、GaInNP、GaInNAs、GaInPAs、InAlNP、InAlNAs 和 InAlPAs 中的任何一种。
[0115]所述第IV-VI族类化合物半导体纳米晶体可以是硫化铅(PbS)、砸化铅(PbSe)、碲化铅(PbTe)、硫化锡(SnS)、砸化锡(SnSe)和碲化锡(SnTe)中的任何一种。
[0116]所述第I1-V族类化合物半导体纳米晶体可以是磷化锌(Zn3P2)、砷化锌(Zn3As2)、磷化锦(Cd3P2)、砷化锦(Cd3As2)、氮化锦(CCI3N2)和氮化锌(Zmfe)中的任何一种。
[0117]所述第1-1I1-V族类化合物半导体纳米晶体可以是CuInSe2和Cu(In，Ga)Se2中的任何一种。
[0118]在本申请的示例性实施方案中，重结晶粒子的尺寸根据步骤3)中的冷却速度和搅拌速度而决定。
[0119]在步骤3)中，随着冷却速度和搅拌速度增大，粒子的尺寸减小。这是因为具有相对少的时间来生长聚合物的重结晶粒子。
[0120]在步骤3)中，随着冷却速度和搅拌速度减小，粒子的尺寸增大。这是因为具有相对多的时间来生长聚合物的重结晶粒子。
[0121 ]由于最终冷却温度相对低，如果温差较大，其冷却速度变快，相反，由于最终冷却温度高，如果温差小，其冷却速度变慢。
[0122]在本申请的示例性实施方案中，步骤3)的搅拌速度可以为50rpm以上且为100rpm以下。
[0123]在本申请的示例性实施方案中，步骤2)的升高后的最终温度与步骤3)的最终冷却温度(重结晶温度)之间的差异可以是20°C以上且为150°C以下。具体而言，步骤2)的升高后的最终温度与步骤3)的最终冷却温度(重结晶温度)之间的差异可以是20°C以上且为50°C以下。
[0124]在本申请的示例性实施方案中，步骤3)的冷却温度可以是l°C/min以上且为180°C/min 以下。
[0125]步骤3)中冷却混合物溶液的方法可以采用在本技术领域中通常使用的方法，例如，可以将包含混合物溶液的容器放入包含例如水等溶剂的另一容器中进行非直接冷却。
[0126]在步骤3)中生成的粒子具有弯曲表面的形状，例如，具有例如球形、椭圆形和圆盘形等形状，但是粒子的形状不限于此。
[0127]在本申请的示例性实施方案中，当最长方向定义为X轴，在平面方向上与所述X轴垂直的方向定义为Y轴，在厚度方向上与所述X轴和所述Y轴垂直的方向定义为Z轴时，在步骤3)中形成的粒子的尺寸在X轴上可以为0.Ιμπι以上且为50μηι以下。
[0128]在本申请的示例性实施方案中，当最长方向定义为X轴，在平面方向上与所述X轴垂直的方向定义为Y轴，在厚度方向上与所述X轴和所述Y轴垂直的方向定义为Z轴时，在步骤3)中形成的粒子的尺寸在Y轴上可以为0.Ιμπι以上且为50μηι以下。
[0129]在本申请的示例性实施方案中，当最长方向定义为X轴，在平面方向上与所述X轴垂直的方向定义为Y轴，在厚度方向上与所述X轴和所述Y轴垂直的方向定义为Z轴时，在步骤3)中形成的粒子的尺寸在Z轴上可以为0.Ιμπι以上且为50μηι以下。
[0130]本申请的示例性实施方案还可以包括在步骤3)之后洗涤粒子。
[0131]此处，洗涤形成的粒子的方法没有特别限制，但是可以使用本技术领域中的常规方法。例如，为了洗涤粒子，通过使用离心和将粒子再次分散在一种新的溶剂中重复从溶剂中分离形成的粒子的步骤。
[0132]本申请的示例性实施方案还可以包括在步骤3)之后对粒子的进行超声处理。
[0133]本申请的制备光散射片的方法包括4)使用包含在步骤3)中形成的粒子的组合物来制备光散射片。
[0134]在本申请的示例性实施方案中，基于组合物的总重量，粒子的含量可以为0.lwt%以上且为60wt%以下。
[0135]步骤4)的组合物还可以包含光引发剂、固化树脂和溶剂中的至少一种。
[0136]所述光引发剂的种类没有限制，只要所述光引发剂能够被光进行引发即可，并且可以使用本技术领域中通常使用的物质。
[0137]所述固化树脂没有特别限制，只要所述固化树脂能够通过被光引发剂引发的自由基而固化即可，并且可以使用本技术领域中通常使用的物质。
[0138]例如，所述固化树脂可以是丙烯酸酯类树脂或乙烯基类树脂。
[0139]所述溶剂没有特别限制，并且可以使用本技术领域中通常使用的物质。
[0140]在本申请的示例性实施方案中，为了提高组合物的涂布厚度，溶剂的含量可以降低，或者组合物还可以包含光引发剂和固化树脂而没有溶剂。
[0141]在本申请的示例性实施方案中，基于所述组合物的总重量，所述光引发剂的含量可以为0.lwt%以上且为5wt%以下。
[0142]在本申请的示例性实施方案中，基于所述组合物的总重量，所述固化树脂的含量可以为1wt%以上且为99wt%以下。
