液晶显示器的制造方法

文档序号:9452265阅读:313来源:国知局
液晶显示器的制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种液晶显示器。
【背景技术】
[0002] 液晶显示器("IXD")目前是应用最为广泛的平板显示器中的一种,并且是通过向 电极施加电压并且使液晶层的液晶分子重新排列来调整透射光的量的显示装置。
[0003] LCD具有易于制造得薄的优点,但是具有与前可见性相比侧可见性弱的缺点,结果 为了克服所述缺点,已经研究了各种布置和驱动液晶的方法。LCD作为实现宽视角的方法引 起关注,其中,在该LCD中像素电极和共电极设置在一个基板上。
[0004] 在这样的LCD中,像素电极和共电极的两个场产生电极中的至少一个具有多个切 口(cutout)和由所述多个切口限定的多个分支电极(branchelectrode)。

【发明内容】

[0005] 在使用多个分支电极的液晶显示器("LCD")的情况下,液晶分子在分支电极的中 心部分中不能很好地控制,从而透射率降低。
[0006] 本发明已致力于提供一种其中两个场产生电极设置在基板上的LCD,其中,所述两 个场产生电极中的至少一个具有切口,因此实现宽视角,在该LCD中可以防止可能发生在 高分辨率LCD中的分支电极的中心部分处的透射率的劣化。
[0007] 本发明的示例性实施例提供了一种LCD,所述LCD包括:第一基板;栅极线和数据 线,设置在第一基板上;第一绝缘层,设置在栅极线和数据线上;第一电极,设置在第一绝 缘层上并且具有呈平面形状的平坦形式;第二绝缘层,设置在第一电极上;以及第二电极, 设置在第二绝缘层上并且包括多个分支电极,其中,分支电极的宽度等于或小于大约2微 米(ym)〇
[0008] 分支电极的宽度等于或小于大约1. 5ym。
[0009] 分支电极的宽度等于或小于大约1ym。
[0010] 分支电极的宽度等于或小于大约〇. 5ym。
[0011] 分支电极的厚度等于或小于大约4000埃(A)。
[0012] 分支电极的厚度等于或小于大约2000A。
[0013] 分支电极的宽度(W)与来自所述分支电极之中的两个相邻的分支电极之间的间 隙⑶之比(W/S)小于大约1。
[0014] 分支电极的宽度(W)与来自所述分支电极之中的两个相邻的分支电极之间的间 隙(S)之比(W/S)介于大约0. 25与大约1之间。
[0015] 分支电极延伸成基本平行于数据线。
[0016] 分支电极包括:第一部分,延伸成基本平行于数据线;第二部分,设置在分支电极 的端部处并且弯曲为与第一部分呈预定的角度。
[0017]根据本发明的实施例,两个场产生电极设置在一个基板上,所述两个场产生电极 中的至少一个被设置成具有切口,从而实现宽视角,并且防止可能发生在分支电极的中心 部分处的透射率的劣化。
【附图说明】
[0018] 通过参照附图进一步详细描述本公开的示例性实施例,上述和其他示例性实施 例、本公开的优点和特征将变得更加明显,在附图中:
[0019] 图1示出了根据本发明的液晶显示器("IXD")的示例性实施例的平面图。
[0020] 图2示出了图1的IXD的关于线II-II的剖视图。
[0021] 图3示出了施加到传统LCD的液晶层的电场的示意图。
[0022] 图4示出了施加到根据本发明的LCD的液晶层的电场的示例性实施例的示意图。
[0023] 图5至图9顺序地示出了用于制造根据本发明的IXD的方法的示例性实施例的剖 视图。
[0024] 图10至图12顺序地示出了用于制造根据本发明的IXD的方法的另一示例性实施 例的剖视图。
[0025] 图13示出了根据本发明的LCD的另一示例性实施例的平面图。
[0026] 图14示出了图13的IXD的关于线XIII-XIII的剖视图。
[0027] 图15示出了根据本发明的IXD的实验示例的透射率结果。
[0028] 图16示出了根据本发明的IXD的实验示例的透射率结果。
[0029] 图17示出了根据本发明的LCD的另一实验示例的透射率结果。
[0030] 图18示出了根据本发明的LCD的另一实验示例的透射率结果。
[0031] 图19示出了根据本发明的LCD的另一实验示例的透射率结果。
【具体实施方式】
[0032] 在下文中将参照附图更充分地描述本发明,在附图中示出了本发明的示例性实施 例。如本领域技术人员将意识到的,在所有不脱离本发明的精神或范围的情况下,描述的实 施例可以以各种不同的方式来修改。
[0033] 在附图中,为清楚起见,夸大了层、膜、面板、区域等的厚度。在整个说明书中,同样 的附图标记指示同样的元件。将理解的是,当诸如层、膜、区域或基板的元件被称为"在"另 一元件"上"时,该元件可以直接在所述另一元件上,或者也可以存在中间元件。相反,当元 件被称为"直接在"另一元件"上"时,则不存在中间元件。
[0034] 将理解的是,尽管这里可以使用术语"第一"、"第二"、"第三"等来描述不同的元 件、组件、区域、层和/或部分,但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语限 制。这些术语仅用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分区 分开。因此,在不脱离在此的教导的情况下,下面讨论的"第一元件"、"组件"、"区域"、"层" 或"部分"可以被命名为第二元件、组件、区域、层或部分。
