，可以改善膜质，a-Si受光照影响小，或者增加压力，可以改善钝化层界面态;在形成N+欧姆接触层图形的过程中，减小刻蚀功率，增加时间，增加SF6气体，可以提高N+欧姆接触层刻蚀均一性，改善与钝化层接触面，等等。当然，调整阵列基板上的膜层的工艺参数，不仅包括上述列举的膜层，也可以为其它膜层，可以根据实际情况而定，在此不做限定。
[0073]基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种本发明实施例提供的上述面板的检测系统，包括:
[0074]测试单元，用于对测试样品组进行高温信赖性测试，确定测试样品组中出现缺陷的面板;测试样品组为包括未切割的多个面板的标准面板组；
[0075]确定单元，用于将测试样品组进行拆解得到包含多个阵列基板的母板，根据阵列基板的TFT的栅极截止电压值，确定出现缺陷的面板中阵列基板的TFT的与栅极截止电压值对应的漏电流值；
[0076]判断单元，用于若确定的所述漏电流值与预先确定的标准关态电流值之间的差值小于或等于设定阈值，判断所述测试样品组中阵列基板的TFT合格;若否，则判断所述测试样品组中阵列基板的TFT未合格。
[0077]本发明实施例提供的检测系统可以在未将标准面板组制成模组之前，及时判断标准面板组中阵列基板的TFT是否合格，节约了工艺制程的时间，以及降低了成本。。
[0078]在具体实施时，在本发明实施例提供的上述面板的检测系统中，测试单元，具体用于对测试样品组中所有阵列基板加载栅极开启信号;在测试样品组中的所有像素点被点亮时，控制温度上升至预定温度，确定在温度上升的过程中出现不良现象的面板作为出现缺陷的面板。
[0079]在具体实施时，在本发明实施例提供的上述面板的检测系统中，确定单元，具体用于对出现缺陷的显示面板中阵列基板上的测试点进行TFT特性曲线测试;测试点设置在阵列基板的非显示区域且包含与显示区域和栅极驱动电路的TFT形状相同的TFT;根据阵列基板的TFT的栅极截止电压值，在得到的TFT特性曲线中确定出现缺陷的面板中阵列基板的TFT的与栅极截止电压值对应的漏电流值。
[0080]本发明实施例提供的一种面板的检测方法及其检测系统，该方法包括:对测试样品组进行高温信赖性测试，确定测试样品组中出现缺陷的面板;测试样品组为包括未切割的多个面板的标准面板组;将测试样品组进行拆解得到包含多个阵列基板的母板，根据阵列基板的TFT的栅极截止电压值，确定出现缺陷的面板中阵列基板的TFT的与栅极截止电压值对应的漏电流值;若确定的漏电流值与预先确定的标准关态电流值之间的差值小于或等于设定阈值，判断阵列基板的TFT合格;若否，则判断未合格。本发明实施例提供的方法可以在未将标准面板组制成模组之前，及时判断标准面板组中阵列基板的TFT是否合格，节约了工艺制程的时间，以及降低了成本。
[0081]显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
【主权项】
1.一种面板的检测方法，其特征在于，包括: 对测试样品组进行高温信赖性测试，确定所述测试样品组中出现缺陷的面板;所述测试样品组为包括未切割的多个面板的标准面板组； 将所述测试样品组进行拆解得到包含多个阵列基板的母板，根据阵列基板的TFT的栅极截止电压值，确定所述出现缺陷的面板中阵列基板的TFT的与所述栅极截止电压值对应的漏电流值； 若确定的所述漏电流值与预先确定的标准关态电流值之间的差值小于或等于设定阈值，判断所述测试样品组中阵列基板的TFT合格;若否，则判断所述测试样品组中阵列基板的TFT未合格。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，根据所述阵列基板的TFT的栅极截止电压值，确定所述出现缺陷的面板中阵列基板的TFT的与所述栅极截止电压值对应的漏电流值，具体包括: 对所述出现缺陷的面板中阵列基板上的测试点进行TFT特性曲线测试;所述测试点设置在所述阵列基板的非显示区域且包含与显示区域和栅极驱动电路的TFT形状相同的TFT; 根据所述阵列基板的TFT的栅极截止电压值，在得到的TFT特性曲线中确定所述出现缺陷的面板中阵列基板的TFT的与所述栅极截止电压值对应的漏电流值。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，采用下述方式确定测试样品组中出现缺陷的面板: 对所述测试样品组中所有阵列基板加载栅极开启信号； 在所述测试样品组中的所有像素点被点亮时，控制温度上升至预定温度，确定在温度上升的过程中出现不良现象的面板作为出现缺陷的面板。