Pi液涂布方法_2

文档序号:9843374阅读:来源:国知局
宽边也与第一光罩300的另一条长边对齐为止。
[0046]请参考图5,由于第一光罩300的作用,在传送机台500上相对于超紫外光源200匀速运动的基板100的长边所在的边缘处宽度为K的第一边缘区域111被第一遮光区310遮挡在步骤3中始终没有被超紫外光EUV照射到,而被两第一边缘区域111所夹的第一中间区域121虽然被超紫外光EUV照射,但照射时间不长,使表面的有机物部分被消除。
[0047]步骤3、请参考图6和图7,将第二光罩400设置于超紫外光源200下,将基板100旋转90°后再放置在传送机台500上,使基板100的一条长边与第二光罩400的一条长边对齐,传送机台500开始传送基板100,超紫外光源200经过第二光罩400对基板100进行照射,直至基板100的另一条长边与第二光罩400的另一条长边对齐为止。
[0048]可选地,基板100的旋转方向可以是顺时针或逆时针。
[0049]请参考图7,由于第二光罩400的作用,在传送机台500上相对于超紫外光源200匀速运动的基板100宽边所在的缘处宽度为K的第二边缘区域112被第二遮光区410遮挡在步骤4中始终没有被超紫外光EUV照射到,而第二边缘区域112所夹的第二中间区域122再次被超紫外光EUV照射,使表面的有机物部分被进一步消除。
[0050]进一步地,经过步骤4和步骤5后在基板100上形成有机物状态不同的第一区域110和第二区域120,所述第一区域110为位于所述基板100边缘的经过一次和没有经过超紫外光照射的区域,所述第二区域120为位于所述基板100中央的经过两次超紫外光照射的区域,所述第一区域110包围所述第二区域120。所述第一区域110的有机物浓度大于所述第二区域120的有机物浓度。
[0051]具体的,所述步骤2与步骤3中传送机台匀速传送基板。
[0052]步骤4、请参考图6,将PI液涂布在基板100上的第二区域120。
[0053]具体地,由于步骤3中被超紫外光EUV照射到的第一中间区域121与步骤4中被超紫外光照射到的第二中间区域122有部分是重叠的,这部分重叠区域即为基板100上的第二区域120,由于第二区域120经过两次的超紫外光照射,使其表面的有机物浓度较低,PI液在第二区域120的扩散性较好,能够均匀涂布;步骤3中未被超紫外光照射到的第一边缘区域111与步骤4中未被超紫外光照射到的第二边缘区域112的总和即为基板100上的第一区域110,在第一区域110中,部分区域在步骤3或步骤4中受到过一次光照,而在基板100角落的四个区域123为第一边缘区域111与第二边缘区域112的重合部分未受过光照,因此第一区域110表面的有机物浓度较高,PI液不易扩散。
[0054]由于基板100上第二区域120有机物浓度较低,第一区域110有机物浓度较高,将PI液涂布在基板100上的第二区域120后,PI液能够均匀地在第二区域120内扩散,配向膜的品质较好,同时由于在基板100上第一区域110包围第二区域120,且第一区域110的有机物浓度大于所述第二区域120的有机物浓度,PI液很难从第二区域120扩散到第一区域110中,进而可防止PI液扩散超出,影响框胶涂布或者产生周边缺陷。基板100上的第一区域110用于在后续制程之中涂布框胶以用于在液晶显示面板的成盒制程将薄膜晶体管阵列基板和彩色薄膜基板组合。
[0055]综上所述,本发明提供的PI液涂布方法,提供了长度分别与基板宽度和基板长度相等的第一光罩与第二光罩,并在第一光罩和第二光罩宽边所在的边缘设置宽度为框胶宽度的第一遮光区和第二遮光区,将基板放置在传送机台上使超紫外线光通过第一光罩对基板进行照射,之后将基板90°旋转后使超紫外线光通过第二光罩对基板进行照射,由于位于基板中心的第二区域经过两次超紫外光照射,表面分布的有机物较少,使PI液分布均匀,配向膜品质较好;第一区域部分经过一次照射,部分没有经过照射,表面分布的有机物较多,基板上产生有机物浓度不同的区域,PI液不易从第二区域扩散至第一区域,能够改善PI液涂布精度,防止PI液扩散超出,影响框胶涂布或者产生周边缺陷,提升配向膜的成膜品质,减少产品的缺陷。
