一种偏光装置及其驱动方法、显示装置的制造方法
【专利摘要】本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种偏光装置及其驱动方法、显示装置，用以解决现有技术中存在的显示装置无法切换视角范围而造成用户体验降低的问题。本申请在偏光装置的密闭空间内设置图案化的导电层，通过对导电层的施加电压的控制，以改变密闭空间内电场的大小及方向，使得一维纳米导电单元的长轴沿着电场方向排布，从而形成光栅，当光入射时，垂直于一维纳米导电单元长轴方向的光可以透过，其他方向的光被吸收，这样，通过调整偏光装置内的电场方向，实现不同偏振方向的切换。进而，提升用户的体验。
【专利说明】
一种偏光装置及其驱动方法、显示装置
技术领域
[0001]本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种偏光装置及其驱动方法、显示装置。
【背景技术】
[0002]现有技术中，人们越来越频繁使用例如:手机、pad等电子显示产品，以满足娱乐或是办公等其他需求。考虑到电子显示产品的视角范围较广，若是在公众场合，不可避免会造成隐私泄漏的问题。
[0003]目前，为满足人们对隐私保护的需求，业界出现了一些防窥技术，例如，在现有的电子显示产品上集成具有防窥功能的高分子膜片，或者是利用偏光片吸收轴角度变换搭配补偿膜设计达到防窥功能。然而，这种防窥设计一旦使用，就无法使电子显示产品恢复到原来的正常视角范围，给用户的使用带来不便，降低用户体验。
【发明内容】
[0004]本发明实施例提供一种偏光装置及其驱动方法、显示装置，用以解决现有技术中存在的显示装置无法切换视角范围而造成用户体验降低的问题。
[0005]本发明实施例采用以下技术方案:
[0006]—种偏光装置，包括:
[0007]位于入光侧的第一透明基底，与所述第一透明基底相向而设且位于出光侧的第二透明基底，封闭所述第一透明基底和所述第二透明基底使之形成密闭空间的侧板，设置在所述密闭空间内壁的图案化的导电层，填充在所述密闭空间内的透明高分子流体以及分散在所述透明高分子流体中的一维纳米导电单元；
[0008]其中，所述一维纳米导电单元的长轴随着所述密闭空间内的电场的变化而发生偏转。
[0009]通过偏光装置内的电场的变化，由于一维纳米导电单元的长轴沿着电场方向排布，从而形成光栅，当光入射时，垂直于一维纳米导电单元长轴方向的光可以透过，其他方向的光被吸收，这样，通过调整偏光装置内的电场方向，实现不同偏振方向的切换。
[0010]可选地，还包括:设置在所述密闭空间任一位置处且连接有控制端的电气接口；
[0011]所述导电层通过所述电气接口与所述控制端连接，且通过所述控制端切换产生平行于所述第一透明基底表面且与预设偏光方向相同的电场。
[0012]通过该方案，能够利用设置在密闭空间内的导电层以及电气接口实现对密闭空间内的电场方向的控制切换，从而，灵活实现多个偏振方向的切换。
[0013]可选地，所述导电层包含多个电极块；
[0014]所述多个电极块排布在所述第一透明基底表面的四个边缘区域和/或所述第二透明基底表面的四个边缘区域。
[0015]通过该方案，在基底表面的四个边缘区域设置电极块，能够通过控制端在密闭空间内实现多个电场方向的切换，进而，实现多个偏振方向的切换。
[0016]可选地，所述第一透明基底表面的导电层的图案在所述第二透明基底上的正投影与所述第二透明基底表面的导电层的图案相重合。
[0017]该方案能够保证上、下基底的导电层形成的电场方向均匀一致。
[0018]可选地，所述电极块的材料为透明导电材料。
[0019]该方案能够提升透过率。
[0020]可选地，所述第一透明基底表面或所述第二透明基底表面设置有导电层，所述电极块在沿垂直所述第一透明基底表面方向的厚度取值范围为45nm-55nm，所述电极块占据边缘区域的宽度范围为35nm-45nm0
