一种半透半反液晶显示面板的制作方法

文档序号:10135323阅读:570来源:国知局
一种半透半反液晶显示面板的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种半透半反液晶显示面板。
【背景技术】
[0002]随着智能穿戴产品的兴起,半反半透式液晶显示面板应用越来越广泛。如图1、2所示,传统半反半透式液晶显示面板结构。图1结构中的阵列基板100’上平坦层110’在生产中存在膜厚上下限偏差,彩膜基板200’上用于支撑的间隔柱210’(Photo Spacer)高度生产中同样存在高度上下限偏差,而在组装时,涂布密封胶300 ’时,其内设的硅球310 ’却无法根据生产膜厚偏差适时调整,导致阵列基板100’与彩膜基板200’贴合后显示屏显示区101’的中间区域与周边区域(介于显示区101’中间区域与非显示区102’之间的部分称为显示区101’的周边区域)液晶层间隙(CELL Gap)不一致,造成点亮显示画面不均匀缺陷。图2结构中虽然排除了阵列基板100’上平坦层110’在生产中膜厚上下限偏差,但该结构密封胶300’厚度太小,阵列基板100 ’与彩膜基板200 ’贴合过程中密封胶300 ’扩展易喷射至显示面板内,造成液晶污染,且同样还因彩膜基板200’上用于支撑的Photo Spacer高度生产中存在高度上下限偏差导致显示区101’中间区域与周边区域CELL Gap不一致,造成点亮显示画面不均匀缺陷。
【实用新型内容】
[0003]为了解决上述现有技术的不足,本实用新型提供了一种半透半反液晶显示面板,在不额外增加制程成本和流程的前提下,在非显示区内跟反射区内的平坦层同层完成与彩膜基板面用于支撑的第二间隔柱相对应的第二支撑柱,用于支撑控制显示面板液晶层间隙的中间区域的第一支撑柱和用于支撑控制显示面板液晶层间隙的周边区域的第二支撑柱都处于相同的高度,使得显示面板中间区域与周边区域的液晶层间隙完全一致,实现显示画面更均匀,密封胶内无需添加硅球,解决了现有半透半反显示面板中间区域与周边区域的液晶层间隙不一致缺陷所造成显示画面不均匀的问题。
[0004]本实用新型所要解决的技术问题通过以下技术方案予以实现:
[0005]—种半透半反液晶显示面板,其包括:
[0006]—阵列基板,具有一显示区和围绕显示区的一非显示区;在显示区内具有一像素阵列;所述像素阵列包括若干个像素单元,每一像素单元至少包括平坦层及位于平坦层上的第一支撑柱;
[0007]若干个第二支撑柱,设置在所述非显示区内,其环绕所述显示区,该第二支撑柱在形成所述像素阵列的平坦层同步制成;
[0008]—彩膜基板,与所述阵列基板相对设置;该彩膜基板包括与所述第一支撑柱对应的第一间隔柱及与所述第二支撑柱对应的若干个第二间隔柱;以及,
[0009]—密封胶,通过所述密封胶固定所述阵列基板和彩膜基板。
[0010]在本实用新型中,还包括一位于所述显示区内介于阵列基板和彩膜基板之间的液晶层。
[0011]在本实用新型中,每一像素单元具有透射区和反射区,每一像素单元还包括:
[0012]栅电极,形成在阵列基板上;
[0013]第一绝缘层,形成在所述栅电极及阵列基板上;
[0014]有源层,形成于所述栅电极上方的第一绝缘层上;
[0015]源电极和漏电极,形成在所述有源层和第一绝缘之上,所述源电极和漏电极分别位于所述有源层的两端;
[0016]第二绝缘层,形成在所述源电极、漏电极和第一绝缘层之上;所述平坦层形成在所述反射区的第二绝缘层上;
[0017]像素电极,形成在所述平坦层和第二绝缘层上,与所述漏电极电连接;
[0018]反射电极,形成在所述反射区的像素电极上。
[0019]在本实用新型中,每一像素单元具有透射区和反射区,每一像素单元还包括:
[0020]栅电极,形成在阵列基板上;
[0021]第一绝缘层,形成在所述栅电极及阵列基板上;
[0022]有源层,形成于所述栅电极上方的第一绝缘层上;
[0023]源电极和漏电极,形成在所述有源层和第一绝缘之上,所述源电极和漏电极分别位于所述有源层的两端;
[0024]第二绝缘层,形成在所述源电极、漏电极和第一绝缘层之上;
[0025]像素电极,形成在所述第二绝缘层上,其与所述漏电极电连接;
[0026]所述平坦层形成在所述反射区的像素电极上;
[0027]反射电极,形成在所述平坦层上,其与所述像素电极电连接。
[0028]本实用新型具有如下有益效果:一种半透半反液晶显示面板在不额外增加制程成本和流程的前提下,在非显示区内跟反射区内的平坦层同层完成与彩膜基板面用于支撑的第二间隔柱相对应的第二支撑柱,用于支撑控制显示面板液晶层间隙的中间区域的第一支撑柱和用于支撑控制显示面板液晶层间隙的周边区域的第二支撑柱都处于相同的高度,用于支撑控制显示面板液晶层间隙的中间区域的第一间隔柱和用于支撑控制显示面板液晶层间隙的周边区域的第二间隔柱也处于相同的高度,则阵列基板和彩膜基板对应贴合后,使得显示面板中间区域与周边区域的液晶层间隙完全一致,实现显示画面更均匀,密封胶内无需添加硅球,解决了现有半透半反显示面板中间区域与周边区域的液晶层间隙不一致缺陷所造成显示画面不均匀的问题。
【附图说明】
[0029]图1为现有技术半透半反液晶显示面板的结构示意图;
[0030]图2为现有技术半透半反液晶显不面板的另一结构不意图;
