专利名称：等离子显示屏的介质保护膜及其制作方法和含有其的等离子显示屏的制作方法
技术领域：
本发明涉及气体放电技术领域，具体而言涉及一种等离子显示屏的介质保护膜及其制作方法和含有其的等离子显示屏。
背景技术：
等离子体显示器是一种利用气体放电产生紫外线，进而激发荧光粉发出可见光而显像的一种显示器。等离子显示面板是实现放电发光的主要结构，其由前后两个基板组成。 在前基板上，设置有横向维持电极和扫描电极、以及之上的介质层和介质保护膜；在后基板上，设置有纵向的寻址电极和障壁结构，放电发生在前后基板及障壁所组成的空间内。等离子显示屏的放电性能决定着等离子显示屏的亮度、光效、功耗等指标，而提高放电性能的主要手段是提高等离子显示面板介质保护膜的性能。当前，等离子体显示面板介质保护膜最为成熟的材料为MgO，其具有耐溅射性能优良、电阻率高、二次电子发射系数高、高可见光透过率等特点。该介质保护膜能够有效保护前基板的电极和介质层、延长等离子显示屏的使用寿命、存储壁电荷、发挥内存效果、降低电压、限制放电电流，从而改善等离子显示屏的放电性能。近年来，普遍采用提高放电气体中Xe含量的做法来提高等离子体显示器的亮度， 但同时，等离子体显示器的放电电压和功耗也随之升高，这是由于氧化镁膜在高)(e含量的工作气体下二次电子发射性能较差，导致放电电压升高，因此，需要开发新的介质保护膜来提高其在高)(e环境下的二次电子发射性能，进而降低PDP的放电电压。
发明内容
本发明旨在提供等离子显示屏的介质保护膜，以解决现有技术中介质保护膜的在高Xe环境下二次电子发射系数低导致等离子显示屏放电电压低的问题。根据本发明的一个方面，提供了一种等离子显示屏的介质保护膜的制作方法，包括以下步骤1)在介质层上制备介质保护层；幻在介质保护层上形成晶粒层，介质保护层和晶粒层形成介质保护膜。进一步地，上述介质保护层的制备方法是将介质保护膜材料通过真空沉积法形成在介质层上。进一步地，通过浆料涂布、喷涂、静电吸附、物理摩擦或化学反应法形成上述晶粒层。进一步地，制备上述介质保护层的材料为MgO单晶颗粒。进一步地，制备上述介质保护层的材料为掺杂其他元素的MgO晶体，其中，其他元素包括 Ca、Zn、Be、Sr、Ba、Mo、Si、Sc、Ti 禾Π Ni。进一步地，上述晶粒层的晶粒为掺杂金属元素的MgO晶体，金属元素为Ca、ai、Si、 Sc、Ti或Ni，上述晶体为物理混合物、固溶体或者合金。
进一步地，上述晶粒层的晶粒为无机材料或金属材料，选自由碳纳米管、ZnO, BeO, CaO、SrO, BaO、La2O5, LaB6, Mo 和 W 组成的组中的任一种。进一步地，上述晶粒的粒径为5 lOOOnm，晶粒层的厚度为10 lOOOnm，覆盖度为 0. 01 100%。根据本发明的另一方面，还提供了一种等离子显示屏的介质保护膜，介质保护膜由上述制作方法制作而成。根据本发明的又一方面，还提供了一种等离子显示屏，包括前基板、PDP放电电极和后基板，其中，前基板设置有上述介质保护膜。本发明达到的技术效果根据本发明的制作方法并不改变原来的等离子显示屏的制作工艺，只是在介质保护层上增加了一层晶粒层，工艺过程简单，按照现有设备即可实施，介质保护层和晶粒层组成具有双层结构的介质保护膜，而且，由于晶粒层的晶粒是具有高二次电子发射系数，从而降低了介质保护膜的放电电压，应用到等离子显示屏上时提高了等离子显示屏的亮度。除了上面所描述的目的、特征和优点之外，本发明还有其它的目的、特征和优点。 下面将参照图和具体实施方式
对本发明作进一步详细的说明。
说明书附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中图1示出了根据本发明实施例1-5和对比例1的等离子显示屏的最小着火电压与老练时间的关系曲线图；图2示出了根据本发明实施例1-5和对比例1的等离子显示屏的最大灭火电压与老练时间的关系曲线图。