[0021]该方案能够避免占用过多边缘区域，提升透过率。
[0022]可选地，所述第一透明基底和所述第二透明基底均设置有导电层，所述电极块在沿垂直所述第一透明基底表面方向的厚度取值范围为25nm-35nm，所述电极块占据边缘区域的宽度范围为35nm-45nm0
[0023]该方案能够避免占用过多边缘区域，提升透过率。
[0024]可选地，所述导电层包括多个电极块;所述多个电极块排布在所述侧板的表面。
[0025]通过该方案，在侧板设置电极块，一方面，能够通过控制端在密闭空间内实现多个电场方向的切换，进而，实现多个偏振方向的切换，另一方面，无需占用基底表面区域，提升光的透过率。
[0026]可选地，相向而设的任意两个侧板表面的导电层的图案以所述密闭空间的中心对称设置。
[0027]该方案能够保证形成的电场方向均匀一致，且便于调节电场方向。
[0028]可选地，所述电极块在沿垂直所述第一透明基底表面方向的高度取值范围为45nm_55nm0
[0029]该方案能够避免占用过多边缘区域，提升透过率。
[0030]可选地，所述密闭空间在沿垂直所述第一透明基底表面方向的厚度取值范围为80nm-100nmo
[0031]该厚度范围可以保证一维纳米导电单元的合理偏转，且可以保证偏光装置的较薄厚度。
[0032]可选地，所述一维纳米导电单元的材质为金属纳米线或碳纳米管。
[0033]该材质可以保证垂直长轴方向的光透过，平行长轴方向的光吸收。
[0034]可选地，所述一维纳米导电单元呈柱状，所述一维纳米导电单元的直径取值范围为50nm_70nmo
[0035]该方案能够保证密闭空间内平铺一层一维纳米导电单元，以有效控制形成所需的光栅结构。
[0036]可选地，所述密闭空间内电场方向的变化范围为0°-180°。
[0037]该方案能够保证密闭空间内电场方向的变化范围较大，从而，使得偏光装置的偏光角度的范围也较大。
[0038]一种显示装置，包括:液晶显示面板，还包括:所述的两个偏光装置；
[0039]其中，所述两个偏光装置中其一位于所述液晶显示面板的出光面，另一个位于所述液晶显不面板的入光面。
[0040]该显示装置的偏光装置可以根据需要进行不同视角范围的切换。
[0041 ]可选地，还包括:设置于任一偏光装置外表面的视角补偿膜。
[0042]该方案能够有效补偿斜向光线透过液晶盒的位相变化，从而实现减少暗态漏光的目的。
[0043]可选地，所述两个偏光装置可切换的偏光角度组合包括:
[0044]位于出光面的偏光装置的偏光角度为15°，位于入光面的偏光装置的偏光角度为105。;或者，
[0045]位于出光面的偏光装置的偏光角度为165°，位于入光面的偏光装置的偏光角度为75。;或者，
[0046]位于出光面的偏光装置的偏光角度为0°，位于入光面的偏光装置的偏光角度为90。;或者，
[0047]位于出光面的偏光装置的偏光角度为45°，位于入光面的偏光装置的偏光角度为135。。
[0048]该方案能够灵活实现各种场景的应用，尤其是防窥视角与常规视角之间的切换。
[0049]—种所述的偏光装置的驱动方法，包括:
[0050]调整为密闭空间施加的电压，使所述密闭空间产生同一取向方向的电场；
[0051]所述密闭空间内的一维纳米导电单元的长轴在所述电场的作用下发生偏转。
[0052]可选地，调整为密闭空间施加的电压，具体包括:
[0053]控制端切换所述密闭空间中各个电极块所连接的电压端口，或者，
[0054]所述控制端调整所述密闭空间中各个电极块所连接的电压端口的电压。
[0055]该方案能够通过调整密闭空间内的电压灵活调整一维纳米单元的排布方向，进而，灵活调整进入偏光装置的光的偏振方向。
【附图说明】