[0031]图3a~3c为本实用新型一较佳半透半反液晶显示面板的制造流程示意图;
[0032]图4a~4j为图3a~3c进一步细化的制造流程示意图。
【具体实施方式】
[0033]下面结合附图和实施例对本实用新型进行详细的说明。
[0034]请参考图3a至3c,其显示了本实用新型一较佳实施例中半透半反液晶显示面板的制造流程图,该制造流程在不增加制程及成本的情况下,可实现显示画面更均匀,且制造方便、工作效率高。请参考图3a,阵列基板100具有显示区101及围绕该显示区101的非显示区102,在所述显示区101内形成像素阵列;在阵列基板100的显示区101和非显示区102,通过对应MASK曝光、显影、固化形成平坦层170及平坦层170上的若干个第一支撑柱171和位于非显示区102的若干个第二支撑柱172;请参考图3b,彩膜基板200上在形成与所述第一支撑柱171对应的若干个第一间隔柱210时,同时形成了与所述第二支撑柱172对应的若干个第二间隔柱220,所述第一间隔柱210位于所述彩膜基板200的遮光区域内,所述第二间隔柱220位于所述彩膜基板200上的非显示区102内。请参考图3c,在所述阵列基板100和/或彩膜基板200上涂布密封胶300,所述阵列基板100和彩膜基板200相对贴合且通过所述密封胶300固定。当阵列基板100和彩膜基板200对位成盒时,第一间隔柱210与第一支撑柱171对应接触,第二间隔柱220与第二支撑柱172对应接触,由于第一间隔柱210和第二间隔柱220同时形成,其制程误差一致,第一支撑柱171和第二支撑柱172也同时形成,其制程误差也一致,则对位成盒后,第一间隔柱210与第一支撑柱171的高度之和与第二间隔柱220和第二支撑柱172的高度之和相一致,从而保证显示区101的中心区域与周边区域的液晶层间隙一致,以获得均匀的显示画面,解决了现有半透半反显示面板中间区域与周边区域的液晶层间隙不一致缺陷所造成显示画面不均匀的问题;同时,密封胶300内无需内设硅球,避免了现有技术中内设的硅球无法根据生产膜厚偏差适时调整的困扰。
[0035]以下对上述的制造流程进一步细化说明,但本领域普通技术人员应该知道,根据不同实际要求,构成的具体的像素阵列会有不同,以下举例的制造方法仅是较优的,但不局限于此。
[0036]该半透半反液晶显示面板的制造方法具体包括如下步骤:
[0037]步骤1、提供一阵列基板100,该阵列基板100为透光的玻璃或石英基板,或其他合适材料的基板;该阵列基板100具有非显示区102和显示区101,所述非显示区102围绕所述显示区101;所述显示区101内具有透射区和反射区;
[0038]步骤2、在阵列基板100上磁控溅射沉积金属薄膜层,再通过光刻、刻蚀和剥离等构图工艺,在阵列基板100的显示区101域内形成如图4a所示的栅电极110和栅极扫描线(图未显示);该金属薄膜层的材料可为钼、钨、铬、铝、铜或其叠层或其他适当材料;构图工艺的流程通常包括涂胶、掩膜、曝光、显影、刻蚀、剥离等工艺;
[0039]步骤3、利用化学气相沉积方法在栅电极110和阵列基板100上沉积如图4b所示的第一绝缘层120,形成栅极绝缘层;所述绝缘层通常为氧化层,但也可以为氮化层、其他适宜的绝缘材料层或前述各绝缘层的复合层;
[0040]步骤4、在完成步骤3的阵列基板100上,利用化学气相沉积方法沉积非晶硅半导体和掺杂非晶硅半导体薄膜通过光刻、刻蚀和剥离等构图工艺在栅电极110的正上方的第一绝缘层120之上的非晶硅半导体和掺杂非晶硅半导体薄膜上形成如图4c所示的有源层130;
[0041]步骤5、在完成步骤4的阵列基板100上沉积金属薄膜层,再通过光刻、刻蚀和剥离等构图工艺,在有源层130上表面形成如图4d所示的源电极140和漏电极150,源电极140和漏电极150分别形成于有源层130上表面的两端,形成薄膜晶体管;该薄膜晶体管包括但不限于A-S1、LTPS、金属氧化物、有机TFT;该金属薄膜层的材料可为钼、钨、铬、铝、铜或其叠层或其他适当材料,还可以是具备反射性的金属薄膜;构图工艺的流程通常包括涂胶、掩膜、曝光、显影、刻蚀、剥离等工艺;
[0042]步骤6、在完成步骤5的阵列基板100上利用化学气相沉积方法沉积第二绝缘层160,如图4e所示的;所述绝缘层材料同上;
[0043]步骤7、在第二绝缘层160上通过化学沉积方法沉积一绝缘感光层,在阵列基板100的显示区101和非显示区102,通过对应MASK曝光、显影、固化形成位于所述阵列基板100的显示区101上的平坦层170及位于平坦层170上的若干个第一支撑柱171和位于非显示区102的若干个第二支撑柱172,如图4f所示;
[0044]具体实现时,在反射区内,经过MASK-A进行曝光、显影,形成平坦层170,未曝光部分形成第一支撑柱171;在透射区及非显示区内,通过MASK-B进行曝光、显影,将位于透射区膜层曝光去掉,位于非显示区102未曝光部分形成第二支撑柱172,所述若干个第二支撑柱172环绕所述显示区101;由于第一支撑柱171和第二支撑柱172均未曝光,则两者高度一致;较佳地,所述平坦层170优选位于薄膜晶体
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