具体实施例方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明的实施例中的技术方案进行详细的说明，但如下实施例以及附图仅是用以理解本发明，而不能限制本发明，本发明可以由权利要求限定和覆盖的多种不同方式实施。在本发明的一种典型的实施方式中，提供了一种等离子显示屏的介质保护膜的制作方法，包括以下步骤1)在介质层上制备介质保护层；幻在介质保护层上形成晶粒层，介质保护层和晶粒层形成介质保护膜。优选地，介质保护层的制备方法为将介质保护膜材料通过真空沉积法形成在介质层上。真空沉积法形成的介质保护层缺陷密度低，化学稳定性好。优选地，可用于本发明的真空沉积法包括并不限于电子束蒸镀法、离子束蒸镀法、溅射法、化学气相沉积法。优选地，晶粒层的制备方法可以采用浆料涂布、喷涂、静电吸附、物理摩擦和化学反应生成等工艺。利用现有设备将晶粒布置在介质层，不仅使工艺过程的操作简单，可实现性高，而且晶粒均勻分布在介质层上，降低了介质保护膜各处的着火电压。本发明制备介质保护层的材料为MgO单晶颗粒或者掺杂其他元素的MgO晶体，其中，其他元素可以是Ca、Si、Be、Sr、Ba、Mo、Si、&、Ti或Ni，上述材料可以通过物理混合物、固溶体或合金形成用于制备。采用氧化镁单晶颗粒为介质保护层的材料，生长得到的介质保护层的结晶度更好；在氧化镁晶体中掺杂Ca、Zn、Be、Sr等元素，提高了介质保护层的材料的二次电子发射系数，从而实现了降低了介质保护膜各处的着火电压的效果。本发明晶粒层的晶粒为高二次电子发射性能的物质，优选地，本发明的晶粒包括掺杂金属元素的MgO晶体，金属元素可以是Ca、Zn、Si、Sc、Ti或Ni，晶体为物理混合物、固溶体或者合金；或者该晶体为无机材料或金属材料，选自由碳纳米管、ZnO, BeO, CaO, SrO, Ba0、La205、LaB6、MO和W组成的组中的任一种。上述物质的二次电子发射性能都较好，而且， 在介质保护层上易于均勻分布，性能稳定，可大大提高介质保护膜的放电效果。优选地，晶粒的粒径为5 lOOOnm，晶粒层的厚度为10 lOOOnm，覆盖度为 0. 01 100%。因为粒径对介质保护膜性能产生较大影响，晶粒越大，介质保护膜发射二次电子的能力及抗离子溅射的能力就越强，因此在形成晶粒层时，选择粒径为5 lOOOnm，粒径足够大；而且，晶粒层的厚度若小于lOnm，晶粒层太薄不足以起到增强介质保护膜的保护作用，然而当晶粒层厚度大于IOOOnm时，晶粒层太厚，影响所形成的等离子显示屏的光效；晶粒层的覆盖度在0. 01 100%之间都可以实现增强介质保护膜的保护作用的效果， 只是随着晶粒层覆盖度的增大效果越明显。优选地，介质保护膜的厚度为10 lOOOnm。本发明的介质保护膜是由介质保护层和晶粒层组成的双层膜，控制介质保护膜的厚度在10 IOOOnm之间，在此范围内可以充分实现介质保护膜对介质层的保护作用，而且不会影响可见光的透过率。根据本发明的另一方面，还提供了一种等离子显示屏的介质保护膜，介质保护膜通过上述制作方法制作。介质保护层和晶粒层组成具有双层结构的介质保护膜，而且，由于晶粒层的晶粒是具有高二次电子发射系数，从而降低了介质保护膜的放电电压。根据本发明的又一方面，还提供了一种等离子显示屏，包括前基板、PDP放电电极和后基板，其中，前基板上设置有上述介质保护膜。等离子显示屏采用此介质保护膜后， 等离子显示屏的亮度得到了提高。以下将结合实施例1-5和对比例1，进一步说明采用本发明的有益效果。实施例1介质保护层材料单晶MgO颗粒；晶粒层晶粒=MgCaO颗粒，粒径为 500nm 士 100nm。制作前基板在前基板上形成电极材料层，在电极材料层上制备介质层，在介质层上制作介质保护层，采用电子束蒸镀法沉积单晶MgO颗粒，，形成介质保护层，然后通过将MgCaO颗粒喷涂在介质保护层上形成晶粒层，晶粒层的厚度为600士 lOOnm，覆盖度为50%。介质保护层和晶粒层组成形成介质保护膜，介质保护膜的厚度为800士 lOOnm。制作后基板，将前基板与后基板对合封接在一起，得到等离子显示屏1。实施例2介质保护层材料=MgCaO多晶颗粒；晶粒层晶粒CsI颗粒，粒径为20nm士 lOnm。制作前基板在前基板上形成电极材料层，在电极材料层上制备介质层，在介质层上制作介质保护层，采用离子束蒸镀法沉积MgCaO多晶颗粒，，形成介质保护层，然后将CsI颗粒静电吸附在介质保护层上，形成晶粒层，晶粒层的厚度为200 士 lOnm，覆盖度为100%。介质保护层和晶粒层组成介质保护膜，介质保护膜的厚度为400士 lOOnm。制作后基板，将前基板与后基板对合封接在一起，得到等离子显示屏2。实施例3介质保护层材料MgO和BaO多晶颗粒，二者的质量比为MgO BaO = 9 1 ；晶粒层晶粒碳纳米管，粒径为900士 lOOnm。制作前基板在前基板上形成电极材料层，在电极材料层上制备介质层，在介质层上制作介质保护层，采用电子束蒸镀法沉积MgO和BaO多晶颗粒，形成介质保护层，然后通过化学反应生成法将碳纳米管制备在介质保护层上，形成晶粒层，晶粒层的厚度为900士 lOOnm，覆盖度为10%。介质保护层和晶粒层组成介质保护膜，介质保护膜的厚度为900士 lOOnm。