[0056]以上所述,对于本领域的普通技术人员来说,可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形,而所有这些改变和变形都应属于本发明后附的权利要求的保护范围。
【主权项】
1.一种PI液涂布方法,其特征在于,包括以下步骤: 步骤1、提供一基板(100)、一超紫外光源(200)、一第一光罩(300)、一第二光罩(400)、及一传送机台(500); 所述第一光罩(300)的长度等于基板(100)的宽度; 所述第一光罩(300)包括:一第一透光区(320)、及分别位于第一透光区(320)的两端沿所述第一光罩(300)的宽度方向延伸的两条状的第一遮光区(310); 所述第二光罩(400)的长度等于基板(100)的长度; 所述第二光罩(400)包括:第二透光区(420)、及分别位于第二透光区(420)的两端沿所述第二光罩(400)的宽度方向延伸的两条状的第二遮光区(410); 步骤2、将第一光罩(300)设置于超紫外光源(200)下,将基板(100)放置在传送机台(500)上,使基板(100)的一条宽边与第一光罩(300)的一条长边对齐,传送机台(500)开始传送基板(100),超紫外光源(200)经过第一光罩(300)对基板(100)进行照射,直至基板(100)的另一条宽边与第一光罩(300)的另一条长边对齐为止; 步骤3、将第二光罩(400)设置于超紫外光源(200)下,将基板(100)旋转90°后再放置在传送机台(500)上,使基板(100)的一条长边与第二光罩(400)的一条长边对齐,传送机台(500)开始传送基板(100),超紫外光源(200)经过第二光罩(400)对基板(100)进行照射,直至基板(100)的另一条长边与第二光罩(400)的另一条长边对齐为止,从而在基板(100)上形成有机物浓度不同的第一区域(110)和第二区域(120),所述第一区域(110)为位于所述基板(100)边缘的经过一次和没有经过超紫外光照射的区域,所述第二区域(120)为位于所述基板(100)中央的经过两次超紫外光照射的区域,所述第一区域(110)包围所述第二区域(120); 步骤4、将PI液涂布在基板(100)的第二区域(120)。2.如权利要求1所述的PI液涂布方法,其特征在于,所述步骤I中的基板(100)在前一制程中经过湿式清洗。3.如权利要求1所述的PI液涂布方法,其特征在于,所述步骤I中的基板(100)为薄膜晶体管阵列基板。4.如权利要求1所述的PI液涂布方法,其特征在于,所述步骤I中的基板(100)为彩色薄膜滤光基板。5.如权利要求3或4所述的PI液涂布方法,其特征在于,所述步骤I中的基板(100)为玻璃基板。6.如权利要求1所述的PI液涂布方法,其特征在于,所述第一区域(110)的有机物浓度大于所述第二区域(120)的有机物浓度。7.如权利要求1所述的PI液涂布方法,其特征在于,所述第一区域(110)为所述基板(100)涂布框胶的区域,其宽度等于框胶的宽度。8.如权利要求1所述的PI液涂布方法,其特征在于,所述步骤3中基板(100)旋转的方向为顺时针。9.如权利要求1所述的PI液涂布方法,其特征在于,所述步骤3中基板(100)旋转的方向为逆时针。10.如权利要求1所述的PI液涂布方法,其特征在于,所述步骤2与步骤3中传送机台 (500)匀速传送基板(100)。
【专利摘要】本发明提供一种PI液涂布方法,提供了长度分别与基板宽度和长度相等的第一光罩与第二光罩,并在第一光罩和第二光罩宽边所在的边缘设置宽度为框胶宽度的第一遮光区和第二遮光区,超紫外线光源通过第一光罩对基板进行第一次照射后旋转90°,再通过第二光罩对基板进行第二次照射,位于基板上的第二区域经过两次超紫外光照射,有机物浓度较低;第一区域照射次数少于两次,有机物浓度较高,使PI液不易从第二区域扩散至第一区域,以此控制PI液涂布的精度,提升配向膜的品质,减少产品的缺陷。
【IPC分类】G02F1/1337
【公开号】CN105607349
【申请号】CN201610143237
【发明人】朱美娜
【申请人】深圳市华星光电技术有限公司
【公开日】2016年5月25日
【申请日】2016年3月14日
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