够将电致发光层330在发出的光线转换成紫外光后向下出射；
[0038]上述的曝光装置还包括图中为未示出的发光控制线，每一个发光控制电路200还与至少一条发光控制线相连，通过在其所连接的发光控制线施加控制信号能够使得其连接的发光单元300发光或者不发光。
[0039]假设图1和图2中的曝光装置需要对图3中的a图所示的区域A内的待固化封框胶进行曝光，则利用上述的曝光装置进行曝光的方法可以参考图3中的b图，包括:
[0040]在各条发光控制线上施加控制信号，使待固化的封框胶(即A区域)对应的区域A’内的受控发光区域内的发光单元发光，使区域A’之外的其他区域的受控发光区域内的各个发光单元不发光。这样该曝光装置仅会在对应于A区域的A’区域出射紫外光，从而能够完成对A区域的待固化封框胶的固化。
[0041]可以看出，由于在图1和图2中的曝光装置中，不同位置处的发光单元的发光状态可以通过该发光单元所连接的发光控制电路所连接的发光控制线控制，这样该曝光装置可以用于多种显示产品中的制作过程中，用于对两个显示基板(比如彩膜基板和阵列基板)之间的封框胶的固化。这样，就无需针对每一种显示产品制作一张掩膜板，能够降低显示产品的制作成本。
[0042]同时，在本发明实施例中，采用阳极310、阴极320和电致发光层330共同实现发光，具有响应速度快、便于控制的优点。当然在具体实施时，上述的发光单元也可以通过其他方式实现。
[0043]在具体实施时，上述的发光单元300、发光控制电路200以及上述的发光控制线可以通过图案化工艺形成在上述的基底100上。这样的做的好处是，能够降低曝光装置的体积，便于安装和操控曝光装置，从而降低曝光过程的难度。举例来说，发光控制电路200可以具体为通过图案化工艺形成在基底100上的薄膜晶体管，该薄膜晶体管的栅极连接对应的发光控制线，源极可以连接功率提供线，漏极可以连接上述的发光单元300的阳极。
[0044]不难理解的是，虽然本发明实施例中，是以阴极320朝向电致发光层330的一面为反射面，光转换层400位于基底100的下表面上进行的说明。但是在实际应用中，上述的光转换层400也可以位于发光单元300的阴极320的上方，此时上述的阴极320为透明电极，阳极310可以为反射电极，相应的技术方案也能够解决本发明所要解决的基本问题，也应该落入本发明的保护范围。
[0045]在具体实施时，上述的电致发光层330可以具体包括:Alq、Balq或DPVBi。而上述的光转换层可以具体包括:Yb3+/Tm3+共掺的Y 203;或者Er 3+/Yb3+共掺的ZnO。
[0046]当第三方面所述的曝光装置制作方法用以制作图1和图2中的曝光装置时，可以具体包括:
[0047]步骤SI，通过图案化工艺在基底的上表面依次形成发光控制电路和发光控制线、发光单元。
[0048]具体来说，可以首先通过图案化工艺在基底上表面形成发光控制电路和连接发光控制电路的发光控制线，此时得到的结构在一个发光单元处的结构可以参考图4，包括基底100和形成在基底100上的发光控制电路200。之后在发光控制电路200的上方形成发光单元300，此时得到的结构可以参考图5，与图4不同的是，还包括形成在发光控制电路200上方的发光单元300，该发光单元300由阳极310、阴极320以及位于阳极310和阴极320之间的电致发光层330。
[0049]步骤S2，在基底上的下表面形成光转换层。经步骤S2之后得到的结构可以参考图2，与图5不同的是，还包括位于基底100下表面的光转换层400。至此，完成了图1和图2中的曝光装置的制作过程。
[0050]以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
【主权项】
1.一种曝光装置，其特征在于，包括:基底；形成在基底上的多个发光单元、多个发光控制电路、发光控制线以及光转换层；其中，所述曝光装置包括多个受控发光区域，每一个受控发光区域内形成有一个发光单元； 每一个发光控制电路一对一连接一个发光单元，并连接发光控制线，适于在发光控制线所施加的控制的信号的控制下该发光单元的发光状态； 所述光转换层位于各个发光单元的出光方向上，用于将各个发光单元发出的光转换为紫外光后出射。2.如权利要求1所述的曝光装置，其特征在于，每一个发光单元包括第一电极、第二电极以及设置在所述第一电极和所述第二电极之间的电致发光层，所述第一电极连接相应的发光控制电路；各个发光单元的第一电极相互独立。3.如权利要求2所述的曝光装置，其特征在于，所述光转换层形成在基底的第一面上，所述多个发光控制电路和多个发光单元形成在基底的第二面上； 在所述基底的第二面上，所述多个发光单元的第一电极形成在所述多个发光控制电路的上方，所述电致发光层和所述第二电极形成在所述第一电极的上方，且所述第二电极为反射电极，所述第一电极为透明电极。4.如权利要求2所述的曝光装置，其特征在于，所述电致发光层中包括Alq、Balq或DPVBi05.如权利要求1所述的曝光装置，其特征在于，所述光转换层包括Yb3+/Tm3+共掺的Y2O3;或者 Er 3+/Yb3+共掺的 ZnO。6.如权利要I所述的曝光装置，其特征在于，所述多个发光单元和/或所述多个发光控制电路和/或所述发光控制线通过图案化工艺形成在所述基底上。7.如权利要I所述的曝光装置，其特征在于，所述发光控制电路包括薄膜晶体管。8.一种利用如权利要求1-7任一项所述的曝光装置固化封框胶的方法，其特征在于，包括: 在发光控制线上施加控制信号，使待固化的封框胶对应的受控发光区域内的发光单元发光，使其他受控发光区域内的发光单元不发光。9.一种制作曝光装置的方法，其特征在于，包括:在基底上形成多个发光单元、多个发光控制电路、发光控制线以及光转换层；其中，所述曝光装置包括多个受控发光区域，每一个受控发光区域内形成有一个发光单元； 每一个发光控制电路一对一连接一个发光单元，并连接发光控制线，适于在发光控制线所施加的控制的信号的控制下该发光单元的发光状态； 所述光转换层位于各个发光单元的出光方向上，用于将各个发光单元发出的光转换为紫外光后出射。10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述在基底上形成多个发光单元、多个发光控制电路、发光控制线以及光转换层，包括: 通过图案化工艺在基底上形成多个发光单元和/或多个发光控制电路和/或发光控制线以及光转换层。
【专利摘要】本发明提供了一种曝光装置及其制作方法、封框胶固化方法，该曝光装置包括：基底；形成在基底上的多个发光单元、多个发光控制电路、发光控制线以及光转换层；其中，所述曝光装置包括多个受控发光区域，每一个受控发光区域内形成有一个发光单元；每一个发光控制电路一对一连接一个发光单元，并连接发光控制线，适于在发光控制线所施加的控制的信号的控制下该发光单元的发光状态；所述光转换层位于各个发光单元的出光方向上，用于将各个发光单元发出的光转换为紫外光后出射。本发明提供的曝光装置能够应用于对不同显示产品的制作过程中，从而无需针对每一种显示产品都设计一张掩膜版，能够降低显示产品的制作成本。
【IPC分类】G03F7/20, G02F1/1339
【公开号】CN105353566
【申请号】CN201510701377
【发明人】马国靖, 任锦宇, 徐长健, 王丹, 宋勇志
【申请人】京东方科技集团股份有限公司, 北京京东方显示技术有限公司
【公开日】2016年2月24日
【申请日】2015年10月26日