有关，为便于理解请参考图2,图2是根据本发明 实施例的GSF薄膜的法拉第旋转角和外加磁场的关系示意图，需要说明的是，图2是在将光 GSF薄膜中的传播路程为470um作为优选值的情况下绘制出的，从图2中可以看出，在外加磁 场达到2000e后即达到GSF薄膜的磁场饱和状态（由GSF薄膜自身性质决定），GSF薄膜的法拉 第转角可以达到45°(饱和转角），此时持续外加磁场强度，法拉第转角也不会再增大。但是， 在外加磁场达到GSF薄膜的磁场饱和状态前，法拉第转角和外加磁场是成线性正比关系的。 [0032]需要说明的是，图2中的饱和转角45°是基于已经设定的传播路程(470um)的，并不 是所有的设计都是法拉第转角达到45°时就达到饱和转角，若传播路程加大，则法拉第转角 也加大(可以达到90°)，若传播路程减小，则法拉第转角也减小(可以接近0°)。
[0033]当然，本发明实施例中仅以GSF为较优选取，在实际应用中，完全可以采用其它不 同种类的磁光材料制作所述磁光开关结构中的所述磁光晶体。
[0034]在本发明实施例中，所述线圈可以采用由导线绕制成的螺线管。较佳地，为了匹配 螺线管形状的线圈，所述磁光晶体最好也做成圆柱形，当然，所述磁光晶体也可以做成矩形 或其它形状（例如梯形）。而且，在实际应用中，所述线圈也可以采用由导线绕制成矩形线 管，为了更好地匹配矩形线管，可以将所述磁光晶体制成矩形。
[0035]作为一个示例，本发明实施例中，所述导线可以采用铜线，这是由于铜线的导电性 能比较好，当然，也完全可以采用铝线、铁线或其它金属导线，只是在导电性能方面要逊于 铜线而已。进一步地，在本实施例中，如果选择铜线作为所述导线，则铜线可以采用漆包铜 线、或绝缘皮铜线，或其它形式的包覆有绝缘材料的铜线，当然还可以直接采用不带绝缘材 料的铜线。
[0036]对于所述磁光开关结构，本实施例的一个优选实施方式提供了多种参数组合，其 中，所述漆包铜线的直径可以为0.01~0.02mm，所述螺线管的长度可以为4~8_，所述螺线 管的直径可以为0.183~0.23mm，且所述线圈的匝数可以为200~300。
[0037]例如，一组参数值为:所述漆包铜线的直径为0.01mm，所述螺线管的长度为4mm，所 述螺线管的直径为0.183mm，且所述线圈的匝数N为200。
[0038] 还例如，另一组参数为:所述漆包铜线的直径为0.02mm，所述螺线管的长度为8mm， 所述螺线管的直径为0.23mm，且所述线圈的匝数N为300。
[0039] 当然，这仅仅是两个优选的参数组合而已，实际应用中，只要能够使所述磁光开关 结构产生的磁场满足预定的磁场强度要求，可以对参数组合中的参数进行任意组合性调 整，当然，不同参数组合后得到的磁光开关结构可能在体积上会有不同，但其仅仅会影响制 作出具有磁光开关结构的阵列基板的厚度而已，并不会对通过阵列基板的光的偏振面的转 角产生影响。
[0040] 本发明实施例还提供了一种磁光开关显示器。该磁光开关显示器包括上述阵列基 板，还包括：电流脉冲控制器，与所述阵列基板中的所述薄膜晶体管连接，用于为所述阵列 基板中的所述磁光开关结构输入脉冲电流;第一偏振片，设置在所述阵列基板的入光侧，用 于对射入所述阵列基板的入射光进行偏光；以及，第二偏振片，设置在所述阵列基板的出光 侦U，用于对从所述阵列基板透射出的出射光进行偏光的。
[0041 ]在磁光开关结构的工作过程中，所述线圈先被电流脉冲控制器中输入的脉冲电流 通电，随着脉冲电流的变化产生磁场。因此，根据脉冲电流的输入时间以及脉冲电流的输入 大小，所述线圈是否产生磁场以及产生磁场的大小可以分为以下三种情况：