[0056]为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简要介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域的普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0057]图1为本发明实施例提供的一种偏光装置的结构示意图之一；
[0058]图2为本发明实施例提供的一种偏光装置的结构示意图之二；
[0059]图3(a)-图3(c)为本发明实施例提供的方案一中的三种偏光装置的导电层设置结构示意图；
[0060]图4(a)为基于图3(c)中偏光装置的俯视图；
[0061]图4(b)为沿图4(a)中切割线a-a切剖的截面示意图；
[0062]图5(a)为本发明实施例提供的方案二中偏光装置的俯视图；
[0063]图5(b)为基于图5(a)的偏光装置中一个侧板13的示意图；
[0064]图5(c)为基于图5(a)的偏光装置的俯视图；
[0065]图6(a)为偏光装置施加一电压而产生一电场的原理不意图；
[0066]图6(b)为密闭空间内一维纳米导电单元沿图6(a)中电场排布形成的结构示意图；
[0067]图6(c)为偏光装置施加另一电压而产生另一电场的原理示意图；
[0068]图6(d)为密闭空间内一维纳米导电单元沿图6(c)中电场排布形成的结构示意图；
[0069]图7为本发明提供的显示装置的示意图之一；
[0070]图8为本发明提供的显示装置的示意图之二；
[0071 ]图9为本发明提供的偏光装置的驱动方法步骤流程图。
【具体实施方式】
[0072]为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
[0073]下面通过具体的实施例对本发明所涉及的技术方案进行详细描述，本发明包括但并不限于以下实施例。
[0074]如图1所示，为本发明实施例提供的一种偏光装置的结构示意图，该偏光装置主要包括:
[0075]位于入光侧的第一透明基底11，与第一透明基底11相向而设且位于出光侧的第二透明基底12，封闭第一透明基底11和第二透明基底12使之形成密闭空间的侧板13，设置在密闭空间内壁的图案化的导电层14，填充在密闭空间内的透明高分子流体15以及分散在透明高分子流体15中的一维纳米导电单元16;其中，一维纳米导电单元16的长轴随着密闭空间内的电场的变化而发生偏转。
[0076]通过该技术方案，由于一维纳米导电单元的长轴沿着电场方向排布，从而形成光栅，当光入射时，垂直于一维纳米导电单元长轴方向的光可以透过，其他方向的光被吸收，这样，通过调整偏光装置的密闭空间内的电场的方向及大小，实现不同偏振方向的切换。
[0077]其中，需要说明的是，所涉及的侧板13可以为一个板材所围设成的具有四个侧面的侧板，或者为四个板材所组合成的具有四个侧面的侧板，其具体实现方式不限。
[0078]可选地，参照图2所示，该偏光装置还包括:设置在密闭空间任一位置处且连接有控制端的电气接口 17 ;导电层14通过电气接口 17与控制端L连接，且通过控制端L切换产生平行于第一透明基底11表面且与预设偏光方向相同的电场。其中，电气接口一般为多个连接各个电极块的引线所引出的一个出线口，其最终连接至控制端。
[0079]其实，该控制端L为偏光装置的一控制芯片，可以集成在该偏光装置的外表面，例如，设置在侧板的外表面;该控制端L用于对连接的导电层进行电压控制，具体的控制方式可以根据导电层的图案设计进行选择。
[0080]在本发明实施例中，可通过选择合适的电气控制端、电场频率以及流体浓度等参数，精准控制偏光装置的偏光方向。其中，流体浓度是指一维纳米导电单元在透明高分子流体中的浓度比例，例如可以为1-3微克/毫升。一维纳米导电单元的排列有序性受到电场频率的影响，电场频率越大则排列有序性较好，反之，则排列有序性较差。一般情况下，在电场频率为5-10兆赫兹范围内，一维纳米导电单元的排列有序性较高。一维纳米导电单元的移动速率则受到电场大小即电压的影响，电压越大，移动速率越大，其中，本发明以10-15伏电压为例。
