校正离轴像差的面形状 加工的（球面的）微透镜64al。接着，根据与光轴58C的距离，放射状地配置具有用于校正 离轴像差的面形状的微透镜64a2、64a3,构成为微透镜阵列64。
[0067] 在图7A所示的光学系统中，设为使通过某个微透镜64a的光束B利用第2成像光 学系统58而在感光材料P上成像为光束斑PB。此时，将微透镜64a设为形成直径rMAX的 圆形的平凸透镜，如图7B所示，在将与光轴58C的距离设为IML，将与它正交的坐标设为 nML时，如图7C所示，能够通过与中心的距离r、角度fML来记述微透镜64a的表面上的 极坐标。
[0068] 同样地，在第2成像光学系统58中，在记述作为光瞳坐标系UL2、nL2)的坐标 值下的像差时，如图7D所示，能够使用极坐标而以pL2、9L2进行表示。另外，当在感光材 料P上对光束斑PB进行成像时，能够将与第2成像光学系统58的光轴58C的距离设为Y_end，将与它正交的坐标设为X_end而同样地进行记述。
[0069] 另外，如图11所示，针对构成微透镜阵列64的各微透镜64a，坐标系（IML， nML)、与它对应的感光材料P表面上的坐标系（X_end，Y_end)不恒定，而是变化的。在从 DMD34侧观察光学系统整体时，相对于第2成像光学系统58的光轴58C，各个光学系统的对 应关系为：nML轴以及Y_end轴为矢径方向（与光轴58C的接近离开方向），IML以及X_ end为与矢径方向正交的放射方向。因此，在对于感光材料P的特定部位处的光束斑PB进 行应对的情况等下，需要考虑在微透镜64a侧相当的位置。
[0070] 基于上述内容，说明微透镜64a的形状。在记述像差时使用的标准泽尼尔克 (Zernike)多项式如图8B所述。
[0071] 泽尼尔克标准系数是如图8A所示地按照各阶数而分解地掌握各种像差的系数， 例如第4项表示焦点位置的偏移，与光束斑PB的形状有关的是第4项（Z4)以上的高阶像 差。
[0072] 设为在第2成像光学系统58的某个像位置存在如下所述的函数所示的像差。
[0073](式1)
[0074] 2AiX入XZi(PL2, <i>L2)
[0075] i
[0076] PL2，:tpL2:?表不第2成像光学系统58的光瞳坐标的参数
[0077]ZiCp，:泽尼尔克标准函数
[0078] Ai:第2成像光学系统58的像差系数
[0079](第i项的泽尼尔克标准系数，单位为X:光波长）
[0080] 在微透镜64a是平凸透镜时，为了对它进行校正，在变更对应的微透镜64a的面形 状而校正Ai的像差的情况下，所需的微透镜64a的面形状除了设为通常的球面形状（第 1项，微透镜64al)之外，还设为由追加了第2项的式2记述的面形状。
[0081](式 2)
[0083] r、(pML:表示微透镜64a表面上的坐标的参数
[0084] rmax:微透镜64a开