显示面板和应用其显示面板的显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种显示面板和应用其显示面板的显示装置，且特别是涉及一种具有多层导线于基板上的显示面板和应用其的显示装置。
【背景技术】
[0002]随着大尺寸平面显示器市场的快速发展，其薄膜晶体管基板的相关制作工艺的改良也快速进行。其中，由于铜制作工艺具有低电阻率(约为铝的60%)，其较小的截面积使得金属线间的寄生电容降低而能够降低串音(crosstalk)，且铜具有高抗电、高抗热致迁性而令其在较小的截面积仍能具有相对高的可靠性，因此，铜制作工艺进而逐渐取代铝制作工艺而渐渐成为市场主流。
[0003]然而，铜仍具有与基板附着不易而易脱落的问题需要克服。因此，如何提供一种具有良好显示品质的显示器并克服相关的制作工艺的困难与问题，为相关业者努力的课题之
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【发明内容】
[0004]本发明的目的在于一种显示面板和应用其显示面板的显示装置。实施例的显示面板中，其基板中的第二导电层设置于第一导电层上并于其两侧显露出部分第一导电层，且第二导电层两侧和第一导电层的两侧之间分别具有两个间距，此两个间距的其中之一者大于另一者，因此可以避免因过蚀造成的两个导电层的断线或损伤，进而可以减少阻抗不匹配的问题的产生。
[0005]为达上述目的，本发明提出一种显示面板。显示面板包含一第一基板、一第二基板以及一显不介质，显不介质设置于第一基板和第二基板之间。第一基板包含一第一导电层及一第二导电层，第一导电层具有一第一线宽，第二导电层设置于第一导电层上，第二导电层具有一第二线宽且第二线宽小于第一线宽并于第二导电层两侧显露出部分第一导电层。第二导电层的一第一侧边和与其同侧的第一导电层的一第二侧边具有一第一间距，第二导电层的相对于第一侧边的一第三侧边和与其同侧的第一导电层的一第四侧边具有一第二间距，其中第一间距大于第二间距。
[0006]本发明还提出一种显示装置。显示装置包含一显示面板以及一驱动电路，且驱动电路电连接显示面板。显示面板包含一第一基板、一第二基板以及一显示介质，显示介质设置于第一基板和第二基板之间。第一基板包含一第一导电层及一第二导电层，第一导电层具有一第一线宽，第二导电层设置于第一导电层上，第二导电层具有一第二线宽且第二线宽小于第一线宽并于第二导电层两侧显露出部分第一导电层。第二导电层的一第一侧边和与其同侧的第一导电层的一第二侧边具有一第一间距，第二导电层的相对于第一侧边的一第三侧边和与其同侧的第一导电层的一第四侧边具有一第二间距，其中第一间距大于第二间距。
[0007]为了对本发明的上述及其他方面有更佳的了解，下文特举优选实施例，并配合所附的附图，作详细说明如下:
【附图说明】
[0008]图1A为本发明一实施例的显示面板的示意图；
[0009]图1B为本发明一实施例的第一基板的俯视图；
[0010]图2A为本发明一实施例的第一基板局部区域放大的俯视图；
[0011]图2B为沿剖面线2B-2B’的剖视图；
[0012]图3A?图3B为具有不同形状的导电层的蚀刻前后的示意图；
[0013]图4A为本发明另一实施例的一基板局部放大的俯视图；
[0014]图4B为沿剖面线4B-4B’的剖视图；
[0015]图5A?图5B为本发明的实施例的导电层对位偏移的示意图；
[0016]图6为本发明的实施例的一种显示装置的方块图。
[0017]符号说明
[0018]1:显示装置
[0019]10:显示面板
[0020]100:第一基板
[0021]101:显示区
[0022]102:显示驱动电路区
[0023]100’:基板
[0024]110:第一导电层
[0025]110E、120E:延伸部
[0026]110s、120s:底面
[0027]120:第二导电层
[0028]120E:延伸部
[0029]130:介电层
[0030]20:驱动电路
[0031]200:显示介质
[0032]300:第二基板
[0033]410、410，、610、610，:导电层
[0034]2B-2B，、4B_4B，:剖面线
[0035]A1、A2、A3:重叠部分
[0036]B、B1、B2:弯折部分
[0037]Dl:第一间距
[0038]D2:第二间距
[0039]P:外凸区域
[0040]R、R1、R1，、R2、R2，:内凹区域
[0041]S1:第一侧边
[0042]S2:第二侧边
[0043]S3:第三侧边
[0044]S4:第四侧边
[0045]Wl:第一线宽
[0046]W2:第二线宽
[0047]Θ 1:第一角度
[0048]Θ 2:第二角度
[0049]Θ 3:第三角度
[0050]Θ 4:第四角度
【具体实施方式】
[0051]根据本发明的实施例，显示面板中，其基板上的第二导电层设置于第一导电层上并于其两侧显露出部分第一导电层，且第二导电层两侧和第一导电层的两侧之间分别具有一个间距，此两个间距的其中之一者大于另一者，因此可以避免因过蚀造成的两个导电层的断线或损伤，进而可以减少阻抗不匹配的问题的产生。以下参照所附的附图详细叙述本发明的实施例。附图中相同的标号用以标示相同或类似的部分。需注意的是，附图已简化以利清楚说明实施例的内容，实施例所提出的细部结构仅为举例说明之用，并非对本发明欲保护的范围做限缩。具有通常知识者当可依据实际实施态样的需要对该些结构加以修饰或变化。