[0081]在本发明实施例中密闭空间内壁的导电层的图案以及位置可以包含如下设计方式:
[0082]方案一:导电层包含多个电极块;多个电极块排布在第一透明基底表面的四个边缘区域和/或第二透明基底表面的四个边缘区域。
[0083]具体地，参照图3(a)所示，该偏光装置中密闭空间的内壁设置的导电层14包含多个电极块141，其中，导电层14仅排布在第一透明基底11表面，那么，这些电极块141仅排布在第一透明基底11表面的四个边缘区域;或者，
[0084]参照图3(b)所示，导电层14仅排布在第二透明基底12表面，电极块141排布在第二透明基底12表面的四个边缘区域;或者，
[0085]参照图3(c)所不，导电层14一部分排布在第一透明基底11表面，另一部分排布在第二基底12表面，即电极块141排布在第一透明基底11表面的四个边缘区域以及第二透明基底表面的四个边缘区域。
[0086]可选地，基于图3(c)所示的结构，参照图4(a)所示的偏光装置的俯视图，第一透明基底11表面的导电层14的图案与第二透明基底12表面的导电层14的图案相同。同时，结合图4(b)所示的沿图4(a)中切割线a-a切剖的截面示意图可知，第一透明基底11表面的导电层14的图案在第二透明基底12上的正投影与第二透明基底12表面的导电层14的图案相重合。从而，保证该偏光装置的第一透明基底11形成的电场与第二透明基底12形成的电场一致。
[0087]需要说明的是，为了简化视图，便于理解，本申请除了图2示出了电气接口以外，其他视图均未示出，但并不代表其他方案中不包括该电气接口。
[0088]可选地，如图4(a)所示，导电层14中电极块141沿着边缘区域均匀排布，从而，保证电场切换时的均匀性。
[0089]此外，考虑到导电层14设置在第一透明基底11表面和/或第二透明基底12表面，虽然设置在边缘区域，不可避免的会对偏光装置的开口率造成影响，因而，为了保证该偏光装置的开口率，可选地，电极块的材料为透明导电材料。具体可以为透明氧化物，例如:铟锡氧化物IT0。
[0090]可选地，在本发明实施例中，基于图3(a)、图3(b)所示，第一透明基底11表面或第二透明基底12表面设置有导电层，电极块141在沿垂直第一透明基底11表面方向(即图示中y方向)的厚度取值范围为45nm-5 5nm，电极块占据边缘区域的宽度(即图示中x方向)范围为35nm_45nm。例如，电极块141厚度可以为50nm，宽度为40nm。从而，避免电极块141占用过多的边缘区域，保证偏光装置的透过率。
[0091]同理，基于图3(c)所示，第一透明基底11和第二透明基底12均设置有导电层14，电极块141在沿垂直第一透明基底11表面方向的厚度取值范围为25nm-35nm，电极块占据边缘区域的宽度范围为35nm-45nm。例如，电极块141厚度可以为30nm，宽度为40nmo
[0092]方案二:导电层包括多个电极块;多个电极块排布在侧板的表面。
[0093]具体地，参照图5(a)所示的偏光装置的俯视图，该俯视图中将第一透明基底掀开，导电层14包括多个电极块141，多个电极块141排布在侧板13的表面。另外，参见图5(b)所不的偏光装置中一个侧板13的示意图，该侧板13上排布有多个电极块141，且这些电极块141优选以较为规则的排布方式设置，例如:以均匀齐平设置为佳。从而，保证可以均匀的调整电场。而且，在侧板设置电极块，一方面，能够通过控制端在密闭空间内实现多个电场方向的切换，进而，实现多个偏振方向的切换，另一方面，无需占用基底表面的边缘区域，提升偏光装置的透过率。