[0042] (1)当所述线圈未产生磁场时（即线圈中未输入脉冲电流时），所述出射光全部通 过所述第二偏光片透射出，所述阵列基板的像素显示最高灰阶。
[0043] 这种情况下，由于所述线圈未产生磁场，因此穿插在所述线圈中的所述磁光晶体 不会被磁化，自然对通过其内部的光线（即入射到阵列基板的入射光)的偏振面的角度不会 产生影响，因此从阵列基板出射的出射光的通过率不会受到任何影响，能够全部通过所述 第二偏振片，此时阵列基板的像素可以显示最高灰阶。
[0044] (2)当所述线圈产生磁场的磁场强度值小于预设磁场强度阈值时（即线圈中输入 脉冲电流但并不足够大时），所述出射光部分通过所述第二偏光片透射出，所述阵列基板的 像素显示最高灰阶与最低灰阶之间的灰阶。
[0045] 这种情况下，由于所述线圈已经产生磁场（其磁场强度值比预设磁场强度阈值 小），因此穿插在所述线圈中的所述磁光晶体会被磁化，会对通过其内部的光线（即入射到 阵列基板的入射光)的偏振面的角度产生影响(变化角度大于〇度且小于90度），因此从阵列 基板出射的出射光的通过率受到影响，只有一部分光线可以通过所述第二偏振片，此时阵 列基板的像素显示的灰阶值介于最高灰阶与最低灰阶之间。
[0046] (3)当所述线圈产生磁场的磁场强度值达到且未超过预设磁场强度阈值时，所述 出射光无法通过所述第二偏光片透射出，所述阵列基板的像素显示最低灰阶。
[0047] 这种情况下，所述线圈已经产生磁场（其磁场强度值达到但是并没有超过预设磁 场强度阈值），穿插在所述线圈中的所述磁光晶体会被磁化，会对通过其内部的光线（即入 射到阵列基板的入射光）的偏振面的角度产生影响(变化角度为90度），因此从阵列基板出 射的出射光的通过率受到很大影响，所有光线都无法通过所述第二偏振片，此时阵列基板 的像素显示的灰阶值为最低灰阶。
[0048]需要说明的是，对于（2)和（3)中的预设磁场强度阈值，其大小可以根据上述磁光 开关结构的参数而设定，只要满足当线圈产生磁场的磁场强度值达到该预设磁场强度值 时，通过阵列基板的光线的偏振面的转角刚好为90度即可，即可以保证通过阵列基板的光 线无法从所述第二偏振片射出。
[0049] 在本发明实施例中，所述磁光开关显示器还包括:设置在所述第一偏振片的入光 侧的用于产生所述入射光的背光源，以及设置在所述第二偏振片的出光侧的彩膜。
[0050] 通过本发明实施例的磁光开关显示器，由于在阵列基板中增加设置了磁光开关结 构，因此可以控制通过磁光开关结构的光的强度，从而可以解决现有的LCD显示器存在像素 响应速度过慢的问题。
[0051] 以下采用一个优选示例对本发明实施例进行进一步的描述，同时，结合附图，通过 对该优选示例的描述，对本发明实施例的【具体实施方式】如所涉及的控制结构，相互连接方 式，及实施方式作进一步的详细说明，以便于更加深入、完整和准确理解本发明提供的技术 方案的构思以及技术方案本身的实现有更和深入的理解。
[0052] 该优选示例提供了一个具有磁光开关显示结构的显示器包括背光源、偏光片、磁 光开关结构阵列基板和彩色滤光片，其中磁光开关结构阵列基板由磁光晶体，产生磁场的 线圈及薄膜晶体管(TFT)构成。
[0053]请参考图3,如图3所示，包括背光源、第一偏光片、磁光开关结构阵列基板、第二偏 光片以及彩膜;其中，所述磁光开关结构包括磁光晶体、产生磁场的线圈结构及TFT驱动的 单个像素等效电路。在磁光开关结构阵列基板两侧，分别放置