用于辐射源的部件、关联的辐射源和光刻设备的制造方法
【专利说明】用于辐射源的部件、关联的辐射源和光刻设备
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2013年8月2日递交的美国临时申请61/861，663的权益，并且其全文通过引用并入本文。
技术领域
[0003]本发明大体涉及光刻术，并且更具体地涉及一种用于诸如EUV (或者更短波长)辐射源的辐射源的部件。
【背景技术】
[0004]极紫外(EUV)辐射是具有在5-20nm范围内的波长的电磁辐射，并且可以使用等离子体产生。用于产生EUV辐射的辐射系统可以包括用于激发燃料以提供等离子体的激光器和用于容纳等离子体的源收集器设备。等离子体例如可通过引导激光束到达燃料而形成，燃料例如为合适材料(例如，锡)的颗粒或者合适的气体或蒸汽流，例如氙气或锂蒸汽。产生的等离子体发射输出辐射，例如EUV辐射，使用辐射收集器收集该辐射。该辐射收集器可以为反射镜式的(正入射或掠入射)辐射收集器，其接收辐射并且将辐射聚焦成光束。该源收集器设备可以包括设置为提供真空环境以支持等离子体的封闭结构或腔室。通常，这种辐射系统被称为激光产生等离子体(LPP)源。
[0005]EUV辐射源的一种应用是用在光刻术中。光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。光刻设备可用于例如集成电路(1C)的制造过程中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成待形成在所述1C的单层上的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。通常，通过将图案成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上而实现图案的转移。通常，单一衬底将包括相邻目标部分的网络，所述相邻目标部分被连续地图案化。
[0006]为了减小最小的可印刷尺寸，可以使用具有短波长的辐射进行成像。因此，已经提出了使用提供例如在13-14nm范围内的EUV辐射的EUV辐射源。还提出了可以使用具有小于10nm的波长的EUV福射，例如在5_10nm(例如6.7nm或6.8nm)范围内的波长。这种福射被称为极紫外辐射或软X射线辐射。
[0007]EUV辐射源内的许多表面易受燃料碎肩污染。该燃料碎肩可能会聚集在这些表面上，并且经过一段时间，可能流到或落到收集器上，最终导致源输出效率和功率的损失。
【发明内容】
[0008]期望降低源内被燃料污染的表面的污染物的量。
[0009]在第一方面中，本发明提供一种用于辐射源的部件，所述辐射源能够操作以由燃料产生辐射，所述部件具有表面，所述表面包括对于所述燃料具有高润湿性的多个第一区域，所述多个第一区域由对于所述燃料具有低润湿性的第二区域隔开。
[0010]所述第二材料可以为具有超过750摄氏度的熔点的金属材料。
[0011]所述部件可以实现为屏蔽元件，所述屏蔽元件用于保护燃料液滴免受源内的气流影响，所述屏蔽元件包括所述至少一个表面，所述至少一个表面具有对于所述燃料具有高润湿性的多个第一区域，所述多个第一区域由对于所述燃料具有低润湿性的第二区域隔开。所述屏蔽元件可以包括基本上弯曲的形状。
[0012]高润湿性的区域可以被定义为燃料在材料表面上的接触角小于45度的区域。低润湿性的区域可以被定义为燃料在材料表面上的接触角大于90度的区域。低润湿性的区域可以被定义为燃料在材料表面上的接触角大于135度的区域。
[0013]所述部件可以包括加热元件，用于将所述部件加热至足够蒸发所述燃料的温度。所述温度可以超过750摄氏度。
[0014]每个第一区域可以具有在竖直方向上小于5_的尺寸，其中所述竖直方向为重力作用在所述部件上的方向。
[0015]每个第一区域可以具有在竖直方向上小于2_的尺寸，其中所述竖直方向为重力作用在所述部件上的方向。
