用于超窄间隙焊接的焊剂及其涂覆方法

文档序号:3175546阅读:235来源:国知局
专利名称:用于超窄间隙焊接的焊剂及其涂覆方法
技术领域
本发明的焊剂主要应用于超窄间隙焊接中,并涉及将这种焊剂涂覆于坡口侧壁的涂覆方法。
背景技术
现有的窄间隙焊接,如果采用细丝,坡口间隙在6~8mm,粗丝在10~25mm,目前国际最先进的窄间隙焊接也不能实现坡口间隙小于4mm。为了防止坡口侧面产生未焊透,都是采用每层两道到三道的焊接方法,而且采用了各种电弧摆动或旋转方法,使焊接过程复杂,而且难于实现。

发明内容
本发明的目的是在超窄间隙焊接中焊透坡口侧面。
本发明是用于超窄间隙焊接的焊剂及其涂覆方法,首先将焊剂碾成粉末状并压制成焊剂片,将焊剂片用胶涂覆于型坡口的侧壁上,然后进行焊接。焊剂组成成分包括钛白粉、大理石、萤石、云母、纯碱。
焊剂可按以下配方配制(1)配方1钛白粉8%~9%,大理石40%~60%,萤石30%~40%,云母2%~3%,纯碱1%~2%;(2)配方2大理石60%~70%,萤石20%~25%,石英10%~11.3%;(3)配方3钛白粉10%~12%,大理石50%~70%,云母5%~7%,萤石20%~22%。石英3%~4%,纯碱1%~1.5%;(4)配方4钛白粉5%~6%,大理石50%~60%,云母2%~2.5%,萤石25%~35%。石英7%~8.5%;将以上配方配制的焊剂碾成粉末状并压制成0.1~1mm焊剂片,所用胶的配方是氧化镁、氧化锌、二氧化硅、水玻璃的质量比为30∶50∶50∶50,将焊剂片用胶涂覆于型坡口的侧壁上,待胶固化后,然后进行焊接。
本发明的有益效果是焊接过程中,在电弧热量和熔池热量的共同作用下,焊剂熔化,熔化的焊剂产生保护气体,参与焊缝的合金化;同时,没有熔化的焊剂片对电弧与坡口侧壁起到绝缘作用,使电弧不能沿坡口侧壁燃烧,从而保证电弧稳定,所以本发明可在坡口间隙在4mm以下的条件下,使电弧受到坡口侧壁的压缩,同时压缩电弧的坡口侧壁熔化,解决了超窄间隙中坡口难以熔合的问题,并且实现了单层单道的超窄间隙焊接,方法简单,易于实现。


图1是本发明在焊接坡口间隙涂覆焊剂后的示意图。
具体实现方式本发明的焊剂可按以下配方配制(1)配方1钛白粉8%~9%,大理石40%~60%,萤石30%~40%,云母2%~3%,纯碱1%~2%;(2)配方2大理石60%~70%,萤石20%~25%,石英10%~11.3%;(3)配方3钛白粉10%~12%,大理石50%~70%,云母5%~7%,萤石20%~22%。石英3%~4%,纯碱1%~1.5%;(4)配方4钛白粉5%~6%,大理石50%~60%,云母2%~2.5%,萤石25%~35%。石英7%~8.5%;将以上配方配制的焊剂碾成粉末状并压制成0.1~1mm焊剂片,所用胶的配方是氧化镁、氧化锌、二氧化硅、水玻璃的质量比为30∶50∶50∶50,如图1所示,(1)为焊接母材,将焊剂片用胶涂覆于型坡口的侧壁上,形成焊剂涂覆层(2),待胶固化后,然后进行焊接。焊丝(图中未示出)伸入超窄间隙中,周围被焊剂包围,相当于焊条一样,不同的是焊条的焊剂直接包裹着焊条,本发明的焊剂涂覆在坡口侧壁上。
权利要求
1.用于超窄间隙焊接的焊剂及其涂覆方法,其特征是将焊剂碾成粉末状并压制成焊剂片,将焊剂片用胶涂覆于型坡口的侧壁上,然后进行焊接,焊剂组成成分包括钛白粉、大理石、萤石、云母、纯碱;
2.根据权利要求1所述的用于超窄间隙焊接的焊剂及其涂覆方法,其特征是焊剂可按以下配方配制(1)配方1钛白粉8%~9%,大理石40%~60%,萤石30%~40%,云母2%~3%,纯碱1%~2%;(2)配方2大理石60%~70%,萤石20%~25%,石英10%~11.3%;(3)配方3钛白粉10%~12%,大理石50%~70%,云母5%~7%,萤石20%~22%。石英3%~4%,纯碱1%~1.5%;(4)配方4钛白粉5%~6%,大理石50%~60%,云母2%~2.5%,萤石25%~35%。石英7%~8.5%;将以上配方配制的焊剂碾成粉末状并压制成0.1~1mm焊剂片,所用胶的配方是氧化镁、氧化锌、二氧化硅、水玻璃的质量比为30∶50∶50∶50,将焊剂片用胶涂覆于型坡口的侧壁上,待胶固化后,然后进行焊接。
全文摘要
本发明是用于超窄间隙焊接的焊剂及其涂覆方法,其目的是在超窄间隙焊接中焊透坡口侧面,首先将焊剂碾成粉末状并压制成焊剂片,将焊剂片用胶涂覆于型坡口的侧壁上,然后进行焊接,焊剂组成成分包括钛白粉、大理石、萤石、云母、纯碱。所用胶的配方是氧化镁、氧化锌、二氧化硅、水玻璃,将焊剂片用胶涂覆于型坡口的侧壁上,待胶固化后,然后进行焊接。
文档编号B23K35/362GK1480290SQ0313435
公开日2004年3月10日 申请日期2003年6月10日 优先权日2003年6月10日
发明者朱亮, 张爱华, 陈剑虹, 那雪冬, 王永峰, 郑韶先, 李斌, 王明艳, 朱 亮 申请人:兰州理工大学
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