[0143]在本申请的示例性实施方案中，基于所述组合物的总重量，所述溶剂的含量可以为0wt%以上且为50wt%以下。
[0144]在本申请的示例性实施方案中，步骤4)还可以包括对包含粒子的组合物进行超声处理。
[0145]在本申请中，所述方法没有特别限制，只要光散射片能够使用组合物来制备即可，但是例如，可以将组合物涂布到基底上并且固化来制备光散射片。
[0146]基底上的涂布方法没有特别限制，只要组合物能够以均匀的厚度涂布到基底上即可，并且可以使用本技术领域中通常使用的方法。例如，所述方法可以是棒涂布、溅射等。
[0147]对基底的材料没有特别限制，但是，例如，所述基底可以是塑料基底、玻璃基底、硅基底等。
[0148]对涂布到基底上的组合物进行固化的方法可以是光固化或热固化，非限制性地，优选光固化。
[0149]在步骤4)中制备的光散射片的厚度可以为0.Ιμπι以上且为500μηι以下。
[0150]在步骤4)中制备的光散射片可以是包含两种或更多种量子点的波长改变片，或者包含一种量子点的波长改变片。
[0151]在本申请的示例性实施方案中，在步骤4)中制备的光散射片可以是包含一种量子点的波长改变片。
[0152]被在步骤4)中制备的光散射片转化的光的最大峰波长可以为400nm以上且为SOOnm以下。在这种情况下，峰波长指量子点的光发射波长的强度最大的波长。
[0153]被在步骤4)中制备的光散射片转化的光的最大峰波长可以为580nm以上且为700nm以下。在这种情况下，具有580nm以上且在700nm以下的最大峰波长的光显不红光。
[0154]被在步骤4)中制备的光散射片转化的光的最大峰波长可以为5OOnm以上且为560nm以下。在这种情况下，具有500nm以上且在560nm以下的最大峰波长的光显不绿光。
[0155]被在步骤4)中制备的光散射片转化的光的最大峰波长可以为420nm以上且为480nm以下。在这种情况下，具有420nm以上且为480nm以下的最大峰波长的光显示蓝光。
[0156]在本申请的示例性实施方案中，还可以包括在步骤4)中制备光散射片之后，去除所述基底的步骤。
[0157]本申请的制备光散射片的方法还包括层压在步骤4)中制备的两个以上的光散射片。
[0158]层压两个以上的光散射片的方法没有特别限制，并且可以使用本技术领域中通常使用的方法。
[0159]例如，可以在两个以上的光散射片之间形成粘合剂层来进行层压。在制备的光散射片上的组合物的涂布和固化可以重复一次或多次来层压两个以上的光散射片。所述两个以上的光散射片可以依次放在它的上面并且加热以粘合。
[0160]在本申请的示例性实施方案中，所述两个以上的光散射片可以分别将入射光的波长转化为不同波长。
[0161]在本申请的示例性实施方案中，两个以上的光散射片中的各个光散射片可以包含相同的量子点。即，各个光散射片可以包含一种量子点。
[0162]在本申请的示例性实施方案中，所述两个以上的光散射片可以将入射光的波长进行转化以生成白光。
[0163]在本申请的示例性实施方案中，所述光散射片可以包括两层光散射片。
[0164]在本申请的示例性实施方案中，所述光散射片可以包括两层光散射片，所述光散射片可以包括对蓝光的波长进行转化以生成红光的第一光散射片；以及对蓝光的波长进行转化以生成绿光的第二光散射片。
[0165]在本申请的示例性实施方案中，还包括在对所述两个以上的光散射片进行层压之后去除基底的步骤。
[0166]在下面的实施例中将给出具体描述。然而，提出下面的实施例是为了说明本申请，但是本申请的范围不限于此。
[0167][制备实施例1]
[0168]包含分散在聚合物的晶畴中的量子点的粒子的制备
[0169]将50mg聚乙烯蜡加入到20ml的玻璃小瓶中，加入5g甲苯，将溶液加热至90°C。溶液的温度一达到90°C，就注入120μ1合适浓度(标准:25mg/ml甲苯)的CdSe/ZnS红色量子点溶液。将玻璃小瓶放入室温下的水浴(预先设定其温度)中，搅拌I分钟(200rpm)，从水浴中分离，并在室温下停留4分钟，从玻璃小瓶中分离搅拌子。在玻璃小瓶停留直至完全冷却之后，收集玻璃小瓶的20g溶液，在圆锥管中分开来进行洗涤用的离心(3000rpm，5分钟)。离心后去除上清液。将甲苯加至沉淀后的粒子中制备20g溶液，通过涡流对粒子进行再分散。前述洗涤工艺重复三次来完全去除未反应的物质。
[0170][制备实施例2]
[0171 ]除了水浴的温度(重结晶的温度)改变为25°C以外，制备实施例2与制备实施例1相同。
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