[0052]图1A绘示根据本发明一实施例的显示面板10，图1B绘示根据本发明一实施例的第一基板100的俯视图，图2A绘示根据本发明一实施例的第一基板局部区域放大的俯视图，图2B绘示沿剖面线2B-2B’的剖视图。
[0053]如图1A所示，显示面板10包括第一基板100、显示介质200以及第二基板300。显TK介质200设置于第一基板100和第二基板300之间。实施例中，显TK介质200例如是一液晶层或一发光元件，例如是有机发光二极管。如此一来，显示面板10例如是液晶显示面板或有机发光二极管显示面板。如图1B所示，第一基板100包括显示区101与环绕显示区101的显示驱动电路区102。
[0054]如图2A?图2B所示，第一基板100包含一第一导电层110及一第二导电层120，第二导电层120设置于第一导电层110上。第一导电层110具有一第一线宽W1，第二导电层120具有一第二线宽W2，第二线宽W2小于第一线宽Wl并于第二导电层120两侧显露出部分第一导电层110。第二导电层120的一第一侧边SI和与其同侧的第一导电层110的一第二侧边S2具有一第一间距Dl，第二导电层120的相对于第一侧边SI的一第三侧边S3和与其同侧的第一导电层110的一第四侧边S4具有一第二间距D2，其中第一间距Dl大于第二间距D2。
[0055]如图2B所示，本实施例中，第一导电层110与第二导电层120接触叠置以形成具复合层的一导电线路。一实施例中，此导电线路例如是薄膜晶体管基板上的数据线(dataline)或扫描线(scan line)。在实施例中，第一导电层110与第二导电层120例如是位于显示驱动电路区102的栅极驱动电路中或是数据驱动电路中。在另一实施例中，第一导电层110与第二导电层120例如是位于显示区101中。
[0056]如图2A所7K,第一导电层110与第二导电层120接触叠置而成的导电线路具有一弯折部分(bending port1n)B,其中第一间距Dl位于导电线路的弯折部分B的内凹区域(recess reg1n)R,第二间距D2位于弯折部分B的外凸区域(protruding reg1n)P。
[0057]实施例中，第一导电层110的材质和第二导电层120的材质独立地包括铜、钛等金属层或其复合导电金属层。本实施例中，第一导电层110的材质例如是钛，第二导电层120的材质例如是铜。
[0058]图3A和图3B分别绘示具有不同形状的导电层的蚀刻前后的示意图。导电层410经过过度蚀刻后形成导电层410’，而导电层610经过过度蚀刻后形成导电层610’。如图3A所示，现有导电层610的制作中，在光掩模设计时即以预定形成的导电层图案来设计，然在蚀刻过程中，因为蚀刻液容易累积在弯折部分B2的内凹区域R2中，当其他线路图案部分(例如直线的线宽)要达到完全蚀刻以形成具有预定图案的导电层，此时累积在内凹区域R2中的蚀刻液容易造成导电层610的弯折部分B2的过蚀，而过蚀就容易发生导电层610的断线或损伤，形成导电层610’及损伤的内凹区域R2’，进而容易产生阻抗不匹配的问题。相对地，如图3B所示，在本实施例中，在光掩模设计时即设计让导电层410在弯折部分BI的内凹区域Rl具有较大面积，因此即使累积在内凹区域Rl中的蚀刻液造成导电层410的弯折部分BI的过蚀，但由于本实施例中在弯折部分BI的内凹区域Rl具有较大面积，因此可避免上述过蚀的问题，而形成导电层410’及具有贴近预定图案的内凹区域R1’。
[0059]据此，如前述图2A和图2B所示的由第一导电层110 (例如为钛)与第二导电层120(例如为铜)接触叠置以形成具复合层的一导电线路，由于第一导电层110与第二导电层120为不同金属材质，在蚀刻形成预定图案的过程中，会因为蚀刻液对不同金属的蚀刻速率不同(例如第一导电层蚀刻速率大于第二导电层蚀刻速率)而形成如图2A和图2B所示的第二线宽W2小于第一线宽Wl并于第二导电层120两侧显露出部分第一导电层110的结构。另外根据前述图3A和图3B所述，蚀刻液会容易累积在弯折部分B的内凹区域R中，因此在图2A和图2B中内凹区域R处的第一导电层110相较于外凸区域P处的第一导电层110更容易被过蚀刻，使得位于弯折部分B的内凹区域R的第一间距Dl大于外凸区域P的第二间距D2，且使得第一导电层位于弯折部分B的内凹区域R的侧边与底面的夹角Θ I大于外凸区域P的侧边与底面的夹角Θ 2，第二导电层位于弯折部分B的内凹区域R的侧边与底面的夹角Θ 3大于外凸区域P的侧边与底面的夹角Θ4。
[0060]实施例中，第一间距Dl例如是第二间距D2的1.1?3倍。
[0061]举例而言，一实施例中，第二导电层120的第二线宽W2例如是4.34微米(μ m)，第一间距Dl例如是0.68微米，第二间距D2例如是0.39微米，则第一间距Dl是第二间距D2的1.74倍；另一实施例中，第二导电层120的第二线宽W2例如是8.89微米，第一间距Dl例如是1.25微米，第二间距D2例如是0.87微米，则第一间距Dl是第二间距D2的1.44倍。
[0062]实施例中，第一间距Dl例如是第二导电层120的第二线宽W2的约10?20%，例如是10%，比方说可以是9.95?11.07%;第二间距