性小于90%，但可通过组合如上文所描述的反射增强膜112实现90%或90%以上的反射性。
[0042]元件衬底102a在反射层108上提供开关元件114。晶体管为开关元件114的一个实例。晶体管是通过包含半导体层113和与半导体层113隔离的下部栅极电极115配置。经提供以便与反射层108堆叠布置开关元件114以使得光源106的光并不直接辐射。当光源106的光入射到半导体层113上时，由于晶体管的操作特性改变，由光电效应产生光学载流子。
[0043]开关元件114由绝缘间层116掩盖。绝缘间层116可通过包含位于半导体层113的下部层侧面中的第一绝缘层、栅极绝缘层和提供于栅极电极的上部层侧面中的第二绝缘层配置。开关元件114设在通过绝缘间层116而与反射层108相隔一定距离处，且因此所述开关元件114和所述反射层108电隔离。
[0044]接触孔形成于绝缘间层116中，且与半导体层113进行接触的源极和漏极电极118提供于绝缘间层116中。此外，钝化膜120提供于源极和漏极电极118上以便涂布绝缘间层 116。
[0045]在此类型的元件衬底102a中，提供在使得光源106的光通过的位置中穿过绝缘间层116、金属膜110和反射增强膜112的第二绝缘膜112b的开口 122。提供反射增强膜112中的第一绝缘膜112a以便延伸到开口 122的底部(透光衬底104的表面侧)中。当反射增强膜112的配置(即由第一绝缘膜112a和第二绝缘膜112b制成的电介质多层膜的配置)存在时，反射性提高且因此当形成开口 122时至少可移除在区域中位于上部层中的第二绝缘膜112b。
[0046]为了确保包含于用作透光衬底104的玻璃衬底中的碱金属(例如钠和其类似物)不扩散且染污元件衬底102a，用作第一绝缘膜112a的氮化硅膜也可留在形成开口 122的区域中。然而，当具有为了提高反射性而调节的膜厚度的氮化硅膜位于开口 122中时，从光源106透射的光的量将减少。
[0047]因此，具有与用作反射增强膜112的第一绝缘膜112a的氮化硅膜相比不同的膜厚度的第三绝缘层124提供于开口 122的底部中，且因此防止光的透射率在此区域中降低。第三绝缘膜124制造得比第一绝缘膜112a厚且可以入射光的波长的η/2 (η = I或大于I的整数)或更厚的膜厚度形成。具体来说，当在反射增强膜112中用作第一绝缘膜112a的氮化硅膜的膜厚度为40nm与60nm之间时，开口 122中第三绝缘膜124的膜厚度可为120nm与160nm之间。
[0048]第三绝缘膜124可堆叠于第一绝缘膜112a上，可沉积均质的绝缘膜且可为如上文所描述的厚度。通过在形成穿透绝缘间层116、金属膜110和反射增强膜112的第二绝缘膜112b的开口 122之后形成作为钝化膜120的氮化硅膜，第三绝缘膜124可具有预定膜厚度。如果氮化硅膜是使用等离子体CVD方法形成为钝化膜120，那么氮化硅膜可以预定厚度沉积于开口 122的底部上以及侧壁上而不考虑绝缘间层116的上部表面。在此情况下，沉积的氮化硅膜在绝缘间层116的上部表面和开口 122的侧壁中可起到钝化膜的功能，且可在开口 122的底部中履行用于降低反射性的光学距离调节膜的功能。
[0049]当第一绝缘膜112a和钝化膜120经层压以便形成低反射膜时，第三绝缘膜124具有也简化生产过程中的步骤的优点。如果第一绝缘膜112a为氮化硅膜，那么钝化膜120也可由氮化硅膜形成。然而，为了有效地在开口 122中产生从光源106发射的光，第三绝缘膜124可以某一膜厚度单独形成使得在开口 122的底部中的透光衬底104的表面上产生低反射条件。在此情况下，第三绝缘膜124不限于氮化硅膜且因此可应用其它光学透明绝缘膜(例如氧化硅膜和其类似物)。此外，甚至在其中钝化膜120经层压在反射增强膜112的第一绝缘膜112a上的结构中，只要可实现不降低形成第三绝缘膜124的区域中的透射率的光学膜厚度，氮化硅膜就可被具有光学透明度且具有钝化效应的氧化铝和其类似物的另一绝缘膜替换。