[0094]可选地，相向而设的任意两个侧板表面的导电层的图案以密闭空间的中心对称设置。参照图5(c)所示的偏光装置的俯视图可知，该偏光装置的四个侧板分别设置有导电层，其中，侧板131与侧板132相向而设，侧板133与侧板134相向而设，其中，侧板131表面的导电层14的图案与侧板132表面的导电层14的图案以密闭空间的中心O对称设置，侧板133表面的导电层14的图案与侧板134表面的导电层14的图案以密闭空间的中心O对称设置。从而，保证形成的电场方向均匀一致，且便于调节电场方向。
[0095]可选地，在本发明实施例中，参照图5(b)所示，电极块141在沿垂直第一透明基底表面方向的高度取值范围为45nm-55nm。其优选设置在侧板的中间位置，且按照齐平方式设置排布。密闭空间在沿垂直第一透明基底表面方向的厚度取值范围为80nm-100nmo
[0096]需要说明的是，在本发明实施例中，电极块141均匀排布在第一透明基底11的边缘区域和/或第二透明基底12的边缘区域，或者，均匀排布在侧板内壁。且相邻电极块141之间的间距可以根据实际调试得到合理的数值，以保证相邻电极块141不接触，且避免相邻电极块141之间的电压干扰。
[0097]可选地，在本发明实施例中，密闭空间内分散在高分子流体中的一维纳米导电单元的材质为金属纳米线或碳纳米管。可选地，一维纳米导电单元呈柱状，一维纳米导电单元的直径取值范围为50nm-70nm。其中，一维纳米导电单元在未施加电场的密闭空间中无规则排布，当施加电场之后，一维纳米导电单元的长轴沿着电场的方向排布，通过设置在密闭空间内壁的图案化的导电层，可以合理选择施加电压的电极块的组合以及电压大小、高分子流体的密度等，以实现精准控制电场方向的调整。
[0098]以图6(a)为例，该偏光装置的密闭空间内壁设置有图案化的导电层，其中，边界I设置有电极块&1、&2、33，相对而置的边界2处设置有电极块131士243，边界3处设置有电极块cl、c2，相对而置的边界4处设置有电极块dl、d2。一种可实现的电场设置，为al与Cl施加一电压Vl，为a2与c2施加一电压V2，为a3与bl施加一电压V3，为dl与b2施加一电压V4，为d2与b3施加一电压V5。考虑到对称设置，Vl与V5大小可以相等，V2和V4同理可相等。其中，图6(a)示出的施加电压的原理图中引线以及施加的电压应按照一定布线方式进行优化，图中仅为方便理解而做出的示意。从而，使得该密闭空间内壁形成一倾斜电场，使得无序分散在其中的一维纳米导电单元16沿着所形成的电场方向排布，形成如图6 (b)所示的结构，考虑到一维纳米导电单元的直径取值范围与密闭空间的厚度接近，因此，这些一维纳米导电单元可以形成类似于光栅的结构，当光进入该结构时，平行于一维纳米导电单元长轴方向振动的光矢量被吸收，垂直于一维纳米导电单元长轴方向振动的光矢量透过，从而，实现偏光功能。
[0099]此外，参照图6(c)所示，还可以调整为导电层施加的电压的方向和大小，即为a3与dl施加一电压Vl，为a2与d2施加一电压V2，为a I与b3施加一电压V3，为cl与b2施加一电压V4，为c2与bl施加一电压V5。从而，使得该密闭空间内壁形成一预设方向的电场，使得无序分散在其中的一维纳米导电单元16沿着所形成的电场方向排布，形成如图6(d)所示的结构。
[0100]可见，密闭空间内的一维纳米导电单元可以随着电场的变化而发生偏转，从而，形成不同偏光角度的偏光装置。
[0101]可选地，密闭空间内水平电场方向的变化范围为0°-180°，其实，可以通过将电极块设置的无限小的方式来实现电场方向调整的范围广度。从而，实现偏光装置的偏振角度范围为0°-180°。另外，密闭空间内水平电场可以为电场的分力，即产生的电场在垂直基板表面方向有一定倾斜角度，这样，一维纳米导电单元也会相应排布为与水平方向具有一定夹角，即便如此，从基底表面看去，整个密闭空间内的一维纳米导电单元整体仍会形成一类似光栅结构。