[0016]每个第一区域可以具有在水平方向上小于20mm或者小于10nm的尺寸。
[0017]在第二方面中，本发明提供一种辐射源，包括:液滴生成器，用于向等离子体生成部位提供燃料液滴；辐射收集器，用于收集和聚焦由所述燃料液滴在所述等离子体生成部位的激发而形成的等离子体产生的辐射；和根据本发明的第一方面的部件。
[0018]下面参考随附的附图详细描述本发明的进一步的特点和优点以及本发明的各个实施例的结构和操作。应当注意，本发明不限于本文所描述的具体实施例。本文所呈现的这些实施例仅用于说明性的目的。基于本文所包含的教导，附加的实施例对本领域技术人员来说将是显而易见的。
【附图说明】
[0019]结合于本文中并且形成说明书的一部分的附图图示了本发明，并且与下面的说明一起进一步解释了本发明的原理，并使相关技术领域的技术人员能够实施和使用本发明。参照随附的附图，仅以举例的方式，描述本发明的实施例，其中:
[0020]图1示意地示出了具有反射式投影光学装置的光刻设备；
[0021]图2为图1的设备的更详细视图；
[0022]图3示出了可用在图2的设备中的可选的源布置；
[0023]图4示出了说明收集器上的燃料碎肩污染物的削减的方面的源布置；
[0024]图5(a)、5(b)、5(c)和5 (d)图示了使用图4的源布置可能遭遇的收集器上的燃料碎肩污染物的可能原因；
[0025]图6图示了使用图4的源布置可能遭遇的收集器上的燃料碎肩污染物的一种可能原因，其中在源布置中具有涂层表面；以及
[0026]图7(a)和7(b)图示了根据本发明的实施例的屏蔽元件，其可用于代替图4的源布置中图示的护罩。
[0027]参考下面阐述的详细说明并结合附图，本发明的特点和优点将更加明显，其中同样的参考符号自始至终标识相应的元件。在附图中，相似的参考标记通常表示相同的、功能相似的和/或结构相似的元件。
【具体实施方式】
[0028]本说明书公开了包含本发明的特征的一个或多个实施例。所公开的实施例(或多个实施例)仅仅例示本发明。本发明的范围不限于所公开的实施例(或多个实施例)。本发明由附于本文的权利要求书限定。
[0029]所描述的实施例(或多个实施例)以及说明书中对“一个实施例”、“实施例”、“示例性实施例”等的引述表示所描述的实施例(或多个实施例)可以包括特定的特征、结构或特点，但是每一个实施例可以不必包括该特定的特征、结构或特点。而且，这些用语不必指相同的实施例。此外，当关于一个实施例描述特定的特征、结构或特点时，应当理解，无论明确描述与否，在本领域技术人员的知识范围内关于其它实施例可以产生该特征、结构或特点。
[0030]图1示意地示出了根据本发明一个实施例的包括源模块S0的光刻设备100。所述设备包括:
[0031]-照射系统(照射器)IL，其配置成调节辐射束B(例如EUV辐射)。
[0032]-支撑结构(例如掩模台)MT，其构造用于支撑图案形成装置(例如掩模或掩模版)MA，并与配置用于精确地定位图案形成装置的第一定位装置PM相连；
[0033]-衬底台(例如晶片台)WT，其构造用于保持衬底(例如涂覆有抗蚀剂的晶片)W，并与配置用于精确地定位衬底的第二定位装置PW相连；和
[0034]-投影系统(例如反射式投影系统)PS，其配置成用于将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如包括一根或更多根管芯)上。
[0035]照射系统可以包括各种类型的光学部件，例如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其它类型的光学部件、或其任意组合，以引导、成形、或控制辐射。
[0036]所述支撑结构MT以依赖于图案形成装置的方向、光刻设备的设计以及诸如图案形成装置是否保持在真空环境中等其他条件的方式保持图案形成装置MA。所述支撑结构可以采用机械的、真空的、静电的或其它夹持技术来保持图案形成装置。所述支撑结构可以是框架或台