[0050]开口 122可通过从顶层到底层不断地蚀刻绝缘间层116、金属膜110和反射增强膜112的第二绝缘膜112b形成。在一些实施方案中，开口 122可通过在反射层108中形成开口、用绝缘间层116掩盖开口且接着蚀刻绝缘间层116以使得下伏表面(第一绝缘膜112a)再次曝露而形成。根据这种2-步骤过程，当执行蚀刻以在反射层108中形成开口时，可将顶层的金属膜110作为掩模蚀刻底层的第二绝缘膜112b。经由此过程，反射层108中的开口端部分可精确对准，且因此可减少通过此端部分(边缘部分)的光散射。
[0051]图2说明元件衬底102b的配置，其中额外层形成图1中说明的元件衬底102a的配置中的反射层108的反射增强膜112。反射增强膜112由具有高折射率的电介质层和具有低折射率的电介质层的层压体配置，但可通过进一步多层化此经层压的结构以产生多个反射而实现甚至更高的反射性。图2说明顺序层压第一绝缘膜112a、第二绝缘膜112b、第四绝缘膜112c和第五绝缘膜112d以作为反射增强膜112的配置。在本文中，第一绝缘膜112a和第四绝缘膜112c为均质的膜且为(例如)氮化硅膜。此外，第二绝缘膜112b和第五绝缘膜112d为氧化硅膜。应注意，只要反射性改进，具有高折射率的电介质层和具有低折射率的电介质层的这种层压结构就可为任何数目的经层压的层。
[0052]另一方面，开口 122中第三绝缘膜124的膜厚度比反射增强膜112中第一绝缘膜112a的膜厚度更厚。也就是说，膜厚度为入射光的波长的η/2 (η = I或大于I的整数)或更厚。可制得具有此类型的膜厚度的第三绝缘膜124以使得钝化膜120经层压到第一绝缘膜 112a。
[0053]应注意，除了反射层108以外，图2中的配置与图1中的配置相同，实现与第一实施例中相同的效应且因此省略详细描述。
[0054]本实施例例示一种情况，其中氮化硅膜用作具有高折射率的电介质层且氧化硅膜用作具有低折射率的电介质层，但可组合具有光学透明度的其它电介质材料，例如具有1.63的折射率的氧化铝或具有1.9与2.2之间的折射率的氮化铝或其类似物。
[0055]只要像素电极126提供于钝化膜120上，就将接触孔形成于元件衬底102a和102b上的预定位置中，且源极和漏极电极经由接触孔连接，图1中说明的元件衬底102a和图2中说明的类型的元件衬底102b可用作显示装置的背板。
[0056]如上文所描述，根据本实施例的显示装置，使得光源的光通过的开口中的入射光的反射损耗减少，且因此可实现光的有效利用。归因于此，不需要不必要地提高光源的亮度且因此可减少显示装置的功率消耗。此外，通过应用在反射层中使用反射增强膜的配置，反射层中的反射性和开口中的透射率两者皆可改进。也就是说，在回收从光源发射的光的同时可提高从开口发射的光的光强度。
[0057][第二实施例]
[0058]图3说明额外在参看图1所描述的元件衬底102a中的绝缘间层116上提供平坦化绝缘膜128的元件衬底102c的实例。应注意，图3中的与图1中的那些元件相同的组成元件以相同的参考数字说明且省略其反复的描述。
[0059]在图3中，形成提供于绝缘间层116上的平坦化绝缘膜128以便覆盖源极和漏极电极118。换句话说，源极和漏极电极118由平坦化绝缘膜118掩盖，平坦化绝缘膜118掩盖出现于绝缘间层116的表面中的不均勻性且因此展平其顶层表面。钝化膜120提供于平坦化绝缘膜128上。
[0060]此时，正如绝缘间层116 —样，从开口 122移除平坦化绝缘膜128，但将平坦化绝缘膜128留在开口 122的侧壁上。在提供了移除绝缘间层116、金属膜110和第二绝缘膜112b的开口 122之后，此类型的结构可通过使用有机树脂材料的涂布方法和通过选择性地蚀刻留在开口 122中的有机树脂层在整个表面上形成平坦化绝缘膜128。作为另一方法，可在整个表面涂布有感光性有机树脂膜之后通过执行显影方法以使得移除形成于开口 122底部上的有机树脂膜而形成相同的结构。
[0061]通过提供使用有机树脂材料以此方式形成的平坦化绝缘膜128，还有可能在开口122的顶端部分中形成相对光滑的曲面，且在此情况下，由于形成于平坦化绝