[0102]此外，本发明实施例还提供了一种显示装置，参照图7所示，该显示装置包括:液晶显示面板21，以及上述任一方案所涉及的两个偏光装置;这两个偏光装置中，偏光装置22位于液晶显示面板21的出光面，偏光装置23位于液晶显示面板21的入光面。
[0103]通过该方案，可以通过控制端控制偏光装置内的电场方向的变化，从而实现对偏光装置的偏光角度的调整，进而，可以通过偏光装置的偏光角度可调的功能，实现显示装置的视角范围可调的目的，例如，正常视角范围与防窥视角范围的切换。
[0104]可选地，如图8所示，该显示装置还包括:设置于任一偏光装置外表面的视角补偿膜24。图示中设置在偏光装置22的外表面，还包括设置在偏光装置23外表面的方案，本发明并未不出。
[0105]可选地，在本发明实施例中，虽然偏光装置的偏光角度范围为0°_180°，但是，考虑到显示装置中，为了实现显示功能，两个偏光装置是具有固定夹角90°的，在具体的实现过程中，两个偏光装置可切换的偏光角度组合可以包括但并不限于以下方案:
[0106]位于出光面的偏光装置的偏光角度为15°，位于入光面的偏光装置的偏光角度为105° ;或者，位于出光面的偏光装置的偏光角度为165°，位于入光面的偏光装置的偏光角度为75° ;或者，位于出光面的偏光装置的偏光角度为0°，位于入光面的偏光装置的偏光角度为90° ;或者，位于出光面的偏光装置的偏光角度为45°，位于入光面的偏光装置的偏光角度为135。ο
[0107]由此可见，本申请所涉及的显示装置不仅可以实现正常视角范围与防窥视角范围的切换，还可以实现在各个角度的连续切换。
[0108]此外，针对上述偏光装置，本申请还提供了一种偏光装置的驱动方法，参照图9所示，该方法主要包括以下步骤:
[0109]步骤31:调整为密闭空间施加的电压，使所密闭空间产生同一取向方向的电场。
[0110]可选地，调整为密闭空间施加的电压，具体包括:控制端切换密闭空间中各个电极块所连接的电压端口，或者，控制端调整密闭空间中各个电极块所连接的电压端口的电压。
[0111]在本步骤31中，可具体通过控制端对各个电极块施加的电压进行调整，具体地调整方案为:保持各个电极块连接的电压端口不变，调整各个电压端口的电压大小，以实现密闭空间中电场方向的切换。而且，其调整的最终目的是使得密闭空间中的电场方向一致，即一次调整需要对整个密闭空间内的电极块施加的电压进行调整。
[0112]步骤32:密闭空间内的一维纳米导电单元的长轴在电场的作用下发生偏转。
[0113]该步骤32使得一维纳米导电单元发生有序偏转，从而，保证偏光装置的偏光角度可切换，其具体的切换可以为连续切换或非连续切换。
[0114]尽管已描述了本发明的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。
[0115]显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
【主权项】
1.一种偏光装置，其特征在于，包括: 位于入光侧的第一透明基底，与所述第一透明基底相向而设且位于出光侧的第二透明基底，封闭所述第一透明基底和所述第二透明基底使之形成密闭空间的侧板，设置在所述密闭空间内壁的图案化的导电层，填充在所述密闭空间内的透明高分子流体以及分散在所述透明高分子流体中的一维纳米导电单元； 其中，所述一维纳米导电单元的长轴随着所述密闭空间内的电场的变化而发生偏转。2.如权利要求1所述的偏光装置，其特征在于，还包括:设置在所述密闭空间任一位置处且连接有控制端的电气接口 ； 所述导电层通过所述电气接口与所述控制端连接，且通过所述控制端切换产生平行于所述第一透明基底表面且与预设偏光方向相同的电场。3.