4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，对所述测试样品组中所有阵列基板加载栅极开启信号，具体包括: 通过在所述测试样品组的周边区域设置的与所有阵列基板电性连接的启动信号端对所有阵列基板加载栅极开启信号;或， 分别对所有阵列基板加载栅极开启信号。5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，采用下述方式确定标准关态电流值: 对未出现缺陷的面板中阵列基板上的测试点进行TFT特性曲线测试;所述测试点设置在所述阵列基板的非显示区域且包含与显示区域和栅极驱动电路的TFT形状相同的TFT; 根据所述阵列基板的TFT的栅极截止电压值，在得到的TFT特性曲线中确定所述未出现缺陷的面板中阵列基板的TFT的与所述栅极截止电压值对应的漏电流值作为标准关态电流值。6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，判断所述测试样品组中阵列基板的TFT未合格时，对所述阵列基板的TFT设计或工艺条件进行改进，并重新制作测试样品组进行检测直至改进后的测试样品组中所有阵列基板的TFT合格。7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，对阵列基板的TFT设计进行改进，具体包括: 调整阵列基板上的各TFT的栅极与有源层的位置对应关系;或， 调整有源层的尺寸大小。8.如权利要求6所述的方法，其特征在于，对阵列基板的工艺条件进行改进，具体包括: 调整阵列基板上的栅极绝缘层、有源层、钝化层或欧姆接触层的工艺参数。9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述设定阈值为15pA。10.一种面板的检测系统，其特征在于，包括: 测试单元，用于对测试样品组进行高温信赖性测试，确定所述测试样品组中出现缺陷的面板;所述测试样品组为包括未切割的多个面板的标准面板组； 确定单元，用于将所述测试样品组进行拆解得到包含多个阵列基板的母板，根据所述阵列基板的TFT的栅极截止电压值，确定所述出现缺陷的面板中阵列基板的TFT的与所述栅极截止电压值对应的漏电流值； 判断单元，用于若确定的所述漏电流值与预先确定的标准关态电流值之间的差值小于或等于设定阈值，判断所述测试样品组中阵列基板的TFT合格;若否，则判断所述测试样品组中阵列基板的TFT未合格。11.如权利要求10所述的检测系统，其特征在于，测试单元，具体用于对所述测试样品组中所有阵列基板加载栅极开启信号； 在所述测试样品组中的所有像素点被点亮时，控制温度上升至预定温度，确定在温度上升的过程中出现不良现象的面板作为出现缺陷的面板。12.如权利要求11所述的检测系统，其特征在于，确定单元，具体用于对出现缺陷的面板中阵列基板上的测试点进行TFT特性曲线测试;所述测试点设置在所述阵列基板的非显示区域且包含与显示区域和栅极驱动电路的TFT形状相同的TFT; 根据所述阵列基板的TFT的栅极截止电压值，在得到的TFT特性曲线中确定出现缺陷的面板中阵列基板的TFT的与所述栅极截止电压值对应的漏电流值。
【专利摘要】本发明公开了一种面板的检测方法及其检测系统，该方法包括：对测试样品组进行高温信赖性测试，确定测试样品组中出现缺陷的面板；测试样品组为包括未切割的多个面板的标准面板组；将测试样品组进行拆解得到包含多个阵列基板的母板，根据阵列基板的TFT的栅极截止电压值，确定出现缺陷的面板中阵列基板的TFT的与栅极截止电压值对应的漏电流值；若确定的漏电流值与预先确定的标准关态电流值之间的差值小于或等于设定阈值，判断阵列基板的TFT合格；若否，则判断未合格。本发明实施例提供的方法可以在未将标准面板组制成模组之前，及时判断标准面板组中阵列基板的TFT是否合格，节约了工艺制程的时间，以及降低了成本。
【IPC分类】G02F1/13
【公开号】CN105589234
【申请号】CN201610173568
【发明人】薛静, 朱红, 许倩文, 谷玥, 刘洪泽, 赵亮, 王海金
【申请人】京东方科技集团股份有限公司, 北京京东方光电科技有限公司
【公开日】2016年5月18日
【申请日】2016年3月24日