[0035] 这里使用的术语仅出于描述具体实施例的目的,而不意图成为限制。除非上下文 另外明确指出,否则如这里所使用的,包括"……中的至少一个/者"的单数形式意图包括 复数形式。"或"意思是"和/或"。如这里所使用的,术语"和/或"包括一个或更多个相 关所列项的任意组合和所有组合。进一步将理解的是,当术语"包括"和/或"包含"或"具 有"等变型用在该说明书中时,表明存在陈述的特征、区域、整体、步骤、操作、元件和/或组 件,但不排除存在或添加一个或更多个其他特征、区域、整体、步骤、操作、元件、组件和/或 它们的组。
[0036] 此外,这里可以使用诸如"下"或"底"以及"上"或"顶"的相关术语来描述如附图 中示出的一个元件与另一元件的关系。将理解的是,除了附图中描述的方位以外,相关术语 意图涵盖装置的不同方位。例如,如果多个附图中的一个附图中的装置翻转,则描述为在另 一元件"下"侧的元件将随后位于所述另一元件"上"侧。因此,示例性术语"下"可根据附 图的具体方位而涵盖"下"和"上"两种方位。相似地,如果多个附图中的一个附图中的装 置翻转,则描述为"在"另一元件"下方"或"在"另一元件"之下"的元件随后将被定位"在" 所述另一元件"上方"。因此,示例性术语"在……下方"或"在……之下"可以涵盖"在…… 下方"和"在……之下"两者方位。
[0037] 考虑到测量的问题和与特定量的测量相关的误差(即,测量系统的局限性),如这 里所使用的"大约"或"近似"包括陈述的值并意味着在如本领域普通技术人员所确定的具 体值的可接受的偏差范围内。例如,"大约"可以指在一个或更多个标准偏差的范围内,或者 在所述值的±30%、20%、10%或5%的范围内。
[0038] 除非另有定义,否则这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本 公开所属领域中的普通技术人员所通常理解的意思相同的意思。将进一步理解的是,除非 这里明确这样定义,否则术语(例如在通用的词典中定义的术语)应被解释为具有与相关 领域和本公开的环境中它们的意思相一致的意思,而将不以理想的或过于正式的含义来解 释。
[0039] 在这里参照作为理想化的实施例的示意性示图的剖视图来描述示例性实施例。这 样,预计将出现例如由制造技术和/或公差引起的示出的形状的变化。因此,这里描述的实 施例不应被解释为局限于如这里示出的区域的特定形状,而是将包括例如由制造所造成的 形状上的偏差。例如,通常示出或被描述为平坦的区域可以具有粗糙的和/或非线性的特 征。此外,示出的锐角可被倒圆。因此,附图中示出的区域实质上是示意性的,它们的形状 并不意图示出区域的精确形状,也不意图限制本权利要求的范围。
[0040] 现在将参照附图来描述根据本发明的示例性实施例的液晶显示器("LCD")。
[0041] 现在将参照图1和图2来描述根据本发明的示例性实施例的LCD。图1示出了根 据本发明的示例性实施例的LCD的平面图,图2示出了图1的LCD的关于线II-II的剖视 图。
[0042] 参照图1和图2,IXD包括彼此面对的第一显示面板100和第二显示面板200以及 注入在第一显示面板100和第二显示面板200之间的液晶层3。尽管在下面的描述中举例 说明了一个像素区域,但是根据本发明的示例性实施例的LCD可以具有每英寸大约200个 像素(PPI)或更大的分辨率。即,在IXD上的1英寸XI英寸的区域中可以包括大约200 个或更多个像素。此外,根据本发明的示例性实施例的LCD的一个像素可以具有例如水平 宽度L1和垂直长度L2,其中,水平宽度L1等于或小于大约40微米(ym),垂直长度L2等 于或小于大约120ym。这里,如附图中所示,像素的水平宽度L1是两个相邻的数据线171 的垂直中心部分之间的间隙,像素的垂直长度L2是两个相邻的栅极线121的水平中心部分 之间的间隙。
[0043] 现在将描述第一显示面板100。
[0044] 包括栅极线121的栅极导体设置在例如包括透明玻璃或塑料的第一基板110上。
[0045] 栅极线121包括用于连接(access)栅电极124和另一层或外部驱动电路的宽端 部(未示出)。在示例性实施例中,栅极线121可以包括诸如铝(A1)或铝合金的铝基金属、 诸如银(Ag)或银合金的银基金属、诸如铜(Cu)或铜合金的铜基金属、诸如钼(Mo)或钼合 金的钼基金属、铬(Cr)、钽(Ta)、钛(Ti)等。然而,本发明不限于此,栅极线121可以具有 包括至少两个导电层的多层结构,其中,所述至少两个导电层具有不同的物理性质。
[0046] 包括氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)的栅极绝缘层140设置在栅电极124上。在 示例性实施例中,栅极绝缘层140可以具有包括至少两个绝缘层的多
当前第1页1 2 3 4 
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1