制作后基板，将前基板与后基板对合封接在一起，得到等离子显示屏3。实施例4介质保护层材料=MgMoO合金；晶粒层晶粒ZnO单晶，粒径为5 20nm。制作前基板在前基板上形成电极材料层，在电极材料层上制备介质层，在介质层上制作介质保护层，采用电子束蒸镀法沉积MgMoO合金，形成介质保护层，然后通过浆料涂布将ZnO单晶制备在介质保护层上，形成晶粒层，晶粒层的厚度为200 士 lOnm，覆盖度为1%。介质保护层和晶粒层组成介质保护膜，介质保护膜的厚度为600士 lOOnm。制作后基板，将前基板与后基板对合封接在一起，得到等离子显示屏4。实施例5介质保护层材料=MgScO合金；晶粒层晶粒LaB6，粒径为300士 lOOnm。制作前基板在前基板上形成电极材料层，在电极材料层上制备介质层，在介质层上制作介质保护层，采用电子束蒸镀法沉积MgScO合金，形成介质保护层，然后将LaB6浆料涂布在介质保护层上，形成晶粒层，晶粒层的厚度为400 士 lOOnm，覆盖度为1%。介质保护层和晶粒层组成介质保护膜，介质保护膜的厚度为600士 lOOnm。制作后基板，将前基板与后基板对合封接在一起，得到等离子显示屏5。对比例1制作前基板在依次制作有维持电极和扫描-维持电极、透明介质层的基板上沉积MgO膜，作为介质保护膜。制作后基板，将前基板和后基板对合封接在一起，得到对比例1等离子显示屏。对上述实施例1-5的等离子显示屏和对比例1的等离子显示屏进行老练，测试他们的着火电压和灭火电压，测试结果见附图1和附图2。由附图1和附图2可以看出，采用实施例1-5的等离子显示屏比对比例1的等离子显示屏具有较低的放电电压。以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
权利要求
1.一种等离子显示屏的介质保护膜的制作方法，其特征在于，包括以下步骤1)在介质层上制备介质保护层；2)在所述介质保护层上形成晶粒层，所述介质保护层和所述晶粒层形成所述介质保护膜。
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述介质保护层的制备方法是将介质保护膜材料通过真空沉积法形成在所述介质层上。
3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，通过浆料涂布、喷涂、静电吸附、物理摩擦或化学反应法形成所述晶粒层。
4.根据权利要求1-3任一项所述的制作方法，其特征在于，制备所述介质保护层的材料为MgO单晶颗粒。
5.根据权利要求1-3任一项所述的制作方法，其特征在于，制备所述介质保护层的材料为掺杂其他元素的MgO晶体，其中，所述其他元素包括Ca、Zn、Be、Sr、Ba、Mo、Si、Sc、Ti或N。
6.根据权利要求1-3任一项所述的制作方法，其特征在于，所述晶粒层的晶粒为掺杂金属元素的MgO晶体，所述金属元素为Ca、Zn、Si、Sc、Ti或Ni，所述晶体为物理混合物、固溶体或者合金。
7.根据权利要求1-3任一项所述的制作方法，其特征在于，所述晶粒层的晶粒为无机材料或金属材料，选自由碳纳米管、2110、860、030、510、830、1^205、1^86、]\10和W组成的组中的任一种。
8.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述晶粒的粒径为5 lOOOnm，所述晶粒层的厚度为10 lOOOnm，覆盖度为0. 01 100%。
9.一种等离子显示屏的介质保护膜，其特征在于，所述介质保护膜由权利要求1-任一项所述的制作方法制作而成。
10.一种等离子显示屏，包括前基板、PDP放电电极和后基板，其特征在于，所述前基板上设置有权利要求9所述的介质保护膜。
全文摘要
本发明提供了一种等离子显示屏的介质保护膜及其制作方法和含有其的等离子显示屏。本发明提供的制作方法包括以下步骤1)在介质层上制备介质保护层；2)在介质保护层上形成晶粒层，介质保护层和晶粒层形成介质保护膜。根据本发明的制作方法并不改变原来的等离子显示屏的制作工艺，只是在介质保护层上增加了一层晶粒层，工艺过程简单，按照现有设备即可实施，介质保护层和晶粒层组成具有双层结构的介质保护膜，而且，由于晶粒层的晶粒具有高的二次电子发射系数，应用到等离子显示屏上，降低了等离子显示屏的放电电压。
文档编号H01J11/10GK102509680SQ20111045649
公开日2012年6月20日 申请日期2011年12月31日 优先权日2011年12月31日
发明者罗向辉, 邢芳丽 申请人:四川虹欧显示器件有限公司