如权利要求2所述的偏光装置，其特征在于，所述导电层包含多个电极块； 所述多个电极块排布在所述第一透明基底表面的四个边缘区域和/或所述第二透明基底表面的四个边缘区域。4.如权利要求3所述的偏光装置，其特征在于，所述第一透明基底表面的导电层的图案在所述第二透明基底上的正投影与所述第二透明基底表面的导电层的图案相重合。5.如权利要求3所述的偏光装置，其特征在于，所述电极块的材料为透明导电材料。6.如权利要求3所述的偏光装置，其特征在于，所述第一透明基底表面或所述第二透明基底表面设置有导电层，所述电极块在沿垂直所述第一透明基底表面方向的厚度取值范围为45nm-55nm，所述电极块占据边缘区域的宽度范围为35nm-45nm。7.如权利要求3所述的偏光装置，其特征在于，所述第一透明基底和所述第二透明基底均设置有导电层，所述电极块在沿垂直所述第一透明基底表面方向的厚度取值范围为25nm-35nm，所述电极块占据边缘区域的宽度范围为3 5nm_45nm。8.如权利要求2所述的偏光装置，其特征在于，所述导电层包括多个电极块； 所述多个电极块排布在所述侧板的表面。9.如权利要求8所述的偏光装置，其特征在于，相向而设的任意两个侧板表面的导电层的图案以所述密闭空间的中心对称设置。10.如权利要求8所述的偏光装置，其特征在于，所述电极块在沿垂直所述第一透明基底表面方向的高度取值范围为45nm-55nm011.如权利要求1所述的偏光装置，其特征在于，所述密闭空间在沿垂直所述第一透明基底表面方向的厚度取值范围为80nm-100nmo12.如权利要求1所述的偏光装置，其特征在于，所述一维纳米导电单元的材质为金属纳米线或碳纳米管。13.如权利要求1所述的偏光装置，其特征在于，所述一维纳米导电单元呈柱状，所述一维纳米导电单元的直径取值范围为50nm-70nm。14.如权利要求1所述的偏光装置，其特征在于，所述密闭空间内电场方向的变化范围为0°-180° ο15.—种显示装置，包括:液晶显示面板，其特征在于，还包括:权利要求1-14任一项所述的两个偏光装置； 其中，所述两个偏光装置中其一位于所述液晶显示面板的出光面，另一个位于所述液晶显不面板的入光面。16.如权利要求15所述的显示装置，其特征在于，还包括:设置于任一偏光装置外表面的视角补偿膜。17.如权利要求15或16所述的显示装置，其特征在于，所述两个偏光装置可切换的偏光角度组合包括: 位于出光面的偏光装置的偏光角度为15°，位于入光面的偏光装置的偏光角度为105° ;或者， 位于出光面的偏光装置的偏光角度为165°，位于入光面的偏光装置的偏光角度为75° ;或者，位于出光面的偏光装置的偏光角度为0°，位于入光面的偏光装置的偏光角度为90° ;或者， 位于出光面的偏光装置的偏光角度为45°，位于入光面的偏光装置的偏光角度为135°。18.一种权利要求1-14任一项所述的偏光装置的驱动方法，其特征在于，包括: 调整为密闭空间施加的电压，使所述密闭空间产生同一取向方向的电场； 所述密闭空间内的一维纳米导电单元的长轴在所述电场的作用下发生偏转。19.如权利要求18所述的方法，其特征在于，调整为密闭空间施加的电压，具体包括: 控制端切换所述密闭空间中各个电极块所连接的电压端口，或者， 所述控制端调整所述密闭空间中各个电极块所连接的电压端口的电压。
【文档编号】G02F1/1335GK106054441SQ201610665598
【公开日】2016年10月26日
【申请日】2016年8月12日 公开号201610665598.5, CN 106054441 A, CN 106054441A, CN 201610665598, CN-A-106054441, CN106054441 A, CN106054441A, CN201610665598, CN201610665598.5
【发明人】季春燕
【申请人】京东方科技集团股份有限公司